JPH01197667A - 周波数計測方式 - Google Patents
周波数計測方式Info
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- JPH01197667A JPH01197667A JP63022093A JP2209388A JPH01197667A JP H01197667 A JPH01197667 A JP H01197667A JP 63022093 A JP63022093 A JP 63022093A JP 2209388 A JP2209388 A JP 2209388A JP H01197667 A JPH01197667 A JP H01197667A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H01L21/28273—
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7613—Single electron transistors; Coulomb blockade devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ディジタル信号処理による波形解析に係り、
特に高速フーリエ変換を利用した周波数計測方式に関す
るものである。
特に高速フーリエ変換を利用した周波数計測方式に関す
るものである。
正弦波信号の周波数を計算する方法として、ゼロクロス
点間の時間（周期Ｔの１／２）を求めるものが知られて
いるが、信号が振幅方向にオフセットを持つ場合、誤差
を生じてしまうことになる。−方、オフセットが考慮さ
れたものとしては、特開昭６１−２８０５７７号公報が
挙げられる。
点間の時間（周期Ｔの１／２）を求めるものが知られて
いるが、信号が振幅方向にオフセットを持つ場合、誤差
を生じてしまうことになる。−方、オフセットが考慮さ
れたものとしては、特開昭６１−２８０５７７号公報が
挙げられる。
第４図（ａ）はオフセットがない場合での測定例を示す
が、Ｔ／２はｔ１２ ｔｌｌとして求められるように
なっている。一方、同図（ｂ）はオフセット電圧ＶＯｆ
がある場合での測定例を示すが、図示の如くＴ／２とし
て２Δを全誤差を生じてしまう、これに対し上記公報で
は、第５図に示すように被測定信号のサンプリングデー
タのうち、極大値ｖ２゜極小値Ｖ５とこれら値各々に隣
接したデータＶｌｐｖ３、Ｖ４１ Ｖ６ （第６図（ａ
）、（ｂ）ヲ参照）ニヨッテ。
が、Ｔ／２はｔ１２ ｔｌｌとして求められるように
なっている。一方、同図（ｂ）はオフセット電圧ＶＯｆ
がある場合での測定例を示すが、図示の如くＴ／２とし
て２Δを全誤差を生じてしまう、これに対し上記公報で
は、第５図に示すように被測定信号のサンプリングデー
タのうち、極大値ｖ２゜極小値Ｖ５とこれら値各々に隣
接したデータＶｌｐｖ３、Ｖ４１ Ｖ６ （第６図（ａ
）、（ｂ）ヲ参照）ニヨッテ。
以下に示す近似式（１）〜（３）より振幅が最大、最小
となる時点ｔｅａχ＋ ｔｍｉｎを求めたうえＴ／２を
算出することで、被測定信号の周波数ｆが検出されるよ
うになっている。
となる時点ｔｅａχ＋ ｔｍｉｎを求めたうえＴ／２を
算出することで、被測定信号の周波数ｆが検出されるよ
うになっている。
しかしながら、これまでにあっては、被測定信号は正弦
波だけに限定されており、そ九に更に高調波を含む場合
や、雑音を含む場合での誤差の発生については考慮され
ていないものとなっている。
波だけに限定されており、そ九に更に高調波を含む場合
や、雑音を含む場合での誤差の発生については考慮され
ていないものとなっている。
本発明の目的は、波形形状如何によることなく正確に周
波数が検出可とされた周波数計測方式を供するにある。
波数が検出可とされた周波数計測方式を供するにある。
上記目的は、被測定信号を周期可変としてサンプリング
し、その波形データを高速フーリエ変換（ＦＦＴ）処理
している間に、処理結果のＳ／Ｎ比が最大となるサンプ
リングクロックの周波数にもとづき被測定信号の周波数
を求めることで達成される。
し、その波形データを高速フーリエ変換（ＦＦＴ）処理
している間に、処理結果のＳ／Ｎ比が最大となるサンプ
リングクロックの周波数にもとづき被測定信号の周波数
を求めることで達成される。
一般的に波形は多くの周波数成分が合成されたものとし
て構成されているが、その波形をＦＦＴ処理することに
よってはその波形を構成する周波数成分が分離抽出され
