JPS62259440A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、電子ビームを使って半導体チップの座標系と
電子ビームの座標系を一致させるための半導体チップ内
に設けられる位置マーカを形成した半導体装置に関する
もので、特に電子ビーム装置でのチップの位置合わせに
使用されるものである。

（従来の技術） 従来、上記のような位置マーカとしては半導体チップ内
にある既存のＬＳＩ／？ターンを使用するため、適確に
交点を基準座標とできるようなパターンも少なく、時に
は手動操作により位置合わせを行なっていた。従りて電
子ビームテスタなどで測定を行なう際、指定の位置に電
子ビームを照射する時、その座標がわかっていても基準
座標がないため、精度よく位置合わせするのが困難であ
った。

（発明が解決しようとする問題点） 上記のように従来は、ＬＳＩチップ上の認識しやすいＡ
Ｉパターンある点を基準座標とし、そこから目的の位置
までステージを動かして位置合わせを行なっていた。こ
の方式では入間が手動である基準を決め、そこから目的
の位置座標までの距離を求め、手動で移動して再度目的
の位置であるかどうかをＬＳＩのプロットパターン停と
比較して位置決めを行なっていた。このような方式では
システムの位置合わせの自動化はできない。また何らか
の基準座標となり得るマーカをチップ上に有していても
、単に・々ターンだけでは、２次電子のＳ／Ｎ（信号対
雑音比）の問題で正確な基準座標を求めることが難しか
った。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、精度よく、
高いＳハでＬＳＩ上に基準座標を求め、目的の位置へビ
ームを合わせることができる半導体装置を提供しようと
するものである。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段と作用）本発明では、導
電材料を用い、ＬＳＩチップ上に２層構造のマーカを設
け、この２層の導電体に互に異なる電位を与えておくこ
とによシ、また基準マーカをＬＳＩチップ上の主要な場
所に配置しておくことにより、目的の位置に近い基準マ
ーカを使い、精度よく、高いＳハでＬＳＩ上に基準座標
を求め、目的の位置へビームを合わせることができるよ
うにしたものである。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例のパターン平面図である。

まず半導体基板上に、導電材料を使い第１層の領域１を
形成する。この導電材料としては、アルミニウム、４ク
リシリコン、拡散領域のいずれでもよい。多層配線構造
の場合は、第１層の２８電領域ｌに電源配線領域を利用
してもよい。次に第１層の導電領域上に絶縁膜を設け、
その上の第２層には、ポリシリコンあるいはアルミニウ
ム等の材料によシ互に交叉する配線領域２を設け、この
交点を含みかつ第１層の導電領域１が露出するように穴
らけ３をしておく。上記第２層の４電領域２は直交十字
形にするのが望ましい。上記第１層、第２層各々をＬＳ
Ｉ内部の電源ｖＤＤ、ｖ８８に、各々相反する電位にな
るように接続する。

第２図は第１層の導電領域１をアルミニウムまたはポリ
シリコンで形成した時の断面図、第３図は第１層の導Ｗ
％域１に拡散層を使った時の断面図で、４．４１は絶縁
膜である。

第４図は第２層目の導電領域２の形状を図のようにして
、実質的には第１　／（！目の導電領域１の露出領域が
交叉するようにした変形例である。

第５図は第１層の導電領域１に、ＬＳＩチップ内の電源
配線の幅の広い領域を利用し、その近くの相反する電源
配線から第２層の導電領域２を形成した変形例である。

第６図により第１図の作用を説明する。上記のようなマ
ーカはＬＳＩチップ内にあシ、チップの座標系になって
いる。その領域に第６図に示すように、電子ビーム系の
座標に従がってビームを、経路１）に沿ってスキャンす
ると、それに対応した出Ｓ　ａｔ号１２が得られる。こ
の出力信号１２は、電子ビーム照射によって得られる２
欠電子をフォトマルチプライヤ：でよって工曽幅した出
力でるる。

しかして第１層と第２層の導電領域の電位が異なるため
、得られる出力波形１２はＳ／Ｎの良いものシｆｒｈ（
常梁ビーム叩肘にｒｈ芯ちれふ２次ｔイ子数は、電子ビ
ーム照射部の印加電圧により異なるため）、四辺の各々
のピークがはっきり測定でき、対向するピークの交点の
交点の基準座標、即ちマーカの中心座標１３となシ、チ
ップの座標系をビームの座標系で考えることができる。

この時スキャンの仕方を正方形または長方形で行なえば
、ピークの座標から回転も補正できる。またこのような
マーカをチップ内に複数個配置することにより、座標系
の補正が小さい領域で行なえ、位置合わせの精度が向上
する。更にマーカに第６図に示すように番号１４ｔ−与
えておくと、マニュアル操作の時はマーカの位置がＬＳ
Ｉ内部のどこにあるかすぐわかるものである。

［発明の効果コ 以上説明した如く本発明によれば、精度よく、高い３／
ＮでＬＳＩチップ上に基準座標を求め、目的の位置へビ
ームを合わせることができるなどの利点を有した半導体
装置が提供できるものでおる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のパターン平面図、第２図、
第３図は同実施例の具体例の断面図、第４図、第５図は
本発明の他の実施例のパターン平面図、第６図は上記実
施例の作用説明図である。 １・・・第１層導電領域、２・・・第２層導電領域、３
・・・導電領域露出用穴あけ領域、４・・・絶縁膜、１
３・・・中心座標。 出願人代理人　　弁理土鈴　江　武　彦第１図　　　第
２図　　　　第３図 第６図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップ内で導電材料を使い、第１層の導電
   領域、その上に絶縁体を介して、交叉する形状の第２の
   導電領域を設け、 前記第１層と第２層の導電領域に各々相反する電位を接
   続することを特徴とする半導体装置。
2. （２）前記第２層の導電領域の形状を直交形（十字形）
   としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   半導体装置。
3. （３）前記第１層の導電領域に電源用のアルミニウム配
   線を利用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の半導体装置。