JPH08195338A - 基板周辺露光装置 - Google Patents

基板周辺露光装置

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JPH08195338A
JPH08195338A JP7004491A JP449195A JPH08195338A JP H08195338 A JPH08195338 A JP H08195338A JP 7004491 A JP7004491 A JP 7004491A JP 449195 A JP449195 A JP 449195A JP H08195338 A JPH08195338 A JP H08195338A
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light
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Satoshi Yamamoto
聡 山本
Kenji Kamei
謙治 亀井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不要レジストに発泡現象を生じさせることが
なく、スループットが高く、装置の管理維持も容易な基
板周辺露光装置を提供する。 【構成】 基板に照射する光の照度の上限値ULがキー
ボード23からマイコン22へ入力される。基板1はチ
ャック2に支持され、モータ3により回転する。UVラ
ンプ4からの光は反射鏡5で集められ、光ファイバ束6
によってレンズユニット8を介して基板周辺部へ導かれ
る。レンズユニット8から照射される光の照度は照度検
出器11によって検出され、マイコン22はその検出結
果に基づきモータ17を駆動し、光ファイバ束6と反射
鏡5との間の光路に配置された絞り体14を動かして光
路を通過する光量を調節し、照射する光の照度を上限値
UL以下に調節する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばIC、LS
I、液晶表示装置等の電子部品の製造工程における微細
パターンの形成工程において、シリコンウエハに代表さ
れる半導体基板、あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基
板に塗布されたフォトレジスト液のうち、基板周辺部の
不要な部分を現像工程で除去するための基板周辺露光装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の基板周辺露光装置において、基
板周辺部の不要なフォトレジスト液(以下、単に不要レ
ジストと称する)の除去を完全におこなうために、不要
レジストが存する基板の周辺部を所定の特性の光(紫外
線等)で露光することが提案されている。このとき、露
光する光の照射量が多い場合には、照射された不要レジ
スト中の有機溶媒の分解等のために気体が発生し、不要
レジスト中で泡となる、いわゆる発泡現象が発生する。
そしてかかる発泡現象が発生すると、発泡した部分が基
板収納カセットに擦れて塵埃が発生し、その塵埃が形成
した微細パターンに付着して欠陥のもとになるなどの不
都合を生じる。
【0003】これに対し、特開平2−87518号公報
には、光の照射開始当初において照射する光の通過経路
に減光用のフィルタを配置し、これによって照射当初の
光の照度を低下させて発泡現象を防止する技術が記載さ
れている。かかる技術によれば、不要レジスト中での発
泡現象は防止可能である。しかしながら、現実の基板周
辺露光装置においては、ランプ等を使用した光源は使用
の初期における照度にばらつきがあり、しかもその照度
は使用時間が長くなるにしたがって低下してゆく。その
ため、光源を新品に交換したりした際においても発泡現
象を確実に防止するためには、上記のような光源個々の
初期特性のばらつき等まで考慮して、充分に低い照度に
まで照射光の照度を低下させなければならない。ところ
がそのように減光の程度が大きなフィルタを使用すれ
ば、たまたま照度が比較的低い光源であった場合や、装
置の使用により経時的に徐々に照度が低下した場合等に
は、照射される光量が必要以上に低下するので、不要レ
ジスト除去のためには光を照射する時間を長くしなけれ
ばならず、装置のスループットが低下してしまう。
【0004】また、上記のような光源個々の特性や経時
