JP4293343B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に係り、特に、各々の基板のタイプに基づいて基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、各々の基板のタイプに基づいて基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更する基板処理装置として、例えば、基板を露光する露光装置が知られている。ここで、基板の位置とは基板の向き、すなわち基板の姿勢も含んでいる。従って、露光処理においては、基板の位置にズレがあれば、露光領域について露光が行われなかったり、あるいは露光領域以外について露光が行われたり、所望のパターンで露光することができないなど、ズレによる悪影響が顕著に出てしまう。そこで、かかる装置によれば、マスク（レチクル）や基板などに形成されたアライメントマークを検出することで、基板の位置を設定して露光処理を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、異なるタイプの基板を連続的に処理するときには、各タイプに応じて基板の設定が異なることから、その分だけ設定手順を用意しなければならず、その設定手順に合わせて基板のタイプを選択しなければならない。つまり、基板のタイプを選択してから、選択されたタイプに関する設定手順に従ってアライメントマークを検出して、基板の位置を設定する。基板のタイプを選択するときに、基板のタイプの数が多ければ選択が煩わしい。また、選択ミスをしたときには、基板処理が停止してしまう。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板と処理部との相対位置を簡易に設定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、アライメントマークを検出することで基板の位置を設定する場合には、アライメントマークが基板の同じ箇所に形成されていたとしても、上述したように基板のタイプに応じて基板の設定が異なる。してみれば、アライメントの検出の精度を良くしたり、位置の設定に関する微調整を細かくしても、上述した選択の煩わしさや選択ミスは回避し難い。そこで、発想を変えて、アライメントを検出することで基板の位置を設定せずに、別の手法で検出することで位置を設定することについて考えてみた。
【０００６】
本発明者らは、塗布膜が塗布形成された基板を水平面内に回転させながら、基板の周縁部を露光する周縁部露光処理（エッジ露光処理）に着目してみた。周縁部露光処理では、基板の周縁データをサンプリングすることで、基板の位置を設定する。そこで、アライメントの検出の替わりに基板の周縁データのサンプリングを用いることに想到した。このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
【０００７】
すなわち、請求項１に記載の発明は、ノッチの基板とノッチの基板よりも切込みが深いオリエンテーションフラットの基板の基板処理を行う基板処理装置であって、基板の周縁部の回転軌跡に対応する位置に配設される周縁データサンプリング手段と、基板の周縁形状を識別して、基板のタイプを検出するタイプ検出手段と、基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更する相対位置変更手段とを備え、前記周縁データサンプリング手段は、基板を水平面内に回転させながら、基板の周縁部の変移を監視して基板の周縁形状に係る基板の周縁データをサンプリングし、前記タイプ検出手段は、オリエンテーションフラット部分の有無を識別するために、前記周縁データサンプリング手段でサンプリングされた複数箇所における隣接する２つの周縁データの差分をとり、周縁データの差分が所定値以上の場合はオリエンテーションフラットの基板であると識別し、また、周縁データの差分が所定値未満の場合はノッチの基板であると識別して基板のタイプを検出し、相対位置変更手段は、タイプ検出手段で検出された各々の基板のタイプに基づいて相対位置を変更することを特徴とするものである。
【０００８】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、タイプ検出手段で検出された各々の基板のタイプに基づいて、相対位置変更手段が基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更することで相対位置を設定して、設定後に基板処理を行うのに、基板の周縁データをサンプリングする周縁データサンプリング手段を用いる。この周縁データサンプリング手段でサンプリングされた基板の周縁データに基づいて、タイプ検出手段が基板の周縁形状を識別して、各々の基板のタイプを逐次に検出する。従って、周縁データサンプリング手段が基板の周縁データをサンプリングすることによって、基板と処理部との相対位置を簡易に設定することができる。
【０００９】
基板と処理部との相対位置を変更するには、基板および処理部の少なくとも一方の位置を変更すればよい。従って、基板および処理部の両者の位置をともに変更してもよいし、基板を固定し、処理部の位置のみを変更してもよいし、処理部を固定し、基板の位置のみを変更してもよい。基板の位置を変更する場合には、請求項２に記載の発明のように相対位置変更手段は、基板の位置を変更する手段である。
【００１０】
サンプリングについては、基板を移動させながら行われることが多い。従って、請求項３に記載の発明のように、基板を移動させる移動手段を備え、周縁データサンプリング手段は、移動手段によって基板を移動させながら、基板の周縁データをサンプリングする。また、相対位置変更手段が、基板の位置を変更する手段の場合には、移動手段が、相対位置変更手段を兼用してもよい（請求項４に記載の発明）。請求項４に記載の発明のように兼用する場合には、周縁データのサンプリングと基板の位置の変更とを、同一の手段で行うことができる。その結果、基板の位置を変更することによる基板の位置の設定を効率良く行うことができる。
【００１１】
移動手段が、基板を水平面内に回転させる手段の場合には、周縁データサンプリング手段は、移動手段によって基板を水平面内に回転させながら、基板の周縁データをサンプリングし(請求項５に記載の発明)、移動手段が、基板を水平面内に平行移動させる手段の場合には、周縁データサンプリング手段は、移動手段によって基板を水平面内に平行移動させながら、基板の周縁データをサンプリングする（請求項６に記載の発明）。
【００１３】
