JPH01227305A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH01227305A JPH01227305A JP63054229A JP5422988A JPH01227305A JP H01227305 A JPH01227305 A JP H01227305A JP 63054229 A JP63054229 A JP 63054229A JP 5422988 A JP5422988 A JP 5422988A JP H01227305 A JPH01227305 A JP H01227305A
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- dielectric porcelain
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Links
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１１００℃以下の低い温度で焼成される誘電体
磁器組成物に関するもので、特に低酸素分圧雰囲気で焼
成でき、高い誘電率と高い比抵抗が得られる組成物に関
する。
磁器組成物に関するもので、特に低酸素分圧雰囲気で焼
成でき、高い誘電率と高い比抵抗が得られる組成物に関
する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサに対する小型化、大容量化の
要望から、積層セラミックコンデンサの需要が拡大して
いる。従来の積層セラミックコンデンサ材料はチタン酸
バリウム系が主体であるが、これらの材料は約１３００
℃の高温で焼成されるため、内部電極には、白金やパラ
ジウム等の高価な金属を使用しなければならない。この
ため積層セラミックコンデンサのコストは自然と高くつ
いていた。
要望から、積層セラミックコンデンサの需要が拡大して
いる。従来の積層セラミックコンデンサ材料はチタン酸
バリウム系が主体であるが、これらの材料は約１３００
℃の高温で焼成されるため、内部電極には、白金やパラ
ジウム等の高価な金属を使用しなければならない。この
ため積層セラミックコンデンサのコストは自然と高くつ
いていた。
こうした問題を解決する手段の一つとして、焼成温度が
１０００℃以下で、内部電極に白金やパラジウムよシも
安価な銀や銀−パラジウム合金が使用できるＰｂ（Ｎｉ
３４ＮｂＨ）０３Ｐｂ（Ｚｎ３ＡＮｂｘ）０３−Ｐｂ
（Ｍｑ３ＡＮｂ％）０３系（特開昭ｓｓ−１０５２０８
）などの鉛複合ペロプスカイト系材料がすでに提案され
ている。これらの材料は、誘電率の温度変化率が同等の
チタン酸バリウム系の材料と比べて、誘電率が同等もし
くはそれ以上であることが特徴の一つであり、これらの
材料を使用することによシ、小型で大容量をもち安価な
積層セラミックコンデンサが可能になっている。
１０００℃以下で、内部電極に白金やパラジウムよシも
安価な銀や銀−パラジウム合金が使用できるＰｂ（Ｎｉ
３４ＮｂＨ）０３Ｐｂ（Ｚｎ３ＡＮｂｘ）０３−Ｐｂ
（Ｍｑ３ＡＮｂ％）０３系（特開昭ｓｓ−１０５２０８
）などの鉛複合ペロプスカイト系材料がすでに提案され
ている。これらの材料は、誘電率の温度変化率が同等の
チタン酸バリウム系の材料と比べて、誘電率が同等もし
くはそれ以上であることが特徴の一つであり、これらの
材料を使用することによシ、小型で大容量をもち安価な
積層セラミックコンデンサが可能になっている。
ところで、最近さらにコスト低減のために内部電極に銅
等の卑金属を使用する積層セラミックコンデンサが要望
されてきている。銅等の卑金属を内部電極に使用する場
合、その酸化を防ぐため低酸素分圧雰囲気での焼成が必
要であるため、そのような低酸素分圧下の焼成において
も、比抵抗が低下せず、しかも高い誘電率をもつ材料が
望まれている。
等の卑金属を使用する積層セラミックコンデンサが要望
されてきている。銅等の卑金属を内部電極に使用する場
合、その酸化を防ぐため低酸素分圧雰囲気での焼成が必
要であるため、そのような低酸素分圧下の焼成において
も、比抵抗が低下せず、しかも高い誘電率をもつ材料が
望まれている。
発明が解決しようとする課題
Ｐｂ （Ｎｉ、））０３−Ｐｂ （Ｚｎ＄ｂｉｘ ）ｏ
３−ｐｂ （Ｍｇ−Ｎ）０３系材料は１０００℃以下の
低い温度で焼成でき、しかも白金やパラジウムよシ安価
な銀や銀−パラジウム合金を電極材料として使用しても
高い誘電率と高い比抵抗をもち、誘電率の温度変化率が
良好な材料である。しかし電極材料として、上記した理
由によシ銅を用いようとすると、鋼が酸化されないよう
な低酸素分圧下での焼成においては、比抵抗がコンデン
サ材料として適していないレベルにまで低下してしまう
。従って、上記した組成物に対しては電極材料として銅
を採用することはできない。本発明は、低酸素分圧下の
