JPH01223791A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01223791A JPH01223791A JP5020588A JP5020588A JPH01223791A JP H01223791 A JPH01223791 A JP H01223791A JP 5020588 A JP5020588 A JP 5020588A JP 5020588 A JP5020588 A JP 5020588A JP H01223791 A JPH01223791 A JP H01223791A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 241000905957 Channa melasoma Species 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体レーザの新規な構造に関し、
変調上限周波数を高め、且つ、周波数変調度を平坦にし
て、変調特性を向上させることを目的とし、 波長を可変にする分布反射型半導体レーザにおいて、キ
ャリア注入によって導波層の屈折率を変えて周波数を変
化させる位相調整領域と、逆バイアス電圧を印加して導
波層の屈折率を変えて周波数を変化させる周波数変調領
域とを具備してなることを特徴とする。
て、変調特性を向上させることを目的とし、 波長を可変にする分布反射型半導体レーザにおいて、キ
ャリア注入によって導波層の屈折率を変えて周波数を変
化させる位相調整領域と、逆バイアス電圧を印加して導
波層の屈折率を変えて周波数を変化させる周波数変調領
域とを具備してなることを特徴とする。
［産業上の利用分野］
本発明は光通信に用いる半導体レーザの新規な構造に関
する。
する。
次世代の光通信方式として光コヒーレントシステムが研
究開発されており、その中でもＦＳＫ （Ｆｒｅｑｕｅ
ｎｃｙ ５ｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）方式が簡便で低価
格なシステムとして注目されている。本発明はそのよう
なＦＳＫ方式光通信システムの光源に関するものである
。
究開発されており、その中でもＦＳＫ （Ｆｒｅｑｕｅ
ｎｃｙ ５ｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）方式が簡便で低価
格なシステムとして注目されている。本発明はそのよう
なＦＳＫ方式光通信システムの光源に関するものである
。
現在、光通信システムでは強度変調方式が主体であるが
、周波数変調（Ｆ Ｓ Ｋ）方式が使用できれば多重波
長（周波数）通信が可能になり、現用の電波通信システ
ムに近くなる。そのＦＳＫ方式用として任意の波長で発
振できる光源が求められており、そのような光源には、
■広い波長可変幅を有すること、■平坦な周波数変調特
性をもつこと等の特性が要求される。
、周波数変調（Ｆ Ｓ Ｋ）方式が使用できれば多重波
長（周波数）通信が可能になり、現用の電波通信システ
ムに近くなる。そのＦＳＫ方式用として任意の波長で発
振できる光源が求められており、そのような光源には、
■広い波長可変幅を有すること、■平坦な周波数変調特
性をもつこと等の特性が要求される。
従来、そのような光源として、第５図に示す半導体レー
ザの構造が公知となっており、第５図の例はＤ Ｂ Ｒ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃ
ｔｏｒ）型ＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体レ
ーザの断面図で、全体が活性領域Ａ１位相調整領域Ｐ１
分布反射領域りの３領域から構成されて、１はｎ−１ｎ
Ｐ基板、２はｐ−１ｎＰ層、３は１ｎＧａＡｓ Ｐ層か
らなる活性層、４はｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる
光ガイド層、５１は活性領域電極、５２は位相調整電流
電橿、５３は分布反射領域電極、６は接地電極である。
ザの構造が公知となっており、第５図の例はＤ Ｂ Ｒ
（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃ
ｔｏｒ）型ＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体レ
ーザの断面図で、全体が活性領域Ａ１位相調整領域Ｐ１
分布反射領域りの３領域から構成されて、１はｎ−１ｎ