また、各々の基板のタイプに応じた基板の位置決め手順を予め記憶した手順記憶手段と、基板のタイプを別の基板のタイプに切り換えるタイプ切換手段とを備え、タイプ切換手段によって切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定すること（請求項７に記載の発明）で、各基板をセットするたびにタイプ検出手段がその基板のタイプを検出し、検出された基板のタイプにタイプ切換手段が切り換え、タイプ切換手段によって切り換えられた各基板のタイプに応じて、手順記憶手段に予め記憶された基板の位置決め手順が基板の位置を設定して、基板処理を連続して行うことができる。検出された基板のタイプにタイプ切換手段が切り換えて、その基板の位置を設定するので、基板のタイプの数が増えても選択の煩わしさを低減させることができ、選択ミスを防止することができるとともに、選択ミスによる基板処理の停止を防止することができる。
【００１４】
基板処理は、各々の基板のタイプに基づいて基板の位置を設定して行うものであれば、特に限定されない。例えば、基板を水平面内に回転させる回転手段を備え、基板処理は、塗布膜が塗布形成された基板を、回転手段で水平面内に回転させながら、基板の周縁部を露光する周縁部露光処理（請求項８に記載の発明）であってもよい。基板処理が周縁部露光処理の場合には、周縁部露光処理において基板と処理部との相対位置を簡易に設定することができ、周縁部露光処理を精度良く行うことができる。
【００１５】
また、周縁データサンプリング手段による基板の周縁データのサンプリングが、周縁部露光処理での基板の周縁データのサンプリングを兼用し、周縁部露光処理で基板の周縁データのサンプリングに基づいて、タイプ検出手段が基板のタイプを検出してもよい（請求項９に記載の発明）。請求項９に記載の発明のように兼用する場合には、周縁部露光処理で周縁データサンプリング手段が基板の周縁データをサンプリングして基板の位置を設定し、兼用しない場合には、周縁データサンプリング手段で基板の周縁データをサンプリングして基板のタイプを検出した後に、周縁部露光処理で基板の周縁データをサンプリングして基板の位置を設定するので、兼用しない場合と比較して基板の位置の設定処理の工程数を低減させることができる。その結果、周縁部露光処理において基板の位置を効率良く設定することができる。
【００１６】
なお、本明細書は、基板処理方法に係る発明も開示している。
【００１７】
（１）基板処理を行う基板処理方法であって、基板の周縁データをサンプリングすることで、基板の周縁の周縁形状を識別して、基板のタイプを検出し、各々の基板のタイプに基づいて基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更して、その相対位置を変更することで相対位置を設定して基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【００１８】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、各々の基板のタイプに基づいて基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更することで相対位置を設定して、基板処理を行うのに、基板の周縁データのサンプリングを用いる。このサンプリングされた周縁データに基づいて基盤の周縁形状を識別して、基板のタイプを逐次に検出する。従って、基板の周縁データをサンプリングすることによって、基板と処理部との相対位置を簡易に設定することができる。
【００１９】
（２）前記（１）に記載の基板処理方法において、複数枚の基板を逐次に処理するときに、処理対象の基板のタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定する処理を繰り返すことを特徴とする基板処理方法。
【００２０】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、処理対象の基板をセットするたびにその基板のタイプを検出し、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定して、複数枚の基板について基板処理を連続して行うことができる。
【００２１】
（３）前記（１）に記載の基板処理方法において、複数枚の基板を逐次に処理するときに、処理対象の基板のタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定する処理を行う切換モード、または、所定のタイプを初期値として設定して、検出される基板のタイプに関わらず初期値として設定されたタイプに応じて基板の位置を設定する処理を行う固定モードに選択可能にすることを特徴とする基板処理方法。
【００２２】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、切換モードでは、処理対象の基板をセットするたびにその基板のタイプを検出し、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定して、複数枚の基板について基板処理を連続して行うことができる。固定モードでは、所定のタイプを初期値として設定して、検出される基板のタイプに関わらず初期値として設定されたタイプに応じて基板の位置を設定して、複数枚の基板について基板処理を連続して行うことができる。従って、タイプが１種類あるいは処理すべき種類が予め分かっている場合などでは、固定モードに選択することで、基板のタイプを検出する過程を省略することができる。
【００２３】
（４）前記（１）から（３）のいずれかに記載の基板処理方法において、複数枚の基板を同タイプごとに複数種類に区分して、各々の１区分内における最初の基板のタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定するとともに、同区分内の後続の各基板については、最初の基板のタイプに応じて基板の位置を設定する処理を繰り返すことを特徴とする基板処理方法。
【００２４】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、複数枚の基板を同タイプごとに複数種類に区分して、各々の１区分内における最初の基板のタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定するとともに、同区分内の後続の各基板については、最初の基板のタイプに応じて基板の位置を設定する処理を繰り返すことで、同区分内の後続の各基板については、基板のタイプを検出する過程を省略することができる。
【００２５】