的な照度の低下が発生する都度、最適なフィルタに交換
したり光源を調整する等の管理維持を最適な状態に正確
に行うのは困難であり、しかもその作業は非常に煩雑な
ものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の事情
に鑑みてなされたものであり、不要レジストに発泡現象
を生じさせることがなく、かつスループットが高く、装
置の管理維持も容易な基板周辺露光装置を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板周辺
露光装置の発明は、基板の周辺部に光を照射する照射手
段と、該照射手段から照射する光の照度を検出する照度
検出手段と、照射する光の照度の上限値を設定する上限
設定手段と、該上限設定手段の設定値と前記照度検出手
段の検出結果とに基づき、基板の周辺部に照射する光の
照度を上限値以下に制御する照度制御手段とよりなるこ
とを特徴とする。
【0007】請求項2の発明は、請求項1の基板周辺露
光装置において、前記照射手段を、光源と、該光源から
の光を基板へ導く光路形成手段と、該光路形成手段から
の光が前記基板の周辺部にそって走査するように前記光
路形成手段と前記基板とを相対移動させる走査手段とか
ら構成した。請求項3の発明は、請求項1または請求項
2の基板周辺露光装置において、前記照度制御手段を、
前記光路形成手段に付設した絞り体と、該絞り体を駆動
する駆動源と、該駆動源を制御する絞り体制御手段とか
ら構成した。
【0008】請求項4の発明は、請求項3の基板周辺露
光装置において、前記絞り体制御手段を、前記絞り体の
駆動量と照射光の照度との関係を記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された関係に基づき前記絞り体の所望
の駆動位置を算出する算出手段とから構成した。請求項
5の発明は、請求項1または請求項2の基板周辺露光装
置において、前記照度制御手段を、前記光源の駆動力を
制御する光源制御駆動手段により構成した。
【0009】請求項6の発明は、請求項1ないし請求項
5の基板周辺露光装置において、前記照度制御手段は、
基板の周辺部に照射する光の照度を上限値以下に制御す
る制御動作を所定タイミングで実行するものである。請
求項7の発明は、請求項1ないし請求項6の基板周辺露
光装置において、照射する光の照度の下限値を設定する
下限設定手段と、前記照度検出手段が検出した照度が前
記下限値に達しないときに報知する報知手段とをさらに
備えた。
【0010】請求項8の発明は、請求項1ないし請求項
7の基板周辺露光装置において、複数のフィルタと、該
複数のフィルタのうち任意のフィルタを照射光の光路へ
挿入するフィルタ選択機構とをさらに備えた。
【0011】
【作用】請求項1の発明では、基板の周辺部に照射する
光の照度の上限値が上限設定手段により設定される。照
射手段から照射する光の照度は照度検出手段により検出
され、照度制御手段は、かかる検出結果に基づきその照
度が設定された上限値以下になるよう制御する。
【0012】請求項2の発明では、光源からの光が光路
形成手段により基板へ導かれ、走査手段によって光路形
成手段からの光が基板の周辺部にそって走査する。請求
項3の発明では、絞り体制御手段により制御される駆動
源が絞り体を駆動し、基板に照射する光の照度が上限値
以下になるよう制御される。請求項4の発明では、記憶
手段に絞り体の駆動量と照射光の照度との関係が記憶さ
れ、その記憶された関係に基づき算出手段が絞り体の所
望の駆動位置を算出する。
【0013】請求項5の発明では、光源の駆動力を光源
制御駆動手段によって制御することにより、基板に照射
する光の照度が上限値以下になるよう制御される。請求
項6の発明では、基板の周辺部に照射する光の照度を上
限値以下に制御する制御動作が所定タイミングで実行さ
れる。請求項7の発明では、照射する光の照度の下限値
が下限設定手段により設定される。そして、照度検出手
段が検出した照度が下限値に達しないときには、報知手
段が報知する。
【0014】請求項8の発明では、複数のフィルタが備
えられ、その複数のフィルタのうち任意のフィルタがフ
ィルタ選択機構によって選択され、照射光の光路へ挿入
される。
【0015】
【実施例】本発明の実施例である基板周辺露光装置を、
図面を参照して以下に説明する。図1は本発明の第1の
