JPH01189106A - チップ部品および電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、チップインダクタ、ＬＣ複合部品等のチップ
部品および、このようなチップ部品を配線板等の基板上
に接着して構成される電子部品に関する。

〈従来技術〉 チップインダクタや一つのチップ内にインダクタ部とコ
ンデンサ部とを持つＬＣ複合部品等、磁性層にフェライ
トを含有するチップ部品が多数使用されている。

また、このようなチップ部品を接着剤等により基板上に
接着実装してその後、ハンダ付けを行ない、各種電子部
品が作製されている。

ところで、このようなチップ部品等の磁性層に含有され
るフェライトのうち、特に１００ＭＨ２以上の高周波で
用いられるものは機械的強度が低く、実際にチップ部品
に適用した際に実用上問題がある。　また、実用可能な
機械的強度を有するフェライトを作製するためには１１
００℃以上の高温で焼成しなければならず、製造コスト
等の点で非常に不利である。

また、チップインダクタを作製する際に、例えば内部導
体を銀にした場合、９５０℃以上の焼成温度にて焼成を
行なうと、内部導体の銀が溶融してしまい、チップイン
ダクタとして使用が不可能であるという問題点がある。

さらに、例えばインダクタ部とコンデンサ部とを一つの
部品内に有するＬＣ複合部品を作製する場合、同時焼成
により作製する場合には、インダクタ部とコンデンサ部
との線膨張率および収縮率が異なるため、同時焼成の際
にインダクタ部とコンデンサ部とが剥離したり、また、
亀裂が生じたりする等の問題点もあった。

本発明者らは、このような問題点を解決し、しかも電磁
気特性等にも優れるチップ部品を提供するため検討を重
ね、フェライト磁性層を有するチップ部品のフェライト
磁性層にホウケイ酸ガラスや酸化ホウ素を添加すること
によって、９５０℃以下の低温焼成でも十分な焼結密度
と、高い機械的強度を有し、しかも電磁気特性等にも優
れ、さらに、例えばＬＣ？ｍ合部品等とする際にも剥離
や亀裂を生じないチップ部品が得られる旨の提案を行な
っている（特願昭６２−１６４９６１号、同６２−１６
４９６２号、同６２−２０３８８９号、同６２−２８９
０４５号等）。

また、このようなチップ部品を用いて配線基板等に実装
して、電子部品を作製する際には、接着強度が高く、機
械による自動装置が可能である理由により、通常エポキ
シ接着剤またはエポキシアクリレート接着剤を用いてチ
ップ部品を基板上に接着し、ハンダ付けを行なって作製
される。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、前記のチップ部品をエポキシ接着剤またはエ
ポキシアクリレート接着剤を用いて基板上に接着してチ
ップ部品を実装した電子部品を作製すると、接着剤とチ
ップ部品のフェライト磁性層とが化学反応を起し、通常
７〜９ｋｇ程度の接着強度が１ｋｇ程度以下まで低下し
てしまうため十分な接着強度が得られず、チップ部品が
脱落してしまい、実用上問題を生じる。

本発明の目的は、このように機械的強度および電磁気特
性等に優れるチップ部品を、エポキシ接着剤またはエポ
キシアクリレート接着剤を用いて基板上に接着して電子
部品を作製する際に、フェライト磁性層と接着剤とが化
学反応を起さずに十分な接着強度が得られるチップ部品
および、そのようなチップ部品を用いた機械的強度およ
び電磁気特性等に優れる電子部品を提供することにある
。

く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明のチップ部品は、磁
性層を有するチップ部品であって、磁性層がフェライト
とガラスとを含有し、ざらに磁性層上に実質的にガラス
を含有しない被覆層を有する。

また、磁性層がさらに酸化ホウ素を含有してもよい。

さらに本発明の電子部品は、磁性層を有するチップ部品
を基板上に接着剤を用いて接着した電子部品であって、
チップ部品が前記のものであり、接着剤がエポキシ接着
剤またはエポキシアクリレート接着剤である。