（５）前記（４）に記載の基板処理方法において、前記区分は、複数枚の基板を収容するカセットで行われることを特徴とする基板処理方法。
【００２６】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、カセットで基板を同タイプごとに区分しているので、カセット内において最初の基板のタイプを検出すれば、後続の各基板については、基板のタイプを検出する過程を省略することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２（ａ）は、オリエンテーションフラットの基板、図２（ｂ）は、ノッチの基板の平面図であり、図３は、制御系の構成を示すブロック図である。本実施例では、塗布膜（例えばフォトレジスト膜）が塗布形成された基板の周縁部を露光する周縁部露光装置（エッジ露光装置）を例に採って、基板処理を説明する。
【００２８】
本実施例に係る基板処理装置は、図１に示すように、スピンチャック１１などからなる基板回転機構１０と、光照射部２１などからなる処理機構２０と、その光照射部２１を水平面（ｘｙ平面）内に移動させる移動機構３０と、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収容するカセットＣを載置する載置台４０とから構成されている。
【００２９】
本実施例では、図１，図２に示すように略円形の基板Ｗを用いており、位置を正確に設定するために、図２（ａ）に示すオリエンテーションフラットＯＦ、あるいは図２（ｂ）に示すノッチＮが基板Ｗに設けられている。図１ではオリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを図示している。ここで、オリエンテーションフラットの場合、ｙ方向は、オリエンテーションフラットＯＦに対して垂直方向を示し、ｘ方向は、水平面内に対してｙ方向に直交する方向、すなわちオリエンテーションフラットＯＦに平行な方向を示す。また、ノッチの場合、ｙ方向は、図２に示すように、そのノッチＮから基板Ｗの中心Ｐまでの方向を示す。
【００３０】
本実施例では、外径が３００ｍｍ，２００ｍｍの基板Ｗを用いており、３００ｍｍの基板ＷはノッチＮの基板の１タイプのみを採用し、２００ｍｍの基板ＷはノッチＮおよびオリエンテーションフラットＯＦの基板の２タイプを採用している。なお一般に、２００ｍｍ程度の外径の基板Ｗでは、ノッチＮの基板ＷまたはオリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを採用しているが、基板の大型化に伴って、３００ｍｍ程度の外径の基板Ｗでは、ノッチＮの基板Ｗのみを採用している。
【００３１】
図１に示すように、基板回転機構１０は、スピンチャック１１およびモータ１２から構成されている。このスピンチャック１１は、基板Ｗを水平姿勢に吸着保持する。また、スピンチャック１１はモータ１２に連結されており、モータ１２によってスピンチャック１１は鉛直軸心周りに回転して、吸着保持された基板Ｗも鉛直軸心周り、すなわち水平面内に回転する。基板回転機構１０は、本発明における回転手段に相当し、本発明における移動手段にも相当する。また、基板回転機構１０は、後述するように基板Ｗを水平面内に回転させて、基板Ｗの位置を変更して設定するので、本発明における相対位置変更手段にも相当する。従って、移動手段は相対位置変更手段を兼用する。
【００３２】
処理機構２０は、光照射部２１、光ファイバ２２、および照射ヘッド２３から構成されている。この光照射部２１は、基板Ｗに塗布形成されたフォトレジスト膜を露光する波長帯域（例えば、紫外線）を出力するために、例えば、水銀キセノンランプなどの光源２１ａ，楕円鏡２１ｂ，紫外線透過フィルタ２１ｃ，シャッタ２１ｄなどから構成されている。紫外線透過フィルタ２１ｃを透過した紫外光は、光ファイバ２２を介して、照射ヘッド２３に導かれる。シャッタ２１ｄは、その開閉によって光照射部２１から照射ヘッド２３への紫外光の出力／停止を切り換えるためのものである。照射ヘッド２３は、所定の形状に絞ったスポット光を基板Ｗに照射するためのスリットや、光学レンズ系（いずれも図示省略）などを備えている。この光照射部２１，光ファイバ２２，および照射ヘッド２３は、本発明における処理部に相当する。
【００３３】
移動機構３０は、支持アーム３１、ｘ軸変位機構３２、およびｙ軸変位機構３３から構成されている。ｘ軸変位機構３２は、筐体部材３２ａ，モータ３２ｂ，図示を省略する螺軸などから構成されており、ｙ軸変位機構３３は、筐体部材３３ａ，モータ３３ｂ，図示を省略する螺軸などから構成されている。ｘ軸変位機構３２側のモータ３２ｂによって螺軸が回転し、それに伴ってｙ軸変位機構３３の筐体部材３３ａがｘ方向に移動して、ｙ軸変位機構３３全体もｘ方向に移動する。同様に、ｙ軸変位機構３３側のモータ３３ｂによって螺軸が回転し、それに伴って支持アーム３１がｙ方向に移動する。図１に示すように、支持アーム３１の先端には照射ヘッド２３が取り付けられており、ｘ／ｙ軸変位機構３２，３３の各モータ３２ｂ，３３ｂによって照射ヘッド２３は、ｘおよびｙの両方向に移動する。すなわち、照射ヘッド２３は、水平面内に平行移動する。
【００３４】
載置台４０には、複数個（例えば２個）のカセットＣを載置するスペースが設けられており、各カセットＣは基板Ｗを多段に収容するようにそれぞれ構成されている。カセットＣを載置台４０に載置したときには、収容された複数枚の基板Ｗは上下に積層された状態となる。なお、図１では、カセットＣを１個のみ図示している。図示を省略する基板搬送機構が未処理の基板ＷをカセットＣから搬出して、スピンチャック１１に載置した後に周縁部露光を行い、周縁部露光後は、基板搬送機構が処理済の基板Ｗをスピンチャック１１から搬出してカセットＣに収容する。
【００３５】
ｘ軸／ｙ軸変位機構３２，３３のモータ３２ｂ，３３ｂ、およびスピンチャック１１を回転させるモータ１２は、パルス信号を受信するごとに１ステップずつ所定の角度に回転駆動するステッピングモータであって、パルスの数で、モータ３２ｂによって変位するｙ軸変位機構３３のｘ方向に関する移動量など、モータ３３ｂによって変位する支持アーム３１のｙ方向に関する移動量など、モータ１１によって回転する基板Ｗの回転角度などがわかる。
【００３６】
また、本実施例に係る基板処理装置（本実施例装置）は、ラインセンサ５０を備えている。このラインセンサ５０は、複数個のＣＣＤを並設して構成されており、基板Ｗの周縁部の回転軌跡に対応する位置に配設されている。ラインセンサ５０は、基板Ｗの周縁部データをサンプリングする機能を備えている。ラインセンサ５０の具体的な機能については、図４のフローチャートで後述する。ラインセンサ５０は、本発明における周縁データサンプリング手段に相当する。
