JPH01191447A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01191447A JPH01191447A JP1658388A JP1658388A JPH01191447A JP H01191447 A JPH01191447 A JP H01191447A JP 1658388 A JP1658388 A JP 1658388A JP 1658388 A JP1658388 A JP 1658388A JP H01191447 A JPH01191447 A JP H01191447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- gas
- insulating film
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims abstract description 19
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008486 TiSix Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置の製造方法のうち、タングステンシリサイド
からなる電極配線の形成方法に関し、絶縁膜の劣化を防
いで、且つ、コンタクト抵抗を低下させることを目的と
し、 六弗化タングステン（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４
）またはジシラン（Ｓｉ２ Ｈ６）との反応によって下
層のタングステンシリサイドを被着し、次に、六弗化タ
ングステン（ＷＦ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ
１２）との反応によって上層のタングステンシリサイド
を被着して、該２層膜からなるタングステンシリサイド
（ＷＳｉｘ）を形成する工程が含まれることを特徴とす
る。
からなる電極配線の形成方法に関し、絶縁膜の劣化を防
いで、且つ、コンタクト抵抗を低下させることを目的と
し、 六弗化タングステン（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４
）またはジシラン（Ｓｉ２ Ｈ６）との反応によって下
層のタングステンシリサイドを被着し、次に、六弗化タ
ングステン（ＷＦ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ
１２）との反応によって上層のタングステンシリサイド
を被着して、該２層膜からなるタングステンシリサイド
（ＷＳｉｘ）を形成する工程が含まれることを特徴とす
る。
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法のうち、タングステンシ
リサイドからなる電極配線の形成方法に関する。
リサイドからなる電極配線の形成方法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置においては、多数の素子
間を接続する電極配線が形成されており、その電極配線
の材料として、現在、タングステンシリサイドなどの高
融点金属シリサイドが使用されている。
間を接続する電極配線が形成されており、その電極配線
の材料として、現在、タングステンシリサイドなどの高
融点金属シリサイドが使用されている。
しかし、タングステンシリサイドなどの高融点金属シリ
サイド膜は素子特性への悪影響のないことが望まれる。
サイド膜は素子特性への悪影響のないことが望まれる。
［従来の技術］
さて、ＩＣが高集積化されて配線が長くなってくると、
配線層の抵抗分による動作遅延が問題となって、更に導
電性の良い電極配線が要望され、そのような高導電性電
極配線の材料として、タングステンシリサイド（ＷＳｉ
ｘ ） 、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ ） 、
チタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ ）などの高融点金属シ
リサイドが使用されるようになっている。且つ、このよ
うな電極配線はそのまま延在して、例えば、ゲート電極
として利用されている。
配線層の抵抗分による動作遅延が問題となって、更に導
電性の良い電極配線が要望され、そのような高導電性電
極配線の材料として、タングステンシリサイド（ＷＳｉ
ｘ ） 、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ ） 、
チタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ ）などの高融点金属シ
リサイドが使用されるようになっている。且つ、このよ
うな電極配線はそのまま延在して、例えば、ゲート電極
として利用されている。
更に、高融点金属シリサイドのうちで良く使用されるの
はタングステンシリサイドで、Ｗ Ｓ ｉ ｘ膜からな
るゲート電極が形成されており、第２図はそのゲート電