Ｐ基板、２はｐ−１ｎＰ層、３は１ｎＧａＡｓ Ｐ層か
らなる活性層、４はｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる
光ガイド層、５１は活性領域電極、５２は位相調整電流
電橿、５３は分布反射領域電極、６は接地電極である。
且つ、その周波数可変には活性領域に一定バイアス電流
１ａを流して、分布反射領域電流１ｄと位相調整電流Ｉ
ｐとを変化させる方法が採られる。
１ａを流して、分布反射領域電流１ｄと位相調整電流Ｉ
ｐとを変化させる方法が採られる。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、これには次のような問題点があり、それを第
６図によって説明する。第６図ｆａ）は活性領域電流１
ａの変化による変調特性を示しており、横軸は周波数、
縦軸は周波数変調度で、図中の曲線のように、変調周波
数は数ＧＨｚまで延びるが、変調度が平坦にならずに、
周波数に依存して大きく変動するという問題がある。
６図によって説明する。第６図ｆａ）は活性領域電流１
ａの変化による変調特性を示しており、横軸は周波数、
縦軸は周波数変調度で、図中の曲線のように、変調周波
数は数ＧＨｚまで延びるが、変調度が平坦にならずに、
周波数に依存して大きく変動するという問題がある。
また、第６図［ｂ）は位相調整電流１ｐの変化による変
調特性図で、変調度は平坦な特性を示すが、変調周波数
が数十Ｍ）Ｉｚないしは数百−’Ａｚまでしか得られず
、発光ダイオードの変調特性とほぼ同じ程度しかならな
い。これはキャリヤ注入によって位相調整領域の屈折率
を変え、屈折率の変化によって周波数を変える、所謂、
キャリヤ注入効果を利用して周波数を変調する方法であ
るから、変調周波数がキャリア再結合時間によって制限
されて、変調度は大きいが速度が遅く、上記のように変
調の上限周波数が低くなるものである。
調特性図で、変調度は平坦な特性を示すが、変調周波数
が数十Ｍ）Ｉｚないしは数百−’Ａｚまでしか得られず
、発光ダイオードの変調特性とほぼ同じ程度しかならな
い。これはキャリヤ注入によって位相調整領域の屈折率
を変え、屈折率の変化によって周波数を変える、所謂、
キャリヤ注入効果を利用して周波数を変調する方法であ
るから、変調周波数がキャリア再結合時間によって制限
されて、変調度は大きいが速度が遅く、上記のように変
調の上限周波数が低くなるものである。
本発明はこのような問題点を低減させて、変調上限周波
数を高くし、且つ、変調度を平坦にして、変調特性を向
上させることを目的とした半導体レーザを提案するもの
である。
数を高くし、且つ、変調度を平坦にして、変調特性を向
上させることを目的とした半導体レーザを提案するもの
である。
［課題を解決するための手段］
その課題は、第１図に示す原理図のように、活性領域Ａ
２分布反射領域りの他に、キャリア注入によって導波層
の屈折率を変えて周波数を変化させる位相調整領域Ｐと
、逆バイアス電圧Ｖｆを印加して導波層の屈折率を変え
て周波数を変化させる周波数変調領域Ｆとを具備させて
いる半導体レーザによって解決される。
２分布反射領域りの他に、キャリア注入によって導波層
の屈折率を変えて周波数を変化させる位相調整領域Ｐと
、逆バイアス電圧Ｖｆを印加して導波層の屈折率を変え
て周波数を変化させる周波数変調領域Ｆとを具備させて
いる半導体レーザによって解決される。
［作用〕
即ち、本発明にかかる半導体レーザは位相調整領域の代
わりに、位相調整領域と周波数変調領域との２つの領域
を設けるもので、周波数変ｔＪｉ領域は逆バイアス電圧
を印加して導波層の屈折率を変え、その屈折率の変化に
よって周波数を変える、所謂、電気光学効果を利用して
周波数を変調する領域であり、この周波数変調領域では
変調特性がＲＣ積の時定数のみに依存し、この時定数が
小さいほど変調上限周波数が高くなってｌｏＧＨｚ以上
にも達し、し・かも、変調度が平坦である。
わりに、位相調整領域と周波数変調領域との２つの領域
を設けるもので、周波数変ｔＪｉ領域は逆バイアス電圧
を印加して導波層の屈折率を変え、その屈折率の変化に
よって周波数を変える、所謂、電気光学効果を利用して
周波数を変調する領域であり、この周波数変調領域では
変調特性がＲＣ積の時定数のみに依存し、この時定数が
小さいほど変調上限周波数が高くなってｌｏＧＨｚ以上
にも達し、し・かも、変調度が平坦である。
しかし、この周波数変調領域は屈折率の変化が小さいた
めに、完全に位相調整領域に置き換えると波長変化幅が
