JPH01227442A - 半導体ダイボンディング方法 - Google Patents

半導体ダイボンディング方法

Info

Publication number
JPH01227442A
JPH01227442A JP5425988A JP5425988A JPH01227442A JP H01227442 A JPH01227442 A JP H01227442A JP 5425988 A JP5425988 A JP 5425988A JP 5425988 A JP5425988 A JP 5425988A JP H01227442 A JPH01227442 A JP H01227442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
pellets
wafer
pellet
die bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5425988A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Takaoka
高岡 清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP5425988A priority Critical patent/JPH01227442A/ja
Publication of JPH01227442A publication Critical patent/JPH01227442A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体組立製造工程において、半導体ウェハか
らペレットをピックアップしてリードフレームあるいは
ハイブリット基板上にボンドする半導体ダイボンディン
グ方法に係り、とくに指定データに基やいて半導体ウエ
ノ\における所定良品ペレットのみをピックアップして
ボンディングする方法に関する。
従来の技術 従来の半導体ダイボンディング工程は、それより前工程
の半導体ウニへの各ペレット群に対して特性試験を行な
って得られたペレットの良否判定結果に基づいて、不良
ペレットに不良マークが付された半導体ウェハのペレッ
ト群を自動的に検索し、ウェハにおけるペレット配列の
始端から終端まで、良品ペレットのみ順次ピックアップ
し、ダイボンディングを行なっていた。
発明が解決しようとする課題 然るに、上記従来のダイボンディング工程においては、
ウェハにおける各ペレットの位置、および、良品ペレッ
トの位置を予め知ることができず、不良ペレットを含む
全ペレットの位置検出、良否判定の検索(不良マーク検
索)を行いダイボンディングする必要があったので、1
ペレツト当たり、1ウニ八当たりのダイボンディング時
間が本発明は、ダイボンディング工程でウェハにおける
全ペレットに対し、配列上の位置および特性を表わす指
定データを、識別記号データと共に受け、このデータを
基に、予め指定される特性を有する良品ペレットのみピ
ックアップする工程をそなえたものである。
作用 本発明の半導体ダイボンディング方法によると、ボンデ
ィング工程に先立って、良否判定検索された、ダイボン
ドすべき半導体ウェハにおけるペレット群についてのペ
レット配列上の位置および、特性を表わす指定データ、
すなわち、良品ペレット位置データを、ウェハ識別記号
データと共に受けとり、このデータに基づいて前記ペレ
ット群から順次良品ペレットをピックアップしボンディ
ングを行なうので、半導体ウェハlこおける全ペレット
に対しての良否判定検索を行なう必要がなくなり、良品
ペレットのみを、迅速、効率良く、ダイボンディングす
ることが可能になる。
実施例 以下、図面を参照して、本発明の一実施例を詳細に説明
する。
第1図および第2図は、半導体ウェハの良否判定検索工
程と半導体ダイボンディング工程において、半導体ウェ
ハのペレットに付与されるデータ(ペレット配列上の位
置を表わす位置データ、および、良否判定検索(不良マ
ーク検索)されて良品ペレット配列上の位置を表わすデ
ータ)の流れに沿うデータ処理系を示している。
即ち、第1図は良否判定検索工程を示す流れ図であり、
ダイボンディング工程前に特性試験済半導体ウェハ1に
おける全ペレット2の良否判定検索工程(不良マーク検
索)において、光学系認識装置3により、各ペレット2
の位置データ4および特性データ(良品ペレットの位置
データ)5を情報化し、これを演算装置6によって処理
して、1ウエハ毎の位置データファイル7および、特性
データファイル8を作成し、さらに、上記各ファイルに
ウェハ認識記号データを付加し、これらの各ファイル7
.8を記録装置9へ伝達して、メモリーカード10に記
録する。尚、11はX−Yテーブル制御信号であり、こ
の信号により位置認識の操作が行われる。そして、12
は認識装置3のX軸、13はY軸テーブルである。
次に、第2図の半導体ダイボンディング工程の流れ図に
したがって、前記ペレット良否判定検索工程で得られた
メモリーカード1oがら前記ファイル7.8をメモリー
カード読み取り装置14により読み取って演算装置15
に取り込む。そして、ダイボンダーのX−Yテーブル上
に載置されたウェハlの各ペレット2に前記演算装置1
5の取り込んだファイル7.8の各位置データ、各特性
データ(良品ペレットの位置デー′9)を対応させてデ
ータ配列テーブルを作成する。そして、予め検索された
良品ペレットのみをピックアップしてボンディングする
ために、良品ペレット位置にボンディングヘッド16が
順次対応するようにX−YテーブルのX軸駆動テーブル
17.X軸駆動テーブル18に駆動信号19を順次与え
て移動させ、次いでボンディングヘッド16にボンド動
作信号20を与えることにより選択所定良品ペレットを
ピックアップして、そのペレットをリードフレームハイ
ブリット基板等にボンディングする動作を行なわせる。
即ち、上記ボンディング工程によれば、ペレットのボン
ディングに際しては、全ペレットの良否判定検索を行な
うことなく目的良品ペレット位置へ直接ウェハを移動さ
せることができ、1ペレツト、1ウェハ当りのボンディ
ング時間を短縮することができる。尚、上記実施例では
、ウェハ認識、良否判定検索時に得られたデータを記録
して、ボンディング工程に渡す記憶媒体は、半導体メモ
リーカードに限らず、磁気ディスケット、磁気テープな
どでもよ(、さらにはオンラインによるデータ伝送を利
用してもよい。
発明の効果 上述したように、本発明の半導体ダイボンディング方法
によれば、1ベレツト、1ウェハ当りのダイボンディン
グ時間を短縮でき、不良ペレットのスキップロスを削減
し、半導体ウェハの歩留りに左右されずにダイボンディ
ング工程の生産性の向上効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るボンディング前の特性試験済半導
体ウェハの良否判定検索(不良マーク検索)工程を示す
流れ図、第2図はダイボンド工程を示す流れ図である。 1・・・・・・半導体ウェハ、2・・・・・・ベレット
、3・・・・・・認識装置、4・・・・・・ペレット位
置データ、5・・・・・・特性データ、6・・・・・・
演算装置、7.8・・・・・・データファイル、10・
・・・・・記録装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ダイボンドすべき半導体ウェハにおけるペレット群に
    ついてのペレット配列上の位置、および特性を表わす指
    定データをウェハ識別記号データと共に受けとり、この
    データに基づいて、予め指定された特性を有するペレッ
    トを前記ペレット群の中から順次ピックアップして、ダ
    イボンディングを行うことを特徴とする半導体ダイボン
    ディング方法。
JP5425988A 1988-03-08 1988-03-08 半導体ダイボンディング方法 Pending JPH01227442A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5425988A JPH01227442A (ja) 1988-03-08 1988-03-08 半導体ダイボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5425988A JPH01227442A (ja) 1988-03-08 1988-03-08 半導体ダイボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01227442A true JPH01227442A (ja) 1989-09-11