極２の断面図を示し、本例はドープド多結晶シリコン膜
２１（導電性多結晶シリコン膜）とＷ Ｓ ｉ ｘ膜２
２を積層した複合膜ゲート電極構造で、１は半導体基板
、３はゲート絶縁膜、４はフィールド絶縁膜、５はソー
ス・ドレイン領域である。
はタングステンシリサイドで、Ｗ Ｓ ｉ ｘ膜からな
るゲート電極が形成されており、第２図はそのゲート電
極２の断面図を示し、本例はドープド多結晶シリコン膜
２１（導電性多結晶シリコン膜）とＷ Ｓ ｉ ｘ膜２
２を積層した複合膜ゲート電極構造で、１は半導体基板
、３はゲート絶縁膜、４はフィールド絶縁膜、５はソー
ス・ドレイン領域である。
ここに、ゲート電極を複合膜構造としている理由は、Ｗ
Ｓｉｘ膜を直接ゲート絶縁膜上に形成すると、Ｗ Ｓ
ｉ ｘ膜がゲート絶縁膜と反応して、タングステン（Ｗ
）がゲート絶縁膜に入り込んで絶縁破壊を起こしたり、
また、ゲート絶縁膜からゲート電極（ＷＳｉｘ膜）が剥
離する等の問題が起こる。
Ｓｉｘ膜を直接ゲート絶縁膜上に形成すると、Ｗ Ｓ
ｉ ｘ膜がゲート絶縁膜と反応して、タングステン（Ｗ
）がゲート絶縁膜に入り込んで絶縁破壊を起こしたり、
また、ゲート絶縁膜からゲート電極（ＷＳｉｘ膜）が剥
離する等の問題が起こる。
また、ゲート電極は表面酸化する必要があり、ＷＳｉｘ
膜のみのゲート電極を酸化処理すると、膜中のシリコン
（Ｓｔ）が酸化され、ＷＳｉｘ膜はタングステンリンチ
になって、ストレスが増大して剥がれ易くなる。更に、
タングステンも酸化されるようになり、絶縁性も悪くな
る。従って、上記のような複合電極配線にすると、酸化
処理時にＷ Ｓ ｉ ｘ膜にシリコンが補充されて、高
融点金属の酸化膜が生成されにくくなり、５ｉ０２膜の
生成が主体になって、絶縁性が良くなる。このような理
由によって、複合膜電極配線の構造が採られており、ま
た、ゲート電極部分だけでなく、一般の配線も同様の複
合膜構造が用いられて、これを俗称、ポリサイドと呼ん
でいる。
膜のみのゲート電極を酸化処理すると、膜中のシリコン
（Ｓｔ）が酸化され、ＷＳｉｘ膜はタングステンリンチ
になって、ストレスが増大して剥がれ易くなる。更に、
タングステンも酸化されるようになり、絶縁性も悪くな
る。従って、上記のような複合電極配線にすると、酸化
処理時にＷ Ｓ ｉ ｘ膜にシリコンが補充されて、高
融点金属の酸化膜が生成されにくくなり、５ｉ０２膜の
生成が主体になって、絶縁性が良くなる。このような理
由によって、複合膜電極配線の構造が採られており、ま
た、ゲート電極部分だけでなく、一般の配線も同様の複
合膜構造が用いられて、これを俗称、ポリサイドと呼ん
でいる。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、このような複合膜構造のゲート電極としてド
ープド多結晶シリコン膜２１を被着した後、化学気相成
長（ＣＶ Ｄ）法によってＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２を成長
する工程において、このＷ Ｓ ｔ ｘ膜を六弗化タン
グステン（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４）またはジ
シラン（Ｓｉ２Ｈｓ ）との反応ガスによって被着させ
ると、そのＷ Ｓ ｉ ｘ膜の中に多数の弗素（Ｆ）ガ
スが含まれていて、例えば、分解温度３２５℃では１０
”／ｃＪ程度の弗素ガスが含まれる。この弗素ガスが次
工程の熱処理などによって拡散してゲート絶縁膜を劣化
させる欠点がある。なお、ここに、分解温度とは被着基
板を加熱する温度と同意味である。
ープド多結晶シリコン膜２１を被着した後、化学気相成
長（ＣＶ Ｄ）法によってＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２を成長
する工程において、このＷ Ｓ ｔ ｘ膜を六弗化タン
グステン（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４）またはジ
シラン（Ｓｉ２Ｈｓ ）との反応ガスによって被着させ
ると、そのＷ Ｓ ｉ ｘ膜の中に多数の弗素（Ｆ）ガ
スが含まれていて、例えば、分解温度３２５℃では１０
”／ｃＪ程度の弗素ガスが含まれる。この弗素ガスが次
工程の熱処理などによって拡散してゲート絶縁膜を劣化
させる欠点がある。なお、ここに、分解温度とは被着基
板を加熱する温度と同意味である。
従って、上記ガスの代わりに、六弗化タングステン＜Ｗ
Ｆ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）とを反応
させてＷＳｉｘ膜を被着させると、弗素ガス含有の少な
い膜が得られる。しかし、一方、この膜は多くの塩素（
ＣＩ）ガスを含む欠点があって、その塩素ガスはコンタ
クト抵抗を増加させる悪影響がある。
Ｆ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）とを反応
させてＷＳｉｘ膜を被着させると、弗素ガス含有の少な
い膜が得られる。しかし、一方、この膜は多くの塩素（
ＣＩ）ガスを含む欠点があって、その塩素ガスはコンタ