【００３７】
次に、本実施例装置の制御系の構成について説明する。本発明におけるタイプ切換手段に相当する制御部６１には、図３に示すように、上述したラインセンサ５０の他に、モータ駆動回路１２Ａ，３２Ａ，３３Ａ、角度情報演算部６２、ｘ方向情報演算部６３、ｙ方向情報演算部６４、露光条件プログラム６５、開閉駆動回路６６、スイッチ６７、原点センサ６８などが接続される。制御部６１は、ラインセンサ５０でサンプリングされた周縁データに基づいて基板Ｗのタイプを検出するので、本発明におけるタイプ検出手段に相当する。
【００３８】
モータ駆動回路１２Ａは、スピンチャック１１を回転させるモータ１２を駆動させる回路であって、モータ駆動回路３２Ａは、ｘ軸変位機構３２側のモータ３２ｂを駆動させる回路であって、モータ駆動回路３３Ａは、ｙ軸変位機構３３側のモータ３３ｂを駆動させる回路である。角度情報演算部６２は、制御部６１からモータ駆動回路１２Ａに送信するパルス信号の数からモータ１１によって回転する基板Ｗの回転角度を求めるもので、ｘ方向情報演算部６３は、制御部６１からモータ駆動回路３２Ａに送信するパルス信号の数からモータ３２ｂによって変位するｙ軸変位機構３３のｘ方向に関する移動量を求めるもので、ｙ方向情報演算部６４は、制御部６１からモータ駆動回路３３Ａに送信するパルス信号の数からモータ３３ｂによって変位する支持アーム３１のｙ方向に関する移動量を求めるものである。
【００３９】
露光条件プログラム６５は、後述する図４に示すフローチャート（一連の周縁部露光処理の手順），後述する図５に示すフローチャート（後述する切換モードのときのタイプ検出手順および位置決め手順），および図６のフローチャート（後述する固定モードのときの位置決め手順）を記憶するプログラムであって、ＲＡＭ(Random Access Memory)などに代表される記憶媒体に予め記憶されている。また、開閉駆動回路６６は、シャッタ２１ｄの開閉を行うための駆動回路であって、スイッチ６７は、光源２１ａのＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチである。露光条件プログラム６５は、周縁部露光処理を行うための基準位置（基準方向）となる基板Ｗの位置を決定する手順（ステップＳ６，Ｓ７）を含んでおり、本発明における手順記憶手段に相当する。ここで、基板Ｗの位置とは上述したように基板Ｗの向き、すなわち基板Ｗの姿勢も含んでいる。従って、本実施例においては、基板Ｗを水平面内に回転させて位置を設定するので、向き（姿勢）を合わせるのが中心となる。
【００４０】
原点センサ６８は、周縁露光処理を行うための基準位置に配設されている。図示を省略する検知セクタは、ｘ軸／ｙ軸変位機構３２，３３にそれぞれ備えられている。ｘ，ｙ方向に検知セクタをそれぞれ移動させ、原点センサ６８を配設した基準位置を検知セクタが通過すると、検知セクタから発光した光が原点センサ６８によって遮光される。つまり、遮光されることで検知セクタは、原点センサ６８を配設した基準位置を検出し、その検出結果に基づいて、周縁部露光処理を最初に行う地点に照射ヘッド２３をセットする。
【００４１】
次に、一連の周縁部露光処理の手順について、図４に示すフローチャートを参照して説明するとともに、ステップＳ６における切換モードのときのタイプ検出と周縁部露光処理のための基板Ｗの位置合わせ（基板Ｗの位置は基板Ｗの向き（姿勢）も含んでいるので、以下、『軸合わせ』ともいう）とについて、図５に示すフローチャートを参照して説明し、ステップＳ７における固定モードのときの軸合わせについて、図６に示すフローチャートを参照して説明する。また、周縁部露光で形成される周縁部露光領域について、図７に示す説明図を参照して説明する。上述したように、露光条件プログラム６５に記憶されているプログラムを制御部６１が読み込んで、制御部６１にそれぞれ接続されている各構成にコマンドを与えることで、図４〜図６に示すフローチャートが実行される。
【００４２】
なお、本実施例では、基板処理装置は、ノッチＮのタイプがデフォルト値として設定登録されている。後述する固定モードの場合には、処理される基板Ｗのタイプに関わらずデフォルト値として設定されたノッチＮの基板Ｗに応じて軸合わせが行われ、後述する切換モードの場合には、カセットＣにおける最初の基板Ｗのタイプに切り換えられ、切り換えられたタイプの基板Ｗに応じて軸合わせが行われる。従って、固定モードでは、基板Ｗのタイプを検出するステップＳ６を省略することができる。また、本実施例では、同タイプごとにカセットＣに複数枚の基板Ｗを収容して区分している。従って、切換モードにおいて、カセットＣ内において最初の基板Ｗのタイプを検出すれば、後続の各基板Ｗについては、基板Ｗのタイプを検出するステップＳ６を省略することができる。
【００４３】
ステップＳ１（カセット載置）
複数枚の未処理の基板Ｗを収容したカセットＣを載置台４０に載置する。このとき、収容された複数枚の基板Ｗが上下に積層されるようにカセットＣを載置する。
【００４４】
ステップＳ２（モード選択）
基板処理を行うオペレータ（術者）は、固定モードを選択するか、切換モードを選択するかを決める。なお、本実施例では、上述したように、外径が３００ｍｍの基板ＷはノッチＮの基板の１タイプのみを採用しているので、３００ｍｍの基板Ｗを収容したカセットＣを載置台４０に載置したときには、固定モードを選択する。また、外径が２００ｍｍの基板ＷはノッチＮおよびオリエンテーションフラットＯＦの基板の２タイプを採用しているので、ノッチＮ／オリエンテーションフラットＦの選択ミスや、選択ミスによる基板処理の停止を防止すべく、切換モードを選択する。
【００４５】
ステップＳ３（固定モード？）
固定モードを選択した場合には、固定モードにしてステップＳ５に跳ぶ。
【００４６】
ステップＳ４（切換モード）
切換モードを選択した場合には、切換モードにしてステップＳ５に移行させる。ステップＳ４以降では、固定モード／切換モードで同じ処理を行う場合には、その処理におけるステップに同じ付号を付して、切換モードにおける処理のみ説明して、固定モードにおける処理については説明を省略する。
【００４７】
ステップＳ５（スピンチャックへの基板の搬入）
固定モード／切換モードのいずれの場合においても、図示を省略する基板搬送機構が未処理の基板Ｗを１枚分だけカセットＣから搬出して、スピンチャック１１に載置する。載置された基板Ｗを水平姿勢にスピンチャック１１が吸着保持することで、スピンチャック１１への基板Ｗの搬入が終了する。搬入後、切換モードではステップＳ６に移行し、固定モードではステップＳ７に跳ぶ。
【００４８】
