JPS61168933A - 半導体基板の位置決めマ−ク - Google Patents
半導体基板の位置決めマ−クInfo
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- JPS61168933A JPS61168933A JP943985A JP943985A JPS61168933A JP S61168933 A JPS61168933 A JP S61168933A JP 943985 A JP943985 A JP 943985A JP 943985 A JP943985 A JP 943985A JP S61168933 A JPS61168933 A JP S61168933A
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- semiconductor substrate
- positioning mark
- pattern
- patterns
- positioning
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の位置決めマークに関し、特に半導
体装置の製造装置に使用される半導体基板の位置決めマ
ークに関するものである。
体装置の製造装置に使用される半導体基板の位置決めマ
ークに関するものである。
一般に半導体基板から半導体装置を製造するまでには何
！４６半導体基板と半導体製造装置とＯ位置合わせが必
要となる。例えば、半導体基板上にフォトレジストのパ
ターンを形成する際、下地Ｏパターンとうまく重なって
いることが必！！になる− 〇で、フォトレジストにパ
ターンを焼きつける露光装置に対して半導体基板の位置
が正確に合っていなければならない。１＋、半導体基板
にできた半導体装置の電気的動作試験を行う際、試験装
置の探針と半導体装置の外部接続端子との位置合わせが
必要となる。更に半導体基板く形成された多数の半導体
装置を切シ離す際も、半導体基板の切断位置と切断装置
の加工部との位置が合っていなければならないので、半
導体基板の位置合わせが必要となる。
！４６半導体基板と半導体製造装置とＯ位置合わせが必
要となる。例えば、半導体基板上にフォトレジストのパ
ターンを形成する際、下地Ｏパターンとうまく重なって
いることが必！！になる− 〇で、フォトレジストにパ
ターンを焼きつける露光装置に対して半導体基板の位置
が正確に合っていなければならない。１＋、半導体基板
にできた半導体装置の電気的動作試験を行う際、試験装
置の探針と半導体装置の外部接続端子との位置合わせが
必要となる。更に半導体基板く形成された多数の半導体
装置を切シ離す際も、半導体基板の切断位置と切断装置
の加工部との位置が合っていなければならないので、半
導体基板の位置合わせが必要となる。
従来、仁の種の半導体基板の位置決めは主に光学的手段
によるものであった。すなわち、半導体基板上く形成さ
れた特定のパターンに光を照射し、その反射光を電気的
に処理することＫよりてパターｙｏ位置を固定するもの
である。
によるものであった。すなわち、半導体基板上く形成さ
れた特定のパターンに光を照射し、その反射光を電気的
に処理することＫよりてパターｙｏ位置を固定するもの
である。
第３図は従来の半導体基板の位置決め方法の一例を示す
図で、（ａ）は位置決めマーク付き半導体基板の平面図
、（ｂｌは（ａｔ Ｋおける部分断面図、（ｃｌは（ｂ
ｌにおけるレーザ光照射時の信号パターンを示す図でら
る。
図で、（ａ）は位置決めマーク付き半導体基板の平面図
、（ｂｌは（ａｔ Ｋおける部分断面図、（ｃｌは（ｂ
ｌにおけるレーザ光照射時の信号パターンを示す図でら
る。
同図において、半導体基板の位置の検出は次のようにし
て行う。まず、半導体製造装置の移動台上にセットされ
た半導体基板ｌに垂１１（Ｋ細く絞ったレーザ光１１を
一方向九同じ距離だけ〈シ返し掃引しながら照射する。
て行う。まず、半導体製造装置の移動台上にセットされ
た半導体基板ｌに垂１１（Ｋ細く絞ったレーザ光１１を
一方向九同じ距離だけ〈シ返し掃引しながら照射する。
同時に半導体基板ｌを移動させる。この時のレーザ光１
１０反射光をフォトダイオード等で信号として検出する
。ポリシリコンの位置決めマーク１０がレーザ光１１の