小さくなってしまうために、波長変化幅の大きい位相調
整領域を併設する。そうすれば、変調上限周波数が高く
なって、変調度が平坦になり、しかも、波長変化幅も大
きくて、変調特性が顕著に向上する。
めに、完全に位相調整領域に置き換えると波長変化幅が
小さくなってしまうために、波長変化幅の大きい位相調
整領域を併設する。そうすれば、変調上限周波数が高く
なって、変調度が平坦になり、しかも、波長変化幅も大
きくて、変調特性が顕著に向上する。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２は本発明にかかる半導体レーザの変調特性図を示し
ており、横軸は周波数、縦軸は周波数変調度で、図の曲
線のように、変調周波数は数ＧＨｚまで延び、且つ、変
調度が平坦化している。
ており、横軸は周波数、縦軸は周波数変調度で、図の曲
線のように、変調周波数は数ＧＨｚまで延び、且つ、変
調度が平坦化している。
第３図は本発明にかかるＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ
Ｐ系半導体レーザの実施例を示す図で、第３図（ａ）は
斜視図。
Ｐ系半導体レーザの実施例を示す図で、第３図（ａ）は
斜視図。
第３図（ｂ）は同図（ａ）のＡＡ断面図、第３図（Ｃ１
は同図（ｂ）のＢＢ断面図である。半導体レーザは活性
領域Ａ９周周波数変調領域電極相調整領域Ｐ１分布反射
領域りの４ ＳＮ域から構成され、７は高抵抗ＩｎＰ層
、８は両側の閉じ込め用高抵抗ＩｎＰ層、５４は周波数
変調領域電極、その他の部位の記号は第５図と同一記号
が付けである。この高抵抗ＩｎＰ層の抵抗はＩＯＫΩな
いし数十にΩでも良く、光ガイド層４はバンドギャップ
波長λｇ ＝ １．３μｍ、活性層３はλ＝１．５５μ
ｍ、活性層の幅は１〜２μｍ程度、分布反射領域り部分
の光ガイド層４は格子ピッチ２４００人の回折格子を設
けた構造である。
は同図（ｂ）のＢＢ断面図である。半導体レーザは活性
領域Ａ９周周波数変調領域電極相調整領域Ｐ１分布反射
領域りの４ ＳＮ域から構成され、７は高抵抗ＩｎＰ層
、８は両側の閉じ込め用高抵抗ＩｎＰ層、５４は周波数
変調領域電極、その他の部位の記号は第５図と同一記号
が付けである。この高抵抗ＩｎＰ層の抵抗はＩＯＫΩな
いし数十にΩでも良く、光ガイド層４はバンドギャップ
波長λｇ ＝ １．３μｍ、活性層３はλ＝１．５５μ
ｍ、活性層の幅は１〜２μｍ程度、分布反射領域り部分
の光ガイド層４は格子ピッチ２４００人の回折格子を設
けた構造である。
このように構成して、活性領域Ａ９位位相調整領域に流
す電流Ｉａ、Ｉｐを変化させ、且つ、周波数変調領域Ｆ
に印可する逆バイアス電圧Ｖｆを変化させると、第２図
に示す変調特性が得られる。
す電流Ｉａ、Ｉｐを変化させ、且つ、周波数変調領域Ｆ
に印可する逆バイアス電圧Ｖｆを変化させると、第２図
に示す変調特性が得られる。
次に、上記実施例の形成方法を説明する。第４図ｆａ）
〜ｆｅｌにその形成工程順図を示しており、第４図（ａ
ｌ参照；まず、ｎ−１ｎＰ基板１ （バッファ層を含む
）の分布反射領域部分に上記条件の回折格子を形成し、
その上にｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる光ガイド層
４（不純物濃度５Ｘ１０ ／ｃｄ、厚さ０゜３μｍ）
、ｎ−１ｎＰ層１１ （不純物濃度５Ｘ１０／ｄ、厚さ
０．０５μｍ） 、 ＩｎＧａＡｓＰ層からなる活性層
３、ｐ−１ｎＰ層２１（不純物濃度５ ＸＩＯ”／ｃａ
ｌ、厚さ０．１μｍ）を公知の結晶成長法（例えば、液
相エピタキシャル成長法）によって積層する。
〜ｆｅｌにその形成工程順図を示しており、第４図（ａ
ｌ参照；まず、ｎ−１ｎＰ基板１ （バッファ層を含む
）の分布反射領域部分に上記条件の回折格子を形成し、
その上にｎ −１ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる光ガイド層
４（不純物濃度５Ｘ１０ ／ｃｄ、厚さ０゜３μｍ）
、ｎ−１ｎＰ層１１ （不純物濃度５Ｘ１０／ｄ、厚さ
０．０５μｍ） 、 ＩｎＧａＡｓＰ層からなる活性層
３、ｐ−１ｎＰ層２１（不純物濃度５ ＸＩＯ”／ｃａ
ｌ、厚さ０．１μｍ）を公知の結晶成長法（例えば、液
相エピタキシャル成長法）によって積層する。
第４図（ｂ）参照；次いで、活性領域Ａのみを５ｉ０２
膜マスク（図示せず）で被覆して他部分を光ガイド層上
までエツチング除去した後、再びｐ −ＩｎＰ層２２（
不純物４度５ ＸＩＯ１７／ｃｆｆｌ、厚さ１〜１．５