以下、本発明のチップ部品および電子部品について詳細
に説明する。

本発明のチップ部品は、磁性層を有するチップ部品であ
って、磁性層がフェライトとガラスとを含有し、さらに
、磁性層上に実質的にガラスを含有しない被覆層を有す
る。

本発明のチップ部品は、後に詳述する第１図に示される
チップインダクタや、第２図に示されるＬＣ複合部品等
、磁性層を有する公知のチップ部品にはすべて適用可能
である。

そして、本発明のチップ部品の磁性層はフェライトとガ
ラスとを含有するものである。

このような磁性層に含有されるフェライトとしては公知
のスピネル構造を有するソフトフェライトのいずれであ
ってもよいが、一般に、Ｆｅと、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚ
ｎ等のうちの１種以上を含有するものが好適に使用され
る。

このうち、特に高周波用に有効であり、低温焼結が可能
である点で、Ｎｉフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、
あるいはこれらにＬｉを含有するもの等のＮｉ系フェラ
イトが好適である。

Ｎｉ系フェライトの場合、Ｎｉの含有量は、ＮｉＯに換
算して４５〜５５ｍｏＪ２％が好ましく、このＮｉの一
部をＣｕおよび／またはＺｎ、あるいはＬｉ等が４０ｍ
ｏＪ２％程度以下置換してもよい。

この他、Ｃｏ％Ｍｎ等が全体の５ｗｔ％程度以下含有さ
れていてもよい。　さらに、Ｃａ、Ｓｔ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ等がＩｗｔ％程度以下含有されていてもよい。

本発明のチップ部品において、フェライト磁性層は、こ
のようなフェライトと共にガラスを含有するものである
。

本発明のチップ部品は、フェライト磁性層にガラスを含
有するため、機械的強度、電磁気特性等の優れたものと
なる。

フェライト磁性層に含有されるガラスとしては特に制限
はないが、機械的強度、電磁気特性の点でホウケイ酸ガ
ラスを用いることが好ましい。

フェライト磁性層に含有されるホウケイ酸ガラスの含有
量は、通常前記のフェライトに対して、１５〜７５ｗｔ
％、より好ましくは２５〜３５ｗｔ％程度である。

ホウケイ酸ガラスの含有量が１５ｗｔ％未満ではホウケ
イ酸ガラスを加える効果がなく、７５ｗｔ％をこえると
、ガラス成分が多すぎ、焼結時に敷物等に付着し取扱い
にくく、また形状変化が非常に大きくなり、変形度が大
きくなり、加えて透磁率も悪くなるからである。

用いるホウケイ酸ガラスとしては、通常のホウケイ酸ガ
ラスの他、アルミナホウケイ酸ガラス、アルカリホウケ
イ酸ガラス等種々のホウケイ酸ガラスが使用可能である
。

磁性層にホウケイ酸ガラスを含有することにより、本発
明のチップ部品は、機械的強度が高く、低損失、高Ｑ値
等の電磁気特性の高周波特性の１優れたものとなる。

このようなホウケイ酸ガラスは、６５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素（通常５ｉｏ２）と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ
素（通常Ｂ２　Ｏ３）とを含有するものである。

このようなホウケイ酸ガラスのうち、特に好適なものは
、７５〜９０ｗｔ％、より好ま、シ＜は８０〜８４ｗｔ
％との酸化ケイ素と、８〜２０ｗｔ％より好ましくは１
４〜１８ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有するのである。

このような場合において上記の量範囲に対し酸化ケイ素
が過剰となり、酸化ホウ素が過少となると、線膨張率が
過小となりまた焼結性の低下により焼結密度が低くなる
。　また、酸化ケイ素が過少となり、酸化ホウ素が過剰
となると線膨張率が過大となる。