クト抵抗を増加させる悪影響がある。
本発明はこのような問題点を軽減させ、絶縁膜の劣化を
防いで絶縁品質を維持し、且つ、コンタクト抵抗を低下
させることを目的としたＷＳｉｘ膜の形成方法を提案す
るものである。
防いで絶縁品質を維持し、且つ、コンタクト抵抗を低下
させることを目的としたＷＳｉｘ膜の形成方法を提案す
るものである。
その目的は、六弗化タングステン（Ｗ Ｆ ｓ 、）と
モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（Ｓｉ２ Ｈｓ
）との反応によって下層のタングステンシリサイドを被
着し、次に、六弗化タングステン（Ｗ Ｆ ６）とジグ
ロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）との反応によって上層
のタングステンシリサイドを被着して、該２層膜からな
るタングステンシリサイド（Ｗ Ｓ ｉＸ）を形成する
工程が含まれる製造方法によって達成される。
モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（Ｓｉ２ Ｈｓ
）との反応によって下層のタングステンシリサイドを被
着し、次に、六弗化タングステン（Ｗ Ｆ ６）とジグ
ロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）との反応によって上層
のタングステンシリサイドを被着して、該２層膜からな
るタングステンシリサイド（Ｗ Ｓ ｉＸ）を形成する
工程が含まれる製造方法によって達成される。
即ち、本発明は下層として塩素ガスを含まないコンタク
ト性の良いＷ Ｓ ｉ ｘを被着し、上層として弗素ガ
ス含有の少ないＷ Ｓ ｉ ｘを被着して、コンタクト
抵抗を低下させ、且つ、絶縁膜の劣化を防いで、Ｗ Ｓ
ｉ ｘ膜によるＩＣへの悪影響を減少させる。
ト性の良いＷ Ｓ ｉ ｘを被着し、上層として弗素ガ
ス含有の少ないＷ Ｓ ｉ ｘを被着して、コンタクト
抵抗を低下させ、且つ、絶縁膜の劣化を防いで、Ｗ Ｓ
ｉ ｘ膜によるＩＣへの悪影響を減少させる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図［８１〜（ｄ＋は本発明にかかるゲート電極の形
成方法の工程順断面図を示している。
成方法の工程順断面図を示している。
第１図（ａｌ参照；フィールド絶縁膜４およびゲート絶
縁膜３を設けた半導体基板１上に、公知のＣＶＤ法によ
って膜厚２０００人のドープド多結晶シリコン膜２１を
被着する。
縁膜３を設けた半導体基板１上に、公知のＣＶＤ法によ
って膜厚２０００人のドープド多結晶シリコン膜２１を
被着する。
第１図（ｂｌ参照−次いで、基板を約３２５°Ｃに加熱
し、水素ガスをキャリアガスにして六弗化タングステン
（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４）との反応ガスを１
：２程度の割合で流入し、基板上で両反応ガスを熱分解
して、膜厚５００人程度のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２゛を被
着する。なお、このＣＶＤ法による成長法において、モ
ノシラン（ＳｉＨ４）の代わりに、同じ水化物のジシラ
ン（Ｓｉ２ Ｈ６）を用いても良い。
し、水素ガスをキャリアガスにして六弗化タングステン
（ＷＦ６）とモノシラン（ＳｉＨ４）との反応ガスを１
：２程度の割合で流入し、基板上で両反応ガスを熱分解
して、膜厚５００人程度のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２゛を被
着する。なお、このＣＶＤ法による成長法において、モ
ノシラン（ＳｉＨ４）の代わりに、同じ水化物のジシラ
ン（Ｓｉ２ Ｈ６）を用いても良い。
第１図（Ｃ）参照；次いで、基板を約５００℃に加熱し
、同様の水素ガスをキャリアガスにして六弗化タングス
テン（ＷＦ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）
との混合ガスを流入し熱分解して、膜厚１５００人程度
のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２″を被着する。
、同様の水素ガスをキャリアガスにして六弗化タングス
テン（ＷＦ６）とジグロールシラン（ＳｉＨ２Ｃ１２）
との混合ガスを流入し熱分解して、膜厚１５００人程度
のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２″を被着する。
第１図（ｄ）参照；しかる後、ドープド多結晶シリコン
膜２１． ＷＳｉｘ膜２２ ’ ＋ ＷＳｉｘ膜２２″
およびゲート絶縁膜３をパターンニングして、ゲート電
極２を形成する。
膜２１． ＷＳｉｘ膜２２ ’ ＋ ＷＳｉｘ膜２２″
およびゲート絶縁膜３をパターンニングして、ゲート電
極２を形成する。
このようなＷ Ｓ ｉ ｘ膜の形成方法によれば、ドー
プド多結晶シリコン膜２１と接触する部分（下層）の薄
いＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２′は塩素（ＣＩ）ガスが含まれ
ないために、コンタクト抵抗が少なく導電性が良くなる
。また、上層のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２′′は塩素（ＣＩ
）ガスを含んでいるが、弗素（Ｆ）ガス含有が少ないか
らゲート絶縁膜の劣化が減少する。即ち、本発明にかか
るＷＳｉｘ膜の形成方法はコンタクト抵抗が低下して導
電性を向上し、絶縁膜の膜質が劣化しない構・成で、半
導体装置の品質向上に役立つ方法である。
プド多結晶シリコン膜２１と接触する部分（下層）の薄
いＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２′は塩素（ＣＩ）ガスが含まれ
ないために、コンタクト抵抗が少なく導電性が良くなる
。また、上層のＷ Ｓ ｉ ｘ膜２２′′は塩素（ＣＩ
）ガスを含んでいるが、弗素（Ｆ）ガス含有が少ないか
らゲート絶縁膜の劣化が減少する。即ち、本発明にかか
るＷＳｉｘ膜の形成方法はコンタクト抵抗が低下して導
電性を向上し、絶縁膜の膜質が劣化しない構・成で、半
導体装置の品質向上に役立つ方法である。
上記の例は多結晶シリコン膜とＷ Ｓ ｉ ｘ膜とから
なる複合膜構造（ポリサイド構造）のゲート電極を形成
する実施例であるが、その他の基板をシリコンとした電
極配線も同様にして形成できて、同様の効果が得られる
ことは勿論である。
なる複合膜構造（ポリサイド構造）のゲート電極を形成
する実施例であるが、その他の基板をシリコンとした電
極配線も同様にして形成できて、同様の効果が得られる
ことは勿論である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、タン
グステンシリサイド膜を用いたＩＣなどの半導体装置に
おいて、その高品質化、高信頼化に顕著に貢献するもの
である。
グステンシリサイド膜を用いたＩＣなどの半導体装置に
おいて、その高品質化、高信頼化に顕著に貢献するもの
である。
第１図（ａｌ〜（ｄ）は本発明にかかる形成方法の工程
順断面図、 第２図は従来のゲート電極の断面図である。 図において、 １は半導体基板、 ２はゲート電極、３はゲート絶
８Ｍ膜、 ４はフィールド絶縁膜、 ５はソース・ドレイン領域、 ２１はドープド多結晶シリコン膜、 ２２、２２ ’ 、 ２２ ”はタングステンシリサイ
ド膜４二％ＥＩＪ（＋＝ｐｐ５ ｎＫ７３にσ）ＴＪｆ
’７１ ＃ｔ＄ ＠第１図 、？、ケ’−ｈ電＆ 反未硝γ°゛−Ｌ電殆め醇旬図 第２図
順断面図、 第２図は従来のゲート電極の断面図である。 図において、 １は半導体基板、 ２はゲート電極、３はゲート絶
８Ｍ膜、 ４はフィールド絶縁膜、 ５はソース・ドレイン領域、 ２１はドープド多結晶シリコン膜、 ２２、２２ ’ 、 ２２ ”はタングステンシリサイ
ド膜４二％ＥＩＪ（＋＝ｐｐ５ ｎＫ７３にσ）ＴＪｆ
’７１ ＃ｔ＄ ＠第１図 、？、ケ’−ｈ電＆ 反未硝γ°゛−Ｌ電殆め醇旬図 第２図
Claims (1)
- 六弗化タングステン（ＷＦ＿６）とモノシラン（Ｓｉ
Ｈ＿４）またはジシラン（Ｓｉ＿２Ｈ＿６）との反応に
よつて下層のタングステンシリサイドを被着し、次に、
六弗化タングステン（ＷＦ＿６）とジグロールシラン（
ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２）との反応によつて上層のタングス
テンシリサイドを被着して、該２層膜からなるタングス
テンシリサイド（ＷＳｉｘ）を形成する工程が含まれて
なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1658388A JPH01191447A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1658388A JPH01191447A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191447A true JPH01191447A (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=11920300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1658388A Pending JPH01191447A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01191447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| JPH07283411A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-10-27 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のゲート電極の形成方法 |