μｍ） ＋ ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰ層からなるコンタ
クト層２３（不純物濃度１０ ”’／ｃａｔ、 λｇ
＝ １．３μｍ）を公知の結晶成長法によって成長す
る。
膜マスク（図示せず）で被覆して他部分を光ガイド層上
までエツチング除去した後、再びｐ −ＩｎＰ層２２（
不純物４度５ ＸＩＯ１７／ｃｆｆｌ、厚さ１〜１．５
μｍ） ＋ ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰ層からなるコンタ
クト層２３（不純物濃度１０ ”’／ｃａｔ、 λｇ
＝ １．３μｍ）を公知の結晶成長法によって成長す
る。
第４図（Ｃ１および（ｄｌ参照；次いで、５ｉ０２膜マ
スク３０によって被覆して、両側をエツチングして中央
部分をメサ状に形成し、且つ、高抵抗１ｎＰＦ３ｉ７の
形成部分を光ガイド層４までエツチングして溝状にする
。この選択エツチングには、ＩｎＰ層は塩酸系エンチャ
ントを用い、ＩｎＧａＡｓ Ｐ層は硫酸系エンチャント
を用いる。第４図（Ｃ）は断面図、同図ｉｄ）は斜視図
を示している。
スク３０によって被覆して、両側をエツチングして中央
部分をメサ状に形成し、且つ、高抵抗１ｎＰＦ３ｉ７の
形成部分を光ガイド層４までエツチングして溝状にする
。この選択エツチングには、ＩｎＰ層は塩酸系エンチャ
ントを用い、ＩｎＧａＡｓ Ｐ層は硫酸系エンチャント
を用いる。第４図（Ｃ）は断面図、同図ｉｄ）は斜視図
を示している。
第４図（ｅ）参照；次いで、５ｉ０２膜マスク３０を残
存したまま、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって除去部分に
鉄ドープ高抵抗ＩｎＰ層７．８を選択的に成長して埋没
させる。
存したまま、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって除去部分に
鉄ドープ高抵抗ＩｎＰ層７．８を選択的に成長して埋没
させる。
その後、公知の方法によって電極を形成して、第３図に
示す半導体レーザに仕上げる。
示す半導体レーザに仕上げる。
このような構造に形成すれば、周波数変調上限周波数が
、従来の半導体レーザは数百ＭＨｚであったのに対し、
本発明にかかる半導体レーザが数ＧＷＺ程度に向上する
。
、従来の半導体レーザは数百ＭＨｚであったのに対し、
本発明にかかる半導体レーザが数ＧＷＺ程度に向上する
。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体
レーザは、変調上限周波数が著しく改善されて、且つ、
変調度が変調上限周波数まで平坦化した特性が得られ、
高性能な光源としてＦＳＫ方式光通信システムの発展に
寄与するものである。
レーザは、変調上限周波数が著しく改善されて、且つ、
変調度が変調上限周波数まで平坦化した特性が得られ、
高性能な光源としてＦＳＫ方式光通信システムの発展に
寄与するものである。
第１図は本発明にかかる原理図、
第２図は本発明にかかる半導体レーザの変調特性図、
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかるＩｎＧａＡｓ
Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体レーザの実施例を示す図、 第４図（ａ）〜（ｅｌはその実施例の形成工程順図、第
５図は従来のＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体
レーザの断面図、 第６図（ａｌ、 （ｂ）は従来の問題点を示す図である
。 図において、 Ａは活性領域、 Ｆは周波数変調領域、 Ｐは位相調整領域、 Ｄは分布反射領域、 １はｎ −１ｎＰ基板、 ２はｐ −１ｎＰ層、 ３はＩｎＧａＡｓ Ｐ層からなる活性層、４はｎ −１
ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる光ガイド層、５１は活性領域
電極、 ５２は位相調整領域電極、 ５３は分布反射領域電極、 ５４は周波数変調領域電極、 ６は接地電極、 ７．８は高抵抗ＩｎＰ層 を示している。 万卯反教副ダ傾瓜゛ ≧トネθ月１ｓ、Ｕ−Ｖ・３子導ｔトＬ−サ為ヤＷＤ口
第１図 くｂノ゛ワ￥＋；ｉｓ愛］＃すｔ ４＠ＤＡ＋−ｎ−ｔｙ−）半４ｎＬ−ｖ’＝ ｔｍ＃ｚ
ＬｔＦＡ第２図 第３図 ｚｌ ＋）−１ｎｐ層 第 ４ 図 （々４丁） ｉ、ｉ ｉ列ａ＋ｎ ノ；Ｘ−ｊロ二五ノ゛ｒｅａ第４