また、焼結時に、発泡してしまい、焼結密度が低くなり
、さらに寸法も狂ってしまう、そのため比抵抗が高くな
り、Ｑ値が低くなってしまう。

さらに、このような組成では内部導体に対する。悪影響
がなく、内部導体の特性劣化がない。

この他、ホウケイ酸ガラス中には５ｗｔ％以下の酸化ア
ルミニウム（通常Ａｆ１２ｏ、）、５ｗｔ％以下のに、
Ｎａ％　Ｌｉ等の１価の金属Ｍ皿の酸化物（通常Ｍ、’
Ｏ）の１種以上、５ｗｔ％以下のＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚ
ｎ等の２価の金属Ｍ２の酸化物（通常Ｍ２０）の１種以
上を含有してもよい。

本発明のチップ部品の磁性層には、このようなフェライ
ト、ガラスの他にさらに酸化ホウ素を含有してもよい。

この場合、酸化ホウ素は、前記のフェライトに１０ｗｔ
％以下、特に０．１〜１０ｗｔ％、より好＊Ｌ＜は０．
５〜１０ｗｔ％含有されることが好ましい。

酸化ホウ素の添加により焼結性が向上し、機械的強度が
向上するが、その含有量が１０ｗｔ％をこえると耐湿性
の点で不十分となり、保存性、耐久性に欠けるからであ
る。

なお、酸化ホウ素は、通常、フェライトとは粒界を隔て
て通常Ｂ２Ｏ３の形で含有される。

本発明のチップ部品の磁性層は、基本的には従来公知の
方法によって製造される。　すなわち、例えばＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライトの場合には、所定量のＮｉｐ、Ｃｕ
ｂ、ＺｎＯ１Ｆｅ２０３等のフェライト原料粉末と前記
のホウケイ酸ガラスの所定量とを例えばボールミル等に
より湿式混合する。　用いる粉末の粒径は０．１〜１０
μｍ程度とする。

こうして湿式混合したものを、例えばスプレードライヤ
ーにより乾燥し、その後仮焼する。　これを通常は、例
えばボールミルで粉体粒径０．０１〜０．１μｍ程度の
粒径となるまで湿式粉砕し、例えばスプレードライヤー
により乾燥する。

また、本発明においては、得られた混合フェライト粉末
に酸化ホウ素粉末を加えることもできる。

このような混合フェライト粉末をエチルセルロース等の
バインダーとチルビオネール、ブチルカルピトール等の
溶剤中に溶かしてペーストとし、印刷ないしグリーンシ
ート等の方法で積層し、その後焼成すればよい。

この場合、焼成温度は、９５０℃以下、焼結時間は通常
０．５〜４時間程度である。

このようなフェライトおよびガラス、さらにこれに酸化
ホウ素を含有する磁性層を有するチップ部品に関しては
、本出願人による特願昭６２−１６４９６１号、特願昭
６２−１６４９６２号、特願昭６２−２１９５９０号、
特願昭６２−２８９０９５号の各明細書に詳述されてい
る。

本発明のチップ部品は、このような磁性層上に実質的に
ガラス、特にホウケイ酸ガラスを含有しない被覆層を有
する。

このような被覆層としては、ガラスを実質的に含有しな
ければ他に制限は無いが、収縮率、線膨張率が磁性層と
近似の値で、さらに絶縁性であることが好ましい。　そ
して、このような条件を好適に満たす例として、フェラ
イト、酸化チタン、チタン酸系化合物等を挙げることが
できる。

フェライトとしては、磁性、非１ｉｉｌ性を問わず種々
のものが可能である。

酸化チタンとしては通常の二酸化チタンはいずれも適用
可能である。

チタン酸系化合物としてはＢａＴｉＯ３、Ｓ　ｒＴ　ｉ
　０３等がある。

また、このような場合、被覆層が実質的にガラスを含有
しないとは、ホウケイ酸ガラス等のガラス含有量が、１
ｗｔ％以下、特に０ｗｔ％であるという意味である。

１ｗｔ％を超えてガラス分が含有されると、前記の不都
合が生じる。

このような被覆層を形成するには、前記の磁性層用ペー
ストと同様の方法にてフェライト、酸化チタン等をペー
スト化して被覆層用ペーストとし、印刷力やグリーンシ
ート方等の公知の方法にて形成すればよい。　また、そ
の層厚は通常８μｍ以上が好ましく、８〜３０μｍであ
ることがより好ましい。