ステップＳ６（タイプ検出および軸合わせ）
切換モードにおいて基板Ｗを搬入すると、ラインセンサ５０に基づいて制御部６１は基板Ｗのタイプを検出し、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗの場合にはオリエンテーションフラットＯＦの面が、ｘ方向と平行になるように基板Ｗの位置（姿勢）を合わせる、あるいはノッチＮの基板Ｗの場合にはノッチＮから基板Ｗの中心Ｐまでの方向が、ｙ方向と平行になるように基板Ｗの位置（姿勢）を合わせる軸合わせを基板回転機構１０で行う。以下、図５のフローチャートを参照して、ステップＳ６のタイプ検出および軸合わせについて説明する。
【００４９】
ステップＴ１（周縁データのサンプリング）
具体的には、水平面内に基板Ｗを微小角度（例えば９°）ずつ、少なくとも３６０°回転させながら、ラインセンサ５０から出力されるＣＣＤの「ＯＮ」の数の変移を制御部６１が監視する。すなわち、基板Ｗの周縁データをサンプリングする。９°ずつ回転させながらサンプリングを行う場合には、少なくとも９０ポイントのサンプリングデータを得る。
【００５０】
ステップＴ２（タイプ検出）
水平面内の基板Ｗの回転は、モータ１２による鉛直軸心周りのスピンチャック１１で行われる。基板ＷのオリエンテーションフラットＯＦ以外の円弧部分を、ラインセンサ５０が横切っている間、ＣＣＤの「ＯＮ」の数は一定である。ただし、基板Ｗが略円形であることから、ＣＣＤの「ＯＮ」の数は若干増減する。そこで、本実施例では、ＣＣＤの「ＯＮ」の数の多少のズレを考慮して、隣接する２つの周縁データの差分チェックを行い、４ｍｍ以上の差を検出した場合を除いて、すなわち４ｍｍ以上に相当するＣＣＤの「ＯＮ」の数の変移を検出した場合を除いて、オリエンテーションフラットＯＦ以外の円弧部分を、ラインセンサ５０が横切っていると判断する。
【００５１】
なお、ノッチＮの基板Ｗの場合には、ノッチＮの部分でＣＣＤの「ＯＮ」の数が多少なりとも変移するが、周縁データの差分が４ｍｍ未満として、基板Ｗの周縁形状を識別して、ノッチＮの基板Ｗを検出する。従って、本実施例の場合には、少なくとも３６０°回転させても、すなわち少なくとも９０ポイントのサンプリングデータを得ても、全てのサンプリングデータにおいて周縁データの差分が４ｍｍ未満の場合には、ノッチＮの部分に相当する箇所のサンプリングデータも既に得られているとして、基板Ｗの周縁形状を識別して、ノッチＮの基板Ｗを検出する。
【００５２】
逆に、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗの場合には、オリエンテーションフラットＯＦの一方の端部をラインセンサ５０が通過した瞬間から、ＣＣＤの「ＯＮ」の数は一定状態から増加状態に転じ、周縁データの差分が４ｍｍ以上となるので、基板Ｗの周縁形状を識別して、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを検出する。従って、本実施例の場合には、少なくとも３６０°回転させれば、すなわち少なくとも９０ポイントのサンプリングデータを得れば、全てのサンプリングデータのなかで周縁データの差分が４ｍｍ以上を検出する箇所が必ず存在することになり、基板Ｗの周縁形状を識別して、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを検出する。
【００５３】
ステップＴ３（ノッチ？）
基板Ｗの周縁形状を識別して、ノッチＮの基板Ｗを検出すれば、ノッチＮの基板Ｗに応じて基板Ｗの位置合わせ（軸合わせ）を行うべく、ステップＴ５に跳ぶ。基板Ｗの周縁形状を識別して、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを検出すれば、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗに応じて基板Ｗの位置合わせ（軸合わせ）を行うべく、ステップＴ４に移行する。
【００５４】
ステップＴ４（オリフラに切り換え）
切換モードにおいては、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板Ｗのタイプに応じて軸合わせを行う。従って、ステップＴ３において検出されたタイプがノッチＮの場合には、デフォルト値としてノッチＮのタイプが設定登録されているので、切り換えの必要はないが、検出されたタイプがオリエンテーションフラットＯＦの場合には、デフォルト値として設定登録されたノッチＮからオリエンテーションフラットＯＦに切り換える（図５のフローチャートのステップＴ４では『オリエンテーションフラット』を『オリフラ』に略記）。
【００５５】
ステップＴ５（設定すべき位置の演算）
ステップＴ３で検出されたタイプに応じて軸合わせを行う。ノッチＮの基板Ｗの場合には、上述したように、ノッチＮの部分でも周縁データの差分が４ｍｍ未満であるが、他の箇所と比較してＣＣＤの「ＯＮ」の数が多少なりとも変移するので、ＣＣＤの「ＯＮ」の数がもっとも変移した箇所の検出によって、ノッチＮの頂点を検知して、水平面内の基板Ｗの回転を停止して位置を合わせる。
【００５６】
そして、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗの場合には、上述したように、オリエンテーションフラットＯＦの一方の端部をラインセンサ５０が通過した瞬間から、ＣＣＤの「ＯＮ」の数は一定状態から増加状態に転じる。さらに、オリエンテーションフラットＯＦの中央を通過する瞬間まで「ＯＮ」の数は増加を続け、オリエンテーションフラットＯＦの中央を通過すると、「ＯＮ」の数は減少に転じ、ラインセンサ５０がオリエンテーションフラットＯＦの他方の端部を通過すると、「ＯＮ」の数は減少状態から一定状態に転じる。この「ＯＮ」の数の検出によって、オリエンテーションフラットＯＦの中央を検知して、水平面内の基板Ｗの回転を停止して位置を合わせる。続いて、図４のフローチャートに戻って説明する。
【００５７】
ステップＳ７（軸合わせ）
固定モードにおいて基板Ｗを搬入すると、ノッチＮから基板Ｗの中心Ｐまでの方向が、ｙ方向と平行になるように基板Ｗの位置を合わせる軸合わせを基板回転機構１０で行う。なお、ステップＳ７では固定モードであるので、ステップＳ６のタイプ検出を省略することができる。また、デフォルト値がノッチＮであるので、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗの軸合わせについては考慮する必要はない。以下、図６のフローチャートを参照して、ステップＳ７の軸合わせについて説明する。
【００５８】
ステップＵ１（周縁データのサンプリング）