図（５２） 第５図 ｉＱＩ Ｉ旧イｊ受調身Ｔ （ｂ）１Ｐｌ：ハ【」身性 徒ル隅Ｂ臭信マｅ訂３■ 第６図
Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体レーザの実施例を示す図、 第４図（ａ）〜（ｅｌはその実施例の形成工程順図、第
５図は従来のＩｎＧａＡｓ Ｐ ／ Ｉｎ Ｐ系半導体
レーザの断面図、 第６図（ａｌ、 （ｂ）は従来の問題点を示す図である
。 図において、 Ａは活性領域、 Ｆは周波数変調領域、 Ｐは位相調整領域、 Ｄは分布反射領域、 １はｎ −１ｎＰ基板、 ２はｐ −１ｎＰ層、 ３はＩｎＧａＡｓ Ｐ層からなる活性層、４はｎ −１
ｎＧａＡｓ Ｐ層からなる光ガイド層、５１は活性領域
電極、 ５２は位相調整領域電極、 ５３は分布反射領域電極、 ５４は周波数変調領域電極、 ６は接地電極、 ７．８は高抵抗ＩｎＰ層 を示している。 万卯反教副ダ傾瓜゛ ≧トネθ月１ｓ、Ｕ−Ｖ・３子導ｔトＬ−サ為ヤＷＤ口
第１図 くｂノ゛ワ￥＋；ｉｓ愛］＃すｔ ４＠ＤＡ＋−ｎ−ｔｙ−）半４ｎＬ−ｖ’＝ ｔｍ＃ｚ
ＬｔＦＡ第２図 第３図 ｚｌ ＋）−１ｎｐ層 第 ４ 図 （々４丁） ｉ、ｉ ｉ列ａ＋ｎ ノ；Ｘ−ｊロ二五ノ゛ｒｅａ第４
図（５２） 第５図 ｉＱＩ Ｉ旧イｊ受調身Ｔ （ｂ）１Ｐｌ：ハ【」身性 徒ル隅Ｂ臭信マｅ訂３■ 第６図
Claims (1)
- 波長を可変にする分布反射型半導体レーザにおいて、キ
ャリア注入によつて導波層の屈折率を変えて周波数を変
化させる位相調整領域と、逆バイアス電圧を印加して導
波層の屈折率を変えて周波数を変化させる周波数変調領
域とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020588A JPH01223791A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5020588A JPH01223791A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223791A true JPH01223791A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12852610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5020588A Pending JPH01223791A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223791A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457384A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JPH04148579A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-21 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| US5325382A (en) * | 1990-09-28 | 1994-06-28 | Nec Corporation | Method and electrode arrangement for inducing flat frequency modulation response in semiconductor laser |
| WO2003081733A3 (en) * | 2002-03-19 | 2004-07-01 | Bookham Technology Plc | Tunable laser |
| JP2007200942A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujitsu Ltd | 光モジュール |
| JP2009141072A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP5020588A patent/JPH01223791A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JPH0457384A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
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