JPH01230261A - 絶縁基板 - Google Patents
絶縁基板Info
- Publication number
- JPH01230261A JPH01230261A JP63056991A JP5699188A JPH01230261A JP H01230261 A JPH01230261 A JP H01230261A JP 63056991 A JP63056991 A JP 63056991A JP 5699188 A JP5699188 A JP 5699188A JP H01230261 A JPH01230261 A JP H01230261A
- Authority
- JP
- Japan
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- metal film
- fixed
- insulating
- insulating board
- bent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電力用半導体モジュールにおいて、半導体
片などを外部から絶縁し、かつ、半導体片の発生する熱
を効率良く外部へ放散する絶縁基板に関する。
片などを外部から絶縁し、かつ、半導体片の発生する熱
を効率良く外部へ放散する絶縁基板に関する。
一般に、パワーＩＣやパワーモジュールなどの電力用半
導体モジュールに用いられる絶縁基板は、絶縁性セラミ
ックスなどの絶縁材料からなる平板の一平面上に全面に
金属膜が固着され、他平面上に所要の形状にパタニング
された金属膜が固着されてなる。そして、第３図に一例
のパワーモジュールの半完成組立構体の斜視図として示
すように、絶縁基板１はその全面に金属膜の固着された
絶縁板の一平面側で金属基板２に固着され、他平面上に
固着されたパタニングされた金属膜１３上にはそれぞれ
半導体片３．外部導出端子４がはんだ５で固着され、半
導体片３の電極と外部導出端子４とは金属細線６で接続
される。この後、半完成組立構体を収納するように金属
基板の周縁部に絶縁材料からなるケースが接着され、半
導体片３を外部雰囲気から保護し、また、組立構体全体
に機械的強度を持たせるために、ケース内にゲル状の樹
脂を注入し、さらにその上に注型樹脂を充填して硬化さ
せ樹脂封止してモジュールとして完成させる。
導体モジュールに用いられる絶縁基板は、絶縁性セラミ
ックスなどの絶縁材料からなる平板の一平面上に全面に
金属膜が固着され、他平面上に所要の形状にパタニング
された金属膜が固着されてなる。そして、第３図に一例
のパワーモジュールの半完成組立構体の斜視図として示
すように、絶縁基板１はその全面に金属膜の固着された
絶縁板の一平面側で金属基板２に固着され、他平面上に
固着されたパタニングされた金属膜１３上にはそれぞれ
半導体片３．外部導出端子４がはんだ５で固着され、半
導体片３の電極と外部導出端子４とは金属細線６で接続
される。この後、半完成組立構体を収納するように金属
基板の周縁部に絶縁材料からなるケースが接着され、半
導体片３を外部雰囲気から保護し、また、組立構体全体
に機械的強度を持たせるために、ケース内にゲル状の樹
脂を注入し、さらにその上に注型樹脂を充填して硬化さ
せ樹脂封止してモジュールとして完成させる。
ところが、この金属膜１３と外部導出端子４との接続部
において、上述の封止樹脂が半導体片３の熱を受けて膨
張・収縮を繰り返すストレスによりはんだ５が金属疲労
をおこしてオーブンになるという問題があった。この問
題の対策として、第４図の半完成組立構体の側面図に示
すように、外部導出端子４の一部に細部４１を形成して
ストレスを吸収する方法が提案され実施されているが、
大電流品においては細部４１の電流密度が高くなり過ぎ
るので細めるには限界があって対策として不充分であり
、また、特に高周波用のものでは細部４１で生じる誘導
成分が無視できなくなるという問題があらたに発生して
くる。
において、上述の封止樹脂が半導体片３の熱を受けて膨
張・収縮を繰り返すストレスによりはんだ５が金属疲労
をおこしてオーブンになるという問題があった。この問
題の対策として、第４図の半完成組立構体の側面図に示
すように、外部導出端子４の一部に細部４１を形成して
ストレスを吸収する方法が提案され実施されているが、
大電流品においては細部４１の電流密度が高くなり過ぎ
るので細めるには限界があって対策として不充分であり
、また、特に高周波用のものでは細部４１で生じる誘導
成分が無視できなくなるという問題があらたに発生して
くる。
この発明は、上述の問題点を解消して、外部導出端子と
の接続部のオーブン不良をなくし、大電流用、特に高周
波用の半導体モジニールに適した絶縁基板を提供するこ
とを目的とする。
の接続部のオーブン不良をなくし、大電流用、特に高周
波用の半導体モジニールに適した絶縁基板を提供するこ
とを目的とする。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、絶縁
材料からなる平板の一平面上には全面に金属膜が固着さ
れ他平面上には所要の形状にパタニングされた金属膜が
固着されてなる絶縁基板において、前記パタニングされ
た金属膜がこの膜の端面の一部から前記他平面外に延び
ており、その延長部は断面がＵ字形になるように折り曲
げられている絶縁基板とする。
材料からなる平板の一平面上には全面に金属膜が固着さ
れ他平面上には所要の形状にパタニングされた金属膜が
固着されてなる絶縁基板において、前記パタニングされ
た金属膜がこの膜の端面の一部から前記他平面外に延び
ており、その延長部は断面がＵ字形になるように折り曲
げられている絶縁基板とする。
この発明による絶縁基板を用い、その絶縁板に固着され
ずに延長され折り曲げられている金属膜の部分に外部導
出端子をはんだ付けすると、その接続部に加わる樹脂か
らのストレスは金属膜の折り曲げ部のダンパー作用によ
り吸収され、接続部に過大なストレスが加わらなくなり
、はんだの金属疲労はおこらなくなり、外部導出端子に
細部を設ける必要はなくなる。従って、高周波で使用し
ても、この細部に起因する誘導成分が発生することはな
い。
ずに延長され折り曲げられている金属膜の部分に外部導
出端子をはんだ付けすると、その接続部に加わる樹脂か
らのストレスは金属膜の折り曲げ部のダンパー作用によ
り吸収され、接続部に過大なストレスが加わらなくなり
、はんだの金属疲労はおこらなくなり、外部導出端子に
細部を設ける必要はなくなる。従って、高周波で使用し
ても、この細部に起因する誘導成分が発生することはな
い。
以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図はこの発明による絶縁基板の一実施例を示すもの
