JPH01192793A - 液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 - Google Patents
液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH01192793A JPH01192793A JP1660288A JP1660288A JPH01192793A JP H01192793 A JPH01192793 A JP H01192793A JP 1660288 A JP1660288 A JP 1660288A JP 1660288 A JP1660288 A JP 1660288A JP H01192793 A JPH01192793 A JP H01192793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- crystal
- single crystal
- melt
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は化合物半導体であるＧａＡｓ単結晶を液体封止
引上法（以下ＬＥＣ法と略記）により製造する方法に関
するものである。
引上法（以下ＬＥＣ法と略記）により製造する方法に関
するものである。
このＬＥＣ法は第５図に示すように高圧容器（２）内に
加熱用ヒーター（３）によって加熱されるグラファイト
製ルツボ受は具（９）が下軸シャフト（１０）により回
転自在に支持され、該受は具（９）内には石英製または
ＰＢＮ製のルツボ（１）が内接した高圧引上げ装置を用
い次の手順で結晶成長を行なう。
加熱用ヒーター（３）によって加熱されるグラファイト
製ルツボ受は具（９）が下軸シャフト（１０）により回
転自在に支持され、該受は具（９）内には石英製または
ＰＢＮ製のルツボ（１）が内接した高圧引上げ装置を用
い次の手順で結晶成長を行なう。
原料のＧａおよびＡＳをルツボ（１）内に充填しその上
に液体封止剤としてＢ２Ｏ３を被せ、外部に設けられた
排気装置（図示していない）により高圧容器（２）内を
排気した後該高圧容器（２）内に不活性ガスを数気圧程
度の圧力で充填し加熱ヒーター（３）でルツボ受は具（
９）を徐々に加熱した８２０３を溶融して溶融Ｂ２０３
（８）として原料を被覆する。その後高圧容器（２）内
のガス圧を３０〜７０気圧程度に上昇し、ルツボ（１）
内の原料の温度をＧａＡｓの融点１２３８℃以上に加熱
してＧａＡｓの直接合成および溶融を行なう。原料溶融
後未反応の過剰ＡＳを除くために高圧容器（２）内を数
気圧程度に減圧し、その後再び不活性ガスを導入して加
圧しＧａＡｓ融液（５）の温度を調節して上軸シャフト
（６）の下端に設けたＧａＡｓの種結晶（４）をＧａＡ
ｓ融液（５）の液面に接触させた後、上軸シャフト（６
）の引上げ速度、上軸シャフト（６）および下軸シャフ
ト（１０）の回転速度等を適正に制御してＧａＡｓ単結
晶（７）の引上げ成長を行なう。
に液体封止剤としてＢ２Ｏ３を被せ、外部に設けられた
排気装置（図示していない）により高圧容器（２）内を
排気した後該高圧容器（２）内に不活性ガスを数気圧程
度の圧力で充填し加熱ヒーター（３）でルツボ受は具（
９）を徐々に加熱した８２０３を溶融して溶融Ｂ２０３
（８）として原料を被覆する。その後高圧容器（２）内
のガス圧を３０〜７０気圧程度に上昇し、ルツボ（１）
内の原料の温度をＧａＡｓの融点１２３８℃以上に加熱
してＧａＡｓの直接合成および溶融を行なう。原料溶融
後未反応の過剰ＡＳを除くために高圧容器（２）内を数
気圧程度に減圧し、その後再び不活性ガスを導入して加
圧しＧａＡｓ融液（５）の温度を調節して上軸シャフト
（６）の下端に設けたＧａＡｓの種結晶（４）をＧａＡ
ｓ融液（５）の液面に接触させた後、上軸シャフト（６
）の引上げ速度、上軸シャフト（６）および下軸シャフ
ト（１０）の回転速度等を適正に制御してＧａＡｓ単結
晶（７）の引上げ成長を行なう。
このような従来のＬＥＣ法では不活性ガスとしてＡｒま
たはＮガスを用いて加圧後に加熱して結晶成長を実施し
ているが、成長したＧａＡｓ結晶中に含有しているカー
ボン量は結晶の成長方向で大きく異なっており、電気特
性の不均一をもたらしていた。ざらに液体封止剤中の水
分量によって特に結晶の初期のカーボン量が異なり、結
晶間にバラツキが生じていた。
たはＮガスを用いて加圧後に加熱して結晶成長を実施し
ているが、成長したＧａＡｓ結晶中に含有しているカー
ボン量は結晶の成長方向で大きく異なっており、電気特
性の不均一をもたらしていた。ざらに液体封止剤中の水