８μｍ未満では十分な接着強度を得ることができず、３
０μｍを超えても接着強度の向上はみられず、部品寸法
を大きくするため好ましくないからである。

第１図に本発明のチップ部品をチップインダクタに通用
した１例が示される。

チップインダクタ１は、第１図に示されるように従来公
知の構造をもち、スパイラル状等の所定のパターンに形
成した内部導体層２とフェライト磁性層３とを交互に積
層して、フェライト磁性体中に所定巻形状および巻数の
内部導体を形成し、内部導体層２の両端部を外部電極４
１．４５に接続したものであり、従来公知の方法で作製
される。

そして、本発明においては、フェライト磁性層３が前記
の被覆層９を有するものである。

このチップインダクタ１のフェライト磁性層用ペースト
および被覆層用ペーストは、前記の方法にて作製するこ
とができる。

前記したように、このフェライト磁性層用ペーストと、
ＡｇあるいはＡｇ−Ｐｄ等の内部導体用ペーストとを、
例えばＰＥＴ等の基板上に各所定パターンをもつように
交互に印刷またはグリーンシート等により積層し、最後
に被覆層用ペーストを積層し、９５０℃以下、好ましく
は８５０〜９３０℃で、０．５〜４時間焼結を行い、本
発明のチップインダクタ１を得ることができる。

このようにして作製される本発明のチップインダクタ１
は、フェライト磁性層にホウケイ酸ガラス、もしくはこ
れに酸化ホウ素を含み焼結性を高めているので高い機械
的強度を持っている。　また、同じ焼結密度を得るのに
必要な焼結温度は、従来の場合に比べて低くてよい。

さらに、電磁気特性等の高周波特性の点でも優れた特性
を有する。

そして、被覆層９を有するため、後述の電子部分品とす
る際に基板上にエポキシ接着剤、エポキシアクリレート
接着剤にて接着しても、接着剤と磁性層３とが反応せず
、高い接着力が得られる。

なお、フェライト磁性層３の積層数は目的に応じて選定
すればよいが、通常は、１〜２０層とする。　−層当り
の厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常は１
０〜３０μｍ程度とする。　また、内部導体２は例えば
Ａｇ。

Ａｇ−Ｐｄ等の金属から形成し、通常その厚さは１０〜
２５μｍ程度とする。

また、外部電極４は、同様にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。

第２図に本発明のチップ部品をＬＣ複合部品に適用した
一例が示される。

本発明のＬＣ複合部品５は、インダクタ部６とコンデン
サ部７とを一体化したものである。

インダクタ部６は、所定のパターンに形成した内部導体
６５を互いに導通するように介在させながら、フェライ
ト磁性層６１を積層したものである。　また、このイン
ダクタ部６に積層一体化されるコンデンサ部７は、内部
電極７５とセラミックの誘電体層７１とを、交互に積層
したものである。

第２図に示される例では、インダクタ部６およびコンデ
ンサ部７は、それぞれ複数のしおよびＣを有し、これら
から所定のＬＣ回路が構成されるように所定の外部電極
８を設けている。

このようなＬＣ複合部品５の、インダクタ部６は、前述
の第１図に示されるチップインダクタ１と同様のもので
あり、低温焼成が可能で、周波数特性、機械的強度に優
れ、さらに、被覆層９を有するため、基板上に接着して
電子部品とする際にエポキシ接着剤またはエポキシアク
リレート接着剤を用いることができるものである。

しかも、フェライト磁性層にホウケイ酸ガラスを添加し
、その含有量を調節することによって、その収縮率の調
節ができるので、インダクタ部６の収縮率とコンデンサ
部７の収縮率とをほぼ一致させ、焼成時のインダクタ、
コンデンサ両部界面でのそり、剥離等の発生を回避する
ものである。

