JPH01194193A - メモリのリフレッシュ制御回路 - Google Patents

メモリのリフレッシュ制御回路

Info

Publication number
JPH01194193A
JPH01194193A JP63019007A JP1900788A JPH01194193A JP H01194193 A JPH01194193 A JP H01194193A JP 63019007 A JP63019007 A JP 63019007A JP 1900788 A JP1900788 A JP 1900788A JP H01194193 A JPH01194193 A JP H01194193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
dynamic ram
address
output
generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63019007A
Other languages
English (en)
Inventor
Hironari Hamahata
浜畑 広済
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PFU Ltd filed Critical PFU Ltd
Priority to JP63019007A priority Critical patent/JPH01194193A/ja
Publication of JPH01194193A publication Critical patent/JPH01194193A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ダイナミックRAMのリフレッシュ制御回路に関し。
リフレッシュを効率よ〈実施できるようにすることを目
的とし。
予め定められた華位時間ごとに増加する時間データを発
生させる時間データ発生器、ダイナミックRAMの各ロ
ウ・アドレスの次のリフレッシュ時期を定める定数を発
生させる定数発生器1時間データ発生器の出力と定数発
生器の出力とを加算してリフレツシユ・タグ・メモリへ
ダイナミックRA Mの各ロウ・アドレスの次のリフレ
ッシュ時期に関するデータを出力する加算器およびリフ
レッシュ・タグ・メモリからのダイナミックRAMの各
ロウ・アドレスの次のリフレッシュ時期に関するデータ
と時間データ発生器の出力とが一致するかどうかを検出
し、一致する場合にはダイナミックRAMの言亥当する
ロウ・アドレスをリフレッシュするための制御信号を出
力する一致検出器からなるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メモリのリフレッシュ制御回路、特にダイナ
ミックRAMのりフレフシェ制御回路に関する。
ダイナミックRAMは、内部のコンデンサに蓄えた電荷
の量で“1”か“0”かを記憶しているが、この電荷は
1時間の経過とともに逃げていく。
これを補うために、4〜8msごとにデータの再書き込
みを行わなければならない。これが、リフレッシュと呼
ばれているものである。
リフレッシュは、適当な周期で繰り返して行われる。
〔従来の技術〕
第9図は、従来例を示す図である。
第9図において、91はダイナミックRAM。
92はリフレッシュ・アドレス・カウンタ、93はアド
レス・マルチプレクサ、94はリフレッシュ・タイミン
グ発生器である。
ダイナミックRAM91は、CPUがアクセスするメイ
ン・メモリであり1例えば256 KDRAMの場合、
2560つ(行)X1024カラム(列)のメモリ構成
となっている。8本のアドレス信号でロウ・アドレスを
与え、別の10本のアドレス信号でカラム・アドレスを
与える。
リフレッシュ・アドレス・カウンタ92は、リフレッシ
ュ・サイクル中にダイナミックRAM91のリフレッシ
ュ・アドレスを発生させるバイナリ・カウンタである。
アドレス・マルチプレクサ93は、リフレッシュ・アド
レスとシステム・アドレス・バスとの内容を切り換えて
ダイナミックRAM91のアドレスを発生させる。
リフレッシュ・タイミング発生器94は、クロックをカ
ウントすることにより、予め定められたタイミングでリ
フレッシュ要求を出力する。
以下、第9図に示した従来例の動作を説明する。
リフレッシュはロウ(行)単位で行うが、このリフレッ
シュ・アドレスは、リフレフシュ・アドレス・カウンタ
92が発生させる。ダイナミックRAM91として25
6KDRAMを使用した場合、0〜255のロウ・アド
レスが繰り返し発生される。カウント・アップの入力は
、クロックを分周して適当な周期を得る。
また、ダイナミ7りRAM91として256KDRAM
を使用した場合、4msごとにリフレッシュを行う必要
がある。このため、4÷256m5ごとにリフレッシュ
・タイミングを発生させる必要がある。このリフレッシ
ュ・タイミングは。
リフレッシュ・タイミング発生器94がクロックを分周
