JPH01220158A - 光ディスク用現像装置 - Google Patents
光ディスク用現像装置Info
- Publication number
- JPH01220158A JPH01220158A JP63044914A JP4491488A JPH01220158A JP H01220158 A JPH01220158 A JP H01220158A JP 63044914 A JP63044914 A JP 63044914A JP 4491488 A JP4491488 A JP 4491488A JP H01220158 A JPH01220158 A JP H01220158A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク用現像装置、特に、ガラス基板上
に一定ピッチで同心円状または渦巻状にパターンが露光
された光ディスク用現像装置に関する。
に一定ピッチで同心円状または渦巻状にパターンが露光
された光ディスク用現像装置に関する。
従来の光ディスク用現像装置は例えば、松下電器技法V
o1.29 Na5 rレーザによる光ディスクの原
盤作製」に示されているように、ガラス基板に一定ピッ
チで露光されたパターンを現像する装置としては、現像
モニタ付の自動現像装置が広く知られている。
o1.29 Na5 rレーザによる光ディスクの原
盤作製」に示されているように、ガラス基板に一定ピッ
チで露光されたパターンを現像する装置としては、現像
モニタ付の自動現像装置が広く知られている。
従来の光ディスク用の自動現像装置では、現像中基板に
レーザ光を通過させておき現像が進行するに伴って現わ
れてくるパターン構造が回折格子として作用して回折光
を生じ、パターン幅の変化とともに回折光も変化するの
でこれを検出してバルーンIIをモニタし、必要とさ九
るパターン幅が形成された時点で現像処理を終了してい
た。
レーザ光を通過させておき現像が進行するに伴って現わ
れてくるパターン構造が回折格子として作用して回折光
を生じ、パターン幅の変化とともに回折光も変化するの
でこれを検出してバルーンIIをモニタし、必要とさ九
るパターン幅が形成された時点で現像処理を終了してい
た。
次に、従来の光ディスク用の自動現像装置について、図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
第2図は従来の一例を示す模式図である。
第2図に示す光ディスク用の自動現像装置を用いた現像
方法は、ガラス基板2をスピンチャックlに真空吸着し
、ガラス基板上を回転しながらノズル3で供給される現
像液4をガラス基板2の上に滴下することにより現像を
行う、いわゆるスピン現像方式を採っている。
方法は、ガラス基板2をスピンチャックlに真空吸着し
、ガラス基板上を回転しながらノズル3で供給される現
像液4をガラス基板2の上に滴下することにより現像を
行う、いわゆるスピン現像方式を採っている。
He −N eレーザ5をガラス基板2の裏面より照射
し、ガラス基板2を透過した回折光を光量検出器7によ
り、0次回光計と、+1次回折光計−1次回折光の光量
を検出しアンプ8で増幅した後演算ユニット9でパター
ン幅を算出する。そして必要とされるパターン幅が形成
さhた時点で現像処理を終了する。
し、ガラス基板2を透過した回折光を光量検出器7によ
り、0次回光計と、+1次回折光計−1次回折光の光量
を検出しアンプ8で増幅した後演算ユニット9でパター
ン幅を算出する。そして必要とされるパターン幅が形成
さhた時点で現像処理を終了する。
しかしながら、このような上述した従来の光ディスク用
現像装置はガラス基板上の1ケ所にレーザ光を照射しパ
ターン幅をモニタする構成となっているので基板上の他
の部分のパターン幅はまったく判らないという欠点があ
るとともに、現像条件に影グを与える現像工程以前の要
因としては、フォトレジストの膜厚と単位面積当たりの
露光量があるが、この露光量がフォトレジスト塗布工程
ではスピンコードが一般的に用いられているため、膜厚
の変動が円周方向より半径方向に対して大きくなり、ま
た露光工程では例えば光ディスクの場合中心付近から外
縁部へ向けて露光パワーを増加することにより単位面積
当たりの露光量が一定になるように制御しても時間の経
過とともにレーザの状態は変化しやはり半径方向の差と
して表われるため、現像工程もスピン現像であり、ガラ
ス基板の中心付近に固定されたノズルから現像液を供給
することが一般的であり外縁部へ供給される現像液はす