分量によって特に結晶の初期のカーボン量が異なり、結
晶間にバラツキが生じていた。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、ＬＥＣ法によりＧ
ａＡｓ単結晶の引上げを行なうのに際して高圧容器内の
雰囲気ガスとして不活性ガスにＣＯ２および／またはＣ
ＯＮガス規定濃度混入し結晶中に取り込まれる炭素濃度
を結晶全長にわたって均一に分布させた液体封止引上法
によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を開発したものである
。
ａＡｓ単結晶の引上げを行なうのに際して高圧容器内の
雰囲気ガスとして不活性ガスにＣＯ２および／またはＣ
ＯＮガス規定濃度混入し結晶中に取り込まれる炭素濃度
を結晶全長にわたって均一に分布させた液体封止引上法
によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を開発したものである
。
即ち本発明の１つは不活性ガスで加圧した容器内にＧａ
Ａｓ融液と該融液の上面を覆う液体封止剤を収納した加
熱ルツボを設置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａＡｓ
融液上面に接触させて回転させながら引き上げることに
よりＧａＡｓ単結晶を製造する方法において、不活性ガ
ス中にＣＯ２および／またはＣＯＮガス０．０１〜０．
１％混入させることにより成長結晶中の炭素濃度を１ｘ
１０１５〜５ Ｘ １０１６ ｃｍ−３の範囲で制御
することを特徴とするものであり、ＣＯ２および／また
はＣＯＮガス混入した混合ガスの圧力を３〜７０に’Ｊ
／ｃｒｉの範囲で制御するのが有効である。
Ａｓ融液と該融液の上面を覆う液体封止剤を収納した加
熱ルツボを設置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａＡｓ
融液上面に接触させて回転させながら引き上げることに
よりＧａＡｓ単結晶を製造する方法において、不活性ガ
ス中にＣＯ２および／またはＣＯＮガス０．０１〜０．
１％混入させることにより成長結晶中の炭素濃度を１ｘ
１０１５〜５ Ｘ １０１６ ｃｍ−３の範囲で制御
することを特徴とするものであり、ＣＯ２および／また
はＣＯＮガス混入した混合ガスの圧力を３〜７０に’Ｊ
／ｃｒｉの範囲で制御するのが有効である。
また本発明の他の１つは不活性ガスで加圧した容器内に
ＧａＡｓ融液と該融液の上面を覆う液体封止剤を収納し
た加熱ルツボを設置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａ
Ａｓ融液上面に接触させて回転させながら引き上げるこ
とによりＧａＡｓ単結晶を製造する方法において、不活
性ガス中にＣＯｚおよび／またはＣＯＮガス０、０１〜
０．１％混入させさらに液体封止剤中に水を１００〜５
００ｐｐｐｍ含有させることにより成長結晶中の炭素濃
度を’ｌ Ｘ １０１５〜５ Ｘ １０１” Ｃｆｆ１
−３の範囲で制御することを特徴とするものであり、Ｃ
Ｏ２および／またはＣＯＮガス混入した混合ガスの圧力
を３〜７０に！Ｊ／−の範囲で制御するのが有効である
。
ＧａＡｓ融液と該融液の上面を覆う液体封止剤を収納し
た加熱ルツボを設置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａ
Ａｓ融液上面に接触させて回転させながら引き上げるこ
とによりＧａＡｓ単結晶を製造する方法において、不活
性ガス中にＣＯｚおよび／またはＣＯＮガス０、０１〜
０．１％混入させさらに液体封止剤中に水を１００〜５
００ｐｐｐｍ含有させることにより成長結晶中の炭素濃
度を’ｌ Ｘ １０１５〜５ Ｘ １０１” Ｃｆｆ１
−３の範囲で制御することを特徴とするものであり、Ｃ
Ｏ２および／またはＣＯＮガス混入した混合ガスの圧力
を３〜７０に！Ｊ／−の範囲で制御するのが有効である
。
このように不活性ガスに混入するＣＯ２および／または
ＣＯＮガス濃度を０．０１〜０．１％と限定したのは０
．０１％未満では成長結晶が半導体として必要な比抵抗
値、即ち１０７Ω−ｃｍ以上が得られない恐れがあるた
めであり、０．１％を超えると結晶中に炭素が析出して
熱変成によりデバイスとしての品質が著しく劣化してし
まうからである。
ＣＯＮガス濃度を０．０１〜０．１％と限定したのは０
．０１％未満では成長結晶が半導体として必要な比抵抗
値、即ち１０７Ω−ｃｍ以上が得られない恐れがあるた
めであり、０．１％を超えると結晶中に炭素が析出して