実施例を示す要部の模式図である。1は周辺に対して光
を照射して露光しようとする半導体ウエハ(以下、基板
と称する)、2は基板1の中央を吸着して支持するチャ
ック、3はチャック2を回転駆動するモータである。
【0016】4は紫外光を発するUVランプ、4aはU
Vランプ4への電力の供給を断続するスイッチ、5はU
Vランプ4からの光を反射させて集光する反射鏡、6は
反射鏡5で集められた光を基板1の近傍へ導く光ファイ
バ束である。光ファイバ束6は複数の光ファイバを束ね
て構成され、その入射端6aは反射鏡5の集光位置に配
置される。7は光ファイバ束6の出射端6bに取り付け
られたマスクであり、矩形状の開口(図示せず)が形成
されている。8は光ファイバ束6の出射端6bからマス
ク7を通って出射される光を基板1の周辺へ照射するレ
ンズユニット、9はレンズユニット8を支持するアー
ム、10はアーム9の基部に連結された駆動源である。
駆動源10はアーム9を旋回駆動することにより、レン
ズユニット8を、チャック2に支持された基板1上方か
ら基板1の周辺を露光する位置(図1に実線で示す)
と、基板1の側方の待機位置(図1に破線で示す)との
間で移動させる。11はレンズユニット8が待機位置に
あるときにそのレンズユニット8から出射される光を受
けてその照度を測定する照度検出器であって、例えば入
射光に応じた起電力を発生する光起電力素子、あるいは
入射光に応じて抵抗値が変化する抵抗体等が用いられ
る。
【0017】12は反射鏡5と光ファイバ束6の入射端
6aとの間の光路に配置されてその光路を開閉するシャ
ッタ、13は同じくその光路に配置されたフィルタ支持
板、14はおなじくその光路に配置された絞り体、15
はシャッタ12を開閉駆動するロータリーソレノイド、
16はフィルタ支持板13を回転駆動するモータ、17
は絞り体14を回転駆動するモータである。フィルタ支
持板13は、図2に示す如く、円盤18の中心をとりま
くように6個の開口18a,18b,18c・・・が形
成され、そのうち少なくとも1つの開口18aは素通し
のままとされ、他のいくつかには任意の種類のフィルタ
19b〜19eが装着される。絞り体14は、図3に示
す如く、円盤20にその中心のまわりで幅が変化する開
口21を形成して構成される。モータ16,17はパル
スモータが使用され、光路内へのフィルタ挿入の有無及
び挿入するフィルタの種類、光路内におかれる絞り体1
4の開口21の大きさを任意に制御できる。なお、反射
鏡5から光ファイバ束6の入射端6aまでは、図示しな
いハウジングに収納されている。
【0018】22はいわゆるマイクロコンピュータ(以
下、マイコンと称する)であって、CPU22aとメモ
リ22bとからなる。メモリ22bは、CPU22aに
よって書き込み及び読み出しが行われ、CPU22aが
実行する処理のプログラムや、その他の必要なデータ等
の情報を記憶する。23はマイコン22のCPU22a
に数値、命令等の情報を入力するキーボード、24は装
置の状態等の情報を表示するディスプレイである。マイ
コン22は照度検出器11の検出信号を入力し、モータ
3,10,16,17やロータリーソレノイド15の動
作、スイッチ4aの開閉を制御する。
【0019】本実施例装置の動作を以下に詳細に説明す
る。図4はマイコン22が実行する制御動作のメインフ
ローチャートである。オペレータによるキーボード23
の操作により処理の開始が指示されると、装置の初期化
がなされる(ステップS1)。ここでは、モータ16,
17が駆動され、フィルタ支持板13と絞り体14とを
回転させて、光路内へのフィルタ挿入は無し、光路にお
ける絞り体14の開口21は最大(全開)の状態とし、
また、ロータリーソレノイド15を駆動してシャッタ1
2は閉とし、駆動源10を駆動してレンズユニット8は
待機位置とする。
【0020】次に、ステップS2で各種処理条件のキー
ボード23からの入力を受け付ける。ここでは、オペレ
ータは、当該処理において照射すべき光の所望照度の上
限値ULと、その上限値ULに対する許容誤差幅αと、
処理可能な照度の下限値LLとを入力する。入力された
処理条件はメモリ22bに記憶される。なお、ここで入
力される所望照度の上限値ULは、発泡現象を生じない
で露光できる照度の最大値を実験的に求めたものであ
り、使用するフォトレジスト液の種類等の処理条件に応