でに中心付近での現像処理に用いられたため、ガラス基
板の中心付近と外縁部とでは現像の進行に大きな差が生
じてしまい、ノズルを中心付近より外縁方向へ、あるい
は外縁方向から中心付近へと駆動する構成も知られてい
るが、基板上1ケ所でのモニタではガラス基板の全面で
パターン幅を制御することは極めて難しいという欠点が
あった。
現像装置はガラス基板上の1ケ所にレーザ光を照射しパ
ターン幅をモニタする構成となっているので基板上の他
の部分のパターン幅はまったく判らないという欠点があ
るとともに、現像条件に影グを与える現像工程以前の要
因としては、フォトレジストの膜厚と単位面積当たりの
露光量があるが、この露光量がフォトレジスト塗布工程
ではスピンコードが一般的に用いられているため、膜厚
の変動が円周方向より半径方向に対して大きくなり、ま
た露光工程では例えば光ディスクの場合中心付近から外
縁部へ向けて露光パワーを増加することにより単位面積
当たりの露光量が一定になるように制御しても時間の経
過とともにレーザの状態は変化しやはり半径方向の差と
して表われるため、現像工程もスピン現像であり、ガラ
ス基板の中心付近に固定されたノズルから現像液を供給
することが一般的であり外縁部へ供給される現像液はす
でに中心付近での現像処理に用いられたため、ガラス基
板の中心付近と外縁部とでは現像の進行に大きな差が生
じてしまい、ノズルを中心付近より外縁方向へ、あるい
は外縁方向から中心付近へと駆動する構成も知られてい
るが、基板上1ケ所でのモニタではガラス基板の全面で
パターン幅を制御することは極めて難しいという欠点が
あった。
本発明の光ディスク用現像装置は、スピンチャックと、
このスピンチャックに保持回転さh一定のピッチで同心
円状または渦巻状にパターンが露光されたガラス基板の
パターン域より内側とパターン域の中域の2ケ所に設け
られ少なくともパターン域の中域の現像液の滴下流量が
制御可能な2組のノズルと、前記ガラス基板のパターン
域の最内域と最外域との2点にレーザ光を垂直に照射す
る光学系と、前記レーザ光のガラス基板上のパターンに
よる0次光、±1次光の回折光量を検出する2組の光量
検出部と、前記検出光量よりパターン幅を算出する演算
ユニットと、前記パターン幅を比較し最外域パターン幅
が小さい時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流
量を増加し最外域のパターン幅が大きい時にはパターン
中域のノズルの現像液の滴下流量を減少する流量制御部
とを含んで構成される。
このスピンチャックに保持回転さh一定のピッチで同心
円状または渦巻状にパターンが露光されたガラス基板の
パターン域より内側とパターン域の中域の2ケ所に設け
られ少なくともパターン域の中域の現像液の滴下流量が
制御可能な2組のノズルと、前記ガラス基板のパターン
域の最内域と最外域との2点にレーザ光を垂直に照射す
る光学系と、前記レーザ光のガラス基板上のパターンに
よる0次光、±1次光の回折光量を検出する2組の光量
検出部と、前記検出光量よりパターン幅を算出する演算
ユニットと、前記パターン幅を比較し最外域パターン幅
が小さい時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流
量を増加し最外域のパターン幅が大きい時にはパターン
中域のノズルの現像液の滴下流量を減少する流量制御部
とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第1図に示す光ディスク用現像装置は、スピンチャック
1と、このスピンチャック1に保持回転され一定のピッ
チで同心円状または渦巻状にパターンが露光されたガラ
ス基板2と、このガラス基板2のパターン域より内側と
パターン域の中域の2ケ所に設けられ少なくともパター
ン域の中域の現像液4の滴下流量が制御可能な2組のノ
ズル3と、このガラス基板2のパターン域の最内域と最
外域との2点に同時にレーザ光を垂直に照射するための
全反射ミラー6とハーフミラ−11と、このレーザ光の
ガラス基板2の上に形成されたパターンによる0次光、
±1次光の回折光量を検出する2組の光量検出部7と、
アンプ8と、検出光量よりパターン幅を算出する演算ユ
ニット9と、前記演算ユニット9により算出された最内
域パターン幅と最外域パターン幅とを比較する比較回路
10と、パターン幅を比較し最外域のパターン幅が小さ
い時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流量を増
加し最外域のパターン幅が大きい時にはパターン中域の