切換モードにおけるステップＴ１と同様の手順でサンプリングを行う。上述したように切換モードにおけるステップＳ６のタイプ検出（ステップＴ２〜Ｔ４）などを省略することができるので、サンプリングデータが得られたら、ステップＵ２の設定すべき位置の演算に移行する。
【００５９】
ステップＵ２（設定すべき位置の演算）
切換モードにおけるステップＴ５と同様の手順で演算を行う。デフォルト値がノッチＮであるので、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗの軸合わせについては考慮する必要はない。従って、ノッチＮのみについて、ＣＣＤの「ＯＮ」の数がもっとも変移した箇所の検出によって、ノッチＮの頂点を検知して、水平面内の基板Ｗの回転を停止して位置を合わせる。続いて、図４のフローチャートに戻って説明する。
【００６０】
ステップＳ８（照射ヘッドの設定）
ステップＳ６，Ｓ７において軸合わせを行った後、固定モード／切換モードのいずれの場合においても、移動機構３０のｘ／ｙ軸変位機構３２，３３によってｘおよびｙの両方向に照射ヘッド２３が移動する。この水平面内の移動によって原点センサ６８からの遮光を検出すると、その検出結果に基づいて、周縁部露光処理を最初に行う地点に照射ヘッド２３をセットする。セット後、ステップＳ９に移行する。
【００６１】
次に、ステップＳ９の周縁部露光処理について、図７を参照して説明する。なお、図７では、オリエンテーションフラットＯＦの基板Ｗを例に採って図示している。ノッチＮの基板Ｗについては省略する。
【００６２】
ステップＳ９（周縁部露光処理）
図７（ａ）に示すように、パターン領域ＰＡの周囲の階段状のラインに沿った輪郭の外側が周縁部露光領域となる。この周縁部露光領域を図７（ａ）では斜線で示す。周縁部露光の際には、ステップＳ６，Ｓ７の軸合わせ、ステップＳ８の照射ヘッド２３の設定が終了してから行う。
【００６３】
上述したように照射ヘッド２３から照射されるスポット光がスリット（図示省略）によって所定の形状に絞られる。本実施例では、この形状を図７（ｂ）に示すように矩形として説明する。矩形状に絞られたスポット光ＳＬは、照射ヘッド２３をｘ／ｙ方向にそれぞれ移動させることで、図７（ｂ）に示すように複数のスポット光ＳＬが互いに隣接して得られた周縁部露光領域が形成される。このように移動させることで、階段状のラインに沿って周縁部が露光される。また、この場合、露光幅はｙ方向に設定される。
【００６４】
図７（ｂ）に示す基板Ｗの姿勢でオリエンテーションフラットＯＦにおける周縁部が露光されれば、スピンチャック１１によって基板Ｗを水平面内に時計周り（あるいは反時計周り）に９０°回転させて、同様の処理を行う。さらに、その処理が終了すれば、スピンチャック１１によって基板Ｗを水平面内に時計周り（あるいは反時計周り）に、９０°回転させて、同様の処理を行い、その処理が終了すれば、さらに９０°回転させて、周縁部露光領域を全て形成する。
【００６５】
ステップＳ１０（カセットに収容）
周縁部露光処理が終了すれば、照射ヘッド２３や支持アーム３１などを基板Ｗの外側に待避させる。そして、図示を省略する搬送機構によって処理済の基板Ｗを保持した状態で、スピンチャック１１による吸着を解除し、その搬送機構が基板Ｗをスピンチャック１１から外すことで、基板の搬出を行う。そして、搬送機構は、基板Ｗを載置台４０に載置されたカセットＣに収容する。
【００６６】
ステップＳ１１（処理すべき基板があるか？）
最初の基板Ｗが処理されてカセットＣに収容されたら、同カセット内において後続の処理すべき基板Ｗがあるか否かをチェックする。基板Ｗの有無についてはカセットＣ付近に配設された、図示を省略するセンサ等で確認する。処理すべき基板Ｗがなければ、一連の周縁部露光処理を終了する。処理すべき基板Ｗがあれば、固定モード／切換モードのいずれの場合においても、ステップＳ５に戻って一連の処理を繰り返す。なお、ステップＳ６のタイプ検出処理については、上述したように、固定モードの場合には、処理される基板Ｗのタイプに関わらずデフォルト値として設定されたノッチＮの基板Ｗに応じて軸合わせが行われ、固定モード／切換モードのいずれの場合においても、同タイプごとにカセットＣに複数枚の基板Ｗを収容して区分しているので、後続の各基板Ｗについてはタイプ検出処理を省略することができる。
【００６７】
上述の構成を有する本実施例に係る基板処理装置は、以下の効果を奏する。各々の基板Ｗのタイプに基づいて基板Ｗの位置を変更することで位置を設定して、設定後に基板処理である周縁部露光処理を行うのに、基板Ｗの周縁データをサンプリングするラインセンサ５０を用いている。このラインセンサ５０でサンプリングされた基板Ｗの周縁データに基づいて、基板Ｗの周縁形状を識別して、各々の基板Ｗのタイプを逐次に検出する。従って、ラインセンサ５０が基板Ｗの周縁データをサンプリングすることによって、基板Ｗの位置を簡易に設定することができる。また、本実施例では、基板Ｗを水平面内に回転させながら、基板Ｗの周縁データをサンプリングする。
【００６８】
また、本実施例では、各々の基板Ｗのタイプに応じた位置決め手順を含む一連の周縁部露光処理を予め記憶した露光条件プログラム６５と、基板Ｗのタイプを別の基板のタイプに切り換える制御部６１とを備え、制御部６１によって切り換えられた基板Ｗのタイプに応じて基板の位置を設定することで、各基板Ｗをセットするたびにラインセンサ５０がその基板Ｗのタイプを検出し、検出された基板Ｗのタイプに制御部６１が切り換え、制御部６１によって切り換えられた各基板Ｗのタイプに応じて基板Ｗの位置を設定して、周縁部露光処理である基板処理を連続して行うことができる。
【００６９】
また、検出された基板Ｗのタイプに制御部６１が切り換えて、その基板Ｗの位置を設定するので、基板Ｗのタイプの数が増えても選択の煩わしさを低減させることができ、選択ミスを防止することができるとともに、選択ミスによる基板処理の停止を防止することができる。検出された基板Ｗのタイプに制御部６１が切り換えるのは、露光条件プログラム６５に記憶されているプログラムを制御部６１が読み込んで、制御部６１にそれぞれ接続されている各構成にコマンドを与えることで行われる。
【００７０】
また、本実施例では、基板Ｗの周縁形状を識別して基板Ｗのタイプを検出するのに、サンプリングされた複数ポイントにおける周縁データの差分をとることで行われ、隣接する２つの周縁データの差分チェックで行われる。
【００７１】