下にくると、その反射光の検出信号はレーザ光１１の掃
引く従って第３図（ｃｌＫ示すように周期的に変化する
。これは、半導体基板ｌと、位置決めｉ−り１０と、位
置決めマークｌＯのパターンの端部までの反射率の違い
によるものである。このような信号パターンはこの位置
決めマークｌＯに特有なものであるため、この信号が検
出された時Ｔｌ。
１０反射光をフォトダイオード等で信号として検出する
。ポリシリコンの位置決めマーク１０がレーザ光１１の
下にくると、その反射光の検出信号はレーザ光１１の掃
引く従って第３図（ｃｌＫ示すように周期的に変化する
。これは、半導体基板ｌと、位置決めｉ−り１０と、位
置決めマークｌＯのパターンの端部までの反射率の違い
によるものである。このような信号パターンはこの位置
決めマークｌＯに特有なものであるため、この信号が検
出された時Ｔｌ。
Ｔ２．Ｔ３の半導体基板ｌの位置がレーザ光１１の位置
に対して決定される。ところが、一般に半導体基板ＩＫ
は位置決めマーク１０の他に半導体装置を形成するため
の種々の内部パターンが形成されている。
に対して決定される。ところが、一般に半導体基板ＩＫ
は位置決めマーク１０の他に半導体装置を形成するため
の種々の内部パターンが形成されている。
上述した従来の光学的手段くよる半導体基板の位置合わ
せ方法では、半導体装置を形成する几めの内部パターン
の中に、もし位置決めマークｌＯと似たパターンがられ
ば、半導体製造装置は半導体基板ｌの位置を誤Ｉ！！ａ
ｌｌ、てしまりという欠点がある。また、半導体装置製
造工程中に位置決めマーク１０の形状が変化するため、
信号パターンの検出される位置（第３図（ｃｌｔｃ図示
）が実際の位置決めマーク１０の位置からずれることが
あるという欠点がある。
せ方法では、半導体装置を形成する几めの内部パターン
の中に、もし位置決めマークｌＯと似たパターンがられ
ば、半導体製造装置は半導体基板ｌの位置を誤Ｉ！！ａ
ｌｌ、てしまりという欠点がある。また、半導体装置製
造工程中に位置決めマーク１０の形状が変化するため、
信号パターンの検出される位置（第３図（ｃｌｔｃ図示
）が実際の位置決めマーク１０の位置からずれることが
あるという欠点がある。
本発明の半導体基板の位置決めマークは、半導体基板表
面又は半導体基板内の所定の位置ＶＣ＠性体物体物質域
を形成している。
面又は半導体基板内の所定の位置ＶＣ＠性体物体物質域
を形成している。
欠く、本発明について第１図、第２図を参照して説明す
る。
る。
ｍ１図（ａｔ 、 （ｂｌおよび（ｃｌはそれぞれ本発
明の第１の実施例における半導体基板の位置決めマーク
の第１．第２の配置例を示す千面崗および（１）におけ
る部分断面図、第２図は本発明の第２の実施例における
位置決めマーり検出方法の一例を示す部分断面図である
。
明の第１の実施例における半導体基板の位置決めマーク
の第１．第２の配置例を示す千面崗および（１）におけ
る部分断面図、第２図は本発明の第２の実施例における
位置決めマーり検出方法の一例を示す部分断面図である
。
第１図（ａｌにおいて、二、ケルの細長いパターン２が
半導体基板ｌの表面に形成されている。ここでパターン
２の材質はコバルト、マンガン、マンカンヒスマス等、
磁性体物質であれば二、ケル以外の物質でもよい。パタ
ーン２はスバ、り法テ半導体基板ＩＫ形成され九二、ケ
ルの薄膜を写真技術により細長いパター７２の部分だけ
残して他の部分をエツチングすることで得られる。この
パターン２を位置決めマークとして使用するためＫ。
半導体基板ｌの表面に形成されている。ここでパターン
２の材質はコバルト、マンガン、マンカンヒスマス等、
磁性体物質であれば二、ケル以外の物質でもよい。パタ
ーン２はスバ、り法テ半導体基板ＩＫ形成され九二、ケ
ルの薄膜を写真技術により細長いパター７２の部分だけ
残して他の部分をエツチングすることで得られる。この
パターン２を位置決めマークとして使用するためＫ。
強磁界のもとてパターン２を凪化しておく。
次に、第１図（ｃｌ Ｋ示すようＫｆｉ気テープの情報
を検出する磁気へ、ド等の磁気センナ３罠よってパター
ン２の作シ出す磁界ｔ−電気信号に変換しながら半導体
基板１ｔ−移動させると、信号の極大となる位置を探し
だすことができる。この位置がパターン２の位置でろる
