JPH01221002A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH01221002A JPH01221002A JP4657488A JP4657488A JPH01221002A JP H01221002 A JPH01221002 A JP H01221002A JP 4657488 A JP4657488 A JP 4657488A JP 4657488 A JP4657488 A JP 4657488A JP H01221002 A JPH01221002 A JP H01221002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- microwave
- package
- integrated circuit
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 241001223864 Sphyraena barracuda Species 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波周波数帯で使用されるマイクロ波集
積回路に関し、特にマイクロ波発振モジュールとして構
成する集積回路に関する。
積回路に関し、特にマイクロ波発振モジュールとして構
成する集積回路に関する。
従来、マイクロ波帯ＦＥＴを用いた発振回路として、１
つには素子のゲート端子とドレイン端子間に共振器を直
接結合させた構成のものがあり、他には独立した増幅器
に何がしかの帰還回路設けた構成のものがある。
つには素子のゲート端子とドレイン端子間に共振器を直
接結合させた構成のものがあり、他には独立した増幅器
に何がしかの帰還回路設けた構成のものがある。
上述した従来のマイクロ波帯発信回路において、前者で
は周波数が高くなるにつれて素子の利得が低下するため
、単に共振器を直接結合させただけでは発振がしにくく
なるといった問題がある。
は周波数が高くなるにつれて素子の利得が低下するため
、単に共振器を直接結合させただけでは発振がしにくく
なるといった問題がある。
また、後者においては、利得低下は最適の整合回路を用
いたりトランジスタを多段化することで改善できるが、
回路長が長（なったり、帯域外での発振及び電源電圧変
動等の動作条件変動時のヒステリシスの問題が生ずる。
いたりトランジスタを多段化することで改善できるが、
回路長が長（なったり、帯域外での発振及び電源電圧変
動等の動作条件変動時のヒステリシスの問題が生ずる。
また回路長を短縮する目的で誘電体共振器を共振器内に
取り込むと、高次モード発振等を起こすという問題があ
る。
取り込むと、高次モード発振等を起こすという問題があ
る。
本発明は高い周波数でもある程度の利得を確保でき、か
つその線路長を最小限におさえて発振周波数の安定化を
図ったマイクロ波集積回路を提供することを目的として
いる。
つその線路長を最小限におさえて発振周波数の安定化を
図ったマイクロ波集積回路を提供することを目的として
いる。
本発明のマイクロ波集積回路は、マイクロ波周波数帯信
号を増幅するマイクロ波ＦＥＴトランジスタと、９０°
ハイブリッド及びバラクタダイオードで構成される位相
可変回路と、９０°ハイブリッドで構成される出力信号
分岐回路とをマイクロ波ストリップ線路とともに気密パ
ッケージに封入し、信号出力用端子、帰還信号の入力及
び出力の各端子を夫々気密パッケージから突出させた構
成としている。
号を増幅するマイクロ波ＦＥＴトランジスタと、９０°
ハイブリッド及びバラクタダイオードで構成される位相
可変回路と、９０°ハイブリッドで構成される出力信号
分岐回路とをマイクロ波ストリップ線路とともに気密パ
ッケージに封入し、信号出力用端子、帰還信号の入力及
び出力の各端子を夫々気密パッケージから突出させた構
成としている。
上述した構成では、回路を気密パッケージすることによ
り高い周波数での周波数安定度を高め、かつ出力分岐回
路により帯域外で帰還量が低下されるように接続でき、
帯域外における異常発振を防止する。
り高い周波数での周波数安定度を高め、かつ出力分岐回
路により帯域外で帰還量が低下されるように接続でき、
帯域外における異常発振を防止する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図はその構造
の概略断面図である。マイクロ波集積回路１は、位相可
変回路１１．マイクロ波周波数帯信号を増幅するＦＥＴ
増幅器１２．及び出力信号分岐回路１３とで構成されて
おり、前記ダイオード位相器１１は９０°ハイブリッド
１４とバラクタダイオード１５とで構成され、出力信号
分岐回路１３は９０°ハイブリッドで構成される。
の概略断面図である。マイクロ波集積回路１は、位相可
変回路１１．マイクロ波周波数帯信号を増幅するＦＥＴ
増幅器１２．及び出力信号分岐回路１３とで構成されて
おり、前記ダイオード位相器１１は９０°ハイブリッド
１４とバラクタダイオード１５とで構成され、出力信号
分岐回路１３は９０°ハイブリッドで構成される。
そして、この回路は図外のマイクロ波ストリップ線路と
ともに、第２図に示すような気密シールドパッケージ１
９内に封止され、パッケージ１９からは前記位相可変回
路１１．出力信号分岐回路１３に夫々接続された帰還信
号入力端子１６．帰還信号出力端子１７及び信号出力用
端子１８が突出されている。
ともに、第２図に示すような気密シールドパッケージ１
９内に封止され、パッケージ１９からは前記位相可変回
路１１．出力信号分岐回路１３に夫々接続された帰還信
号入力端子１６．帰還信号出力端子１７及び信号出力用
端子１８が突出されている。
このように構成されたマイクロ波集積回路ｌは、第２図
のように、外部に周波数安定用の共振器２を接続するこ
とで、容易に発振器を構成することが出来る。この場合
、マイクロ波集積回路１は共振器２の一部に取着され、
前記帰還信号入力端子１６、帰還信号出力端子１７を共
振器筐体２１内に突出させている。なお、２２は共振器
２の周波数を可変する調整ネジを示している。
のように、外部に周波数安定用の共振器２を接続するこ
とで、容易に発振器を構成することが出来る。この場合
、マイクロ波集積回路１は共振器２の一部に取着され、
前記帰還信号入力端子１６、帰還信号出力端子１７を共
振器筐体２１内に突出させている。なお、２２は共振器
２の周波数を可変する調整ネジを示している。
したがって、この構成によれば、位相可変回路１１、増
幅器１２．出力信号分岐回路１３をマイクロ波ストリッ
プ線路とともに気密シールドパッケージ１９内に内装し
、かつこのパッケージには必要最小限の端子のみ突出さ
せているのに過ぎないため、ｌ０ＧＨ，以上のマイクロ
波周波数においても周波数安定度が高く、しかも発振ス
ペクトラムのきれいな発振器が構成できる。
幅器１２．出力信号分岐回路１３をマイクロ波ストリッ
プ線路とともに気密シールドパッケージ１９内に内装し
、かつこのパッケージには必要最小限の端子のみ突出さ