熱変成によりデバイスとしての品質が著しく劣化してし
まうからである。
そして雰囲気ガス組成をこの範囲に制御することにより
成長したＧａＡｓ単結晶中の砒素格子点に置換した炭素
原子数で表わす炭素濃度を１Ｘ１０１５〜５ Ｘ １０
１６ｃｍ−３の範囲に抑えることができ、ＧａＡｓ単結
晶の比抵抗と炭素濃度との理論計算結果を示す第６図か
ら、この範囲の炭素濃度であれば比抵抗は１０７Ω−ｍ
以上の半絶縁性を十分に確保できるものである。
成長したＧａＡｓ単結晶中の砒素格子点に置換した炭素
原子数で表わす炭素濃度を１Ｘ１０１５〜５ Ｘ １０
１６ｃｍ−３の範囲に抑えることができ、ＧａＡｓ単結
晶の比抵抗と炭素濃度との理論計算結果を示す第６図か
ら、この範囲の炭素濃度であれば比抵抗は１０７Ω−ｍ
以上の半絶縁性を十分に確保できるものである。
次に本発明を実施例により説明する。
実施例（１）
第５図に示す高圧引上げ装置を用いてＬＥＣ法によりＧ
ａＡｓ単結晶の成長を行なった。
ａＡｓ単結晶の成長を行なった。
ＰＢＮ製のルツボ（１）内にＧａ原料１９００９、ＡＳ
原料２１００ｇを入れ、その上に液体封止剤として８２
０３を７００ ！ｉＦ装填する。高圧容器（２）内を図
示していない外部排気装置により排気俊不活性ガスとし
てＡｒを数気圧程度に加圧して該容器（２）内に充填し
、その後加熱ヒーター（３）を用いてＢ２Ｏ３を溶融す
る。しかる後高圧容器（２）内の圧力を７０Ｋｇ／ｃｄ
に加圧して加熱ヒーター（３）によりざらに加熱しく３
ａとＡｓを直接合成させた後ＧａＡｓの溶融を行なう。
原料２１００ｇを入れ、その上に液体封止剤として８２
０３を７００ ！ｉＦ装填する。高圧容器（２）内を図
示していない外部排気装置により排気俊不活性ガスとし
てＡｒを数気圧程度に加圧して該容器（２）内に充填し
、その後加熱ヒーター（３）を用いてＢ２Ｏ３を溶融す
る。しかる後高圧容器（２）内の圧力を７０Ｋｇ／ｃｄ
に加圧して加熱ヒーター（３）によりざらに加熱しく３
ａとＡｓを直接合成させた後ＧａＡｓの溶融を行なう。
その後未反応の過剰なＡＳを除くため３気圧に減圧して
３０分間静置した。
３０分間静置した。
そして再び加圧する際に従来のように不活性ガス単体で
はなくＣＯ２を微量混合した混合ガスを高圧容器（２）
内に充填して該容器（２）内のＣ■濃度が０．０１．０
．０５及び０．１％の３種類になるように調整した。そ
の後それぞれのＣ０２ａ度の高圧容器内を約４０Ｋｙ／
ｃｒｉに加圧して融液の温度を調節し、種結晶（４）を
ＧａＡｓ融液（５）面に接触させて上軸シャフト（６）
の引上げ速度を５ｓ／ｈｒ、種結晶の回転速度を時計方
向に６ｒｐｍ 、ルツボの回転速度を半時針目りに２Ｏ
ｒｐｍとしてＧａＡｓ単結晶（７）を成長させた。
はなくＣＯ２を微量混合した混合ガスを高圧容器（２）
内に充填して該容器（２）内のＣ■濃度が０．０１．０
．０５及び０．１％の３種類になるように調整した。そ
の後それぞれのＣ０２ａ度の高圧容器内を約４０Ｋｙ／
ｃｒｉに加圧して融液の温度を調節し、種結晶（４）を
ＧａＡｓ融液（５）面に接触させて上軸シャフト（６）
の引上げ速度を５ｓ／ｈｒ、種結晶の回転速度を時計方
向に６ｒｐｍ 、ルツボの回転速度を半時針目りに２Ｏ
ｒｐｍとしてＧａＡｓ単結晶（７）を成長させた。
成長したＧａＡｓ単結晶中の炭素濃度と雰囲気ガス中の
ＣＯ２混合率との関係を調べ、その結果を第１図に示す
。なおこの時用いたＢ２Ｏ３中の水分量は３００ Ｗｔ
” Ｉ）Ｉ）ｍであった。さらにこの成長結晶の比抵
抗と炭素濃度の関係について上記結果に基づいて調べそ
の結果を第２図に示した。
ＣＯ２混合率との関係を調べ、その結果を第１図に示す
。なおこの時用いたＢ２Ｏ３中の水分量は３００ Ｗｔ
” Ｉ）Ｉ）ｍであった。さらにこの成長結晶の比抵
抗と炭素濃度の関係について上記結果に基づいて調べそ
の結果を第２図に示した。
第１図より明らかなようにＣＯｚ混合率が０．０１〜０
．１％であればＧａＡｓ単結晶中の炭素濃度は２ Ｘ
１０１５〜１ Ｘ １０１６ｃｍ’であり、理論計算に
基づく第６図から良好な電気特性をもつことがわかる。
．１％であればＧａＡｓ単結晶中の炭素濃度は２ Ｘ
１０１５〜１ Ｘ １０１６ｃｍ’であり、理論計算に
基づく第６図から良好な電気特性をもつことがわかる。
そして第２図に示す比抵抗と炭素濃度との関係は第６図
に示す理論計算とよく一致しているので雰囲気ガス中の
ＣＯ２もしくはＣＯの混合率によりＧａＡｓ単結晶中の
炭素濃度のレベルひいては電気特性を制御することが可
能であることがわかる。
に示す理論計算とよく一致しているので雰囲気ガス中の
ＣＯ２もしくはＣＯの混合率によりＧａＡｓ単結晶中の