。ただし、この位置決めマークは細長いので、第１図＋
ａｌ Ｋ示したＹ方向だけの位置合わせマーりとなる。
を検出する磁気へ、ド等の磁気センナ３罠よってパター
ン２の作シ出す磁界ｔ−電気信号に変換しながら半導体
基板１ｔ−移動させると、信号の極大となる位置を探し
だすことができる。この位置がパターン２の位置でろる
。ただし、この位置決めマークは細長いので、第１図＋
ａｌ Ｋ示したＹ方向だけの位置合わせマーりとなる。
他に半導体基板ｌのＸ方向９回転量の位置合わせを行う
九めには、第１図（ｂｌＫ示すよう九半導体基板１上に
例えば二。
九めには、第１図（ｂｌＫ示すよう九半導体基板１上に
例えば二。
ケルの細長いパターン２ｔ−３ケ所に設けてそれぞれの
位置を検出すればよい。
位置を検出すればよい。
次に第２図に示す第２の実施例において、半導体基板ｌ
はその表面内部にマンガンイオンを含む領域１２が形成
されている。この半導体基板ｌを移動台６Ｖｃ載せる。
はその表面内部にマンガンイオンを含む領域１２が形成
されている。この半導体基板ｌを移動台６Ｖｃ載せる。
移動台６の一部は電子スピン共鳴装置の１に磁石４，４
′に挾まれていて、半導体基板１表面は該電子スピン共
鳴装置の高周波キャビティ５に穴５０のろいたものが空
ｆｌＪｌｊを介して接している。本笑施例では、マンガ
ンイオンをイオン注入法によシ注入して半導体基板ｌ内
に領域１２を形状することができる。このマンガンイオ
ンは不対電子ｔＶするため、いわゆる電子スピン共鳴法
で検出することができる。そこで、電子スピン共鳴装置
の条件をマンガンイオンの共鳴吸収条件に合わせておき
、移動台６ｔ−移動させてマンガフイオンの領域１２ｔ
−高周波キャビティ５０穴５０の部分にもってくると、
電子スピン共鳴装置の信号となって現われるので、マ／
ガ／イオ／の領域１２の位置を知ることができる。従り
てこのマノガンイオンの領域１２ｔ−半導体基板ｌの位
置決めマークとして使用することができる。
′に挾まれていて、半導体基板１表面は該電子スピン共
鳴装置の高周波キャビティ５に穴５０のろいたものが空
ｆｌＪｌｊを介して接している。本笑施例では、マンガ
ンイオンをイオン注入法によシ注入して半導体基板ｌ内
に領域１２を形状することができる。このマンガンイオ
ンは不対電子ｔＶするため、いわゆる電子スピン共鳴法
で検出することができる。そこで、電子スピン共鳴装置
の条件をマンガンイオンの共鳴吸収条件に合わせておき
、移動台６ｔ−移動させてマンガフイオンの領域１２ｔ
−高周波キャビティ５０穴５０の部分にもってくると、
電子スピン共鳴装置の信号となって現われるので、マ／
ガ／イオ／の領域１２の位置を知ることができる。従り
てこのマノガンイオンの領域１２ｔ−半導体基板ｌの位
置決めマークとして使用することができる。
以上説明したように本発明は％磁性体物質によって半導
体基板の位置決めｉ−りを形成することにより磁気的に
マークの位置を検出することができる。従って、半導体
基板の他の領域に磁性体物質を形成しない限）マーク位
置の検出装置が内部パターンを位置決めマークと誤Ｓ！
識することがなくなシ、且つこの磁性体物質による位置
決めマークはその形状が多少変化してもマークの作シだ
す迅界の中心位置は変化しないので、従来の光学的手段
による半導体基板の位置合わせ方法に使用された位置決
めマークに比べて、誤認識か少なく、精度の高い位置合
わせができる効果が６る。
体基板の位置決めｉ−りを形成することにより磁気的に
マークの位置を検出することができる。従って、半導体
基板の他の領域に磁性体物質を形成しない限）マーク位
置の検出装置が内部パターンを位置決めマークと誤Ｓ！
識することがなくなシ、且つこの磁性体物質による位置
決めマークはその形状が多少変化してもマークの作シだ
す迅界の中心位置は変化しないので、従来の光学的手段
による半導体基板の位置合わせ方法に使用された位置決
めマークに比べて、誤認識か少なく、精度の高い位置合
わせができる効果が６る。
第１図（ａ） 、 （ｂｌおよび（ｃｌはそれぞれ本発
明の第１の実施例における半導体基板の位置決めマーク
の第１．第２の配置例を示す平面図および（ａｔ Ｋお
ける部分断面図、第２図は本発明の第２の実施例におけ
る位置決めマーク検出方法の一例を示す部分断面図、第
