JPH0118450B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は座標検出装置に係り、特に表示装置等
の基板に抵抗膜を設け、適宜位置を指示したとき
の座標値を二次元的に検出するようにした座標検
出装置に関する。

〔技術の背景〕

オフイス機器の電子化、デイジタル化に伴つて
入力装置の操作部品として透明スイツチ、ライト
タツチスイツチあるいはキーボードスイツチ等が
大きな役割を果すようになつてきている。特にパ
ネルスイツチとして各種デイスプレイの上から指
やペン等によつてデイスプレイを見ながら操作可
能な透明スイツチ等は表面デザインが比較的自由
に選択できることで広範に利用され始められ、こ
れら入力装置の指示点を検出するための座標検出
装置としては例えば透明フイルム等の表面に透明
導電膜を設け、上下透明電極パターンを一定間隔
で格子状に対向配置してキーボードを使わずに指
先で軽く触れることでデータを入力するものが知
られている。この装置では座標の入力精度が配置
したパターンの密度で決定される問題があつた。

〔従来技術の問題点〕

このような問題点を解決するために本出願人は
先に第１図に示すように抵抗膜１の一方の端子側
からみた等価インピーダンスが該抵抗膜の両端に
付加したバツフア回路でクランプしたときに指示
点との座標の関係が特定の函数関係になることを
利用して等価インピーダンス値から座標検出を行
う検出装置を提案した。

第１図について、これを詳記すると、１は材質
の均一な抵抗膜で、該抵抗膜１の一側端２は出力
端子５に接続され、さらにバツフア回路を構成す
るオペアンプ６のプラス入力に接続するとともに
他端３は該オペアンプ６の出力に接続し、さらに
オペアンプ６自身のマイナス入力にも接続されて
いる。４は抵抗膜１の適宜位置を指示した指示点
で該指示点と接地７間にはインピーダンス８を有
する。なお、該インピーダンスをZ₀とする。該イ
ンピーダンスは指先で抵抗膜４を指示したときは
人体と接地間に生ずる容量成分等である。いま、
該抵抗膜１の一端２の座標が“０”、他端３が
“１”で指示点４の座標ｘは０≦ｘ≦１の値をと
るものとする。さらに指示点４の接地電位をva，
抵抗膜の一端２，３の接地に対する電位をｖと
し、抵抗膜１の一端２と指示点４間の抵抗値を
R_x，抵抗膜１の一端３と指示点４間の抵抗値を
R_1-xとし、出力端子５と接地７間の上記した各
インピーダンスZ₀及び抵抗値R_x，R_1-xを合成し
た出力端子５側からみた等価インピーダンスをＺ
としたとき、該等価インピーダンスを求める。ま
ずインピーダンスZ₀に流れる電流va／Z₀は指示
点４を介してR_xに流れる電流（ｖ−va）／R_xと
R_1-xに流れる電流（ｖ−va）／R_1-xの和となり （va／Z₀）＝（ｖ−va） ｛（１／R_x）＋（１／R_1-x）｝ ……(1) となるが抵抗膜の他端をバツフア回路（ボルテー
ジフオロアβ＝1.0）でクランプしているため抵
抗R_1-xを流れる電流はバツフア回路から独自に
供給される。したがつて出力端子５を流れる電流
は抵抗R_xを流れる電流そのものである。このこ
とから等価インピーダンスＺに流れる電流ｖ／Ｚ
はR_xに流れる電流（ｖ−va）／R_xに等しく、 （ｖ／Ｚ）＝（ｖ−va）／R_x ……(2) となる。(1)，(2)式から等価インピーダンスを求め
ると Ｚ＝R_x＋Z₀｛（R_x＋R_1-x）／R_1-x｝ ……(3) ここでR_x＋R_1-xがインピーダンスZ₀の絶対値
｜Z₀｜に比べて充分に小さくなるようにR_x，
R_1-x、およびZ₀を設定すれば(3)式は近似的に Ｚ≒Z₀｛（R_x＋R_1-x）／R_1-x｝ ……(4) とすることができる。