また、本実施例では、基板処理が周縁部露光処理であるので、周縁部露光処理において基板Ｗの位置を簡易に設定することができ、周縁部露光処理を精度良く行うことができる。また、周縁形状を識別するためにラインセンサ５０で得られた基板Ｗの周縁データのサンプリングが、周縁部露光処理での基板Ｗの周縁データのサンプリングを兼用している。すなわち、ステップＴ１で得られた周縁データのサンプリングは、ステップＴ２のタイプ検出に用いられているし、周縁部露光処理におけるステップＴ５の軸合わせ（設定すべき位置の演算）にも用いられている。
【００７２】
このように、サンプリングを兼用する場合には、周縁部露光処理でラインセンサ５０が基板Ｗの周縁データをサンプリングして基板Ｗの位置を設定し、兼用しない場合には、ラインセンサ５０が基板Ｗの周縁データをサンプリングして基板Ｗのタイプを検出した後に、周縁部露光処理で基板Ｗの周縁データをサンプリングして基板Ｗの位置を設定するので、兼用しない場合と比較して基板Ｗの位置を設定処理の工程数を低減させることができる。その結果、周縁部露光処理において基板Ｗの位置合わせ、すなわち軸合わせを効率良く設定することができる。
【００７３】
また、本発明における移動手段に相当する基板回転機構１０は、各々の基板Ｗのタイプに基づいて基板Ｗの位置を変更する、本発明における移動手段を兼用しているので、本実施例のように兼用する場合には、周縁データのサンプリングと基板Ｗの位置の変更（軸合わせ）とを、同一の手段で行うことができる。その結果、基板Ｗの位置を変更することによる基板Ｗの位置の設定を効率良く行うことができる。
【００７４】
また、本実施例では、カセット内において最初の基板Ｗのタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板Ｗのタイプに応じて基板の位置を設定する処理を行う切換モード、またはノッチＮのタイプをデフォルト値として設定して、検出される基板Ｗのタイプに関わらずデフォルト値として設定されたタイプに応じて基板Ｗの位置を設定する処理を行う固定モードの選択可能にするように制御している。
【００７５】
従って、本実施例のように、外径が３００ｍｍの基板ＷがノッチＮの基板Ｗの１タイプのみを採用している場合、すなわち、処理すべき種類が予め分かっている場合などでは、固定モードに選択することで、基板Ｗのタイプを検出するステップＳ６を省略することができる。
【００７６】
また、本実施例では、カセットＣに収容することで、複数枚の基板を同タイプごとに複数種類に区分して、切換モードにおいて、各々のカセットＣ内における最初の基板Ｗのタイプを検出すれば、検出されたタイプに切り換え、切り換えられた基板Ｗのタイプに応じて基板の位置を設定するとともに、同区分であるカセットＣ内の後続の各基板Ｗについては、最初の基板Ｗのタイプに応じて基板Ｗの位置を設定する処理を繰り返すことで、同カセットＣ内の後続の各基板Ｗについては、基板Ｗのタイプを検出するステップＳ６を省略することができる。
【００７７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７８】
（１）上述した本実施例では、周縁部露光処理のみを行う基板処理装置に本発明を適用したが、周縁部露光処理を行った後に露光処理を引き続けて行うなどに例示されるように、周縁部露光処理を含む一連の基板処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、基板処理は周縁部露光処理に限定されない。各々の基板のタイプに基づいて基板の位置を設定して基板処理を行うものであれば、特に限定されない。例えば、露光処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよいし、複数チップを形成した基板Ｗに対して、各々のチップの不良を検査する基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００７９】
（２）上述した本実施例では、各々の基板Ｗのタイプに基づいて位置を変更するのは基板Ｗのみで、本発明における処理部に相当する照射ヘッド２３などは、この時点（ステップＳ６，Ｓ７）では固定されており、その後のステップＳ８で移動機構３０によって照射ヘッド２３などの位置を設定したが、各々の基板Ｗのタイプに基づいて位置を変更するのは基板Ｗのみに限定されない。各々の基板Ｗのタイプに基づいて基板Ｗと本発明における処理部との相対位置を変更するのであれば、基板Ｗおよび処理部の少なくとも一方の位置を変更すればよい。従って、基板Ｗおよび処理部の両者の位置をともに変更してもよいし、基板Ｗを固定し、処理部の位置のみを変更してもよい。
【００８０】
（３）上述した本実施例では、処理対象の基板Ｗは略円形であったが、処理対象の基板は矩形であってもよい。この場合には、基板を水平面内に平行移動させながらサンプリングを行い、そのサンプリングに基づいて基板のタイプを検出し、各々の基板のタイプに基づいて基板の位置を設定して基板処理を行う。
【００８１】
（４）上述した本実施例では、隣接する２つの周縁データの差分チェックを行うことで差分データを得たが、隣接するデータに限定されないし、３つ以上のデータから平均などを求めてから差分をとってもよい。また、周縁データの差分をとって基板のタイプを検出する手法以外に、例えば基板の中心と周縁との距離を逐次に求めて基板のタイプを検出してもよい。
【００８２】
（５）上述した本実施例では、タイプを検出するために得られた基板Ｗの周縁データのサンプリングが、周縁部露光処理での基板Ｗの周縁データのサンプリングを兼用していたが、必ずしも兼用していなくてもよい。ラインセンサ５０が基板Ｗの周縁データをサンプリングして基板Ｗのタイプを検出した後に、周縁部露光処理で基板Ｗの周縁データをサンプリングして基板Ｗの位置を設定してもよい。また、ラインセンサ５０に限定されず、基板の周縁データをサンプリングする通常用いられる手段であれば、これに限定されない。従って、基板Ｗのタイプを検出するための周縁データのサンプリング、および基板Ｗの位置を設定するための周縁データのサンプリングの少なくともいずれか一方に、ラインセンサ５０とは別の手段を適用してもよい。
【００８３】
また、兼用するという意味においては、上述した本実施例では、基板Ｗをサンプリングするのに水平面に回転させながら行う手段と、基板Ｗの軸合わせで水平面に回転させる手段とが、同一の基板回転機構１０で兼用していたが、サンプリングと軸合わせとをそれぞれ別の手段で行ってもよい。
【００８４】
（６）上述した本実施例では、３００ｍｍの基板ＷはノッチＮの基板の１タイプのみを採用し、２００ｍｍの基板ＷはノッチＮおよびオリエンテーションフラットＯＦの基板の２タイプを採用していたが、２００ｍｍの基板ＷはオリエンテーションフラットＯＦの１タイプのみを採用してもよい。また、矩形の基板を混ぜて用いてもよい。