るようになっている。さて、ある波形１周期分のサンプ
リングデータについてＦＦＴ処理を施した場合には、周
波数成分は正確に分離抽出されるようになっている。し
かしながら、１周期に満たない範囲、あるいは１周期を
越える範囲についてのサンプリングデータにＦＦＴ処理
を施した場合は、その不連続部分の影響によって各種周
波数成分以外にサイドローブ成分が顕在するようになる
というものである。よって、サンプリング周期可変とし
て、しかも一定数のサンプリングデータにＦＦＴ処理を
施している間に、基本波成分や高調波成分を信号、サイ
ドローブ成分を雑音として扱うものとして、信号対雑音
比、いわゆるＳ／Ｎ比が最大となる処理結果が得られる
場合でのサンプリングクロック・より被測定信号の周波
数が知られるというものである。
て構成されているが、その波形をＦＦＴ処理することに
よってはその波形を構成する周波数成分が分離抽出され
るようになっている。さて、ある波形１周期分のサンプ
リングデータについてＦＦＴ処理を施した場合には、周
波数成分は正確に分離抽出されるようになっている。し
かしながら、１周期に満たない範囲、あるいは１周期を
越える範囲についてのサンプリングデータにＦＦＴ処理
を施した場合は、その不連続部分の影響によって各種周
波数成分以外にサイドローブ成分が顕在するようになる
というものである。よって、サンプリング周期可変とし
て、しかも一定数のサンプリングデータにＦＦＴ処理を
施している間に、基本波成分や高調波成分を信号、サイ
ドローブ成分を雑音として扱うものとして、信号対雑音
比、いわゆるＳ／Ｎ比が最大となる処理結果が得られる
場合でのサンプリングクロック・より被測定信号の周波
数が知られるというものである。
以下、本発明を第１図、第３図により説明するが、その
具体的説明に入る前にその理論的背景について詳細に説
明すれば以下のようである。
具体的説明に入る前にその理論的背景について詳細に説
明すれば以下のようである。
即ち１時間関数を周波数の関数に変換するアルゴリズム
としてのＦＦＴによっては、一般的な波形である正弦波
はｉの周期に対応する周波数成分のみとして周波数解析
されるが、三角波、矩形波等はその周期に対応する周波
数成分以外にも多くの周波数成分が合成されたものとし
て周波数解析されるようになっている。
としてのＦＦＴによっては、一般的な波形である正弦波
はｉの周期に対応する周波数成分のみとして周波数解析
されるが、三角波、矩形波等はその周期に対応する周波
数成分以外にも多くの周波数成分が合成されたものとし
て周波数解析されるようになっている。
第２図（ａ）〜（Ｃ）はある波形についての範囲がそれ
ぞれ１周期分、１周期分未満、１周期分超過の場合での
データにＦＦＴを施した結果を示したものであるが、１
周期分の場合は正確な周波数成分が得られていることが
判がる。しかしながら、それ以外の場合には不連続部分
の影響によって本来の周波数成分以外に１図示のように
サイドローブ成分が連続スペクトル状に出現するものと
なっている。よって、この基本周波数成分および高調波
成分を信号として、また、サイドローブ成分を雑音とし
て扱う場合、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が最良となるべく
データ数一定、サンプリングクロックの周期を可変とし
て波形をサンプリングする場合は、Ｓ／Ｎが最大となる
場合でのサンプリングクロックの周波数より被測定信号
の周波数が検出され得るものである。ところで、第２図
（ｄ）は被測定周波数ｆχ、サンプリングクロックｆ
ＣＬＫおよびデータ点数Ｎ王者の一例での関係を示すが
、ｎを自然数として（ｎ）・ｆχ＝ ｆ ｃｔｘ／ Ｎ
の関係が成立する場合にＳ／Ｎが最大となるものとなっ
ている。
ぞれ１周期分、１周期分未満、１周期分超過の場合での
データにＦＦＴを施した結果を示したものであるが、１
周期分の場合は正確な周波数成分が得られていることが
判がる。しかしながら、それ以外の場合には不連続部分
の影響によって本来の周波数成分以外に１図示のように
サイドローブ成分が連続スペクトル状に出現するものと
なっている。よって、この基本周波数成分および高調波
成分を信号として、また、サイドローブ成分を雑音とし
て扱う場合、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が最良となるべく
データ数一定、サンプリングクロックの周期を可変とし
て波形をサンプリングする場合は、Ｓ／Ｎが最大となる
