JPH01225919A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH01225919A JPH01225919A JP5172488A JP5172488A JPH01225919A JP H01225919 A JPH01225919 A JP H01225919A JP 5172488 A JP5172488 A JP 5172488A JP 5172488 A JP5172488 A JP 5172488A JP H01225919 A JPH01225919 A JP H01225919A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子（以下、ＬＣＤと称す）の製造方
法に係り、特に、電極基板上へのスペーサ粒子の散布方
法（振りまき方法）に関する。
法に係り、特に、電極基板上へのスペーサ粒子の散布方
法（振りまき方法）に関する。
ＬＣＤの液晶セルは、所定のセルギャップを確保するた
め、上下の電極基板間に合成樹脂、シリカ、アルミナ等
からなるスペーサ粒子を介在させである。このスペーサ
粒子は、画電極基板を組み合わせる前の段階で一方の電
極基板上に散布されるが、このとき、スペーサ粒子の散
布密度が一様でないと、セルギャップのばらつきが太き
（なってＬＣＤに色むらが生じてしまう。
め、上下の電極基板間に合成樹脂、シリカ、アルミナ等
からなるスペーサ粒子を介在させである。このスペーサ
粒子は、画電極基板を組み合わせる前の段階で一方の電
極基板上に散布されるが、このとき、スペーサ粒子の散
布密度が一様でないと、セルギャップのばらつきが太き
（なってＬＣＤに色むらが生じてしまう。
ところで、スペーサ粒子の散布作業は、従来、湿式法あ
るいは乾式法によって行われている。湿式法は、フレオ
ン等の分散液中にスペーサ粒子を添加して攪拌した後、
スプレーノズルから窒素ガスを吹きつけることにより、
この溶液を電極基板の上方から噴霧するという手法であ
り、溶液が電極基板に到達するまでに分散液を完全に飛
散、乾燥させるようにする。また、乾式法は、分散液を
用いず、スペーサ粒子をそのまま窒素ガス中に分散させ
ておき、これを固気二相流としてスプレーノズルから噴
射するという手法である。
るいは乾式法によって行われている。湿式法は、フレオ
ン等の分散液中にスペーサ粒子を添加して攪拌した後、
スプレーノズルから窒素ガスを吹きつけることにより、
この溶液を電極基板の上方から噴霧するという手法であ
り、溶液が電極基板に到達するまでに分散液を完全に飛
散、乾燥させるようにする。また、乾式法は、分散液を
用いず、スペーサ粒子をそのまま窒素ガス中に分散させ
ておき、これを固気二相流としてスプレーノズルから噴
射するという手法である。
このような湿式法あるいは乾式法によってスペーサ粒子
を電極基板上に散布した後、これを別の電極基板と組み
合わせて空セル容器を形成し、この空セル容器内に液晶
を封入して液晶セルを作製する。こうして得た液晶セル
のセルギャップ、つまり両電極基板間のギャップは、ス
ペーサ粒子の粒径および散布密度によって規定されるの
で、例えばセルギャップがｌＯ±０．５μｍのＴＮ型Ｌ
ＣＤを製造する場合、粒径が１０μｍのスペーサ粒子を
用い、散布密度が−様となるようにこれを振りまいて、
セルギャップのばらつきを±０．５μｍ以内に抑えてい
る。
を電極基板上に散布した後、これを別の電極基板と組み
合わせて空セル容器を形成し、この空セル容器内に液晶
を封入して液晶セルを作製する。こうして得た液晶セル
のセルギャップ、つまり両電極基板間のギャップは、ス
ペーサ粒子の粒径および散布密度によって規定されるの
で、例えばセルギャップがｌＯ±０．５μｍのＴＮ型Ｌ
ＣＤを製造する場合、粒径が１０μｍのスペーサ粒子を
用い、散布密度が−様となるようにこれを振りまいて、
セルギャップのばらつきを±０．５μｍ以内に抑えてい
る。
しかしながら、セルギャップが７μｍ程度の５−ＴＮ
（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ＋５ａｔｌｃ
）型Ｉ、ＣＤを製造する場合、セルギャップのばらつき
を±０．１μｍ程度に抑えないと色むらが生じてしまう
ので、スペーサ粒子を前記した湿式法あるいは乾式法に
よって散布すると、セルギャップの均一性が確保できな