炭素濃度のレベルひいては電気特性を制御することが可
能であることがわかる。
実施例（２）
実施例（１）と同様に第５図に示す高圧引上げ装置を用
い液体封止剤として用いるＢ２Ｏ３中に含有する水分量
をそれぞれ１００ 、３００及び５００ｗｔ −ｐｐｍ
としてＧａＡｓ単結晶を育成した場合の結晶中の炭素濃
度について高圧容器内の混合ガス中のＣＯ２濃度をパラ
メーターにして実測した結果を第３図及び第４図に示す
。
い液体封止剤として用いるＢ２Ｏ３中に含有する水分量
をそれぞれ１００ 、３００及び５００ｗｔ −ｐｐｍ
としてＧａＡｓ単結晶を育成した場合の結晶中の炭素濃
度について高圧容器内の混合ガス中のＣＯ２濃度をパラ
メーターにして実測した結果を第３図及び第４図に示す
。
第３図の場合は成長結晶径が３インチの場合であり、成
長条件は第５図により説明するとルツボ（１）径は６イ
ンチ、ＧａＡｓ融液（５）の重量は約４ Ｋ’Ｊ、融液
Ｂ２０３（８）の重量は７００ ｇであってその他の条
件は実施例（１）の条件に準じている。
長条件は第５図により説明するとルツボ（１）径は６イ
ンチ、ＧａＡｓ融液（５）の重量は約４ Ｋ’Ｊ、融液
Ｂ２０３（８）の重量は７００ ｇであってその他の条
件は実施例（１）の条件に準じている。
第４図の場合は成長結晶径が２インチの場合であり、成
長条件はルツボ（１）径は４インチ、ＧａＡｓ融液（５
）の重量は約１．４５Ｎｔｊ、融液Ｂ２０３（８）の重
量は２００ ｇであって、その他の条件は実施例（１）
の条件に準じている。
長条件はルツボ（１）径は４インチ、ＧａＡｓ融液（５
）の重量は約１．４５Ｎｔｊ、融液Ｂ２０３（８）の重
量は２００ ｇであって、その他の条件は実施例（１）
の条件に準じている。
上記いずれの場合も不活性ガスはＡｒを用い混入させる
ＣＯｚ濃度は０．０５％として実施した。
ＣＯｚ濃度は０．０５％として実施した。
第３図及び第４図より８２０３中の水分間が１００〜５
００ ｐｐｍの範囲内にあれば結晶中の炭素濃度はいず
れも’ｌ Ｘ １０１５〜５ Ｘ １０１’ ｃｍ−３
であることが明らかである。従って第６図の理論計算値
より良好な電気特性を有することがわかる。
００ ｐｐｍの範囲内にあれば結晶中の炭素濃度はいず
れも’ｌ Ｘ １０１５〜５ Ｘ １０１’ ｃｍ−３
であることが明らかである。従って第６図の理論計算値
より良好な電気特性を有することがわかる。
即ちいずれの場合においてもＢ２Ｏ３中の水分量と不活
性ガス中のＣＯｚガス濃度を設定することにより結晶中
の炭素濃度を制御することができた。そしてざらにこの
結果結晶の電気特性として比抵抗の制御を行うことが可
能になった。
性ガス中のＣＯｚガス濃度を設定することにより結晶中
の炭素濃度を制御することができた。そしてざらにこの
結果結晶の電気特性として比抵抗の制御を行うことが可
能になった。
このように本発明のＧａＡｓ単結晶の引上げ法による製
造方法において高圧容器内の雰囲気ガス中のＣＯ２濃度
を０．０１〜０．１％の範囲で規定の濃度に設定し、ま
たは液体封止剤としての８２０３中の水分量を１００〜
５００ Ｗｔ −ｐＩ）ｍの範囲で一定量含むものを用
いて前記のＣＯｚ濃度と組み合わせてＧａＡｓ結晶の成
長を行なうことによって結晶中に取り込まれる炭素濃度
を制御することができるようになった。従ってこれによ
りあらかじめ結晶中の炭素濃度を設定しておけば結晶の
比抵抗を制御することができ、ざらに結晶中及び結晶間
での特性の不均一をなくすことができるので高品質の結
晶が得られる。
造方法において高圧容器内の雰囲気ガス中のＣＯ２濃度
を０．０１〜０．１％の範囲で規定の濃度に設定し、ま
たは液体封止剤としての８２０３中の水分量を１００〜
５００ Ｗｔ −ｐＩ）ｍの範囲で一定量含むものを用
いて前記のＣＯｚ濃度と組み合わせてＧａＡｓ結晶の成
長を行なうことによって結晶中に取り込まれる炭素濃度
を制御することができるようになった。従ってこれによ
りあらかじめ結晶中の炭素濃度を設定しておけば結晶の
比抵抗を制御することができ、ざらに結晶中及び結晶間
での特性の不均一をなくすことができるので高品質の結
晶が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のＧａＡｓ結晶中の炭素濃度
と雰囲気ガス中のＣＯｚ混合率の関係を示す実測図、第
２図は当該実施例のＧａＡｓ結晶の比抵抗と炭素濃度の
関係を示す実測図、第３図は本発明の他の実施例である
ＣＯ２濃度濃度ＯＳ％、成長結晶径３インチの場合の８
２０３中の水分量と炭素濃度との関係を示す実測図、第
４図は本発明のざらに他の実施例のＣＯ２′ａ度０、０