Family

ID=12965560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5425988A Pending JPH01227442A (ja) 1988-03-08 1988-03-08 半導体ダイボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01227442A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0447087A1 (en) * 1990-03-16 1991-09-18 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Tool exchange system for hybrid die bonder
US5197650A (en) * 1990-09-18 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Die bonding apparatus
US5542600A (en) * 1991-11-07 1996-08-06 Omron Corporation Automatic soldering apparatus, apparatus and method for teaching same, soldering inspection apparatus and method, and apparatus and method for automatically correcting soldering
US6790682B2 (en) 2001-07-23 2004-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Die bonder for die-bonding a semiconductor chip to lead frame and method of producing a semiconductor device using the die bonder

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0447087A1 (en) * 1990-03-16 1991-09-18 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Tool exchange system for hybrid die bonder
US5197650A (en) * 1990-09-18 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Die bonding apparatus
US5542600A (en) * 1991-11-07 1996-08-06 Omron Corporation Automatic soldering apparatus, apparatus and method for teaching same, soldering inspection apparatus and method, and apparatus and method for automatically correcting soldering
US6790682B2 (en) 2001-07-23 2004-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Die bonder for die-bonding a semiconductor chip to lead frame and method of producing a semiconductor device using the die bonder

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4008198B2 (ja) ロットに基づかない集積回路デバイスの組立方法
US6756796B2 (en) Method of search and identify reference die
US6820792B2 (en) Die bonding equipment
JPH01227442A (ja) 半導体ダイボンディング方法
JP2993398B2 (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
KR20000021812A (ko) 미세간극 볼 그리드 어레이 패키지용 다이본딩 설비 및 다이본딩 방법
JP3784671B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09306873A (ja) ウェーハの分割システム
JPH1167876A (ja) ダイ認識方法および半導体製造装置
JP3028189B2 (ja) ダイボンディング方法
JPH08330390A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2668734B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH10233350A (ja) 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置の製造システム
JPH0722475A (ja) ダイボンディング方法およびダイボンダ
JPH09148387A (ja) 半導体製品の処理装置
JP3295496B2 (ja) 処理装置および方法
JPH0348434A (ja) ワイヤボンディング装置
JP3300264B2 (ja) 半導体チップ認識方法
JPH05144891A (ja) 半導体装置用マツピングデータ・マーキングユニツト
JPH0665220B2 (ja) 半導体ペレットマウント方法
JPS61120433A (ja) ダイボンデイング装置
JPH04262543A (ja) ダイボンディング装置
JP2702836B2 (ja) ダイボンディング装置
JP2002083784A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62152138A (ja) 半導体装置の製造方法