焼成においテモ、Ｐｂ（Ｎｉ３ＡＮｂｂ）０３ Ｐｂ（
Ｚｎ％ＮｂＨ）０３−Ｐｂ（Ｍｑ、Ｎｂ％）０３系のも
つ高い誘電率と高い比抵抗を保持する材料を提供するこ
とを目的とする。
３−ｐｂ （Ｍｇ−Ｎ）０３系材料は１０００℃以下の
低い温度で焼成でき、しかも白金やパラジウムよシ安価
な銀や銀−パラジウム合金を電極材料として使用しても
高い誘電率と高い比抵抗をもち、誘電率の温度変化率が
良好な材料である。しかし電極材料として、上記した理
由によシ銅を用いようとすると、鋼が酸化されないよう
な低酸素分圧下での焼成においては、比抵抗がコンデン
サ材料として適していないレベルにまで低下してしまう
。従って、上記した組成物に対しては電極材料として銅
を採用することはできない。本発明は、低酸素分圧下の
焼成においテモ、Ｐｂ（Ｎｉ３ＡＮｂｂ）０３ Ｐｂ（
Ｚｎ％ＮｂＨ）０３−Ｐｂ（Ｍｑ、Ｎｂ％）０３系のも
つ高い誘電率と高い比抵抗を保持する材料を提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため本発明の誘電体磁気組成物は（
ｐｂｌｌＳｒｋ）−（（Ｎｉ３ＡＭ））ｘ（”？ｈ）ｙ
（極嗅Ｍ実）、 ） ０２＋工で表わされる組成式にお
いて、組成比をｏ、ｏｏａ≦に≦０．０７５，１．００
≦ｍ≦１．１０゜０．０５≦Ｘ≦０．４０，０．０５≦
ｙ≦７０．０．１５≦２≦０．９０（ただしｘ−１−ｙ
十ｚ＝１）の範囲とする。あるいは上記組成物１００重
量％に対し、Ｍｎ Ｏ２＝ ＭｑＱ−Ｃｒ２０３．ＷＯ
３，ＳｎＯ２，Ａ／２０３のうち少なくとも１つ以上を
０．０６〜０．５重量％副成分として添加含有させてな
る。
ｐｂｌｌＳｒｋ）−（（Ｎｉ３ＡＭ））ｘ（”？ｈ）ｙ
（極嗅Ｍ実）、 ） ０２＋工で表わされる組成式にお
いて、組成比をｏ、ｏｏａ≦に≦０．０７５，１．００
≦ｍ≦１．１０゜０．０５≦Ｘ≦０．４０，０．０５≦
ｙ≦７０．０．１５≦２≦０．９０（ただしｘ−１−ｙ
十ｚ＝１）の範囲とする。あるいは上記組成物１００重
量％に対し、Ｍｎ Ｏ２＝ ＭｑＱ−Ｃｒ２０３．ＷＯ
３，ＳｎＯ２，Ａ／２０３のうち少なくとも１つ以上を
０．０６〜０．５重量％副成分として添加含有させてな
る。
作 用
本発明の誘電体磁器組成物は、焼成温度１１ｏＯ℃以下
で、しかも銅等の卑金属が酸化されないような低い酸素
分圧下での焼成においても、高い誘電率と高い比抵抗を
もち、さらに誘電率の温度変化率が良好な材料である。
で、しかも銅等の卑金属が酸化されないような低い酸素
分圧下での焼成においても、高い誘電率と高い比抵抗を
もち、さらに誘電率の温度変化率が良好な材料である。
実施例
ＰｂＯ，５ｒＣＯＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ，
。
。
３す
Ｍ！ｌ Ｏ２、Ｃｒ ２０ ｓ 、ＷＯｓ ＊ Ｓ ｎ
０２ Ｐ Ａ ｌ ２０３を原料とし、第１表の組成
比になるように秤量し、メノウ玉石、純水とともに、ボ
ールミルに入れて１７時間混合した。原料を乾燥した後
、アルミナ質ルツボに入れ、同質の菱をして７６０〜８
６０℃で仮焼した。仮焼後、乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ玉石と純水とともにボールミルに入れて粉砕した。
０２ Ｐ Ａ ｌ ２０３を原料とし、第１表の組成
比になるように秤量し、メノウ玉石、純水とともに、ボ
ールミルに入れて１７時間混合した。原料を乾燥した後
、アルミナ質ルツボに入れ、同質の菱をして７６０〜８
６０℃で仮焼した。仮焼後、乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ玉石と純水とともにボールミルに入れて粉砕した。
原料を乾燥した後、さらにもう−度上記と同様に仮焼−
粉砕−乾燥を繰シ返した。乾燥した原料にバインダトシ
て、１０チボリビニルアルコール水溶液を８重量％加え
攪拌し、３２メツシユパスに整粒した。整粒粉を、直径
１２■、厚さ０．８ｍの円板状に約１トン／ｆの圧力で
加圧成形した。
粉砕−乾燥を繰シ返した。乾燥した原料にバインダトシ
て、１０チボリビニルアルコール水溶液を８重量％加え
攪拌し、３２メツシユパスに整粒した。整粒粉を、直径
１２■、厚さ０．８ｍの円板状に約１トン／ｆの圧力で
加圧成形した。
この圧粉成形体を６００℃でバインダを脱却した後、マ
グネシア磁器製容器に入れ、同質の蓋をして、窒素−水
素混合気流中で、２００℃／ｈの昇温で所定の温度に上
げて２時間保持した後、２００℃／ｈで降温した。この
時の酸素分圧はｌＸ１０−８気圧で、これは銅が酸化さ
れないほど低い値であった。
グネシア磁器製容器に入れ、同質の蓋をして、窒素−水
素混合気流中で、２００℃／ｈの昇温で所定の温度に上
げて２時間保持した後、２００℃／ｈで降温した。この
時の酸素分圧はｌＸ１０−８気圧で、これは銅が酸化さ
