JPH01217942A - 半導体ウエハのスクライブ法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハのスクライブ法に関する。

〔従来の技術〕

半導体ウェハ（以下単にウェハという）はスクライブ（
ダイシングともいう）してペレット化される。

当該スクライブ法の一例は、ウェハに縦横にダイヤモン
ドポイントのカッタで引っかき傷を付け。

このウェハを割ってペレットとする。

第７図はウェハをペレットする様子を図示したもので、
同図に示されるようなウェハ１ｔ−そのスクライブ線２
に沿ってスクライブしてペレット３とする。

こうしたスクライブ時に、ベンツ）３に割れや欠け（以
下、クラックという）４を生ずることがあり、特に、近
時ベレットサイズの大型化に伴ない、かかるクラック現
象が増加してｂる。

また、かかるクラックは、リードフレームのタブ上にベ
ンツＨ搭載するために、コレットにペレットを吸着させ
る場合などＫも生じ、同様にペレット３にクラック４が
生じる割合が多くなってきている。

なお、かかるペレットにおけるクラック現象について述
べた特許の例としては、特願昭５５−１１９８１７号が
挙げられる。

〔発明が解決しようとする課題〕

かかるクラック現象により、その外観不良とされるばか
りでなく、クラックがペレット周辺の電極バッド付近に
まで至り、入力ピンのリーク不良を引き起こしタシ、さ
らにルジンモールド時にクラックの存在によりエアー（
空気）がそこに停滞し易いなどの問題を生起している。

本発明は、ベレット選択に際しての歩留・マージンを向
上させ、信頼性を向上させる技術を提供することを目的
とし、特に、ベレットサイズの大型化に伴なうかかる問
題を解決することを目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

Ｃ課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明では、ウェハにおいて、スクライブ線に加えて、
その両側に溝を設け、これら溝の間のスクライブ線に沿
って、ウェハをスクライブする。

スクライブして得られるベレットの外周には当該溝が残
る。

また、同様に溝を設け、この溝の中をスクライブするよ
うにし７てもよい。

〔作用〕

上記のように、溝と溝の間をスクライブすることにより
、得られたベレットの外周には溝が残り、ベレットにク
ラックが生じても、そのクラックは溝により止められ、
ベレット本体の電極パッドなどには影響をしない。従っ
て、入力ピンのリーク不良によりベレット（チップ）が
動作しなくなるなどの信頼性を欠如する事態を回避でき
る。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の詳細な説明する原理四で、第１図に示
すように、ウェハ１において、スクライブ線２の両側に
縦横両方向に＃ｌＩＳを溝膜する。

第２図は当該ウェハ１の要部断面を示す。

第１図及び第２図に示すように、隣接する溝５．５の間
のスクライブｌｓ２に沿って、ウェハ１のスクライブを
行なう。

第３図に示すようなベレット３が得られる。

ベレット３のベレット本体３′の外周には溝５が残る。

このベレット（チップ）３は、例えばシリコン単結晶基
板から成り、周知の技術によって、このベレット本体３
′内には多数の回路素子が形成され、１つの回路機能が
与えられている。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳト
ランジスタから成シ、これらの回路素子によって、例え
ば論理回路およびメモリの回路機能が形成されている。

ベレット本体３′には電極バッド３“が周設されている
。

本発明によれば、ウェハ１をスクライブしてベレット３
とするに、当該スクライブ時に、ベレット３の周辺に、
クラック４を生じても、溝５がある念めに、当該クラッ
ク４は溝５がストッパーとなって、ベレット本体３′に
は影響しない。

コレットで当該ベレット３を吸着してリードフレームな
どにベレット付する場合に、クラック４が生じても、同
様に溝５により、ベレット本体３′には影響しないよう
にすることができる。

次に、本発明の他の実施例を示す。

第４図に示すものは、ウェハ１の隣接するベレット本体
３／、３／の間に、溝５を設け、当該溝５をスクライブ
領域として、例えばその溝５の中央でスクライブする。

第５図はこのようにして得られたベレット３の要部斜視
図を示し、この場合にも、ベレット化する際のスクライ
ブ線２に沿ってベレット３にクラック４が生じても、そ
のクラック４はベレット本体３′にまで及ぶことは少な
くなる。

第６図は本発明のさらに他の実施例を示す。

この実施例は、ウェハ１表面にスクライブ領域２′を除
いて、例えばポリイミド系合成樹脂よりなる樹脂膜６ｔ
−被覆したもので、溝５にも当該樹脂膜６を充填させる
。

これにより、より一層ペレット３はクラック４による影
響が少なくなる。

本発明における溝５の形成は、例えば、エッチング技術
により容易に行なうことができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発ａＡは上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明によれば、ウェハのスクライブ時などにおいてベ
レットにクラックが生じても、溝により、ペレット本体
には影響しないようになっているので、従来のごとく、
チップクラックによシ直ちにチップ不良とする必要がな
くなった。

クラックが生じても、ベレット本体には影響しないので
、ペレットの信頼性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明する原理図、第２図は本発
明の実施例を示すウェハの断面図、第３図は本発明によ
り得られるウエノ＼の一例斜視図、 第４図は本発明の他の実施例を示すウエノ・の要部断面
図、 第５図は本発明の実施例を示すペレットの要部斜視図、 第６図は本発明のさらに他の実施例を示すウェハの要部
断面図、 第７図は従来例を示す説明図である。 １・・・ウェハ、２・・・スクライブ線、３・・・ベレ
ット、３／・・・ベレット本体、３“・・・電極パッド
、４・・・クラック、５・・・溝、６・・・樹脂膜。 第　　１　図 第　　４　図 第　　５　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハに縦横両方向に複数の溝を設け、隣接
   する溝の間をスクライブするかあるいは当該溝の中をス
   クライブすることを特徴とする半導体ウェハのスクライ
   ブ法。 ２、半導体ウェハが、スクライブする領域を除いてその
   表面を合成樹脂膜で被覆して成る、請求項１記載の半導
   体ウェハのスクライブ法。