一方、第１図から抵抗膜１の抵抗値は抵抗の長
さに比例するので指示点４の座標ｘはｘ＝R_x／
（R_x＋R_1-x）からR_1-xを求めると R_1-x＝｛（１−ｘ）／ｘ｝R_x ……(5) となる。(4)式に(5)式を代入してｘを求めると ｘ＝１−（Z₀／Ｚ） ……(6) (6)式からわかるように指示点４の座標ｘは出力端
子５と接地７間の等価インピーダンスＺと反比例
の関係にあり、等価インピーダンスＺおよびイン
ピーダンスZ₀の値を測定してｘの値を計算すれば
ｘを求められる。

上記(6)式においてインピーダンスＺが指先の指
示による人間の体と接地間の容量や容量ペン等で
ある場合には出力端子５に容量可変デイジタル発
振器９とそのパルス幅測定器１０を付加すること
で指示点４の座標を出力１１から原理的には求め
ることができる。しかし、容量インピーダンスZ₀
が容量ペンのように一定の値をもつている場合に
は非常に有効であるが指先のタツチによる人体容
量の場合は容量値が変動するために直接上記方式
を用いることができない問題があつた。さらに、
抵抗膜１の両端２，３と接地間に浮遊容量１２，
１３（容量値をC_sx，C_s1-xとする）が存在するよ
うな場合に等価インピーダンスＺの計算における
誤差は無視できなくなる問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明は上記欠点に鑑みなされたもので、上記
した等価インピーダンスＺを求めることで座標を
求める際に抵抗膜の両端からみた等価インピーダ
ンスを複数回にわたつて測定し、平均化して指先
指示による座標指示を可能にするとともに抵抗膜
のＸ及びＹ軸方向の二次元座標をも検出すること
のできる座標検出装置を提供することを目的とす
るものである。

〔発明の構成〕

上記目的は本発明によれば、基板上に抵抗膜を
形成した座標入力用のパネル手段と、該パネル手
段の適宜位置を指示したときに該パネルのＸ軸方
向あるいはＹ軸方向に接続したダイオード群を順
バイアスあるいは逆バイアスするためのバイアス
切換手段と、前記パネル手段のＸ軸あるいはＹ軸
方向に接続したダイオード群間の電圧を一定の条
件に保つバツフア手段と、該バツフア手段に接続
されて、該バツフア手段の両端を交互に切り換え
る切換手段と、該切換手段によつて切り換えられ
た上記バツフア手段の一端よりみたインピーダン
スを検出する検出手段と、該検出手段の出力値に
基づいてパネル手段の指示位置を演算する制御手
段とを具備することを特徴とする座標検出装置を
提供することで達成される。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を図面について詳記する。第１図
および第２図を用いて本発明の座標検出装置の原
理図を示す。上記した従来例として説明した第１
図で本発明においてはインピーダンスZ₀は指示点
４を指先で指示していると仮定し、該インピーダ
ンス値Z₀は例えば変動する容量値C_Bをもつてい
るとする。また、浮遊容量１２，１３を含んでの
等価インピーダンスＺを求めるにまずZ₀＝C_Bと
すると Z₀＝１／jωC_B ……(7) （ただしｊは複素数、ωは角周波数） となる。上記インピーダンスZ₀を(4)式に代入すれ
ば等価インピーダンスＺは Ｚ＝１／［jωC_B｛R_1-x／（R_x＋R_1-x）｝］ ……(8) となる。従つて Ｚ＝C_B｛R_1-x／（R_x−R_1-x）｝ ……(9) となるが、さらに浮遊容量１２，１３を考えた場
合浮遊容量値C_s1-xは端子３に電流が流れないの
で無視でき、浮遊容量値C_sxはインピーダンスZ₀
＝C_Bと並列に接続されたものとなり、等価イン
ピーダンスＺは Ｚ＝C_sx＋［C_B｛R_1-x／（R_x＋R_1-x）｝］ ……(10) で表される。