場合でのサンプリングクロックの周波数より被測定信号
の周波数が検出され得るものである。ところで、第２図
（ｄ）は被測定周波数ｆχ、サンプリングクロックｆ
ＣＬＫおよびデータ点数Ｎ王者の一例での関係を示すが
、ｎを自然数として（ｎ）・ｆχ＝ ｆ ｃｔｘ／ Ｎ
の関係が成立する場合にＳ／Ｎが最大となるものとなっ
ている。
因みに本例ではｎ＝１．Ｎ＝８の場合を示す、なお、サ
ンプリング定理よりｆ工＜ｆｃｔ、に／２の関係が成立
する必要があり、また、ＦＦＴのアルゴリズムの制約上
Ｎの値は２のべき乗として設定されるようになっている
。
ンプリング定理よりｆ工＜ｆｃｔ、に／２の関係が成立
する必要があり、また、ＦＦＴのアルゴリズムの制約上
Ｎの値は２のべき乗として設定されるようになっている
。
さて、本発明を具体的に説明すれば、第１図は本発明に
係る周波数計測装置の一例での構成を示したものである
。図示のように本例でのものはゲイン・オフセット回路
１．アンチエリアシングフィルタ（Ａ−Ａ−Ｆｉｌｔｅ
ｒ；Ａ−Ａ−Ｆ）２．Ａ／Ｄ変換器３．平均化機能付メ
モリ４．ＦＦＴ処理回路５゜Ｓ／Ｎ比演比演算器上ＰＵ
７．周波数シンセサイザ８．クロック発生器９．アドレ
ス発生器１０．電圧コンパレータ１１およびカウンタ１
２より構成されたものとなっている。
係る周波数計測装置の一例での構成を示したものである
。図示のように本例でのものはゲイン・オフセット回路
１．アンチエリアシングフィルタ（Ａ−Ａ−Ｆｉｌｔｅ
ｒ；Ａ−Ａ−Ｆ）２．Ａ／Ｄ変換器３．平均化機能付メ
モリ４．ＦＦＴ処理回路５゜Ｓ／Ｎ比演比演算器上ＰＵ
７．周波数シンセサイザ８．クロック発生器９．アドレ
ス発生器１０．電圧コンパレータ１１およびカウンタ１
２より構成されたものとなっている。
被測定周波数ｆχｉこ係る被測定信号は先ずゲイン・オ
フセット回路１でその信号レベルとオフセットが調整さ
れたうえ、Ａ−Ａ−Ｆ２によってＡ／Ｄ変換時にエリア
シングが発生されないようにすべくフィルタリングされ
た後、Ａ／Ｄ変換器３でディジタルデータに変換される
ようになっている。ディジタルデータに変換された波形
データは平均化機能付メモリ４に必要数分（Ｎ個）格納
された後、ＦＦＴ処理回路５で周波数関数に変換され、
更にＳ／Ｎ比演比演算器上ってＳ／Ｎが算出されたうえ
ＣＰＵ７に取り込まれるようになって゛いる。なお、平
均化機能付メモリ４は被測定信号に雑音が多く含まれて
いる時、その平均化機能によって周波数測定精度の劣化
を防ぐために有効となっている。
フセット回路１でその信号レベルとオフセットが調整さ
れたうえ、Ａ−Ａ−Ｆ２によってＡ／Ｄ変換時にエリア
シングが発生されないようにすべくフィルタリングされ
た後、Ａ／Ｄ変換器３でディジタルデータに変換される
ようになっている。ディジタルデータに変換された波形
データは平均化機能付メモリ４に必要数分（Ｎ個）格納
された後、ＦＦＴ処理回路５で周波数関数に変換され、
更にＳ／Ｎ比演比演算器上ってＳ／Ｎが算出されたうえ
ＣＰＵ７に取り込まれるようになって゛いる。なお、平
均化機能付メモリ４は被測定信号に雑音が多く含まれて
いる時、その平均化機能によって周波数測定精度の劣化
を防ぐために有効となっている。
一方１以上の動作に並行してはゲイン・オフセット回路
１の出力は電圧コンパレータ１１で矩形波に整形された
うえカウンタ１２でカウントされカウント値はＣＰＵ７
に取り込まれるようになっている。後に詳述するところ
であるが、これによって被測定周波数ｆｘが現時点での
サンプリング周波数ｆ ＣＬＫによる測定範囲内にある
か否か、また、被測定周波数ｆχの概ねの値が検出され
るようになっているものである。また、入力信号がダイ
ナミックレンジ内にない場合にはＡ／Ｄ変換器３よリオ
ーバーフロー（０，Ｆ、）信号や、アンダーフロー（Ｕ
、Ｆ、）信号が出力されるが、ＣＰＵ７ではこれら信号
にもとづきゲイン・オフセット回路１を制御することで
、被測定信号の信号レベルやオフセットが調整されてい
るものである。
１の出力は電圧コンパレータ１１で矩形波に整形された
うえカウンタ１２でカウントされカウント値はＣＰＵ７
に取り込まれるようになっている。後に詳述するところ
であるが、これによって被測定周波数ｆｘが現時点での
サンプリング周波数ｆ ＣＬＫによる測定範囲内にある
か否か、また、被測定周波数ｆχの概ねの値が検出され
るようになっているものである。また、入力信号がダイ
ナミックレンジ内にない場合にはＡ／Ｄ変換器３よリオ