３図は従来の半導体基板の位置決め方法の一例を示す図
で、（ａｔは位置決めマーク付き半導体基板の平面図、
（ｂ）は（，１１における部分断面図、（ｃｌは（ｂｌ
におけるレーザ光照射時の信号バターｙｔ−示す図であ
る。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・す・・パターン、３
・・・・・・磁気センサ、４，４′・・・・・・ｔ＠石
、５・・・・・・高周波キャビティ、６・・・・・・移
動台、１０・・・・・・位置決めマーク、１１・・・・
・・レーザ光、１２・・・・・・領域、５０・・・・・
・穴。 第１図 ｒａ、＞ （ｂ） （
ｃ）第２図 −竿θ諭
明の第１の実施例における半導体基板の位置決めマーク
の第１．第２の配置例を示す平面図および（ａｔ Ｋお
ける部分断面図、第２図は本発明の第２の実施例におけ
る位置決めマーク検出方法の一例を示す部分断面図、第
３図は従来の半導体基板の位置決め方法の一例を示す図
で、（ａｔは位置決めマーク付き半導体基板の平面図、
（ｂ）は（，１１における部分断面図、（ｃｌは（ｂｌ
におけるレーザ光照射時の信号バターｙｔ−示す図であ
る。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・す・・パターン、３
・・・・・・磁気センサ、４，４′・・・・・・ｔ＠石
、５・・・・・・高周波キャビティ、６・・・・・・移
動台、１０・・・・・・位置決めマーク、１１・・・・
・・レーザ光、１２・・・・・・領域、５０・・・・・
・穴。 第１図 ｒａ、＞ （ｂ） （
ｃ）第２図 −竿θ諭
Claims (1)
- 半導体基板表面又は半導体基板内の所定の位置に磁性体
物質の領域を形成したことを特徴とする半導体基板の位
置決めマーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP943985A JPS61168933A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体基板の位置決めマ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP943985A JPS61168933A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体基板の位置決めマ−ク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168933A true JPS61168933A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11720337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP943985A Pending JPS61168933A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体基板の位置決めマ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981529A (en) * | 1987-08-08 | 1991-01-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate provided with marks for alignment even under a resist film |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP943985A patent/JPS61168933A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981529A (en) * | 1987-08-08 | 1991-01-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate provided with marks for alignment even under a resist film |
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