第２図はオペアンプ６と容量可変デイジタル発
振器９の接続を抵抗膜１の一端２と３とで第１図
とまつたく逆に接続した状態を示し、このときの
第１図から第２図への切り換えが５ｍsec程度の
非常に短い時間で行われるとすると浮遊容量値
C_sx，C_s1-xおよび人体容量値C_Bは変化していない
と考えることができる。第２図の出力端子５ａ側
からみた等価インピーダンスZaは Za＝C_s1-x＋［C_B｛R_x／（R_x＋R_1-x）｝］ ……(11) となる。よつて(10)，(11)式よりＣを消去することが
できる。すなわち、 R_1-x＝｛（Ｚ−C_sx）／（Ｚ−C_s1-x）｝R_x ……(12) となる。よつて指示点４の座標ｘは ｘ＝R_x／（R_x＋R_1-x） ＝（Za−C_s1-x）／｛（Ｚ−C_sx） ＋（C_sx−C_s1-x）｝ ……(13) として求めることができる。

ゆえに、パルス幅測定器１０からの出力パルス
を出力１１から取り出し、指示点４の座標ｘを求
める。いま、第１図の容量可変デイジタル発振器
９の発振周期をT_x1とすれば T_x1＝ｋ・Ｚ ……(14) （ただしｋは定数） となる。

同様に第２図の場合の発振周期をT_x2とすれば T_x2＝ｋ・Za ……(15) となる。さらに第１図に示す浮遊容量C_sxにおい
て指先タツチがない状態の発振周期をT_sxとする
と T_sx＝ｋ・C_sx ……(16) となる。同様にして第２図に示す浮遊容量C_s1-x
において指タツチがない状態の発振周期をT_s1-x
とすると T_s1-x＝ｋ・C_s1-x ……(17) として検出される。

上記（14）（15）（16）（17）式を（13）式に代
入すると ｘ＝（T_x2−T_s1-x）／｛（T_x1−T_sx） ＋（T_x1−T_s1-x）｝ ……(18) と計算できる。すなわち、本発明においては第１
図および第２図の各状態で指タツチ８がないとき
の発振周期を求め、その後指タツチ８がある場合
発振周期を求めて（18）式から指示点４の座標ｘ
を求めればよい。

上記の原理においては容量可変デイジタル発振
器９の発振周期T_x1，T_x2を求める間に短時間で
切り換えを行うため人体容量が変化しないと仮定
したが実際にはその間にも人体容量はわずかに変
化しているので検出精度に限界がある。そこで測
定を複数回（ｌ回とするとｌ＝２〜４回が望まし
い）繰り返し各回毎の測定値T_x1i，T_x2iを制御装
置（コンピユータ）等の演算装置によつて（T_x1i
−T_sx），（T_x2i−T_s1-x）を計算し、その値をｎ回
にわたつて積算する。すなわち、_l 〓ⁱ⁼¹ （T_x1i−
T_sx），_l 〓ⁱ⁼¹ （T_x2i−T_s1-x）計算する。以上ｌ回の
測定、演算後に、 ｘ＝｛_l 〓ⁱ⁼¹ （T_x2i−T_s1-x）｝ ／｛_l 〓ⁱ⁼¹ （T_x1i−T_sx）＋_l 〓ⁱ⁼¹ （T_x2i−T_s1-x）｝ ……(19) としてｘ座標を演算検出する。この値は各測定サ
イクルにおける検出座標値x_iの加重平均になつて
いて次の如く表され、 x_i＝（T_x2i−T_s1-x／｛（T_x1i−T_sx） ＋（T_x2i−T_s1-x｝ ……(20) T_x1i，T_x2iを求める間の人体容量の変化による
検出座標値のバラツキを良く平均化して高精度に
ｘ座標検出を行うことができる。