ノズルの現像液の滴下流量を減少する流量制御部12と
を含んで構成される。
1と、このスピンチャック1に保持回転され一定のピッ
チで同心円状または渦巻状にパターンが露光されたガラ
ス基板2と、このガラス基板2のパターン域より内側と
パターン域の中域の2ケ所に設けられ少なくともパター
ン域の中域の現像液4の滴下流量が制御可能な2組のノ
ズル3と、このガラス基板2のパターン域の最内域と最
外域との2点に同時にレーザ光を垂直に照射するための
全反射ミラー6とハーフミラ−11と、このレーザ光の
ガラス基板2の上に形成されたパターンによる0次光、
±1次光の回折光量を検出する2組の光量検出部7と、
アンプ8と、検出光量よりパターン幅を算出する演算ユ
ニット9と、前記演算ユニット9により算出された最内
域パターン幅と最外域パターン幅とを比較する比較回路
10と、パターン幅を比較し最外域のパターン幅が小さ
い時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下流量を増
加し最外域のパターン幅が大きい時にはパターン中域の
ノズルの現像液の滴下流量を減少する流量制御部12と
を含んで構成される。
次に、第1図に示した光ディスク用現像装置の動作を説
明する。
明する。
シブレイ社製フォトレジスト商品名MP1350Jを膜
厚1200人に塗布し、1.6μmのピッチで渦巻状に
パターンが露光されたガラス基板2をスピンチャック1
に固定し、ガラス基板2を30゜rpmで回転しながら
パターン域より内側のノズル3のみからシブレイ社製現
像液商品名マイクロポジットデベロッパ濃度20%の現
像液4をガラス基板2の上に滴下する。現像液4はガラ
ス基板2の上を内側から外側へ流れ現像処理を行う。
厚1200人に塗布し、1.6μmのピッチで渦巻状に
パターンが露光されたガラス基板2をスピンチャック1
に固定し、ガラス基板2を30゜rpmで回転しながら
パターン域より内側のノズル3のみからシブレイ社製現
像液商品名マイクロポジットデベロッパ濃度20%の現
像液4をガラス基板2の上に滴下する。現像液4はガラ
ス基板2の上を内側から外側へ流れ現像処理を行う。
現像進行中常にパターン域の最内域と最外域の2点に同
時にレーザ光を垂直に照射し、パターン幅を演算ユニッ
ト9にて算出する。仮に、パターン最内域のパターン幅
をX、パターン最外域のパターン幅をyとする。現像の
進行にともない、X〉yの関係が成立するので、このと
き比較回路10はパターン域の中域のノズル3より現像
液4を滴下するためパターン域の中域のノズル3の流量
制御部12へ指示をだす。
時にレーザ光を垂直に照射し、パターン幅を演算ユニッ
ト9にて算出する。仮に、パターン最内域のパターン幅
をX、パターン最外域のパターン幅をyとする。現像の
進行にともない、X〉yの関係が成立するので、このと
き比較回路10はパターン域の中域のノズル3より現像
液4を滴下するためパターン域の中域のノズル3の流量
制御部12へ指示をだす。
現像液40滴下流量は、x>y≧0.8Xのとき5cc
/分、0.8x>y≧0.5Xのとき10 c c/分
、0.5x>)’のとき20 c c/分とする。
/分、0.8x>y≧0.5Xのとき10 c c/分
、0.5x>)’のとき20 c c/分とする。
さらに、現像が進行すると今度はx=yの関係が成立す
るので、このとき、比較回路10はパターン域の中域の
ノズル3から現像液4の滴下を止めるためパターン域の
中域のノズル3の流量制御部12へ指示を出す。
るので、このとき、比較回路10はパターン域の中域の
ノズル3から現像液4の滴下を止めるためパターン域の
中域のノズル3の流量制御部12へ指示を出す。
以上のくり返しにより、ガラス基板2の全面に均一なパ
ターンを形成する。
ターンを形成する。
上述の実施例ではパターン域より内側のノズル 。
3のみから現像液4を滴下しパターン域の中域のノズル
3の流量制御を行ったが、2個のノズル3から同時に現
像液4を滴下し、パターン幅を比較し、最外域のパター
ン幅が小さい時にパターン中域のノズル3の現像液40
滴下流量を増加し、大きい時にはパターン中域のノズル
3の現像液4の滴下流量を減少するように制御すること
も可能である。
3の流量制御を行ったが、2個のノズル3から同時に現
像液4を滴下し、パターン幅を比較し、最外域のパター
ン幅が小さい時にパターン中域のノズル3の現像液40
滴下流量を増加し、大きい時にはパターン中域のノズル
3の現像液4の滴下流量を減少するように制御すること
も可能である。