| JP2000022095A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1658388A patent/JPH01191447A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0591086A2 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-06 | International Business Machines Corporation | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| EP0591086A3 (en) * | 1992-09-30 | 1994-09-21 | Ibm | Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration |
| JPH06283453A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-10-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置製造方法 |
| JPH07283411A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-10-27 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のゲート電極の形成方法 |
| JP2000022095A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6940172B2 (en) | Chemical vapor deposition of titanium | |
| US7402512B2 (en) | High aspect ratio contact structure with reduced silicon consumption | |
| US5240739A (en) | Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers | |
| US6255209B1 (en) | Methods of forming a contact having titanium formed by chemical vapor deposition | |
| US4619038A (en) | Selective titanium silicide formation | |
| US5223455A (en) | Method of forming refractory metal film | |
| JPH09298169A (ja) | 集積化タングステン−シリサイドプロセス | |
| US20060202283A1 (en) | Metal silicide adhesion layer for contact structures | |
| US6433434B1 (en) | Apparatus having a titanium alloy layer | |
| JP2592844B2 (ja) | 高融点金属膜の形成方法 | |
| JPH01191447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05129231A (ja) | 電極配線 | |
| JPH09260306A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2932484B2 (ja) | 高融点金属多層膜形成法 | |
| JP3246046B2 (ja) | 高融点金属膜の堆積方法 | |
| JP2728047B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07221097A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100321738B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH01206623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04324636A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61248447A (ja) | 配線層の形成方法 | |
| KR20010008609A (ko) | 반도체장치의 다층 텅스텐 폴리사이드구조의 게이트전극 형성방법 | |
| JPS60245256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6342171A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11243189A (ja) | 集積回路においてゲートレベル相互接続を形成する方法、ゲートレベル相互接続集積回路及びゲートレベル相互接続内のふっ素濃度の全体的なレベルを制御する方法 |