上述の原理に基づく本発明の座標検出装置の一
実施例を第３図について詳記する。

第３図において、１４はパネルで該パネルは例
えばガラス基板上に透明抵抗膜を形成する。ガラ
ス透明抵抗膜は500〜1KΩ／口の抵抗値をもつよ
うに一様にスパツタリングされる。さらに該透明
抵抗膜上には2μm厚程度に酸化シリコン（SiO₂）
を絶縁膜として形成する。略々長方形状に形成し
たパネル１４のＸ軸方向およびＹ軸方向には複数
のダイオードD_1x，D_2x，D_3x，……，D_1x′，
D_2x′，D_3x′，……，D_1Y，D_2Y，D_3Y，……，
D_1Y′，D_2Y′，D_3Y′，……，を接続する。Ｘ軸方
向に接続されるD_1x，D_2x，D_3x，……よりなる第
１のダイオード群１５ＸはカソードをパネルのＸ
軸方向の一端に接続し、各アノード側は共通にし
て第１のラインLAに接続され、ダイオード
D_1x′，D_2x′，D_3x′，……よりなる第２のダイオ
ード群１５X′はカソードを共通に第２のライン
LBに接続するとともに各アノードをパネルのＸ
軸方向の他端に接続する。

さらにパネルのＹ軸方向の一端にはダイオード
D_1Y，D_2Y，D_3Y，D_4Y，……よりなる第３のダイ
オード群１６Ｙを配設し、該ダイオードの各アノ
ードをパネルのＹ軸方向の一端に接続するととも
にカソードを共通に接続して第１のラインLAに
接続する。パネルのＹ軸方向の他端にはダイオー
ドD_1Y′，D_2Y′，D_3Y′，D_4Y′……よりなる第４の
ダイオード群１６Y′を配設し、各ダイオードの
カソードをパネル１４のＹ軸方向の他端に接続
し、各アノードを共通して第２のラインLBに接
続する。

８は指先で適宜位置を指示したときの人体と接
地７間に生ずる容量（容量値C_B）である。S₁は
第１のスイツチ手段で２連スイツチ１７，１８よ
り構成され、第１のスイツチ１７の可動接点ａは
分圧抵抗R₂，R₁を介して第１のラインLAに接続
され、第２のスイツチ１８の可動接点ａは分圧抵
抗R₃，R₄を介して第２のラインLBに接続されて
いる。第１および第２のスイツチ１７，１８の固
定接点ｂおよびＣは接地され、同じく第１および
第２のスイツチ１７，１８の固定接点ｃおよびｂ
は直流電圧源（12V）に接続された端子E₀に接続
されている。さらに抵抗R₁，R₂およびR₃，R₄の
各接続点にオペアンプ６からの交流を阻止するた
めの比較的容量の大きいブロツキングコンデンサ
C₁，C₂を接続し、該コンデンサの他端を共通に
して第１図および第２図で述べたオペアンプ６の
出力側に接続する。オペアンプ６のプラス側入力
はブロツキングコンデンサC₄を介して第１図お
よび第２図で述べた容量可変デイジタル発振器
９、パネル幅測定器１０等よりなる変換回路１９
の出力１１から制御装置（コンピユータ）２０に
加えられたｘ座標信号に基づいて該制御装置は座
標出力２０ａと第１および第２のスイツチ手段
S₁，S₂を制御する制御信号２０ｂ，２０ｃを出力
して第１および第２のスイツチ手段をコントロー
ルしている。第２のスイツチ手段S₂は２連のスイ
ツチ２１，２２よりなり第３のスイツチ２１の可
動接点ａはオペアンプ６のプラス端子に第４のス
イツチ２２の可動接点ａはブロツキングコンデン
サC₃を介してオペアンプ６の出力側に接続され、
第３のスイツチ２１の固定接点ｂは第２のライン
LBに、固定接点ｃは第１のラインLAに接続され
ている。また、第４のスイツチ２２の固定接点ｂ
は第１のラインLAに、固定接点ｃは第２のライ
ンLBに接続されている。