することにより、リフレッシュ要求信号として発生させ
る。
リフレッシュ・アドレス・カウンタ92の出力とリフレ
ッシュ・タイミング発生器94の出力とはアドレス・マ
ルチプレクサ93へ入力される。
アドレス・マルチプレクサ93は、リフレッシュ・アド
レスとシステム・ハス・アドレスの内容を切り換えてダ
イナミックRAM91のアドレスを発生させるが、リフ
レッシュ・サイクル中にはリフレッシュ・アドレスを選
択する。CPUからのメモリ・アクセスとリフレッシュ
・サイクルとが競合した場合には、リフレッシュ・サイ
クルが優先される。これは、リフレッシュ・タイミング
発生器94がCPUのメモリ・アクセスを待たせること
により実現される。この結果、CPUからのメモリ・ア
クセス時間は、見掛は上引き延ばされたようになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のように、ダイナミックRAMのリフレッシュをカ
ウンタを用いて、一定間隔ごとに行う方法では、リフレ
ッシュ中にはCPUのメモリ・アクセスができないので
9時間損失が生しるという問題があった。
本発明は、リフレッシュを効率よ〈実施することができ
るようにしたダイナミックRAMのリフレッシュ制御回
路を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、予め定められた単位時間ごとに増加する時間
データを発生させる時間データ発生器。
ダイナミックRAMの各ロウ・アドレスの次のリフレッ
シュ時期を定める定数を発生させる定数発生器1時間デ
ータ発生器の出力と定数発生器の出力とを加算してリフ
レッシュ・タグ・メモリへダイナミックRAMの各ロウ
・アドレスの次のリフレッシュ時期に関するデータを出
力する加算器およびリフレッシュ・タグ・メモリからの
ダイナミックRAMの各ロウ・アドレスの次のリフレッ
シュ時期に関するデータと時間データ発生器の出力とが
一致するかどうかを検出し、一致する場合にはダイナミ
ックRAMの該当するロウ・アドレスをリフレッシュす
るための制御信号を出力する一致検出器からなるように
構成することにより、リフレッシュを効率よ〈実施する
ことのできるダイナミックRAMのリフレッシュ制御回
路を提供するものである。
第1図は1本発明の原理説明図である。
第1図において、1はCPU、2はダイナミノ、りRA
M、3はリフレッシュ制御回路、4はリフレッシュ・タ
グ・メモリ、5は時間データ発生器。
6は定数発生器、7は加算器、8は一致検出器である。
ダイナミックRAM2は、CPUIがアクセスするメイ
ン・メモリであり1例えば256 KDRAMの場合、
2560つ(行)X1024カラム(列)のメモリ構成
となっている。8本のアドレス信号でロウ・アドレスを
与え、別の10本のアドレス信号でカラム・アドレスを
与える。
リフレッシュ制御回路3は1時間データ発生器5、定数
発生器6.加算器7および一致検出器8から構成されて
いる。
リフレッシュ・タグ・メモリ4は、ダイナミックRAM
2の各ロウ・アドレスのリフレッシュ時期に関するデー
タを格納する。
時間データ発生器5は、予め定められた単位時間ごとに
増加する時間データを発生させる。
定数発生器6は、ダイナミックRAM2の各ロウ・アド
レスの次のリフレッシュ時期を定める定数を発生させる
加算器7は9時間データ発生器5の出力と定数発生器6
の出力とを加算してリフレッシュ・タグ・メモリ4ヘダ
イナミツクRAM2の各ロウ・アドレスの次のリフレッ
シュ時期に関するデータを出力する。
一致検出器8は、リフレッシュ・タグ・メモリ4からの
ダイナミックRAM2の各ロウ・アドレスの次のリフレ
ッシュ時期に関するデータと時間データ発生器5の出力
とが一致するかどうかを検出し、一致する場合にはダイ
ナミックRAM2の8亥当するロウ・アドレスをリフレ
ッシュするための制御信号を出力する。
〔作用〕
リフレッシュ・タグ・メモリ4には、ダイナミックRA
M2のロウの数に相当する格納場所が用意されている。
各格納場所には、それに対応するダイナミックRAM2
0ロウのリフレッシュ時期に関するデータが格納されて
いる。
リフレッシュ制御回路3は、リフレッシュ・タグ・メモ
リ4の各格納場所を順次走査して、格納されているデー
タを読み出す。
読み出されたデータは、一致検出器8により時間データ
発生器5の出力と比較される。その結果。
読み出されたデータと時間データ発生器5の出力とが一
致すれば、一致検出器8は一致信号を出力し、ダイナミ
ックRAM2に対してリフレッシュ要求がなされ、ダイ
ナミックRAM2の8亥当するロウ・アドレスがリフレ
ッシュされる。この時。
同時に1時間データ発生器5の出力と定数発生器6が発
生させる定数とを加算器7により加算した(直がリフレ
ッシュ・タグ・メモリ4の該当する格納場所に書き込ま
れる。この値は、当該ロウ・アドレスの次回のりフレッ
ンユ時期を表している。
CPUIがダイナミックRAM2に対して行う。
データの書き込み、データの読み出しなどの通常のメモ