いという間理が起こる。
（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ＋５ａｔｌｃ
）型Ｉ、ＣＤを製造する場合、セルギャップのばらつき
を±０．１μｍ程度に抑えないと色むらが生じてしまう
ので、スペーサ粒子を前記した湿式法あるいは乾式法に
よって散布すると、セルギャップの均一性が確保できな
いという間理が起こる。
すなわち、前記した湿式法では、分散液が完全に飛散、
乾燥しきらずにＴＸ掻基板に到達してしまうことがあり
、その場合、分散液の蒸発に伴ってスペーサ粒子が凝集
してしまうので、電極基板上においてスペーサ粒子にあ
る程度の疎密が生じることは避けがたく、そのため、セ
ルギャップのばらつきを±０．１μｍ程度に抑えること
は困難であった。
乾燥しきらずにＴＸ掻基板に到達してしまうことがあり
、その場合、分散液の蒸発に伴ってスペーサ粒子が凝集
してしまうので、電極基板上においてスペーサ粒子にあ
る程度の疎密が生じることは避けがたく、そのため、セ
ルギャップのばらつきを±０．１μｍ程度に抑えること
は困難であった。
一方、前記した乾式法では、スペーサ粒子どうしの衝突
、摩擦により静電気が発生し、帯電したスペーサ粒子が
互いに凝集してしまうことがあるので、やはりセルギャ
ップのばらつきを±０．１μｍ程度に抑えることは困難
であった。
、摩擦により静電気が発生し、帯電したスペーサ粒子が
互いに凝集してしまうことがあるので、やはりセルギャ
ップのばらつきを±０．１μｍ程度に抑えることは困難
であった。
本発明はこのような技術的背景に鑑みてなされたもので
、その目的は、セルギャップの均一性が向上できるＬＣ
Ｄの製造方法を提供することにある。
、その目的は、セルギャップの均一性が向上できるＬＣ
Ｄの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、スペーサ粒子の
散布時に、イオン化した空気流をスペーサ粒子に吹きつ
けるようにした。
散布時に、イオン化した空気流をスペーサ粒子に吹きつ
けるようにした。
上記手段によれば、イオン化空気流によってスペーサ粒
子の静電気が中和除去されるので、スペーサ粒子が電極
基板上で凝集する虞れがな（なり、散布密度が−様とな
る。
子の静電気が中和除去されるので、スペーサ粒子が電極
基板上で凝集する虞れがな（なり、散布密度が−様とな
る。
次に、本発明の実施例について説明する。
セルギャップが７μｍの液晶セルを作製するため、粒径
が７μｍのスペーサ粒子を用いた。このスペーサ粒子は
、合成樹脂、シリカ、アルミナなどからなる真球微粒子
である。また、イオン化空気流を発生させるため、シシ
ド静電気（株）製の電圧印加式除電器（高圧電源部は５
Ｈ−３型、エアー式電極はＡＰ型）を用い、この・イオ
ン化空気流を吹きつけることによって上記スペーサ粒子
を電極基板上に散布した。
が７μｍのスペーサ粒子を用いた。このスペーサ粒子は
、合成樹脂、シリカ、アルミナなどからなる真球微粒子
である。また、イオン化空気流を発生させるため、シシ
ド静電気（株）製の電圧印加式除電器（高圧電源部は５
Ｈ−３型、エアー式電極はＡＰ型）を用い、この・イオ
ン化空気流を吹きつけることによって上記スペーサ粒子
を電極基板上に散布した。
ナなわち、第１図に示すように、クリーンな雰囲気１内
に電極基板２をＲ置し、この電極基板２の１方で、電圧
印加式除電器３のノズル４がらイオン化空気流を吹きつ
けて飛散させたスペーサ粒子５を、電極基板２の表面へ
自然落下させる。したがって、スペーサ粒子５どうしの
衝突や摩擦により発生する静電気は、イオン化空気流に
よって中和除去され、スペーサ粒子５は凝集することな
く−様な散布密度で電極基板２上に振りまかれる。
に電極基板２をＲ置し、この電極基板２の１方で、電圧
印加式除電器３のノズル４がらイオン化空気流を吹きつ
けて飛散させたスペーサ粒子５を、電極基板２の表面へ
自然落下させる。したがって、スペーサ粒子５どうしの
衝突や摩擦により発生する静電気は、イオン化空気流に
よって中和除去され、スペーサ粒子５は凝集することな
く−様な散布密度で電極基板２上に振りまかれる。
この後、電極基板２を別の電極基板と対向させ、画電極
基板の周縁部をシール材で接合した後、これをカッティ
ングして空セル容器を多数個取りし、この空セル容器内
に液晶を封入して液晶セルを完成した。