上記構成における動作を説明すると、パネル１
４の適宜位置を指先で指示したとするとパネル基
板の透明抵抗膜上の酸化シリコン膜を含んで人と
接地間の容量C_Bが形成されたとする第１のスイ
ツチS₁に制御装置２０よりの制御信号２０ｂによ
つて第１のスイツチ手段S₁の切換動作により第１
のスイツチ１７の可動接点ａの接片は固定接点ｂ
に接続して直流12V電源が抵抗R₂，R₁を介して
第１のラインに与えられ第１のダイオード群１５
Ｘは順方向バイアスされるが第３のダイオード群
１６Ｙは逆バイアス状態となる。また、第１のス
イツチ手段S₁の第２のスイツチ１８の可動接点ａ
の接片は固定接点ｃに接続されているため第２の
ラインLBは接地ラインとなり第２のダイオード
群１５X′には第１図の等価回路で示す抵抗R_x，
R_1-xのように左から右に向かつてパネルのＸ軸
方向に電流が流れる。すなわち第１のラインLA
側の電圧V_LAが第２のラインLB側の電圧V_LBに比
べて V_LA＞V_LB であればＸ軸方向のダイオードが“オン”状態と
なる。

このとき、第４のダイオード群１６Y′は逆バ
イアスで非導通状態で事実上オープンであり第４
のダイオード群１６Y′から第３のダイオード群
１６Ｙ側に電流は流れない。

この状態では第２のスイツチ手段S₂は同じく制
御装置２０の制御信号２０ｃでコントロールされ
ていて第３及び第４のスイツチ２１，２２の可動
接点ａの接片は固定接点ｃ側に接している。この
ためオペアンプ６は交流的には第１図の等価回路
で示される状態と同一となりパネル１４の等価イ
ンピーダンスＺを求めることができて交換回路１
９の出力には上記した発振周期T_x1に対応する出
力パルスを得て制御装置２０に出力する。該出力
パルスの発振周期は制御装置２０内のカウンタと
タイマ等で計測され記憶される。またこの状態で
指先がタツチされていない状態の発振周期T_sxは
あらかじめ制御装置２０内に記憶されている。

次に第２のスイツチ手段S₂の第３および第４の
スイツチ２１，２２の可動接点ａの接片はｂ側に
切り換り、オペアンプ６は交流的には第２図に示
したと同様の等価インピーダンスZaに対応する
発振周期T_x2の出力パルスが得られて制御装置２
０によつて計測、記憶される。また、この状態に
おける指先タツチがないときの発振周期T_s1-xも
あらかじめ制御装置に計測、記憶されている。

以上の動作によつて求めたT_x1，T_x2および
T_sx，T_s1-xを用いて（18）式を制御装置２０内で
演算することでパルス１４のＸ軸方向のｘ座標が
出力される。

次に第１のスイツチ手段S₁に制御信号が与えら
れて第１のスイツチおよび第２ののスイツチ１
７，１８の可動接点ａの接片は固定接点ｂ側に切
り換る。このため第１のラインLAは接地ライン
となり、第２のラインLBは直流12V電源が抵抗
R₃，R₄を介して与えられるために第２のダイオ
ード群１５X′は逆バイアス、第４のダイオード
群１６Y′は順方向バイアスされ、第１のライン
LAの電圧V_LAは第２のラインLBの電圧V_LBに比
べて低くなり、 V_LA＜V_LB の関係となるためにパネル１４のＸ軸方向はオー
プン状態となり第４のダイオード群１６Y′方向
から第３のダイオード群１６Ｙの方向に電流が流
れる。

以下の動作はパネルのＹ軸方向に入れ替つて上
記したと同様の動作を行うことでｙ座標を検出し
て制御装置２０に出力２０ａが検出される。な
お、上記したスイツチS₂の切換時間は５ｍsec程
度に選択するを可とする。

また、加重平均する場合は制御装置２０内で上
記した測定を繰り返し測定演算すればよい。

上記した構成ならびに動作によれば、本来人体
のみへ流れるべき交流分がラインLA，LBから
R₁，R₂，R₃，R₄を介して大地や電源E₀へ流れる
のを阻止するためと直流分がオペアンプ６へ流れ
るのを阻止するためのブロツキング用コンデンサ
C₁，C₂を必要とし、第１および第２のライン
LA，LB間に直流電流を流すためにオペアンプ６
のまわりにブロツキングコンデンサC₃，C₄を必
要とし、ＸおよびＹ軸の切換え時に生ずる過度現
象が納まるまで待つ必要があり検出速度が遅くな
る問題がある。