すなわち、通常前述のようなＮｉ系フェライトの線膨張
率は９０ｘｌＯ−’〜１１５Ｘ１０−’ｄｅｇ−’であ
るが、これにホウケイ酸ガラスを１７〜７５ｗｔ％添加
することにより、線膨張率を９０　ｘ　１０−’〜７０
　ｘ　１０−’ｄｅｇ−’　とすることができる。　こ
れは後述のコンデンサ部７の誘電体層７１に用いるＴｉ
ｅ、系の誕電材料の線膨張率７５Ｘ１０−’〜８５　Ｘ
　１０−’ｄ６ｇ−’とほぼ一致するものである。

また、収縮率も１５〜２０％程度となり、これもＴ　ｉ
　Ｏｌ系の話電材料の１５〜１８％とほぼ同等となる。

また、インダクタ部６に酸化ホウ素を好ましくは１０＊
ｔ％以下含有させることにより、インダクタ部６の焼結
密度が大きくなり、高い機械的強度のＬＣ複合部品５が
得られる。

コンデンサ部７の誘電体層７１を構成する材質としては
種々の訪電材料を用いてよいが、ＴｉＯ２を主成分とす
るＴｉＯ２系が好ましい。

ＴｉＯ２系としてはＮｉ０１Ｃｕｂ。

Ｍｌｌｓ　Ｏ４、ＡＪ：ｔ２０３　、Ｍｇ　Ｏ，Ｓ　ｉ
　０２等を、総計１０ｍｏＪＺ％程度以下含有するもの
が、話電体損失および線膨張率の変化等の点で好ましい
。

なお、ＴｉＯ２系の誘電体層７１の収縮率は１５〜１８
％程度である。　そして、上記のフェライトにホウケイ
酸ガラスを添加することにより、その収縮率をこれと同
等なものとすることができる。

コンデンサ部７の誘電体層７１の積層数は目的に応じて
定めればよいが、通常は１〜１０程度とする。　−層当
りの厚さは通常５０〜１５０μｍ程度とする。　また、
コンデンサ部の内部電極７５は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
金属から形成すればよく、その厚さは、通常５〜１５μ
ｍ程度とされる。

なお、磁性層６１の積層数は目的に応じて選定すればよ
いが一通常は、１〜２０層とする。

−層当りの厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、
通常は１０〜３０μｍ程度とする。

また、内部導体６５は例えばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成し、通常その厚さは１０〜３０μｍと程度とす
る。

また、外部電極８は、上記と同様にＡ　ｇ　−Ｐｄ等の
金属から形成することができ、その厚さは通常５０〜５
００μｍ程度とする。

本発明のＬＣ複合部品は、従来公知の印刷法やグリーン
シートによって製造される。

すなわち、磁性層、誘電体層および内部電極、導体さら
に被覆層のペーストを用意し、これらを印刷法やグリー
ンシートにより、例えばＰＥＴ等の基板上に一層ごとに
積層していくものである。

この場合コンデンサ部７の誘電体層７１および内部電極
７５や、インダクタ部６の内部導体６５や外部電極８の
ペーストはバインダー、溶剤を用いて作製すればよい。

これら各ペーストを用い、印刷法やグリーンシートによ
りコンデンサ部、インダクタ部被覆層を積層して形成し
た後、所定形状に切断し基板から積層品を剥離して、９
５０℃以下、例えば８５０〜９３０℃で焼成する。　焼
成時間は０゜５〜４時間時間上する。

焼成後、Ａｇペーストを焼きつけて外部電極とする。

なお、このようにして製造されるＬＣ複合部品の大きさ
等は、目的に応じ選定すればよい。

本発明の電子部品は、前記したようなチップ部品を接着
剤を用いて基板上に接着したものであり、さらに用いる
接着剤はエポキシ接着剤またはエポキシアクリレート接
着剤のいずれかである。