基板の周縁部をシール材で接合した後、これをカッティ
ングして空セル容器を多数個取りし、この空セル容器内
に液晶を封入して液晶セルを完成した。
このように、上記実施例は、従来の乾式法の欠点であっ
た静電気によるスペーサ粒子の凝集をイオン化空気流を
吹きつけることで防止しており、ギャップテスターにて
セルギャップを測定したところ、そのばらつきは±０．
１μｍ程度に抑えられていた。このため、セルギャップ
が７±０．１μｍという均一度の高い５−ＴＮ型ＬＣＤ
の製造において、歩留りを著しく向上させることが可能
となっている。
た静電気によるスペーサ粒子の凝集をイオン化空気流を
吹きつけることで防止しており、ギャップテスターにて
セルギャップを測定したところ、そのばらつきは±０．
１μｍ程度に抑えられていた。このため、セルギャップ
が７±０．１μｍという均一度の高い５−ＴＮ型ＬＣＤ
の製造において、歩留りを著しく向上させることが可能
となっている。
以上説明したように、本発明によれば、イオン化した空
気流を吹きつけてスペーサ粒子を電極基板上に散布する
ので、衝突や摩擦により発生するスペーサ粒子の静電気
が中和除去され、このためスペーサ粒子は凝集すること
なく−様な散布密度で電極基板上に振りまかれ、セルギ
ャップのばらつきを大幅に低減することができる。その
結果、セルギャップに厳しい均一性が要求される５−Ｔ
Ｎ型ＬＣＤ等の製造において、歩留りを著しく向上させ
ることができる。
気流を吹きつけてスペーサ粒子を電極基板上に散布する
ので、衝突や摩擦により発生するスペーサ粒子の静電気
が中和除去され、このためスペーサ粒子は凝集すること
なく−様な散布密度で電極基板上に振りまかれ、セルギ
ャップのばらつきを大幅に低減することができる。その
結果、セルギャップに厳しい均一性が要求される５−Ｔ
Ｎ型ＬＣＤ等の製造において、歩留りを著しく向上させ
ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係り、スペーサ粒子の散布
工程を示す説明図である。 ２・・・・・・・・・電極基板、３・・・・・・・・・
電圧印加式除電器、５・・・・・・・・・スペーサ粒子
。 第１図
工程を示す説明図である。 ２・・・・・・・・・電極基板、３・・・・・・・・・
電圧印加式除電器、５・・・・・・・・・スペーサ粒子
。 第１図
Claims (1)
- セルギャップを規制するためのスペーサ粒子を電極基板
上に散布した後、この電極基板を別の電極基板と組み合
わせ、両電極基板間に液晶を封入して液晶セルを作製す
る液晶表示素子の製造方法において、上記スペーサ粒子
の散布時に、イオン化した空気流をスペーサ粒子に吹き
つけることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172488A JPH01225919A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172488A JPH01225919A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225919A true JPH01225919A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12894834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172488A Pending JPH01225919A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329927U (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-25 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP5172488A patent/JPH01225919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329927U (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-25 |
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