JPH01228188A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH01228188A JPH01228188A JP5580188A JP5580188A JPH01228188A JP H01228188 A JPH01228188 A JP H01228188A JP 5580188 A JP5580188 A JP 5580188A JP 5580188 A JP5580188 A JP 5580188A JP H01228188 A JPH01228188 A JP H01228188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- type
- groove
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
分布帰還形レーザの構造及び製造方法の改良に関し、
簡単且つ容易に実施し得る工程により、必要な各種の層
を形成する際の熱ダメージを受ける回数を減少させるこ
とが可能な半導体発光装置及びその製造方法の提供を目
的とし、 表面に回折格子を有する第１通電型の化合物半導体基板
の表面に形成した溝内、及び前記回折格子の表面に、分
断された第２導電型のハンドギャツブが前記第１導電型
の化合物半導体基板よりも狭く、活性層よりも広い化合
物半導体層、第２導電型の化合物半導体層及び第１導電
型の化合物半導体層を備え、その表面に活性層、クラッ
ド層及び電極層を具備する構造を有するよう構成する。
を形成する際の熱ダメージを受ける回数を減少させるこ
とが可能な半導体発光装置及びその製造方法の提供を目
的とし、 表面に回折格子を有する第１通電型の化合物半導体基板
の表面に形成した溝内、及び前記回折格子の表面に、分
断された第２導電型のハンドギャツブが前記第１導電型
の化合物半導体基板よりも狭く、活性層よりも広い化合
物半導体層、第２導電型の化合物半導体層及び第１導電
型の化合物半導体層を備え、その表面に活性層、クラッ
ド層及び電極層を具備する構造を有するよう構成する。
本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に係り、特
に分布帰還形レーザの構造及び製造方法の改良に関する
ものである。
に分布帰還形レーザの構造及び製造方法の改良に関する
ものである。
単一波長で発振する半導体レーザは、長距離。
大容量光伝送システムにおいては不可欠な部品である。
現状では分布帰還形（ＤＦＢ）レーザは単一波長で発振
する半導体レーザとして有望視され、開発が進んでいる
。
する半導体レーザとして有望視され、開発が進んでいる
。
しかし回折格子を内蔵しているため、従来の半導体レー
ザの製造方法と比較すると成長回数が増加している。そ
のため、各成長工程で半導体結晶基板に与える熱ダメー
ジが大きくなり、半導体レーザの信頼度が損なわれてい
る。
ザの製造方法と比較すると成長回数が増加している。そ
のため、各成長工程で半導体結晶基板に与える熱ダメー
ジが大きくなり、半導体レーザの信頼度が損なわれてい
る。
以上のような状況から、成長回数を減少することが可能
な半導体発光装置及びその製造方法が要望されている。
な半導体発光装置及びその製造方法が要望されている。
従来の半導体発光装置の製造方法を化合物半導体基板が
ｎ型１ｎＰ基板の場合について第２図により工程順に説
明する。
ｎ型１ｎＰ基板の場合について第２図により工程順に説
明する。
先ず第２図（ａ）に示すように、ｎ型１ｎＰｉ板１１の
表面にリソグラフィー技術により回折格子１１ａを形成
する。
表面にリソグラフィー技術により回折格子１１ａを形成
する。
次に液相成長法により、第２図（ｂ）に示すようにこの
回折格子１１ａの表面に、ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層１２
、活性層となるＩｎＧａＡｓ Ｐ Ｎ １５及びｐ型ｌ
ｎＰ層１６を順次積層して形成する。
回折格子１１ａの表面に、ｎ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層１２
、活性層となるＩｎＧａＡｓ Ｐ Ｎ １５及びｐ型ｌ
ｎＰ層１６を順次積層して形成する。
この工程における予備加熱により、回折格子１１ａが熱
ダメージを受けている。
ダメージを受けている。
次いで全面に酸化膜を形成し、リソグラフィー技術によ
り活性層を形成する領域以外の酸化膜を除去して酸化膜
１８を形成し、メサエッチングを行って第２図（Ｃ）に
示すような形状にする。
り活性層を形成する領域以外の酸化膜を除去して酸化膜
１８を形成し、メサエッチングを行って第２図（Ｃ）に
示すような形状にする。
その後第２図（ｄ）に示すように、液相成長法によりｐ