５％、成長結晶径２インチの場合の８２０３中の水分量
と炭素濃度の関係を示す実測図、第５図は高圧引上げ装
置を示す側断面図、第６図はＧａＡｓ結晶の比抵抗と炭
素濃度との理論計算に基づく関係を示す関係図でおる。 １・・・・・・・・ルツボ ２・・・・・・・・高圧容器 、 ３・・・・・・・・加熱ヒーター４・・・・・・
・・種結晶 ５・・・・・・・・ＧａＡｓ融液 ６・・・・・・・・上軸シャフト ７・・・・・・・・ＧａＡｓ単結晶 ８・・・・・・・・溶融Ｂ２０３ ９・・・・・・・・ルツボ受は具 １０・・・・・・・・下軸シャフト 第１図 Ｃ０２）見合＋（％］ 第５図 第６図 炭ｔ）良度（ｃｍ−３１
と雰囲気ガス中のＣＯｚ混合率の関係を示す実測図、第
２図は当該実施例のＧａＡｓ結晶の比抵抗と炭素濃度の
関係を示す実測図、第３図は本発明の他の実施例である
ＣＯ２濃度濃度ＯＳ％、成長結晶径３インチの場合の８
２０３中の水分量と炭素濃度との関係を示す実測図、第
４図は本発明のざらに他の実施例のＣＯ２′ａ度０、０
５％、成長結晶径２インチの場合の８２０３中の水分量
と炭素濃度の関係を示す実測図、第５図は高圧引上げ装
置を示す側断面図、第６図はＧａＡｓ結晶の比抵抗と炭
素濃度との理論計算に基づく関係を示す関係図でおる。 １・・・・・・・・ルツボ ２・・・・・・・・高圧容器 、 ３・・・・・・・・加熱ヒーター４・・・・・・
・・種結晶 ５・・・・・・・・ＧａＡｓ融液 ６・・・・・・・・上軸シャフト ７・・・・・・・・ＧａＡｓ単結晶 ８・・・・・・・・溶融Ｂ２０３ ９・・・・・・・・ルツボ受は具 １０・・・・・・・・下軸シャフト 第１図 Ｃ０２）見合＋（％］ 第５図 第６図 炭ｔ）良度（ｃｍ−３１
Claims (4)
- （１）不活性ガスで加圧した容器内にＧａＡｓ融液と該
融液の上面を覆う液体封止剤を収納した加熱ルツボを設
置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａＡｓ融液上面に接
触させて回転させながら引き上げることによりＧａＡｓ
単結晶を製造する方法において、不活性ガス中にＣＯ＿
２および／またはＣＯガスを０．０１〜０．１％混入さ
せることにより成長結晶中の炭素濃度を１×１０＾１＾
５〜５×１０＾１＾６ｃｍ＾−＾３の範囲で制御するこ
とを特徴とする液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の
製造方法。 - （２）不活性ガス中にＣＯ＿２および／またはＣＯガス
を混入した混合ガスの圧力を３〜７０ｋｇ／ｃｍ＾２の
範囲で制御する請求項１記載の液体封止引上法によるＧ
ａＡｓ単結晶の製造方法。 - （３）不活性ガスで加圧した容器内にＧａＡｓ融液と該
融液の上面を覆う液体封止剤を収納した加熱ルツボを設
置し、ＧａＡｓ単結晶の種結晶をＧａＡｓ融液上面に接
触させて回転させながら引き上げることによりＧａＡｓ
単結晶を製造する方法において、不活性ガス中にＣＯ＿
２および／またはＣＯガスを０．０１〜０．１％混入さ
せさらに液体封止剤中に水を１００〜５００ｐｐｐｍ含
有させることにより成長結晶中の炭素濃度を１×１０＾
１＾５〜５×１０＾１＾６ｃｍ＾−＾３の範囲で制御す
ることを特徴とする液体封止引上法によるＧａＡｓ単結
晶の製造方法。 - （４）不活性ガスにＣＯ＿２および／またはＣＯガスを
混入した混合ガスの圧力を３〜７０ｋｇ／ｃｍ＾２の範
囲で制御する請求項３記載の液体封止引上法によるＧａ
Ａｓ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1660288A JPH01192793A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1660288A JPH01192793A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192793A true JPH01192793A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11920846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1660288A Pending JPH01192793A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172098A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230700A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