【００８５】
（７）上述した本実施例では、切換モードと固定モードとに選択可能に制御したが、単に切換モードのみにしてもよい。また、同タイプごとにカセットに複数枚の基板を収容して区分したが、違うタイプの基板、例えばノッチの基板とオリエンテーションフラットの基板とを混在させて、同一カセット内に収容して処理を行ってもよい。本実施例では、最初の基板のタイプを検出して、後続の基板については検出しなかったが、同一カセット内に収容して処理を行う場合には、各々の基板についてタイプを検出するように制御する。
【００８６】
また、区分する方法はカセットに限定されない。例えば、複数枚（例えば５枚）の基板を連続して同一のタイプで並べてカセットに収容し、並べられた基板Ｗの隣に、さらなる複数枚（例えば）の基板を連続して前者の基板とは別のタイプで並べてカセットに収容するというように、連続して並べることで同タイプごとに複数種類に区分してよい。
【００８７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、各々の基板のタイプに基づいて、基板と処理部との相対位置を変更するのに、基板の周縁データをサンプリングする周縁データサンプリング手段を用い、この周縁データサンプリング手段でサンプリングされた基板の周縁データに基づいて、各々の基板のタイプを逐次に検出するので、周縁データサンプリング手段が基板の周縁データをサンプリングすることによって、基板と処理部との相対位置を簡易に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、オリエンテーションフラットの基板、（ｂ）は、ノッチの基板の平面図である。
【図３】本実施例装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図４】一連の周縁部露光処理の手順を示すフローチャートである。
【図５】切換モードのときのタイプ検出および軸合わせを示すフローチャートである。
【図６】固定モードのときの軸合わせを示すフローチャートである。
【図７】本実施例装置で周縁部露光を行う周縁部露光領域についての説明図であって、（ａ）は、基板全体における周縁部露光領域を示す図、（ｂ）は、オリエンテーションフラットにおける周縁部露光領域を示す拡大図である。
【符号の説明】
１０ … 基板回転機構
５０ … ラインセンサ
６１ … 制御部
６５ … 露光条件プログラム
ＯＦ … オリエンテーションフラット
Ｎ … ノッチ
Ｗ … 基板

Claims (9)

1. ノッチの基板とノッチの基板よりも切込みが深いオリエンテーションフラットの基板の基板処理を行う基板処理装置であって、
   基板の周縁部の回転軌跡に対応する位置に配設される周縁データサンプリング手段と、
   基板の周縁形状を識別して、基板のタイプを検出するタイプ検出手段と、
   基板と基板処理を行う処理部との相対位置を変更する相対位置変更手段とを備え、
   前記周縁データサンプリング手段は、基板を水平面内に回転させながら、基板の周縁部の変移を監視して基板の周縁形状に係る基板の周縁データをサンプリングし、
   前記タイプ検出手段は、オリエンテーションフラット部分の有無を識別するために、前記周縁データサンプリング手段でサンプリングされた複数箇所における隣接する２つの周縁データの差分をとり、周縁データの差分が所定値以上の場合はオリエンテーションフラットの基板であると識別し、また、周縁データの差分が所定値未満の場合はノッチの基板であると識別して基板のタイプを検出し、
   相対位置変更手段は、タイプ検出手段で検出された各々の基板のタイプに基づいて相対位置を変更することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記相対位置変更手段は、基板の位置を変更する手段であることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   基板を移動させる移動手段を備え、
   前記周縁データサンプリング手段は、前記移動手段によって基板を移動させながら、基板の周縁データをサンプリングすることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   前記相対位置変更手段は、基板の位置を変更する手段であって、
   前記移動手段は、相対位置変更手段を兼用するものであることを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３または請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記移動手段は、前記基板を水平面内に回転させる手段であって、
   前記周縁データサンプリング手段は、移動手段によって基板を水平面内に回転させながら、基板の周縁データをサンプリングすることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項３または請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記移動手段は、前記基板を水平面内に平行移動させる手段であって、
   前記周縁データサンプリング手段は、移動手段によって基板を水平面内に平行移動させながら、基板の周縁データをサンプリングすることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
   各々の基板のタイプに応じた基板の位置決め手順を予め記憶した手順記憶手段と、
   基板のタイプを別の基板のタイプに切り換えるタイプ切換手段とを備え、
   タイプ切換手段によって切り換えられた基板のタイプに応じて基板の位置を設定することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   基板を水平面内に回転させる回転手段を備え、
   前記基板処理は、塗布膜が塗布形成された基板を、回転手段で水平面内に回転させながら、基板の周縁部を露光する周縁部露光処理であることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
   前記周縁データサンプリング手段による基板の周縁データのサンプリングは、前記周縁部露光処理での基板の周縁データのサンプリングを兼用し、
   周縁部露光処理で基板の周縁データのサンプリングに基づいて、前記タイプ検出手段は基板のタイプを検出することを特徴とする基板処理装置。

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