型１ｎＰ層１３及びｎ型１ｎＰ層１４をメサエッチング
面に順次積層して形成する。
型１ｎＰ層１３及びｎ型１ｎＰ層１４をメサエッチング
面に順次積層して形成する。
この工程においても予備加熱により、メサエッチング面
が熱ダメージを受けている。
が熱ダメージを受けている。
最後にｐ型ＩｎＰ層１６の表面の酸化膜１８を除去し、
その表面の全面に液相成長法により第２図ｔｅｌに示す
ように、クラッド層となるｐ型１ｎＰ層１６及び電極層
となるｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層１７を順次積層して形成
する。
その表面の全面に液相成長法により第２図ｔｅｌに示す
ように、クラッド層となるｐ型１ｎＰ層１６及び電極層
となるｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層１７を順次積層して形成
する。
この際には予備加熱により、ｐ型ＩｎＰ層１６及びｎ型
１ｎＰ層１４の表面が熱ダメージを受けている。
１ｎＰ層１４の表面が熱ダメージを受けている。
このように、第２図（ｂ）、第２図（ｄ）、第２図（ｅ
）に示すような三面の液相成長法により各層を形成する
ので、その都度予備加熱により熱ダメージを受けている
。
）に示すような三面の液相成長法により各層を形成する
ので、その都度予備加熱により熱ダメージを受けている
。
以上説明の従来の半導体発光装置の製造においては、三
面の液相成長法により必要な各種の層を形成する処理を
行っているので、下地となる層はその各々の処理の際の
予備加熱により熱ダメージを受けているという問題点が
あった。
面の液相成長法により必要な各種の層を形成する処理を
行っているので、下地となる層はその各々の処理の際の
予備加熱により熱ダメージを受けているという問題点が
あった。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に実施し得
る工程により、必要な各種の層を形成する際の熱ダメー
ジを受ける回数を減少させることが可能な半導体発光装
置及びその製造方法の提供を目的としたものである。
る工程により、必要な各種の層を形成する際の熱ダメー
ジを受ける回数を減少させることが可能な半導体発光装
置及びその製造方法の提供を目的としたものである。
（課題を解決するための手段〕
上記問題点は、表面に回折格子を有する第１専電型の化
合物半導体基板の表面に形成した溝内、及び前記回折格
子の表面に、分断された第２４電型のバンドギャップが
前記第１導電型の化合物半導体基板よりも狭く、活性層
よりも広い化合物半導体層、第２導電型の化合物半導体
層及び第１導電型の化合物半導体層を備え、その表面に
活性層、クラッド層及び電極層を具備する構造を有する
本発明による半導体発光装置及びその製造方法によって
解決される。
合物半導体基板の表面に形成した溝内、及び前記回折格
子の表面に、分断された第２４電型のバンドギャップが
前記第１導電型の化合物半導体基板よりも狭く、活性層
よりも広い化合物半導体層、第２導電型の化合物半導体
層及び第１導電型の化合物半導体層を備え、その表面に
活性層、クラッド層及び電極層を具備する構造を有する
本発明による半導体発光装置及びその製造方法によって
解決される。
即ち本発明においては、表面に回折格子を有する第１導
電型の化合物半導体基板の表面に溝を形成し、この溝内
及びこの回折格子の表面に、分断された第２導電型のバ
ンドギャップが前記第１導電型の化合物半導体基板より
も狭く、活性層よりも広い化合物半導体層、第２導電型
の化合物半導体層及び第１導電型の化合物半導体層を順
次積層して形成した後、更にその表面に活性層、クラッ
ド層及び電極層を順次積層して形成するので、液相成長
法により各層を形成する際に下地の層が受ける熱ダメー
ジの回数を一回にすることが可能となる。
電型の化合物半導体基板の表面に溝を形成し、この溝内
及びこの回折格子の表面に、分断された第２導電型のバ
ンドギャップが前記第１導電型の化合物半導体基板より
も狭く、活性層よりも広い化合物半導体層、第２導電型
の化合物半導体層及び第１導電型の化合物半導体層を順
次積層して形成した後、更にその表面に活性層、クラッ
ド層及び電極層を順次積層して形成するので、液相成長
法により各層を形成する際に下地の層が受ける熱ダメー
ジの回数を一回にすることが可能となる。
以下、本発明の一実施例を、化合物半導体基板がｎ型１
ｎＰ基板の場合につき第１図について工程順に説明する
。
ｎＰ基板の場合につき第１図について工程順に説明する
。
先ず第１図（ａ）に示すように、表面に回折格子１ａを
形成したｎ型１ｎＰ基板１の表面に、ストライブ幅に相
当する幅１〜２μｍ、深さ３〜４μｍの溝ｌｂを形成す
る。この溝１ｂの形成はマスクを用いるリソグラフィー