せているのに過ぎないため、ｌ０ＧＨ，以上のマイクロ
波周波数においても周波数安定度が高く、しかも発振ス
ペクトラムのきれいな発振器が構成できる。
また、出力信号分岐回路１３に９０°ハイブリッドを用
いることで、使用帯域外で帰還ループ側への結合が弱く
なるよう接続しており、帯域外での異常発振等も防止出
来る。 ノ更に、位相可変回路
１１はバラクタダイオードを用いているために、この位
相を電気的に可変すれば、Δｆ＝ｆ／Ｑ程度（１０％程
度）までの周波数変化も電気的に可能であり、電圧制御
発振器を実現することも出来る。
いることで、使用帯域外で帰還ループ側への結合が弱く
なるよう接続しており、帯域外での異常発振等も防止出
来る。 ノ更に、位相可変回路
１１はバラクタダイオードを用いているために、この位
相を電気的に可変すれば、Δｆ＝ｆ／Ｑ程度（１０％程
度）までの周波数変化も電気的に可能であり、電圧制御
発振器を実現することも出来る。
なお、前記実施例は帰還ループが正帰還となる発振回路
であるが、帰還ループ長をそれより２分の１波長ずらせ
て負帰還ループを構成すれば、直線性が改善された増幅
器が構成できることは言うまでもない。
であるが、帰還ループ長をそれより２分の１波長ずらせ
て負帰還ループを構成すれば、直線性が改善された増幅
器が構成できることは言うまでもない。
以上説明したように本発明は、回路を気密パッケージし
、必要な端子のみを突出させているので、簡単な構成で
ありながら、高い周波数における周波数安定度が良く、
発振スペクトラムのきれいな発振器を容易に実現出来る
。また、出力分岐回路により帯域外で帰還量が低下され
るように接続でき、帯域外における異常発振を防止でき
る効果もある。
、必要な端子のみを突出させているので、簡単な構成で
ありながら、高い周波数における周波数安定度が良く、
発振スペクトラムのきれいな発振器を容易に実現出来る
。また、出力分岐回路により帯域外で帰還量が低下され
るように接続でき、帯域外における異常発振を防止でき
る効果もある。
第１図は本発明を発振器回路として使用した場合の回路
図、第２図はその構造断面図である。 １・・・マイクロ波集積回路、２・・・共振器、１１・
・・位相可変回路、１２・・・増幅器、１３・・・出力
信号分岐回路、１４・・・９０°ハイブリッド、１５・
・・バラクタダイオード、１６・・・帰還信号入力端子
、１７・・・帰還信号出力端子、１８・・・信号出力端
子、１９・・・気密シールドパッケージ、２１・・・筐
体、２２・・・調整ネジ。 第１図 第２図
図、第２図はその構造断面図である。 １・・・マイクロ波集積回路、２・・・共振器、１１・
・・位相可変回路、１２・・・増幅器、１３・・・出力
信号分岐回路、１４・・・９０°ハイブリッド、１５・
・・バラクタダイオード、１６・・・帰還信号入力端子
、１７・・・帰還信号出力端子、１８・・・信号出力端
子、１９・・・気密シールドパッケージ、２１・・・筐
体、２２・・・調整ネジ。 第１図 第２図
Claims (1)
- １、マイクロ波周波数帯信号を増幅するマイクロ波ＦＥ
Ｔトランジスタと、９０°ハイブリッド及びバラクダダ
イオードで構成される位相可変回路と、９０°ハイブリ
ッドで構成される出力信号分岐回路とをマイクロ波スト
リップ線路とともに気密パッケージに封入し、信号出力
用端子、帰還信号の入力及び出力の各端子を夫々気密パ
ッケージから突出させたことを特徴とするマイクロ波集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4657488A JPH01221002A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4657488A JPH01221002A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01221002A true JPH01221002A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12751079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4657488A Pending JPH01221002A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01221002A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583314A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Infinite phase shifter |
| JPS5710505A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 | Fujitsu Ltd | High frequency oscillator |
| JPS5820009A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-05 | Fujitsu Ltd | 帰還形誘電体発振器 |
| JPS6134286A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-18 | Toray Ind Inc | 人工皮革シ−トの製造方法 |
| JPS637803B2 (ja) * | 1978-04-21 | 1988-02-18 | Asahi Glass Co Ltd |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4657488A patent/JPH01221002A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637803B2 (ja) * | 1978-04-21 | 1988-02-18 | Asahi Glass Co Ltd | |
| JPS5583314A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Infinite phase shifter |
| JPS5710505A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 | Fujitsu Ltd | High frequency oscillator |
| JPS5820009A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-05 | Fujitsu Ltd | 帰還形誘電体発振器 |
| JPS6134286A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-18 | Toray Ind Inc | 人工皮革シ−トの製造方法 |
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