ーバーフロー（０，Ｆ、）信号や、アンダーフロー（Ｕ
、Ｆ、）信号が出力されるが、ＣＰＵ７ではこれら信号
にもとづきゲイン・オフセット回路１を制御することで
、被測定信号の信号レベルやオフセットが調整されてい
るものである。
ＣＰＵ７ではまたカウンタ１２からのカウント値やＳ／
Ｎ算出値情報より適当なサンプリング周波数ｆＣＬにを
更新設定したうえ周波数シンセサイザ８を制御すること
で周波数シンセサイザ８からはその更新設定に係るサン
プリング周波数ｆ ＣＬＫを得るための周期を持ったク
ロック信号が発生されるようになっている。クロック発
生器９ではそのクロック信号を分周することで、更新設
定されたサンプリング周波数ｆ ＣＬＫが得られており
、これがＡ／Ｄ変換器３に対してはＡ／Ｄ変換信号とし
て、またアドレス発生器１０に対してはアドレス生成用
クロック信号として作用しているものである。
Ｎ算出値情報より適当なサンプリング周波数ｆＣＬにを
更新設定したうえ周波数シンセサイザ８を制御すること
で周波数シンセサイザ８からはその更新設定に係るサン
プリング周波数ｆ ＣＬＫを得るための周期を持ったク
ロック信号が発生されるようになっている。クロック発
生器９ではそのクロック信号を分周することで、更新設
定されたサンプリング周波数ｆ ＣＬＫが得られており
、これがＡ／Ｄ変換器３に対してはＡ／Ｄ変換信号とし
て、またアドレス発生器１０に対してはアドレス生成用
クロック信号として作用しているものである。
アドレス発生器１０ではメモリ４へのデータ格納アドレ
スを発生している以外に、カウンタ１２でのカウント動
作期間を制御するようになっている。
スを発生している以外に、カウンタ１２でのカウント動
作期間を制御するようになっている。
ここで、電圧コンパレータ１１とカウンタ１２の機能に
ついて詳細に説明すれば、これは既述のように被測定周
波数ｆχがクロック周波数ｆ ＣＬＫに対しサンプリン
グ定理（ｆχ＜ｆｃｔに／２）を満足しているか否かを
検出するためのものである。カウンタ１２はアドレス発
生器１０によってデータ数Ｎ個分のアドレスが発生され
ている期間だけカウントイネーブル状態に保持されてお
り、その間電圧コンパレータ１１によって矩形波に整形
された被測定信号はカウンタ１２にてカウントされるよ
うになっている。そのカウント結果がＮ／２未満となっ
ている場合はサンプリング定理を満たしているも、満た
さない場合にはサンプリング周波数ｆＣＬにを高め満た
す方向にＣＰＵ７によって周波数シンセサイザ８が制御
されるものである。サンプリング周波数ｆ ＣＬＫが可
変とされていることから、これに応じＡ−Ａ−Ｆ２での
遮断周波数も可変とされているものである。
ついて詳細に説明すれば、これは既述のように被測定周
波数ｆχがクロック周波数ｆ ＣＬＫに対しサンプリン
グ定理（ｆχ＜ｆｃｔに／２）を満足しているか否かを
検出するためのものである。カウンタ１２はアドレス発
生器１０によってデータ数Ｎ個分のアドレスが発生され
ている期間だけカウントイネーブル状態に保持されてお
り、その間電圧コンパレータ１１によって矩形波に整形
された被測定信号はカウンタ１２にてカウントされるよ
うになっている。そのカウント結果がＮ／２未満となっ
ている場合はサンプリング定理を満たしているも、満た
さない場合にはサンプリング周波数ｆＣＬにを高め満た
す方向にＣＰＵ７によって周波数シンセサイザ８が制御
されるものである。サンプリング周波数ｆ ＣＬＫが可
変とされていることから、これに応じＡ−Ａ−Ｆ２での
遮断周波数も可変とされているものである。
さて１以上の構成での最高計測周波数はＡ／Ｄ変換器の
変換クロック周波数によるが、現在市販されているもの
では８ビツト１００ＭＨｚクラスが入手可能な最高速で
あり、これによれば５０ＭＨｚまでが測定可能となる。
変換クロック周波数によるが、現在市販されているもの
では８ビツト１００ＭＨｚクラスが入手可能な最高速で
あり、これによれば５０ＭＨｚまでが測定可能となる。
以上第１図について説明したが、本発明に係る周波数計
測装置ではゲイン・オフセット回路１やＡ−Ａ−Ｆ２、
電圧コンパレータ１１、カウンタ１２は必ずしも必要と
されず、必要な機能に応じ個々に付加されることになる
。
測装置ではゲイン・オフセット回路１やＡ−Ａ−Ｆ２、
電圧コンパレータ１１、カウンタ１２は必ずしも必要と
されず、必要な機能に応じ個々に付加されることになる
。
最後に測定周波数のレンジ拡大機能について説明すれば
、この機能はゲイン・オフセット回路１の出力を可変分
周比で分局可とした、゛第３図に示すようなプリスケー
ラ１３をゲイン・オフセット回路１とＡ−Ａ−Ｆ２、電
圧コンパレータ１１との間に介在せしめ、被測定周波数
ｆχがプリスケーラ１３を介在せしめない場合での測定
周波数範囲を越えた場合に被測定周波数ｆχをプリスケ
ーラ１３によって分周することで、測定周波数範囲を拡
大することが可能となる。その際分局比を大きくとる程
に後段で使用されているＡ／Ｄ変換器などの動作速度は
低速度で済まされることから、装置としての構成が容易
となるばかりでなく、Ａ／Ｄ変換器として高精度なもの
を用い得、高い周波数精度で被測定周波数を測定し得る
ことになる。なお、スイッチ１４．１５はＣＰＵ７によ
る制御下にプリスケーラ１３をバイパスさせるか否かを
定めるためのものである。
、この機能はゲイン・オフセット回路１の出力を可変分
周比で分局可とした、゛第３図に示すようなプリスケー
ラ１３をゲイン・オフセット回路１とＡ−Ａ−Ｆ２、電
圧コンパレータ１１との間に介在せしめ、被測定周波数
ｆχがプリスケーラ１３を介在せしめない場合での測定
周波数範囲を越えた場合に被測定周波数ｆχをプリスケ
ーラ１３によって分周することで、測定周波数範囲を拡
大することが可能となる。その際分局比を大きくとる程
に後段で使用されているＡ／Ｄ変換器などの動作速度は
低速度で済まされることから、装置としての構成が容易
となるばかりでなく、Ａ／Ｄ変換器として高精度なもの
を用い得、高い周波数精度で被測定周波数を測定し得る
ことになる。なお、スイッチ１４．１５はＣＰＵ７によ
る制御下にプリスケーラ１３をバイパスさせるか否かを
定めるためのものである。
本発明は以上のようなものであるから、ＦＦＴアナライ
ザや波形ディジタイザ等に用いれば、入力波形を正確に
２のべき乗個取込むことが可能となるため、後処理のＦ
ＦＴ演算の精度劣化が防止されると同時に、窓関数の実
行が不要となる。また、前処理として被測定信号を分周
する場合は、被Ａ／Ｄ変換波形は被測定信号の波形形状
に関係なく矩形波となるため、上述のような効果は得ら
れないにしても、被測定信号の分周によって周波数の測
定範囲を大−に拡大し得、また、後段での低速化によっ
ては高精度化が実現され、周波数測定精度の向上が図れ
ることになる。
ザや波形ディジタイザ等に用いれば、入力波形を正確に
２のべき乗個取込むことが可能となるため、後処理のＦ
ＦＴ演算の精度劣化が防止されると同時に、窓関数の実
行が不要となる。また、前処理として被測定信号を分周
する場合は、被Ａ／Ｄ変換波形は被測定信号の波形形状
に関係なく矩形波となるため、上述のような効果は得ら
れないにしても、被測定信号の分周によって周波数の測
定範囲を大−に拡大し得、また、後段での低速化によっ
ては高精度化が実現され、周波数測定精度の向上が図れ
ることになる。
以上説明したように本発明による場合は、波形形状如何
によることなく正確に被測定信号の周波数が検出される
といった効果がある。
によることなく正確に被測定信号の周波数が検出される
といった効果がある。
第１図は、本発明に係る周波数計測装置の一例での構成
を示す図、第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の理論的背
景を説明するための図、第３図は、周波数゛の測定レン
ジ拡大手段としてのプリスケーラを説明するための図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は、従来技術に係る周波数測
定方法を説明するための図、第５図、第６図（ａ）、（
ｂ）は、従来技術に係る他の周波数測定方法を説明する
ための図である。
を示す図、第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の理論的背
景を説明するための図、第３図は、周波数゛の測定レン
ジ拡大手段としてのプリスケーラを説明するための図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は、従来技術に係る周波数測
定方法を説明するための図、第５図、第６図（ａ）、（
ｂ）は、従来技術に係る他の周波数測定方法を説明する
ための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、サンプリングクロックの周波数を一定方向に更新す
る度に、該クロックによって被測定信号を一定データ数
分Ａ／Ｄ変換して一時記憶した後は、一時記憶されてい
る一定データ数分のＡ／Ｄ変換値をフーリエ変換処理し
たうえ処理結果中に含まれるサイドローブ成分をノイズ
としてＳ／Ｎを求めるようにし、Ｓ／Ｎ比が最大となる
場合でのサンプリングクロックの周波数より被測定信号
の周波数を求めることを特徴とする周波数計測方式。 ２、Ａ／Ｄ変換の際ダイナミックレンジを越える旨の信
号の出力があった場合は、該信号にもとづき被測定信号
の信号レベル、オフセットレベルが前処理として調整さ
れる特許請求の範囲第１項記載の周波数計測方式。 ３、Ａ／Ｄ変換される被測定信号は、前以てサンプリン
グクロック周波数に追従した遮断周波数特性でフィルタ
リングされている特許請求の範囲第１項記載の周波数計
測方式。 ４、サンプリングクロック周波数の更新は、被測定信号
の一定データ数分に亘るＡ／Ｄ変換期間中、カウントさ
れた２値化被測定信号のカウント結果にもとづき制御さ
れる特許請求の範囲第１項記載の周波数計測方式。 ５、Ａ／Ｄされる被測定信号は、前以て分周比可変とし
て分周されている特許請求の範囲第１項記載の周波数計
測方式。 ６、一定データ数分のＡ／Ｄ変換値は、データ各々の平
均値として一時記憶される特許請求の範囲第１項記載の
周波数計測方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022093A JPH01197667A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 周波数計測方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022093A JPH01197667A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 周波数計測方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197667A true JPH01197667A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12073257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63022093A Pending JPH01197667A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 周波数計測方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01197667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001021597A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 周波数分析装置 |
| WO2020110820A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量測定装置 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63022093A patent/JPH01197667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001021597A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 周波数分析装置 |
| WO2020110820A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量測定装置 |
| JPWO2020110820A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-09-27 | 日立Astemo株式会社 | 物理量測定装置 |
| US11467015B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-10-11 | Hitachi Astemo, Ltd. | Physical quantity measurement device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040217 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050531 |