じて求める。許容誤差幅αは、照度の制御目標である上
限値ULに対して許容できる誤差範囲である。基板の周
縁に対して走査露光を行うその走査速度は、照度が上限
値ULであるとして露光量とスループットについて所望
の値を得られるように定めるが、許容誤差幅αはその走
査速度で露光処理を行った場合に、必要な露光量を得ら
れる照度の範囲である。また、下限値LLは、露光のた
めの走査速度をある範囲で低下させれば必要な露光量を
得られる範囲であり、UL−αよりも小さな値に設定さ
れる。この下限値LLの設定のための走査速度低下の範
囲は、それによるスループット低下の許容範囲や、UV
ランプ4の経時劣化特性等を考慮して決定される。
【0021】オペレータによりそれらが入力されると、
スイッチ4aが閉じられてUVランプ4が点灯され、そ
のUVランプ4の発光状態が安定したことを確認した後
にシャッタ12が開かれる(ステップS3)。そして、
絞り体14の位置による照度の変化率を示す表が作成さ
れ(ステップS4)、その表に基づいて絞り粗調整が行
われ(ステップS5)、さらに絞り微調整が行われる
(ステップS6)。このステップS5、S6において
は、絞り体14の回転の位置により光路を通過する光量
を調節し、照射する光の照度を上限値以下とするような
調整がなされる。続いて、照度が下限値以上か否かが判
断され(ステップS7)、下限値以上であれば、基板に
対する露光処理が行われる(ステップS8)。そして、
処理終了か否かが判断され(ステップS9)、終了であ
れば制御を終了する。終了でなければ、ステップS6へ
戻る。なお、ステップS7において照度が下限値以上で
なかった場合は、UVランプ4の経時劣化等によりステ
ップS5、S6における調整で絞りを開放にしても処理
可能な下限の照度に満たなかった場合であるので、ステ
ップS10においてUVランプ4が異常である旨をディ
スプレイ24に表示してオペレータに報知し、UVラン
プ4の交換を促し、ステップS11で交換が行われたと
判断すると、ステップS5に戻る。
【0022】図5はステップS4の絞り変化率表作成の
サブルーチンの内容を示すフローチャートである。はじ
めは、光路における絞り体14の開口21は最大(全
開)の状態であり、この状態を変数I=1として(ステ
ップS41)、その絞り体14の位置をPIとして、こ
の状態でレンズユニット8から照射される光の照度LI
を測定する(ステップS42)。そして、変数Iを1づ
つ増加させていき、その都度、光路における絞り体14
の開口21を閉じる方向にモータ17を0.5秒づつ駆
動して、それぞれの絞り体14の位置PIでの照度LI
測定する(ステップS42〜S45)。さらに、光路に
おける絞り体14の開口21が最小となるまで繰り返
し、得られた測定結果Lにより、各位置における照度L
IをL1で割った透過率tを算出し、図9に示す表を作成
する(ステップS46)。作成した表はメモリ22bに
記憶させる。なお、この表は絞り体14の開口21の形
状とモータ17の特性によって決まるものであり、UV
ランプ4の交換を行ったとしてもかかる表の特性は変化
しない。
【0023】図6はステップS5の絞り粗調整のサブル
ーチンの内容を示すフローチャートである。まず、光路
における絞り体14の開口21を最大(全開)とし(ス
テップS51)、その状態でレンズユニット8から照射
される光の照度Lを測定する(ステップS52)。そし
て、測定した照度Lについて、UL/L≧tXとなる最
小のXを図9の表に基づいて絞り体14についての所望
の駆動位置として求め(ステップS53)、絞り体14
の位置がPXとなるようにモータ17を駆動する(ステ
ップS54)。これにより、絞り粗調整を終了し、メイ
ンフローへ戻る。なお、ステップS52で測定する照度
の値は、UVランプ4の固有特性によりUVランプ4の
交換を行うなどにより変化し、また、UVランプの経時
変化等でも変化する。
【0024】図7はステップS6の絞り微調整のサブル
ーチンの内容を示すフローチャートである。はじめにそ
の状態における照度Lを測定する(ステップS61)。
そして測定した照度Lが最大値ULよりも大きいか否か
を判断する(ステップS62)。測定した照度Lが最大
値ULよりも大きい場合には、光路における絞り体14
の開口21が小さくなるようにモータ17を微小量だけ
駆動し(ステップS63)、ステップS61へ戻る。測