リ・アクセス時には、メモリ・アクセス終了後に、ダイ
ナミックRAM2の内部で自動的に富亥当するロウ・ア
ドレスがリフレッシュされるので、リフレッシュ・タグ
・メモリ4の該当する格納場所に時間データ発生器5の
出力と定数発生器6が発生させる定数とを加算器7によ
り加算した値を書き込む。この値も、当該ロウ・アドレ
スの次回のリフレッシュ時期を表している。
第2図は1本発明の作用説明図である。
以下、第1図および第2図を用いて2本発明によるリフ
レッシュ操作を具体的に説明する。
第2図では、ダイナミックRAM2はO〜7のロウ・ア
ドレスを持ち、定数発生器6が発生させる定数は“10
゛としである。また2図中、“R゛はリフレッシュを表
し、“A”はメモリ・アクセスを表している。
■まず、システムがリセフトされたものとする。
そうすると9時間データ発生器5は“0”を出力する。
0時間データが“0”の間に、リフレッシュ制御回路3
は、ダイナミックRAM2のロウ・アドレス0をリフレ
ッシュする。この時、同時に9時間データ発生器5の出
力である“0”と定数発生器6の出力である“10”と
を加算器7により加算された値、すなわち“10”をリ
フレッシュ・タグ・メモリ4のダイナミックRAM2の
ロウ・アドレス0に対応する格納場所に書き込む。
同様にして、ロウ・アドレス1〜7に対してもリフレッ
シュを行い、同時に1時間データ発生器5の出力である
“0”と定数発生器6の出力である“10゛とを加算器
7により加算した値、すなわち“10″をリフレッシュ
・タグ・メモリの対応する格納場所に書き込む。
0時間データが1”になると、リフレッシュ制御回路3
はリフレッシュ・タグ・メモリ4のダイナミックRAM
2の各ロウ・アドレスに対応する格納場所を順次走査し
て、その内容を読み出し。
読み出しデータが時間データ“1”と一致するかどうか
比較する。この例の場合では、リフレッシュ・タグ・メ
モリ4のダイナミックRAM2の各ロウ・アドレスに対
応する格納場所の内容は全て“10゛であり9時間デー
タ“1”と一致しないから、何も行わない。
0時間データが“2”になっても、■と同様に。
リフレッシュ制御回路3は、何も行わない。
0時間データが“3”になると、ロウ・アドレス2がア
クセスされるので、リフレッシュ制御回路3は1時間デ
ータ発生器5の出力である3”と定数発生器6の出力で
ある“10”とを加算器7により加算した値’13″を
リフレッシュ・タグ・メモリ4のロウ・アドレス2に対
応する格納場所に書き込む。
■時間データ′4“〜“5゛の間、リフレッシュ制御回
路3は何も行わない。
0時間データが@6″になると、ロウ・アドレス4がア
クセスされるので、リフレッシュ制御回路3は9時間デ
ータ発生器5の出力である“6”と定数発生器6の出力
である“10”とを加算器7により加算した値“16″
をリフレッシュ・タグ・メモリ4のロウ・アドレス4に
対応する格納場所に書き込む。
0時間データ“7“〜“8”の間、リフレッシュ制御回
路3は何も行わない。
0時間データが“9”になると、ロウ・アドレス5がア
クセスされるので、リフレッシュ制御B回路3は5時間
データ発生器5の出力である“9”と定数発生器6の出
力である“10”とを加算器7により加算した値“19
”をリフレッシュ・りグ・メモリ4のロウ・アドレス5
に対応する格納場所に書き込む。
[相]時間データが′10”になると、リフレッシュ・
タグ・メモリ4のダイナミックRAM2のロウ・アドレ
スに対応する格納場所のうち、データとして“10”が
書き込まれているもの、すなわち、ロウ・アドレス0,
1.3.6.7に対応するものが保持しているデータは
9時間データと一致するので、一致検出器8は、一致信
号を出力し。
リフレッシュ制御回路3はダイナミックRA M 2の
ロウ・アドレス0,1.3.6.7をリフレッシュする
そして、リフレッシュ・タグ・メモリ4のダイナミック
RAM2のロウ・アドレス0.1.3゜6.7に対応す
る格納場所に1時間データ発生器5の出力である“10
゛と定数発生器6の出力である“10”とを加算器7に
より加算した値“20”を書き込む。
■同様にして、リフレッシュ制御回路3は1時間データ
が613″になるとダイナミックRAM2のロウ・アド
レス2をリフレッシュすると共にリフレッシュ・タグ・
メモリ4の対応する格納場所に時間データ発生器5の出
力である“13”と定数発生器6の出力である“10”
とを加算器7により加算した値“23”を書き込み1時
間データが16゛になるとダイナミックRAM2のロウ
・アドレス4をリフレッシュすると共にリフレッシュ・
タグ・メモリ4の対応する格納場所に時間データ発生器
5の出力である“16゛と定数発生器6の出力である“
10”とを加算器7により加算した値“26”を書き込
み1時間データが“19”になるとダイナミックRAM
2のロウ・アドレス5をリフレッシュすると共にリフレ
ノツユ・タグ・メモリ4の対応する格納場所に時間デー
タ発生器5の出力である“19”と定数発生器6の出力
である“10”とを加算器7により加算した値“29゛