れないほど低い値であった。
焼成した試料の両面にＩｎ−Ｇａ合金を塗着し、誘電率
、誘電正接（ともに２０℃ｅ １ ｋ）ｈ 、 １Ｖ印
加）と比抵抗値（５０ＶＤＣ印加、１分値）を測定した
。さらに−２６℃〜＋８５℃の範囲で、２０℃を基準に
して誘電率の温度変化率を測定した。これらの結果を第
２表に示す。
、誘電正接（ともに２０℃ｅ １ ｋ）ｈ 、 １Ｖ印
加）と比抵抗値（５０ＶＤＣ印加、１分値）を測定した
。さらに−２６℃〜＋８５℃の範囲で、２０℃を基準に
して誘電率の温度変化率を測定した。これらの結果を第
２表に示す。
本発明の範囲は、焼成温度が１０００℃以下で、誘電率
が６０００以上、比抵抗が１ｏ１１Ω・備以上のものに
限定した。
が６０００以上、比抵抗が１ｏ１１Ω・備以上のものに
限定した。
試料１，６はそれぞれｋ＜０．００５．ｍ＜１．ｏ。
であり、本発明の組成範囲外のものである。そしてこの
ものは比抵抗が１ｏ１０Ω・儂以下と低いことがわかっ
た。
ものは比抵抗が１ｏ１０Ω・儂以下と低いことがわかっ
た。
試料５，１０はそれぞれｋ ＞ ０ 、０７５ 、 ！
＜０．０５であり上記と同様、本発明の組成範囲外のも
のである。そしてこのものは最適焼成温度が１１００℃
よりも高いことがわかった。
＜０．０５であり上記と同様、本発明の組成範囲外のも
のである。そしてこのものは最適焼成温度が１１００℃
よりも高いことがわかった。
試料９，１４，１５，１９，２０．２１はＸ。
Ｖ ＋ ”の夫々が本発明の組成範囲であるところのＯ
，ＯＳ≦Ｘ≦０．４０ 、０．０５≦ｙ≦０．７０ 、
０．１５≦２≦０．９０からはずれており、これらのも
のは誘電率が６０００よりも低いことがわかった。
，ＯＳ≦Ｘ≦０．４０ 、０．０５≦ｙ≦０．７０ 、
０．１５≦２≦０．９０からはずれており、これらのも
のは誘電率が６０００よりも低いことがわかった。
上記試料ＮＯ以外のものが、本発明の組成範囲内のもの
であり、これらはいずれも最適焼成温度が１１ｏｏ′Ｃ
以下で、高い誘電率（θｏｏｏ以上）と高い比抵抗（１
ｏ１１Ω・１以上）をもっておシ、また誘電率の温度変
化率も良好な材料であることがわかった。
であり、これらはいずれも最適焼成温度が１１ｏｏ′Ｃ
以下で、高い誘電率（θｏｏｏ以上）と高い比抵抗（１
ｏ１１Ω・１以上）をもっておシ、また誘電率の温度変
化率も良好な材料であることがわかった。
また副成分を添加し７た試料では、添加量が０．０６〜
０．６重量％の範囲の試料は、添加していない試料に比
べて、誘電正接が大巾に改良されておシ、誘電率も６０
００以上と高く、比抵抗も１ｏ１１Ω・１以上で、すぐ
れた材料であった。しかし、添加量が０．０５重量％未
満では添加の効果が現われず、０．５重量％より多い場
合は誘電率が６０００未満となるので効果的でないこと
がわかった。
０．６重量％の範囲の試料は、添加していない試料に比
べて、誘電正接が大巾に改良されておシ、誘電率も６０
００以上と高く、比抵抗も１ｏ１１Ω・１以上で、すぐ
れた材料であった。しかし、添加量が０．０５重量％未
満では添加の効果が現われず、０．５重量％より多い場
合は誘電率が６０００未満となるので効果的でないこと
がわかった。
発明の効果
本発明による誘電体磁器組成物は、１０００℃以下の温
度で焼成でき、しかも銅などの卑金属が駿化されないよ
うな低酸素分圧下での焼成においても、高い誘電率と高
い比抵抗を保持するので、銅などの卑金属材料を内部電
極に使用可能であり、安価で信頼性の高い積層セラミッ
クコンデンサを供給できる。
度で焼成でき、しかも銅などの卑金属が駿化されないよ
うな低酸素分圧下での焼成においても、高い誘電率と高
い比抵抗を保持するので、銅などの卑金属材料を内部電
極に使用可能であり、安価で信頼性の高い積層セラミッ
クコンデンサを供給できる。
このように本発明の工業的価値は非常に大きい。
手続補正書（自船
１ 事件の表示
昭和６３年特許願第 ５４２２９ 号２ 発明の名称
誘電体磁器組成物
３ 補正をする者
事件との関係 特 許 出 願 人
件 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２） 松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 氏 名 （５９７１） 弁理士 中尾敏男ｌ；明細
書の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正します
。
（５８２） 松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 氏 名 （５９７１） 弁理士 中尾敏男ｌ；明細
書の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正します
。
（２）明細書の第４頁１８行のｒｏ、０５≦ｙ≦７０」