定した照度Lが最大値ULよりも大きくない場合には、
測定した照度LがUL−αよりも小さいか否かを判断す
る(ステップS64)。測定した照度LがUL−αより
も小さくなければ、すなわち照度LはUL−α≦L≦U
Lの範囲にあることになるので、絞り微調整が完了した
としてメインフローの処理へ戻る。測定した照度LがU
L−αよりも小さい場合は、光路における絞り体14の
開口21が最大(全開)の状態であるか否かを判断する
(ステップS65)。全開の状態でなければ、光路にお
ける絞り体14の開口21が大きくなるようにモータ1
7を微小量だけ駆動し(ステップS66)、ステップS
61へ戻る。
【0025】なお、ステップS65で、光路における絞
り体14の開口21が最大(全開)の状態であると判断
された場合は、絞りを全開にしても照度LがUL−αに
満たない場合であるので、そのままメインフローの処理
へ戻る。なお、この場合であっても、メインフローのス
テップS7において照度Lが下限値LL以上であると判
断される場合は、露光処理が行われる。ただしその場合
には、後述する露光実行処理において、照度がUL−α
≦L≦ULの範囲にある場合よりもモータ3の回転速度
を低下させ、レンズユニット8の基板周辺に対する走査
速度を低下させることにより、必要な露光量を与える制
御がなされる。また、メインフローのステップS7にお
いて照度Lが下限値LL未満であると判断される場合
は、前述のようにUVランプ4の交換を行うことにな
る。
【0026】図8はステップS8の露光処理の実行のサ
ブルーチンの内容を示すフローチャートである。まず、
図示しない基板搬送機構により基板1がチャック2へ搬
送され、吸着支持される(ステップS81)。そして、
駆動源10を駆動してアーム9を移動させてレンズユニ
ット8を基板1の周辺部の上方に位置させ、それと同時
にモータ3を駆動してチャック2を所定速度で回転さ
せ、基板1の周辺部をレンズユニット8によって走査す
ることにより、露光実行処理がなされる(ステップS8
2)。基板1が1回転すると、モータ3の駆動を停止す
ると同時に駆動源10を駆動してレンズユニット8を待
機位置へ退避させる(ステップS83)。そして、前述
の基板搬送機構により基板1が搬出される(ステップS
84)。以上で基板に対する露光処理が完了したとして
メインフローの処理へ戻る。
【0027】なお、露光処理時において何らかのフィル
タを使用したい場合には、ステップS62においてモー
タ16を駆動することによるフィルタの選択が行われ
る。この場合には、ステップS2で入力される各種処理
条件として、使用するフィルタの指定入力がなされる。
例えば、基板1の周辺のある一部分のみに対する照射照
度を変更したい場合には、モータ16を駆動してNDフ
ィルタ19cを光路に位置させることで照度の変更が可
能となる。この場合、ステップS3、S4のような照度
の調整を要しないので、1枚の基板の処理中に照度を変
更したいような場合でも短時間で照度の変更が可能であ
る。また、レンズユニット8は365nm〜436nm
の波長で色消しとなるものを使用するが、例えば254
nmの波長で露光を行いたい場合には、色収差を防ぐた
めに波長選択フィルタ19dを使用する。
【0028】なお、以上の実施例においては、光路にお
ける絞り体14の開口21の面積を変化させることによ
って所望の照度を得るように調節制御していたが、例え
ばUVランプ4の駆動の状態を変えることにより、同様
の調節制御を行うこともできる。具体的には、図1の実
施例におけるスイッチ4aを、電流制御回路と置き換え
ることにより達成できる。電流制御回路は、マイコン2
2からの制御信号に基づき、UVランプ4へ供給する電
流を制御して、上述の実施例と同様に照射する光の照度
を上限値以下とするような調整制御を行う。この場合、
絞り体14とモータ17を設ける必要はない。また、以
上の実施例においては、キーボード23によって設定し
た上限値ULをメモリ22bに記憶させていたが、上限
値ULの設定は例えばロータリーエンコーダや可変抵抗
器、あるいはディップスイッチ等の入力手段によって行
ってもよい。さらに、図5のステップS45においては
モータ17を0.5秒づつ駆動していたが、これに限ら
ず、たとえばパルスモータであるモータ17へ加えるパ
ルスを数パルスづつ加えるような駆動であっても良い。
【0029】なお、以上の実施例においては、UVラン