本発明の電子部品においては、チップ部品が所定の被覆
層を有するため、接着剤としてエポキシ接着剤またはエ
ポキシアクリレート接着剤を用いることができ、また、
チップ部品のハンダ付は前に基板に接着する接着剤とし
てこのようなものを用いるため、生産性が高く、しかも
非常に高い接着力を得ることが可能である。

本発明に用いるエポキシ接着剤としては、ビスフェノー
ルＡ型、ビスフェノールＦ型、ノボラック型、グリシジ
ルエステル型環公知のエポキシ接着剤はいずれも適用可
能である。　また、熱硬化型、室温硬化型いずれのもの
であってもよい。

このようなエポキシ接着剤には硬化剤を用いることか好
ましい。　用いられる硬化剤としては、トリエチレンテ
トラアミン、テトラエチレンペンタアミン、Ｎ−アミノ
エチルピペラジン、キシレンジアミン等の脂肪族アミン
類、ｍ−フェニレンジアミン、４．４−ジアミノフェニ
ルメタン、２，４．６−トリ（ジメチルアミノメチル）
フェノール等の芳香族アミン類、合成ダイマー酸と、ジ
エチレントリアミン、テトラエチレンペンタアミン、キ
シレンジアミン等のポリアミンとの縮合反応によって得
られるポリアミドアミン類、２．２’　　−ビスメルカ
プトエチルエーテル等のポリチオール類等が挙げられる
。

また、本発明に用いられるエポキシアクリレート接着剤
は、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ポリフ
ェノール型、ハロゲン化ビスフェノール型、多価グリシ
ジルエーテル型、過酢酸酸化型等の他官能性エポキシ樹
脂をアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−無水マレ
イン酸等で変性したもの等公知のエポキシアクリレート
接着剤はいずれも適用可能である。

また、室温硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型、触媒硬化
型等いずれのものであってもよい。

このようなエポキシアクリレート接着剤には硬化剤を用
いてもよい。　用いられる硬化剤は、通常ベンゾイルパ
ーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ラ
ウリルパーオキサイド、ジクルミバーオキサイド等の有
機過酸化物であるが、本発明においてはこれに限られる
ものではない。　また、硬化促進剤としてジメチルアニ
リン、ジメチルアミリン等のアミン類、ナフテン酸コバ
ルト、オクトエ酸コバルト等の金属石鹸類、バナジルア
セチルアセテート、鉄アセチルアセテート等のキレート
化合物等を添加してもよい。

本発明の電子部品に用いる接着剤には、公知の各種安定
剤を添加してもよい。

また、本発明に用いる接着剤は、−波型、多液型いずれ
であってもよい。

本発明の電子部品に用られる基板は、通常の電子部品に
用いられる基板であり、特に制限はなく公知の基板はい
ずれも用いることができる。　また、単層基板、多層等
の各種配線基板のいずれであってもよい。

このような基板材料には特に制限はなく、ステアタイト
、フォルステライト、アルミナ等のセラミック材料、ソ
ーダライム、アルミナケイ酸、ホウケイ酸等のガラス類
、ガラス強化エポキシ（ガラスエポキシ）、フェノール
樹脂等の樹脂類等、公知の基板材料はいずれも使用可能
である。

なお、本発明の電子部品には、前記の本発明のチップ部
品が一つ以上接着されていればよい。　そして、チップ
部品は前記のエポキシ接着剤またはエポキシアクリレー
ト接着剤によって基板上に搭載接着され、その電極がハ
ンダ付等により電気的に接続され、基板上に実装される
。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明をさらに
詳細に説明する。

実施例Ｉ Ｎｉ系フェライトにホウケイ酸ガラスとあるいはこれに
８２０３とを添加することによって、チップインダクタ
の磁性層用のペースト：′シ作製した。

用いたＮｉ系フェライト原料は、粒イ二０、．１〜１．
０μｍ程度のＮｉ０１およびＦｅ２Ｏ３の粉体で、Ｎｉ
Ｏ換算で５２ｍｏｕ％、Ｆｅ２Ｏ３換算で４８ｍｏｆ１
％の組成となるように配合した。