をｒｏ、ｏｓ≦ｙ≦０．７０ Ｊに補正します。
をｒｏ、ｏｓ≦ｙ≦０．７０ Ｊに補正します。
（３）明細書の第１０頁を別紙の通り補正します。
乙
；
第 ２ 表
２、特許請求の範囲
（１） （Ｐｂ、−ｋＳｒｋ）−（（Ｎｔ、Ｎｂ
、）、（Ｚｎ、Ｎｂ、、）。
、）、（Ｚｎ、Ｎｂ、、）。
（ｙｇにＮｂＸ八）０２＋。で表わされる組成式におい
て、組成比が ０．００５≦に≦０．０７５ １．００≦ｍ≦１．１０ ０．０５≦Ｘ≦０．４０ ０．０６≦ア≦０．７゜ ０．１６≦２≦０．９０ （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ）の範囲にあることを特徴
とする誘電体磁器組成物。
て、組成比が ０．００５≦に≦０．０７５ １．００≦ｍ≦１．１０ ０．０５≦Ｘ≦０．４０ ０．０６≦ア≦０．７゜ ０．１６≦２≦０．９０ （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ）の範囲にあることを特徴
とする誘電体磁器組成物。
（２、特許請求の範囲第１項記載の訴一体磁器和成物１
００］ｉ量％に対してＭｎＯＭａＯ，０ｒ２０３゜ＷＯ
３，５ｎｏ２．Ａｌ ２０３のうち少なくとも１つ以上
を、ｏ、０６〜ｏ、ｓｏｘ＊チ添加含有させたことを特
徴とする誘電体磁器組成物。
００］ｉ量％に対してＭｎＯＭａＯ，０ｒ２０３゜ＷＯ
３，５ｎｏ２．Ａｌ ２０３のうち少なくとも１つ以上
を、ｏ、０６〜ｏ、ｓｏｘ＊チ添加含有させたことを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Claims (2)
- （１）（Ｐｂ＿１＿−＿ｋＳｒ＿ｋ）＿ｍ｛（Ｎｉ＿１
＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎ
ｂ＿２＿／＿３）＿ｙ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）＿ｚ｝Ｏ＿２＋ｍで表わされる組成式において、
組成比が０．００５≦ｋ≦０．０７５ １．００≦ｍ≦１．１０ ０．０５≦ｘ≦０．４０ ０．０５≦ｙ≦０．７０ ０．１５≦ｚ≦０．９０ （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の範囲にあることを特徴と
する誘電体磁器組成物。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物１
００重量％に対してＭｎＯ＿２，ＭｇＯ，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，ＷＯ＿３，ＳｎＯ＿２，Ａｌ＿２Ｏ＿３のうち少な
くとも１つ以上を、０．０５〜０．５０重量％添加含有
させたことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054229A JPH01227305A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054229A JPH01227305A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227305A true JPH01227305A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12964713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054229A Pending JPH01227305A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109336594A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-15 | 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 | 低电容变化率压电陶瓷元件、压电陶瓷及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054229A patent/JPH01227305A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109336594A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-15 | 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 | 低电容变化率压电陶瓷元件、压电陶瓷及其制作方法 |
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