を書き込む。
〔実施例〕
第3図は2本発明の1実施例構成図である。
第3図において、301はダイナミックRAM。
302はアドレス・マルチプレクサ、303はタイミン
グ生成器、304はアドレス・マルチプレクサ、305
はアドレス・カウンタ1,306はアドレス・カウンタ
2.307は定数発生器、308は加算器、309はリ
フレッシュ・タグ・メモリ、310は一致検出器である
ダイナミックRAM301は、CPUがアクセスするメ
イン・メモリであり9例えば256KDRAMの場合、
2560つ(行)X1024カラム(列)のメモリ構成
となっている。8本のアドレス信号でロウ・アドレスを
与え、別の10本のアドレス信号でカラム・アドレスを
与える。
アドレス・マルチプレクサ302は、リフレッシュ・ア
ドレスとシステム・アドレス・バスの内容を切り換えて
、ダイナミックRAM301のアドレスを発生させる。
タイミング生成器303は、システム・クロックを入力
とし、アドレス切り換え信号、書き込み信号、メモリ制
御信号などの各種のタイミング信号を生成する。
アドレス・マルチプレクサ304は、アドレス・カウン
タ1(305)が発生させるアドレスとCPUアドレス
とを切り換えて、リフレッシュ・タグ・メモリ309へ
の書き込みアドレスを発生させる。
アドレス・カウンタ1(305)は、タイミング生成器
303の出力を分周して、リフレッシュ・タグ・メモリ
309への書き込みアドレスおよび読み出しアドレスを
発生させる。
アドレス・カウンタ2(306)は、予め定められた単
位時間ごとに増加する時間データを発生させる。
定数発生器307は、ダイナミックRA M 301の
各ロウ・アドレスの次のりフレノンユ時期を定める定数
を発生させる。
加算器308は、アドレス・カウンタ2 (306)の
出力と定数発生器307の出力とを加算した値をリフレ
ッシュ・タグ・メモリ309ヘダイナミノクRAM30
1の各ロウ・アドレスの次のリフレッシュ時期に関する
データとして出力する。
リフレッシュ・タグ・メモリ309は、ダイナミックR
AM301の各ロウ・アドレスのリフレッシュ時期に関
するデータを格納する。
一致検出器310は、リフレッシュ・タグ・メモリ30
9からのダイナミックRAM301の各ロウ・アドレス
の次のリフレッシュ時期に関するデータとアドレス・カ
ウンタ2(306)の出力とが一致するかどうかを検出
し、一致する場合には一致信号を出力し、タイミング生
成器303ヘダイナミツクRAM301の該当するロウ
・アドレスをリフレッシュするための要求信号を出力す
る。
以下、第3図の動作を説明する。
リフレッシュ・タグ・メモリ309には、ダイナミック
RAM301のロウの数に相当する格納場所が用意され
ている。各格納場所には、それに対応するダイナミック
RAM301のロウのリフレッシュ時期に関するデータ
が格納されている。
アドレス・カウンタ1(305)が発生させる読み出し
アドレスに従って、リフレッシュ・タグ・メモリ309
の各格納場所を順次走査して、格納されているデータを
読み出す。
読み出されたデータは、一致検出器310によりアドレ
ス・カウンタ2(306)の出力と比較される。その結
果、読み出されたデータとアドレス・カウンタ2(30
6)の出力とが一致すれば。
一致検出器310は一致信号を出力し、タイミング生成
器303に対してダイナミックRAM301の対応する
ロウ・アドレスのリフレッシュ要求がなされる。
リフレッシュ要求がなされると、タイミング生成器30
3は、ダイナミックRAM301ヘメモリ制御信号を送
出すると共にアドレス・マルチプレクサ302ヘアドレ
ス切り替え信号を送出する。
アドレス・マルチプレクサ302は、cpuアドレス信
号からアドレス・カウンタ1(305)が発生させるリ
フレッシュ・アドレスへアドレス信号を切り替えて、ダ
イナミックRAM301ヘメモリ・アドレス信号として
送出する。
ダイナミックRAM301の8亥当するロウ・アドレス
は、アドレス・マルチプレクサ302からのリフレッシ
ュ・アドレスに従ってリフレッシュされる。
この時、同時に、アドレス・カウンタ2 (306)の
出力と定数発生器307が発生させる定数とを加算器3
08により加算した値がリフレッシュ・タグ・メモリ3
09の該当する格納場所に書き込まれる。このイ直は、
当該ロウ・アドレスの次回のリフレッシュ時期を表して
いる。
CPUがダイナミックRAM301に対して行う、デー
タの書き込み、データの読み出しなどの通常のメモリ・
アクセス時には、メモリ・アクセス終了後に自動的に該
当するロウ・アドレスがリフレッシュされるので、リフ
レッシュ・タグ・メモリ309の該当する格納場所には
、アドレス・カウンタ2(306)の出力と定数発生器
307が発生させる定数とを加算器308により加算し
た値が書き込まれる。この値も、当該ロウ・アドレスの
次回のリフレッシュ時期を表している。
第4図は、リフレッシュ・タグ・メモリの動作説明図で
ある。
以下、第3図および第4図を用いて、リフレッシュ・タ