技術により行う。
形成したｎ型１ｎＰ基板１の表面に、ストライブ幅に相
当する幅１〜２μｍ、深さ３〜４μｍの溝ｌｂを形成す
る。この溝１ｂの形成はマスクを用いるリソグラフィー
技術により行う。
この溝１ｂの断面形状は、上記のＵ形でもＶ形でも良い
が、この溝１ｂの深さは、次工程で溝ｌｂ内に形成する
ＩｎＧａＡｓ Ｐ層５の高さが回折格子１ａの位置と等
しくなるように定めることが重要である。
が、この溝１ｂの深さは、次工程で溝ｌｂ内に形成する
ＩｎＧａＡｓ Ｐ層５の高さが回折格子１ａの位置と等
しくなるように定めることが重要である。
次に第１図（ｂ）に示すように膜厚２，０００人のｐ型
ＩｎＧａＡｓ Ｐ層２、膜厚５．０００人のｐ型１ｎＰ
層３及び膜厚１μｍのｎ型１ｎＰ層４を順次積層して形
成する。
ＩｎＧａＡｓ Ｐ層２、膜厚５．０００人のｐ型１ｎＰ
層３及び膜厚１μｍのｎ型１ｎＰ層４を順次積層して形
成する。
この際ｎ型１ｎＰ基板１に溝１ｂを設けているので溝ｌ
ｂ内に形成される層は、その膜厚が回折格子１ａの表面
に形成される層の膜厚の約二倍となり、回折格子ｌａ上
に形成される層とは、完全に分断して形成される。
ｂ内に形成される層は、その膜厚が回折格子１ａの表面
に形成される層の膜厚の約二倍となり、回折格子ｌａ上
に形成される層とは、完全に分断して形成される。
次いで第１図（Ｃ）に示すように、膜厚ｉ、ｏｏｏ人の
活性層となるＩｎＧａＡｓ Ｐ層５、膜厚１μｍのクラ
ッド層となるｐ型１ｎＰ層６及び膜厚５．０００人の電
極層となるｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層７を順次積層して形
成する。
活性層となるＩｎＧａＡｓ Ｐ層５、膜厚１μｍのクラ
ッド層となるｐ型１ｎＰ層６及び膜厚５．０００人の電
極層となるｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層７を順次積層して形
成する。
このように回折格子１ａを設けたｎ型１ｎＰ基板１の表
面に溝１ｂを形成し、この溝ｌｂ内と回折格子１ａの表
面にｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層２、ｐ型１ｎＰ層３及びｎ
型１ｎＰ層４を順次積層し、更にその表面に活性層とな
るＩｎＧａＡｓ Ｐ層５、ｐ型１ｎＰ層６及びｐ型１ｎ
ＧａＡｓＰ層７を順次積層して形成するので、溝ｌｂ内
壁と回折格子１ａの表面が一回だけ熱ダメージを受ける
のみで、熱ダメージによる障害の発生を大幅に減少させ
ることが可能となる。
面に溝１ｂを形成し、この溝ｌｂ内と回折格子１ａの表
面にｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層２、ｐ型１ｎＰ層３及びｎ
型１ｎＰ層４を順次積層し、更にその表面に活性層とな
るＩｎＧａＡｓ Ｐ層５、ｐ型１ｎＰ層６及びｐ型１ｎ
ＧａＡｓＰ層７を順次積層して形成するので、溝ｌｂ内
壁と回折格子１ａの表面が一回だけ熱ダメージを受ける
のみで、熱ダメージによる障害の発生を大幅に減少させ
ることが可能となる。
本実施例は、従来の回折格子を活性層の真下に設ける構
造と比較すると、回折格子と活性層中の光の結合がし難
（なるため、活性層の幅を狭くして光のガイドを弱める
ことが必要である。
造と比較すると、回折格子と活性層中の光の結合がし難
（なるため、活性層の幅を狭くして光のガイドを弱める
ことが必要である。
通常、活性層の幅を１〜２μｍとすると、光は両側へ１
〜２μｍ広がるため好都合である。又、回折格子を形成
した位置を活性層の高さに合わせることも重要である。
〜２μｍ広がるため好都合である。又、回折格子を形成
した位置を活性層の高さに合わせることも重要である。
活性層の厚さが１ 、０００人の場合には光の垂直方向
へのしみ出しは約１μｍなので、活性層の厚さを１ 、
０００人程介与しておくと好都合である。
へのしみ出しは約１μｍなので、活性層の厚さを１ 、
０００人程介与しておくと好都合である。
この結果、結合係数にと活性層と回折格子１ａとの距離
りとの積、ＫＬＯ値が、０．５〜１．０となるので、単
一波長発振の安定条件として課せられる０、７〜１．０
のＫＬＯ値を達成することが可能となる。
りとの積、ＫＬＯ値が、０．５〜１．０となるので、単
一波長発振の安定条件として課せられる０、７〜１．０
のＫＬＯ値を達成することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて容
易に実施し得る工程により、唯一回の熱ダメージを受け
るだけで必要とする各層を形成することができ、活性層
が直接熱ダメージを受けないので、熱ダメージによる障
害の発生を防止することが可能であり、ＫＬＯ値も単一
波長発振の安定条件として課せられる値を達成すること