このフェライト原料と、平均粒径５μｍ、ＳｉＯｘ　　
Ｂｏ、３ｗｔ％、Ｂ、０．　１７．５ｗｔ％、Ｋｚ０２
．２ｗｔ％の組成のホウケイ酸ガラス粉末とをボールミ
ルを用いて湿式混合した。

次いで、この湿式混合物をスプレードライャーにより乾
燥し、８５０ｔにて仮焼し、Ｂ２０．粉体を２．０ｗｔ
％加え、これをボールミルにて粉砕したのちスプレード
ライヤーで乾燥し、平均粒径０．１μｍの粉体とした。

得られた粉体を、所定量のエチルセルロースとともにチ
ルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合し
磁性層用ペーストを作製した。

次に、酸化チタン（Ｔｉ０２）を用いて、被覆層用のペ
ーストを作製した。

平均粒径０．０１〜０．０５．ｕｎのＴｉｅ２粉体を所
定量のエチルセルロースと共にチルビオネール中に溶解
し、ヘンシェルミキサーにて混合し、被覆層用ペースト
を作製した。

このような磁性層用ペーストと被覆層用ペーストを用い
、また、内部導体層としてＡｇペーストとを用い、印刷
積層法によって３．２ｍｍＸ２．５ｍｍｘ１．Ｏｍｍの
第１図に示されるチップインダクタを作製した。

各フェライト層の厚さは４０μｍ１導電体の厚さは２０
μｍ、その線巾は３００μｍ１コイルは長径２．５ｍｍ
、単径１．３ｍｍの楕円型とし２．５タ一ン積層した。

　また、被複層は磁性層の片面のみに形成した。　その
層厚は表１に示す。

焼成温度は８７０℃で２時間とした。

また、外部電極はＡｇ−Ｐｄペーストで構成した。

このようにして得られたチップインダクタを１００個、
エポキシガラス基板上に、接着剤としてエポキシアクリ
レート接着剤（ＭＲ−８１５３、松下電器社製）および
エポキシ接着剤（アビボンド、ＴＤＫ製）を用い被覆層
側から接着した。　硬化方法は熱硬化とし、１５０℃に
て３０分間硬化した。

このようにして得られた各サンプルを荷重負荷試験機を
用い、チップインダクタを側面から押し強度を測定した
。

結果を表１に示す。

なお、接着強度は１００のサンプルの平均値である。

表　　　　　１ 被複層層厚　　　　接着強度（Ｋｇ） −仁Ｌ」」−Ｍ　Ｒ−８１５３Ｒアビボンド０　　　　
　　　　　０、　　２９　　　　　　　０．　８５１０
　　　　　　　　　４．７８　　　　　　　　？、０８
２０　　　　　　　　　８．１９　　　　　　　９．７
５３０　　　　　　　　　９、　７６　　　　　　　９
．　５３（実施例２） 実施例１と同様の実験を、被覆層としてＣｕ−Ｚｉミツ
エライト用いて行なった。

用いたＣｕ−Ｚｉミツエライト、粒径０．１〜１．０μ
ｍ程度のＣｕｂ、Ｚ　ｉ　Ｏ，Ｆｅｄ２の粉体で、それ
ぞれＣｕＯ換算で１０ｍｏ　１％、ＺｉＯ換算で４２ｍ
ｏ１％、Ｆｅｄ２換算で４８ｎｏ１％の組成となるよう
に配合した。

このような粉体をボールミルを用いて湿式混合し、次い
で、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し
、７００℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミルに
て粉砕したのち、スプレードライヤーにより乾燥し、平
均粒径０．１μｍの粉体とした。

得られた粉体を、所定量のエチルセルロースと共にチル
ビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーにて混合し
、被複層用ペーストを作製した。