グ・メモリの動作を詳細に説明する。
リフレッシュ・タグ・メモリ309は1例えば。
ダイナミックRAM301が256KDRAMの場合、
256X−8ビツトのスタティックRAMからなる。
CPUがダイナミックRAM301をアクセスしていな
い場合には、リフレッシュ・タグ・メモI7309のア
ドレス・カウンタ1(305)の出力により指定された
アドレスのデータが読み出されて一致検出器310へ送
られる。一致検出器310は、リフレッシュ・タグ・メ
モリ309の読み出しデータとアドレス・カウンタ2(
306)の出力とを比較し2両者が一致していれば一致
信号を出力し、タイミング生成器303ヘダイナミツク
RAM301のリフレッシュを要求する。
CPtJがダイナミックRAM301をアクセスしてい
る場合には、メモリ・アクセス・サイクルを前半と後半
とに分けてリフレッシュ・タグ・メモリ309がアクセ
スされる。メモリ・アクセス・サイクルの前半では、ア
ドレス・カウンタ1(305)の出力値に従ってリフレ
ッシュ・タグ・メモリ309が走査される。また、メモ
リ・アクセス・サイクルの後半では、リフレッシュ・タ
グ・メモリ309のCPUからのロウ・アドレスで指定
されたアドレスに、加算器308の出力値が書き込まれ
る。すなわち、リフレッシュ・タグ・メモリ309のC
PUからのロウ・アドレスで指定されたアドレスに1次
にリフレッシュが必要な時期に関するデータが書き込ま
れる。
ダイナミックRAM301に対してリフレッシュが行わ
れる場合、アドレス・カウンタ1 (305)の値が、
リフレッシュを行うべきロウ・アドレスとなり、また、
リフレッシュ・タグ・メモリ309に対して加算器30
8の出力値を書き込むアドレスとなる。
第5図はタイミング図(その1)、第6図はリフレッシ
ュ・タグ・メモリの変化を示す図である。
以下、第5図および第6図を用いて2本実施例の各部の
動作を具体的に説明する。
この具体例では、ダイナミックRAMのロウ・アドレス
の数を8.定数発生器が発生させる定数を14に設定し
である。
(A)システムがリセットされる。リフレッシュ・タグ
・メモリの内容は、全て“0”となる。
(B)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス0がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に“14°が書き込まれる。
(C)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス1がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に14”が書き込まれる。
(D)ダイナミックRAMのロウ・アドレス7がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に“14”が書き込まれる。
(E)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス0が読み出
される。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する格納場
所に、定数発生器の出力値“14゛とアドレス・カウン
タ2の出力値“1”とを加算した値″15”が書き込ま
れる。
(F)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス2に書き込
みがなされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に、定数発生器の出力値“14″とアドレス・
カウンタ2の出力値“1”とを加算した値“15”が書
き込まれる。
(G)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス5が読み出
される。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する格納場
所に、定数発生器の出力値“14″とアドレス・カウン
タ2の出力値“2″とを加算した値″16”が書き込ま
れる。
(H)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス1がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に、定数発生器の出力値“14”とアドレス・
カウンタ2の出力値“14”とを加算した値“28”が
書き込まれる。
(+)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス3゜4.6
.7がリフレッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモ
リの該当する格納場所に、定数発生器の出力値“14”
とアドレス・カウンタ2の出力値“14”とを加算した
値“28”が書き込まれる。