で第１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
の矢視Ａの側面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の矢視
Ｂの側面図ある。第１図において、絶縁基板１は絶縁板
１１．その下面全面に固着された金属膜１２゜絶縁板１
１の上面に固着された所定の形状にパタニングされた金
属膜１３からなり、金属膜１３の端面の一部からは絶縁
板１１の面に固着されずに金属膜が延びており、その金
属膜延長部１４はその断面がＵ字形となるように折り曲
げられてもとの固着された金属膜上に隙間をおいて延在
している。
で第１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
の矢視Ａの側面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の矢視
Ｂの側面図ある。第１図において、絶縁基板１は絶縁板
１１．その下面全面に固着された金属膜１２゜絶縁板１
１の上面に固着された所定の形状にパタニングされた金
属膜１３からなり、金属膜１３の端面の一部からは絶縁
板１１の面に固着されずに金属膜が延びており、その金
属膜延長部１４はその断面がＵ字形となるように折り曲
げられてもとの固着された金属膜上に隙間をおいて延在
している。
第２図は、第１図に示した絶縁基板を用いた一例のパワ
ーモジニールの半完成組立構体の斜視図を示し、従来例
の第３図と共通な部分には同じ符号が付しである。ただ
し、第２図には金属基板は図示してない。第２図に示す
ように、外部導出端子４は絶縁板１１面上に固着された
金属膜１３ではなく折り曲げられている延長部１４には
んだ５により接続固着されている。このために、樹脂封
止された後において、樹脂からのストレスは金属膜の折
り曲げ部分に吸収されて外部導出端子の接続部には過大
なストレスはかからなくなる。
ーモジニールの半完成組立構体の斜視図を示し、従来例
の第３図と共通な部分には同じ符号が付しである。ただ
し、第２図には金属基板は図示してない。第２図に示す
ように、外部導出端子４は絶縁板１１面上に固着された
金属膜１３ではなく折り曲げられている延長部１４には
んだ５により接続固着されている。このために、樹脂封
止された後において、樹脂からのストレスは金属膜の折
り曲げ部分に吸収されて外部導出端子の接続部には過大
なストレスはかからなくなる。
この発明による絶縁基板を用い、折り曲げられている金
属膜延長部に外部導出端子をはんだ付けで接続すると、
接続部に加わるストレスが金属膜の折り曲げ部のダンパ
ー作用により吸収され接続部に過大なストレスが加わる
ことがなく、はんだの金属疲労がおこらず、金属膜と外
部導出端子とのオーブン不良は発生しなくなる。従って
、従来のように外部導出端子を極部的に細くしてオーブ
ン不良を防ぐ必要がなくなり、高周波用に使用しても誘
導成分は生じなくなる。かくして、大電流用、特に高周
波用の半導体モジュールを容易に製、造することが可能
となる。
属膜延長部に外部導出端子をはんだ付けで接続すると、
接続部に加わるストレスが金属膜の折り曲げ部のダンパ
ー作用により吸収され接続部に過大なストレスが加わる
ことがなく、はんだの金属疲労がおこらず、金属膜と外
部導出端子とのオーブン不良は発生しなくなる。従って
、従来のように外部導出端子を極部的に細くしてオーブ
ン不良を防ぐ必要がなくなり、高周波用に使用しても誘
導成分は生じなくなる。かくして、大電流用、特に高周
波用の半導体モジュールを容易に製、造することが可能
となる。
第１図はこの発明による絶縁基板の一実施例を示すもの
で、第１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ
）の矢視Ａの側面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の矢
視Ｂの側面図である。第２図は第１図に示した絶縁基板
を用いた一例のパワーモジニールの半完成組立構体の斜
視図である。第３図および第４図は従来例の絶縁基板を
用いた一例のパワーモジュ−ルの半完成組立構体を示す
もので、第３図は斜視図、第４図は側面図である。 １ 絶縁基板、１１−絶縁板、１２．１３ 金属膜、
第１図 第２図
で、第１図（ａ）は上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ
）の矢視Ａの側面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の矢
視Ｂの側面図である。第２図は第１図に示した絶縁基板
を用いた一例のパワーモジニールの半完成組立構体の斜
視図である。第３図および第４図は従来例の絶縁基板を
用いた一例のパワーモジュ−ルの半完成組立構体を示す
もので、第３図は斜視図、第４図は側面図である。 １ 絶縁基板、１１−絶縁板、１２．１３ 金属膜、
第１図 第２図
Claims (1)
- （１）絶縁材料からなる平板の一平面上には全面に金属
膜が固着され他平面上には所要の形状にパタニングされ
た金属膜が固着されてなる絶縁基板において、前記パタ
ニングされた金属膜がこの膜の端面の一部から前記他平
面外にさらに延びており、その延長部は、断面がＵ字形
になるように折り曲げられていることを特徴とする絶縁
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63056991A JPH01230261A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63056991A JPH01230261A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230261A true JPH01230261A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=13042959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63056991A Pending JPH01230261A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230261A (ja) |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63056991A patent/JPH01230261A/ja active Pending
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