| JPS62230694A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Toshiba Corp | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP1660288A patent/JPH01192793A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230700A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体単結晶およびその製造方法 |
| JPS62230694A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Toshiba Corp | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172098A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6046075B2 (ja) | 半導体化合物単結晶の成長法 | |
| US6302956B1 (en) | Langasite wafer and method of producing same | |
| JPH01192793A (ja) | 液体封止引上法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH0234597A (ja) | 水平ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法 | |
| US3607752A (en) | Process for the culture of large monocrystals of lithium niobate | |
| Bernardi | Slider LPE growth of MCT using in situ Te-solution preparation | |
| JPS61151094A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH069290A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPS63185898A (ja) | 高抵抗ＣｄＴｅ結晶及びその作成方法 | |
| CN1279732A (zh) | 垂直舟生长工艺用炉料及其应用 | |
| JPH06172098A (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH0329036B2 (ja) | ||
| Albert et al. | Preparation and characterization of semiconducting α-MoTe2 single crystals | |
| US4234376A (en) | Growth of single crystal beryllium oxide | |
| JPH0124760B2 (ja) | ||
| JPH02233588A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| US3600143A (en) | Growth of crystalline chalcogenide spinels | |
| JPH0551296A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH01212298A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH03252385A (ja) | 高解離圧単結晶の製造方法 | |
| JPS6389498A (ja) | 珪素添加砒化ガリウム単結晶の製造方法 | |
| JPS6153186A (ja) | 抵抗加熱用ヒ−タ | |
| JPS5935086A (ja) | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 | |
| CN1115428C (zh) | 一种硼化钇单晶的生长方法 | |
| JPH0717793A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 |