(J)ダイナミックRAM0ロウ・アドレスOがリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に、定数発生器の出力値″14″とアドレス・
カウンタ2の出力値″15゛とを加算した値“29”が
書き込まれる。
(K)ダイナミックRAMのロウ・アドレス2がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に、定数発生器の出力値“14″とアドレス・
カウンタ2の出力値″15゛とを加算した値“29”が
書き込まれる。
(L)ダイナミックRAM0ロウ・アドレス5がリフレ
ッシュされる。リフレッシュ・タグ・メモリの該当する
格納場所に、定数発生器の出力値“14”とアドレス・
カウンタ2の出力値“16”とを加算した値“30”が
書き込まれる。
第7図はリフレッシュ・タグ・メモリの内容の例を示す
図、第8図はタイミング図(その2)である。
以下、第7図および第8図を用いて、上述した各々の定
数が一般的な値の場合の各部の動作を説明する。
nは、リフレッシュを行うロウ・アドレスの数である。
例えば、256KDRAMの場合、256である。
mは、リフレッシュ・タグ・メモリに書き込むことので
きる最大値であり、アドレス・カウンタ2の最大値とも
等しい。例えば、リフレッシュ・タグ・メモリとして2
56X8ビツトのスタティックRAMを用いた場合、2
56である。
Xは、定数発生器が発生させる定数である。例えば、リ
フレッシュ周期が4ms、メモリ・サイクルが500n
sの256KDRAMの場合、4ms÷(500nsx
256)=3t、zsとなるから、X=30となる。
また1mの値はX+1以上でなくてはならず。
リフレッシュ・タグ・メモリに書き込む値やアドレス・
カウンタ2の値がm以上となる時にはmによる剰余が設
定される。
いま、リフレッシュ・タグ・メモリの内容が第7図に示
すように設定されているものとする。そうすると、各部
の動作は、第8図に示すようになる。
すなわち、メモリ・アクセス(イ)がロウ・アドレスi
に対して行われると、リフレッシュ・タグ・メモリのア
ドレスiには値Xが書き込まれ。
約4ms後にリフレッシュ要求(ホ)が発生し。
リフレッシュが行われる。
また9m−2がXX2と等しい場合、リフレッシュ要求
(へ)の後、約4ms経過した時点でリフレッシュ要求
(ト)が発生する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ダイナミックRAMのリフレッシュを
効率よ〈実施することができるようになる。
256KDRAMを例にとると、cpuによって約4m
s以内に256のロウ・アドレスが全てアクセスされる
とリフレッシュ要求は発生しなくなり、cpuアクセス
時にリフレッシュ・サイクルによる時間の損失がなくな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の作用説
明図、第3図は本発明の1実施例構成図。 第4図はリフレッシュ・タグ・メモリの動作説明図、第
5図はタイミング図(その1)、第6図はリフレッシュ
・タグ・メモリの変化を示す図、第7図はりフレノシエ
・タグ・メモリの内容の例を示す図、第8図はタイミン
グ図(その2)、第9図は従来例を示す図である。 第1図において 1:CPU 2:ダイナミックRAM 3:リフレッシュ制御回路 4:リフレッシュ・タグ・メモリ 5:時間データ発生器 6:定数発生器 7:加算器 8ニ一致検出器 特許出願人  株式会社ビーエフニー 代理人弁理士 長谷用 文廣(外2名)本発明の原理説
明図 第1図 T!ni[′1 1                      \N
c)  フ第8図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 CPU(1)と、CPU(1)によりアクセスされるダ
    イナミックRAM(2)と、ダイナミックRAM(2)
    のリフレッシュを制御するリフレッシュ制御回路(3)
    と、ダイナミックRAM(2)の各ロウ・アドレスのリ
    フレッシュ時期に関するデータを格納するリフレッシュ
    ・タグ・メモリ(4)とをそなえ、 リフレッシュ制御回路(3)は、 予め定められた単位時間ごとに増加する時間データを発
    生させる時間データ発生器(5)と、ダイナミックRA
    M(2)の各ロウ・アドレスの次のリフレッシュ時期を
    定める定数を発生させる定数発生器(6)と、 時間データ発生器(5)の出力と定数発生器(6)の出
    力とを加算してリフレッシュ・タグ・メモリ(4)へダ
    イナミックRAM(2)の各ロウ・アドレスの次のリフ
    レッシュ時期に関するデータを出力する加算器(7)と
    、 リフレッシュ・タグ・メモリ(4)からのダイナミック
    RAM(2)の各ロウ・アドレスの次のリフレッシュ時
    期に関するデータと時間データ発生器(5)の出力とが
    一致するかどうかを検出し、一致する場合にはダイナミ
    ックRAM(2)の該当するロウ・アドレスをリフレッ