被覆層用ペーストとして上記のものを用いた以外は、実
施例１と同様にしてチップインダクターを作製した。

このようにして得られた各サンプルを用い、実施例１と
同様の試験を行なった。

結果を表２に示す。

表　　　　　２ 被複層層厚　　　　接着強度（Ｋｇ） （μｍ　）　　　　ＭＲ−８１５３Ｒアビボンド０　　
　　　　　０、　２９　　　　　　０．　８５１０　　
　　　　　３、　４３　　　　　　７．　２４２０　　
　　　　　４．４１　　　　　　８　、２２３０　　　
　　　　９、　０２　　　　　　９　　、２５なお、こ
のような接着強度が１．５Ｋｇ以下の場合には、フロー
ハンダ付け（２４０’ｅで５秒間）の際にチップ部品の
ズレや脱落が生じた。

（実施例３） 粒径０．０１〜０．１μｍのＴｉｃ）２を７５０℃にて
仮焼し、顆粒として、これをボールミルにて粉砕したの
ちスプレードライヤーで乾燥し、平均粒径０．１μｍの
粉体とした。

得られた粉体を、所定量のエチルセルロースとともにチ
ルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合し
コンデンサ部誘電体層のペーストを作製した。

このコンデンサ部誘電体層ペーストと、内部電極用Ａｇ
ペーストとを用い、さらに実施例１に用いた各インダク
タ部用の磁性層、内部電極、被覆層用ペーストを用い、
これらを印刷法により積層した。

インダクタ部−層当りの厚さは４０μｍ、積層数は８、
コンデンサ部−層当りの厚さは１００μｍ、積層数は２
とした。　また、内部電極および導体の厚さは２０μｍ
とした。　被覆層はインダクタ側表面に形成した。　印
刷積層後、８７０℃で２時間、焼成を行なった。

その後、徐冷して第２図に示されるような４つのＬと３
つのＣを存する４ＭＨｚ以上のＬＣフィルター回路の４
．５ｍｍＸ３．２ｍｍＸ１．５ｍｍのＬＣ複合部品を得
た。

このようにして得られたＬＣ複合部品を用い、基板とし
てフェノール基板を用いた以外は、実施例１および２と
同様の試験を行なったところ、はぼ同様の結果を得た。

以上の結果より、本発明の効果は明らかである。

〈発明の効果〉 本発明のチップ部品および電子部品は、チップ部品が所
定の組成の磁性層を有するため、機械的強度が高く、電
磁気特性に優れる。　また、チップ部品が所定の組成の
被覆層を有するため、本発明の電子部品は、接着剤とし
てエポキシ接着剤またはエポキシアクリレート接着剤を
用いても磁性層と接着剤が化学反応を起さず、非常に接
着強度が高く、機械的強度に優れ、自動装着に適する等
のすぐれた点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のチップ部品をチップインダクタに通
用した実施例を一部切欠いて示す正面図である。 第２図は、本発明のチップ部品をＬＣ複合部品に適用し
た実施例を一部切欠いて示す斜視図である。 符号の説明 １・・・チップインダクタ、 ２・・・内部導体、 ３・・・フェライト磁性層、 ４１．４５・・・外部電極、 ５・・・ＬＣ複合部品、 ６・・・インダクタ部、 ６１・・・フェライト磁性層、 ６５・・・内部導体、 ７・・・コンデンサ部、 ７１・・・説電体層、 ７５・・・内部電極、 ８・・・外部電極、 ９・・・被覆層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性層を有するチップ部品において、磁性層がフ
   ェライトとガラスとを含有し、さらに磁性層上に実質的
   にガラスを含有しない被覆層を有することを特徴とする
   チップ部品。
2. （２）磁性層がさらに酸化ホウ素を含有する請求項１に
   記載のチップ部品。
3. （３）磁性層を有するチップ部品を基板上に接着剤を用
   いて接着した電子部品において、チップ部品が請求項１
   または請求項２に記載のものであり、接着剤がエポキシ
   接着剤またはエポキシアクリレート接着剤である電子部
   品。