プ4が光源、反射鏡5と光ファイバ束6とレンズユニッ
ト8とが光路形成手段、チャック2とモータ3とアーム
9と駆動源10とが走査手段に、それぞれ相当し、これ
らによって基板の周辺部に光を照射する照射手段が構成
される。また、照度検出器11が照度検出手段に、キー
ボード23が上限設定手段および下限設定手段に相当す
る。また、モータ17が絞り体14の駆動源、マイコン
22が絞り体制御手段に、それぞれ相当し、これらによ
って照度制御手段が構成される。また、メモリ22bが
記憶手段に、CPU22aが算出手段に、ディスプレイ
24が報知手段に、モータ16がフィルタ選択機構に、
それぞれ相当する。また、変形例においては、電流制御
回路とマイコン22とにより光源制御駆動手段が構成さ
れる。
【0030】以上の構成によれば、レンズユニット8か
ら照射する光の照度は照度検出器11により検出され、
その照度が設定された上限値UL以下になるようマイコ
ン22が制御する。したがって、上限値ULを発泡現象
が生じない値に設定することで、不要レジストの露光時
の発泡現象を防止できる。また、UVランプ4に初期特
性のばらつき等があったとしても、個々のUVランプの
それぞれに対して個別に照度を調整することができるの
で、装置のスループットを必要以上に低下させることが
ない。また、照度の調整等の管理維持も容易である。ま
た、UVランプ4からの光は光ファイバ束6によって導
かれ、モータ3によって回転する基板1の周辺部を容易
に露光することができる。また、絞り体14はマイコン
22によって制御されるモータ17によって駆動され、
基板1に照射する光の照度を上限値UL以下にするよう
に容易に制御することができる。さらに、絞り体14の
駆動量と照射光の照度の関係をあらかじめメモリ22b
に記憶しておき、絞り体14の調節時において、検出し
た照度から所望の照度を得るための絞り体14の駆動位
置をかかる関係より算出することで、迅速に絞り体14
の調節を行うことができる。
【0031】また、UVランプ4へ供給する電流を制御
することでその駆動力を制御することにより、基板1に
照射する光の照度が上限値UL以下になるように容易に
制御することもできる。基板1の周辺部に照射する光の
照度を上限値UL以下に制御する制御動作を、装置の起
動時以外に、基板1を1枚処理する毎のタイミングで実
行しているので、UVランプ4に経時変化等の何らかの
原因によって光量変化が生じたとしても、全ての基板1
に対して常に適当な照度の光で露光を行うことができ
る。また、照射する光の照度が下限値LLに達しないと
きには、ディスプレイ24にその旨が表示されてオペレ
ータに報知するので、光の照度が不足したままで処理が
行われたりすることがなく、また、オペレータは速やか
に不都合を知ってそのUVランプ4の交換等の回復操作
を行うことができる。また、複数のフィルタをフィルタ
選択機構によって選択して照射光の光路へ挿入できるの
で、例えば、基板1の周辺のある一部分のみに対する照
射照度を変更したい場合などには迅速に所望のフィルタ
を使用することができる。
【0032】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、照射手段から
照射する光の照度は照度検出手段により検出され、その
照度が設定された上限値以下になるよう照度制御手段が
制御するので、不要レジストの露光時にその不要レジス
ト中に発泡現象が生じるのを防止できる。また、光源に
初期特性のばらつき等があったとしても、個々の光源の
それぞれに対して個別に照度を調整することができるの
で、装置のスループットを必要以上に低下させることが
ない。また、照度の調整等の管理維持も容易である。
【0033】請求項2の発明によれば、光路形成手段に
より導かれる光によって基板の周辺部を走査して基板の
周辺部を容易に露光することができる。請求項3の発明
によれば、絞り体制御手段により駆動源を制御して絞り
体を駆動することにより、基板に照射する光の照度を上
限値以下にするように容易に制御することができる。
【0034】請求項4の発明によれば、絞り体の駆動量
と照射光の照度の関係をあらかじめ記憶しておき、絞り
体の調節時において、検出した照度から所望の照度を得
るための絞り体の駆動位置を算出することで、迅速に絞
り体の調節を行うことができる。請求項5の発明によれ
ば、光源の駆動力を光源制御駆動手段によって制御する