    シュするための制御信号を出力する一致検出器(8)と
    、 からなることを特徴とするメモリのリフレッシュ制御回
    路。
JP63019007A 1988-01-29 1988-01-29 メモリのリフレッシュ制御回路 Pending JPH01194193A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63019007A JPH01194193A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 メモリのリフレッシュ制御回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63019007A JPH01194193A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 メモリのリフレッシュ制御回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01194193A true JPH01194193A (ja) 1989-08-04

Family

ID=11987454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63019007A Pending JPH01194193A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 メモリのリフレッシュ制御回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01194193A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7551504B2 (en) 2006-04-06 2009-06-23 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus and method of detecting refresh cycle of semiconductor memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7551504B2 (en) 2006-04-06 2009-06-23 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus and method of detecting refresh cycle of semiconductor memory

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7707328B2 (en) Memory access control circuit
US6859407B1 (en) Memory with auto refresh to designated banks
JPH11134243A (ja) 記憶装置の制御装置及びデータ処理システムにおける記憶装置の制御方法
JPS6213758B2 (ja)
US20060059320A1 (en) Memory control device
US4779232A (en) Partial write control apparatus
US7043598B2 (en) Method and apparatus for dynamic memory refreshing
JPH01194193A (ja) メモリのリフレッシュ制御回路
JPH0652678A (ja) 半導体記憶装置
US6094397A (en) Method and apparatus for addressing multi-bank memory
JPS63114000A (ja) ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリの制御方式
JP2606675B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0525331B2 (ja)
JPH0561769A (ja) メモリ・アクセス方法
JP2600137Y2 (ja) メモリ増設装置
JP3318125B2 (ja) Dram制御回路
JP3389152B2 (ja) Dram制御回路
JPS586232B2 (ja) メモリ装置
JPH04362594A (ja) メモリバックアップ制御装置
JPH047761A (ja) メモリアクセス方法
JPH06103026A (ja) メモリシステム
JP3701951B2 (ja) プロセッサ、主記憶制御装置及び同期型ダイナミックメモリを用いたプロセッサシステム
JPH10320975A (ja) 半導体型記憶装置
JP3866259B2 (ja) プロセッサ
JPH08161887A (ja) メモリリフレッシュ制御方法及び制御装置