が可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼
性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもので
ある。
易に実施し得る工程により、唯一回の熱ダメージを受け
るだけで必要とする各層を形成することができ、活性層
が直接熱ダメージを受けないので、熱ダメージによる障
害の発生を防止することが可能であり、ＫＬＯ値も単一
波長発振の安定条件として課せられる値を達成すること
が可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼
性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもので
ある。
第１図は本発明による一実施例を工程順に示す側断面図
、 第２図は従来の半導体発光装置の製造を工程順に示す側
断面図、である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基牟反、 １ａは回折格子、 １ｂは溝、 ２はｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層、 ３はｐ型１ｎＰ層、 ４はｎ型１ｎＰ層、 ５はＩｎＧａＡｓ Ｐ層、 ６はｐ型１ｎＰ層、 ７はｐ型ＴｎＧａＡｓ Ｐ層、を示す。 ｔａｌ 溝（ｌｂ）の形成 １１ ｐ型＋ｎＧａＡｓ Ｐ Ｈ（２） 、 ｐ型Ｉ
ｎ Ｐ Ｉ”ｉ （３）及びｎ型１ｎＰＦ（４）の形成
ｊｃｌ ＩｎＧａＡｓ Ｐ層＜ｓ）、ｐ型Ｉｎ Ｐ
ＦＪ （６）及びｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ ＦＪ （７）
の形成本発明による一実施例を工程順に示す側断面図？
！ １ 図 ｆａｔ 回折格子（ｌａ）の形成 ｉｂｌ ｎ型１＋＋ＧａＡｓ Ｐ Ｒ（１２） 、
１ｎＧａＡｓ Ｐ ＦＪ （１５）及びｐ型Ｉｎ Ｐ
Ｆｉ （＋６ａ）の形成ｆｃｌ ｍ化１１ｆｆｉ （
１８）の形成及びメサエッチング従来の半導体発光装置
の製造方法を工程順に示す口笛２図 ＋ｄｌ ｐ型ＩｎＰ層（１３）及びｎ型Ｉｎ Ｐ Ｆ
ｊ （１４） ノ形成［ ｐ型ＩｎＰ層（１６）及びｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層（１
７）の形成来の半導体発光装置の製造方法を工程順に示
す図第２図
、 第２図は従来の半導体発光装置の製造を工程順に示す側
断面図、である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基牟反、 １ａは回折格子、 １ｂは溝、 ２はｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層、 ３はｐ型１ｎＰ層、 ４はｎ型１ｎＰ層、 ５はＩｎＧａＡｓ Ｐ層、 ６はｐ型１ｎＰ層、 ７はｐ型ＴｎＧａＡｓ Ｐ層、を示す。 ｔａｌ 溝（ｌｂ）の形成 １１ ｐ型＋ｎＧａＡｓ Ｐ Ｈ（２） 、 ｐ型Ｉ
ｎ Ｐ Ｉ”ｉ （３）及びｎ型１ｎＰＦ（４）の形成
ｊｃｌ ＩｎＧａＡｓ Ｐ層＜ｓ）、ｐ型Ｉｎ Ｐ
ＦＪ （６）及びｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ ＦＪ （７）
の形成本発明による一実施例を工程順に示す側断面図？
！ １ 図 ｆａｔ 回折格子（ｌａ）の形成 ｉｂｌ ｎ型１＋＋ＧａＡｓ Ｐ Ｒ（１２） 、
１ｎＧａＡｓ Ｐ ＦＪ （１５）及びｐ型Ｉｎ Ｐ
Ｆｉ （＋６ａ）の形成ｆｃｌ ｍ化１１ｆｆｉ （
１８）の形成及びメサエッチング従来の半導体発光装置
の製造方法を工程順に示す口笛２図 ＋ｄｌ ｐ型ＩｎＰ層（１３）及びｎ型Ｉｎ Ｐ Ｆ
ｊ （１４） ノ形成［ ｐ型ＩｎＰ層（１６）及びｐ型１ｎＧａＡｓ Ｐ層（１
７）の形成来の半導体発光装置の製造方法を工程順に示
す図第２図
Claims (2)
- （１）表面に回折格子（１ａ）を有する第１導電型の化
合物半導体基板（１）の表面に形成した溝（１ｂ）内、
及び前記回折格子（１ａ）の表面に、分断された第２導
電型のバンドギャップが前記第１導電型の化合物半導体
基板（１）よりも狭く、活性層よりも広い化合物半導体
層（２）、第２導電型の化合物半導体層（３）及び第１
導電型の化合物半導体層（４）を備え、その表面に活性
層（５）、クラッド層（６）及び電極層（７）を具備す
る構造を有することを特徴とする半導体発光装置。 - （２）表面に回折格子（１ａ）を有する第１導電型の化
合物半導体基板（１）の表面に溝（１ｂ）を形成する工
程と、 該溝（１ｂ）内及び前記回折格子（１ａ）の表面に第２
導電型のバンドギャップが前記第１導電型の化合物半導
体基板（１）よりも狭く、活性層よりも広い化合物半導
体層（２）、第２導電型の化合物半導体層（３）及び第
１導電型の化合物半導体層（４）を順次積層して形成す
る工程と、 活性層（５）、クラッド層（６）及び電極層（７）を順
次積層して形成する工程と、 を含む請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5580188A JPH01228188A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5580188A JPH01228188A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228188A true JPH01228188A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=13009016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5580188A Pending JPH01228188A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01228188A (ja) |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP5580188A patent/JPH01228188A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002076510A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH01228188A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH03225985A (ja) | 屈折率導波型半導体レーザ装置 | |
| JP3770428B2 (ja) | 集積型半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| WO2020181497A1 (zh) | 双腔dfb激光器芯片、光发射组件、光模块及光网络装置 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JP2016154203A (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS63213383A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH02260636A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2852663B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3773880B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS61134094A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH11223739A (ja) | 集積型光回路素子及びその製造方法 | |
| JP3274710B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子および分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2924041B2 (ja) | モノリシック集積型半導体光素子 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JP2677901B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH11307867A (ja) | 半導体光集積素子の作製方法及び半導体光集積素子 | |
| JPH0642583B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000183443A (ja) | スポットサイズ変換器付き半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS62259489A (ja) | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 | |
| JPS60126881A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH1056231A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |