JPH01197607A - パターン幅測長方法および測長用パターン - Google Patents
パターン幅測長方法および測長用パターンInfo
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- JPH01197607A JPH01197607A JP2201288A JP2201288A JPH01197607A JP H01197607 A JPH01197607 A JP H01197607A JP 2201288 A JP2201288 A JP 2201288A JP 2201288 A JP2201288 A JP 2201288A JP H01197607 A JPH01197607 A JP H01197607A
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- JP
- Japan
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- pattern
- length measurement
- conductive
- insulating film
- length
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと略記する
）を用いたパターン幅測長方法および該測長方法に用い
る副長用パターンに関する。
）を用いたパターン幅測長方法および該測長方法に用い
る副長用パターンに関する。
（従来の技術）
近年、半導体素子の高集積化が進むにつれて超微細パタ
ーンの形成が重要となり、活発な開発が行なわれている
。この超微細パターンの寸法を測長するために、光学的
測長装置に代わって電子線によるＳＥＭが多く利用され
るようになってきた。
ーンの形成が重要となり、活発な開発が行なわれている
。この超微細パターンの寸法を測長するために、光学的
測長装置に代わって電子線によるＳＥＭが多く利用され
るようになってきた。
第２図により従来のパターン測長について説明する。第
２図においてｌは導電性基板、２は絶縁膜、３は導電性
測長用パターンを示し、導電性測長用パターン３とその
周辺に対してＳＥＭを用いて電子線を走査的に照射し、
二次電子を検出してパターン幅を測長するものである。
２図においてｌは導電性基板、２は絶縁膜、３は導電性
測長用パターンを示し、導電性測長用パターン３とその
周辺に対してＳＥＭを用いて電子線を走査的に照射し、
二次電子を検出してパターン幅を測長するものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記した従来の構成では、電子線が測長用
パターンに照射された時に測長用パターンが帯電するた
め、ＳＥＭによる測長精度が劣化するという課題を有し
ていた。
パターンに照射された時に測長用パターンが帯電するた
め、ＳＥＭによる測長精度が劣化するという課題を有し
ていた。
本発明は上記した従来の課題を解決するもので、測長パ
ターンの帯電を防ぎ、ｍ良精度を向上することのできる
パターン幅測長方法および測長用パターンを提供するこ
とを目的とする。
ターンの帯電を防ぎ、ｍ良精度を向上することのできる
パターン幅測長方法および測長用パターンを提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この目的を達成するために本発明のパターン測長方法は
、導電性基板に導電性の測長用パターンを電気的に導通
した状態で、絶縁膜上の前記測長用パターンとその周辺
に対して電子線を走査的に照射し、二次電子を検出して
パターン幅を測長することを特徴とし、また、該方法に
用いる測長用パターンは、絶縁膜に設けたコンタクト窓
を挿通して導電性基板に電気的に接触するコンタクト部
を有することを特徴とする。
、導電性基板に導電性の測長用パターンを電気的に導通
した状態で、絶縁膜上の前記測長用パターンとその周辺
に対して電子線を走査的に照射し、二次電子を検出して
パターン幅を測長することを特徴とし、また、該方法に
用いる測長用パターンは、絶縁膜に設けたコンタクト窓
を挿通して導電性基板に電気的に接触するコンタクト部
を有することを特徴とする。
（作 用）
本発明のパターン測長方法によれば、ＳＥＭによる測長
時に測長用パターンが帯電することなく測長することが
できる。また、本発明の測長用パターンによれば、簡単
な形状で容易に導電性基板との導通が得られる。
時に測長用パターンが帯電することなく測長することが
できる。また、本発明の測長用パターンによれば、簡単
な形状で容易に導電性基板との導通が得られる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の一実施例における測長用パ
ターンの断面図を示すものである。
説明する。第１図は本発明の一実施例における測長用パ
ターンの断面図を示すものである。
第１図において、１は導電性基板、２は絶縁膜、２ａは
絶縁膜２に穴を形成して設けたコンタクト窓、３はコン
タクト窓２ａを挿通して導電性基板１に電気的に接触す
るコンタクト部３ａを有する導電性測長用パターンであ
る。
絶縁膜２に穴を形成して設けたコンタクト窓、３はコン
タクト窓２ａを挿通して導電性基板１に電気的に接触す
るコンタクト部３ａを有する導電性測長用パターンであ
る。
以上のように構成された上記実施例の測長用パターンに
ついて以下そのその動作を説明する。導電性測長用パタ
ーン３とその周辺に対してＳＥＭを用いて電子線を走査
的に照射し、二次電子を検出することでパターン幅を測
長する。この時、測長用パターンに溜った電子はコンタ
クト部３ａを通り導電性基板１へ抜けるため測長用パタ
ーン３は帯電しない。
ついて以下そのその動作を説明する。導電性測長用パタ
ーン３とその周辺に対してＳＥＭを用いて電子線を走査
的に照射し、二次電子を検出することでパターン幅を測
長する。この時、測長用パターンに溜った電子はコンタ
クト部３ａを通り導電性基板１へ抜けるため測長用パタ
ーン３は帯電しない。
以上のように本実施例によれば、絶縁膜上の測長用パタ
ーンが基板と電気的に導通を持つため、測長用パターン
が帯電することなくＳＥＭを用いて測長することができ
、したがって測長の精度が向上するので、超微細パター
ンの製造工程に著しく役立つ。
ーンが基板と電気的に導通を持つため、測長用パターン
が帯電することなくＳＥＭを用いて測長することができ
、したがって測長の精度が向上するので、超微細パター
ンの製造工程に著しく役立つ。
（発明の効果）
本発明のパターン測長方法によれば、ＳＥＭによる測長
時に測長用パターンが帯電することなく測長することが
でき、したがって測長の精度が向上し超微細パターンの
製造工程に役立つ、また。
時に測長用パターンが帯電することなく測長することが
でき、したがって測長の精度が向上し超微細パターンの
製造工程に役立つ、また。
本発明の測長用パターンによれば、簡単な構成で通常の
半導体素子の製造工程を変更することなく容易に測長用
パターンの基板への電気的な導通を得ることができる。
半導体素子の製造工程を変更することなく容易に測長用
パターンの基板への電気的な導通を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例における測長用パターンの断
面図、第２図は従来の測長用パターンの断面図である。 １ ・・・導電性基板、２・・・絶縁膜、２ａ・・・コ
ンタクト窓、３ ・・・導電性測長用パターン、３ａ
・・・コンタクト部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 １１．導１ｕ板 ２・・胞蔵膜 ２０・・ コンタ７ト烹、 ３・・導電２
生矛〕蚤沖＼・ターン３０ コンタクトさ？
面図、第２図は従来の測長用パターンの断面図である。 １ ・・・導電性基板、２・・・絶縁膜、２ａ・・・コ
ンタクト窓、３ ・・・導電性測長用パターン、３ａ
・・・コンタクト部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 １１．導１ｕ板 ２・・胞蔵膜 ２０・・ コンタ７ト烹、 ３・・導電２
生矛〕蚤沖＼・ターン３０ コンタクトさ？
Claims (2)
- （１）導電性基板に測長用パターンを電気的に導通した
状態で、絶縁膜上の前記測長用パターンとその周辺に対
して電子線を走査的に照射し、二次電子を検出してパタ
ーン幅を測長することを特徴とするパターン幅測長方法
。 - （２）絶縁膜に設けたコンタクト窓を挿通して導電性基
板に電気的に接触するコンタクト部を有することを特徴
とする請求項（１）に記載のパターン測長方法に用いる
導電性測長用パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201288A JPH01197607A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | パターン幅測長方法および測長用パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201288A JPH01197607A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | パターン幅測長方法および測長用パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197607A true JPH01197607A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12071087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2201288A Pending JPH01197607A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | パターン幅測長方法および測長用パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01197607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019293B1 (en) | 1997-04-09 | 2006-03-28 | Nec Corporation | Position detecting system and method |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2201288A patent/JPH01197607A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019293B1 (en) | 1997-04-09 | 2006-03-28 | Nec Corporation | Position detecting system and method |
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