ことにより、基板に照射する光の照度を上限値以下にす
るように容易に制御することができる。
【0035】請求項6の発明によれば、基板の周辺部に
照射する光の照度を上限値以下に制御する制御動作を所
定タイミングで実行することにより、常に適当な照度の
光で露光を行うことができる。請求項7の発明によれ
ば、照度検出手段が検出した照度が下限値に達しないと
きには報知手段が報知するので、光の照度が不足したま
まで処理が行われたりすることがなく、オペレータの操
作も容易にできる。
【0036】請求項8の発明によれば、複数のフィルタ
のうち任意のフィルタをフィルタ選択機構によって選択
して照射光の光路へ挿入できるので、迅速に所望のフィ
ルタを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例の基板周辺露光装置の構成を
示す模式図である。
【図2】フィルタ支持板の正面図である。
【図3】絞り体の正面図である。
【図4】制御のメインフローチャートである。
【図5】照度変化率表作成のサブルーチンのフローチャ
ートである。
【図6】絞り粗調整のサブルーチンのフローチャートで
ある。
【図7】絞り微調整のサブルーチンのフローチャートで
ある。
【図8】基板処理のサブルーチンのフローチャートであ
る。
【図9】絞り体の位置についての照度の変化率を示す図
である。
【符号の説明】
1 基板 2 チャック 3 モータ 4 UVランプ 5 反射鏡 6 光ファイバ束 8 レンズユニット 9 アーム 10 駆動源 11 照度検出器 13 フィルタ支持板 14 絞り体 16,17 モータ 19b,19c,19d,19e フィルタ 22 マイコン 22a CPU 22b メモリ 23 キーボード 24 ディスプレイ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の周辺部に光を照射する照射手段
    と、 該照射手段から照射する光の照度を検出する照度検出手
    段と、 照射する光の照度の上限値を設定する上限設定手段と、 該上限設定手段の設定値と前記照度検出手段の検出結果
    とに基づき、基板の周辺部に照射する光の照度を上限値
    以下に制御する照度制御手段とよりなることを特徴とす
    る基板周辺露光装置。
  2. 【請求項2】 前記照射手段を、 光源と、 該光源からの光を基板へ導く光路形成手段と、 該光路形成手段からの光が前記基板の周辺部にそって走
    査するように前記光路形成手段と前記基板とを相対移動
    させる走査手段とから構成した請求項1記載の基板周辺
    露光装置。
  3. 【請求項3】 前記照度制御手段を、 前記光路形成手段に付設された絞り体と、 該絞り体を駆動する駆動源と、 該駆動源を制御する絞り体制御手段とから構成した請求
    項1または請求項2記載の基板周辺露光装置。
  4. 【請求項4】 前記絞り体制御手段を、 前記絞り体の駆動量と照射光の照度との関係を記憶する
    記憶手段と、 該記憶手段に記憶された関係に基づき前記絞り体の所望
    の駆動位置を算出する算出手段とから構成した請求項3
    記載の基板周辺露光装置。
  5. 【請求項5】 前記照度制御手段を、 前記光源の駆動力を制御する光源制御駆動手段により構
    成した請求項1または請求項2記載の基板周辺露光装
    置。
  6. 【請求項6】 前記照度制御手段は、 基板の周辺部に照射する光の照度を上限値以下に制御す
    る制御動作を所定タイミングで実行するものである請求
    項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板周辺露光装
    置。
  7. 【請求項7】 照射する光の照度の下限値を設定する下
    限設定手段と、 前記照度検出手段が検出した照度が前記下限値に達しな
    いときに報知する報知手段とをさらに備えた請求項1な
    いし請求項6のいずれかに記載の基板周辺露光装置。
  8. 【請求項8】複数のフィルタと、 該複数のフィルタのうち任意のフィルタを照射光の光路
    へ挿入するフィルタ選択機構とをさらに備えた請求項1
    ないし請求項7のいずれかに記載の基板周辺露光装置。
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