本発明の光ディスク用現像装置は、2組の0次光、±1
次光の回折光量を検出するための光量検出部を設け、現
像中インプロセスでパターン域の最内域と最外域の2ケ
所のパターン幅をモニタし最内域と最外域とのパターン
幅を比較し、最外域のパターン幅が小さくなった場合に
パターン域の中域のノズルから現像液を滴下することに
より、基板全域に均一なパターンを形成できるという効
果がある。
次光の回折光量を検出するための光量検出部を設け、現
像中インプロセスでパターン域の最内域と最外域の2ケ
所のパターン幅をモニタし最内域と最外域とのパターン
幅を比較し、最外域のパターン幅が小さくなった場合に
パターン域の中域のノズルから現像液を滴下することに
より、基板全域に均一なパターンを形成できるという効
果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す模式図、第2図は従来
の一例を示す模式図である。 1・・・・・・スピンチャック、2・・・・・・ガラス
基板、3・・・・・・ノズル、4・・・・・・現像液、
5・・・・・・He −N eレーザ、6・・・・・・
全反射ミラー、7・・・・・・光量検出部、8・・・・
・・アンプ、9・・・・・・演算ユニット、10・・・
・・・比較回路、11・・・・・・ハーフミラ−112
・・・・・・流量制御部。 代理人 弁理士 内 原 音 、¥i1旧 箭2図 乙全1Mミラー
の一例を示す模式図である。 1・・・・・・スピンチャック、2・・・・・・ガラス
基板、3・・・・・・ノズル、4・・・・・・現像液、
5・・・・・・He −N eレーザ、6・・・・・・
全反射ミラー、7・・・・・・光量検出部、8・・・・
・・アンプ、9・・・・・・演算ユニット、10・・・
・・・比較回路、11・・・・・・ハーフミラ−112
・・・・・・流量制御部。 代理人 弁理士 内 原 音 、¥i1旧 箭2図 乙全1Mミラー
Claims (1)
- スピンチャックと、前記スピンチャックに保持回転され
一定のピッチで同心円状または渦巻状にパターンが露光
されたガラス基板のパターン域より内側とパターン域の
中域の2ケ所に設けられ少なくともパターン域の中域の
現像液の滴下流量が制御可能な2組のノズルと、前記ガ
ラス基板のパターン域の最内域と最外域との2点にレー
ザ光を垂直に照射する光学系と、前記レーザ光の基板上
のパターンによる0次光、±1次光の回折光量を検出す
る2組の光量検出部と、検出された前記検出光量よりパ
ターン幅を算出する演算ユニットと、前記パターン幅を
比較し、最外域パターン幅が小さい時にはパターン中域
のノズルの現像液の滴下流量を増加し最外域のパターン
幅が大きい時にはパターン中域のノズルの現像液の滴下
流量を減少する流量制御部とを含むことを特徴とする光
ディスク用現像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63044914A JPH01220158A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光ディスク用現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63044914A JPH01220158A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光ディスク用現像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01220158A true JPH01220158A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12704728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63044914A Pending JPH01220158A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光ディスク用現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01220158A (ja) |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63044914A patent/JPH01220158A/ja active Pending
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