このような問題を生じない他の実施例を第４図
および第５図に詳記する。

第４図は他の実施例を示す回路図でパネル１４
に配設するダイオード群によつてＸ軸方向からだ
け指示点位置信号を検出する場合を示すものであ
り、第５図はパネル１４に配設するダイオードの
接続方法を示すさらに他の実施例を示す接続図で
ある。

第４図における回路図ではパネル１４のＸ軸方
向の一端にはダイオードD_1x，D_2x，D_3xのアノー
ドを共通接続してスイツチング手段２５のスイツ
チS₄の可動接点ａに接続し、上記各ダイオードの
カソードをパネル１４の一端に接続するとともに
該各カソードと直列にダイオードD_4x，D_5x，D_6x
を接続し、該ダイオードD_4x，D_5x，D_6xの各カソ
ードを共通接続してスイツチング手段２５のスイ
ツチS₃の可動接点ａに接続する。かくすることで
第１のダイオード群２３Ｘがパネル１４のＸ軸方
向の一端に接続される。同様にパネル１４のＸ軸
方向の他端にはダイオードD_1x′，D_2x′，D_3x′の
各アノードが接続されるとともにダイオード
D_4x′，D_5x′，D_6x′の各々のカソードと直列接続
され、該各ダイオードD_4x′，D_5x′，D_6x′のアノ
ードは共通に接続されてスイツチング手段２５の
スイツチS₈の可動接点ａに接続される。ダイオー
ドD_1x′，D_2x′，D_3x′のカソードは共通に接続さ
れてスイツチング手段２５のスイツチS₇の可動接
点ａに接続される。かくすれば第２のダイオード
群２３X′がパネル１４のＸ軸方向の他端に接続
配置される。

同様にパネル１４のＹ軸方向にもダイオード
D_1Y，D_2Y，D_3YならびにダイオードD_5Y，D_6Y，
D_7Yのおのおのを直列接続し、直列接続点をＹ軸
方向の一端に接続するとともにダイオードD_1Y，
D_2Y，D_3Yのカソードを共通接続してスイツチン
グ手段２５のスイツチS₆の可動接点ａに接続し、
ダイオードD_5Y，D_6Y，D_7Yのアノードを共通接続
してスイツチS₅の可動接点ａに接続し、第３のダ
イオード群２４Ｙがパネル１４のＹ軸方向の一端
に接続配置される。

さらにパネル１４のＹ軸方向にはダイオード
D_1Y′，D_2Y′，D_3Y′とD_5Y′，D_6Y′，D_7Y′のおのお
のを直列接続し、夫々の直列接続交点をパネルの
Ｙ軸方向他端に接続し、ダイオードD_1Y′，D_2Y′，
D_3Y′のアノードを共通接続してスイツチS₁₀の可
動接点ａに接続し、ダイオードD_5Y′，D_6Y′，
D_7Y′のカソードを共通接続してスイツチS₉可動
接点ａに接続する。かくして第４のダイオード群
２４Y′がパネル１４のＹ軸方向の一端に接続さ
れる。上記第１〜第４のダイオード群はおのおの
３組の直列回路をパネルに接続したが、これらの
数は適宜の数を選択することは勿論である。

また、ダイオード群とパネル間の接続は第５図
に示すように直列接続することなく１ペアのダイ
オードD_1x，D_4x：D_2x，D_5x：D_3x，D_6xのおのお
ののアノードおよびカソードを直接パネル１４の
一端に接続するようにしてもよい。

スイツチ手段２５のS₁の固定接点ｂ、スイツチ
S₆の固定接点ｃ、スイツチS₇の固定接点ｂ、スイ
ツチS₉の固定接点ｃは第１の電圧源Vpのプラス
端子に接続され、該第１の電圧源のマイナス側は
接地されている。第１のスイツチS₃の固定接点ｃ
は第３図で述べた第１のラインLAに接する端子
に接続され、同様にスイツチS₇の固定接点ｃは第
２のラインLBに接する端子に接続されている。

上記第１のラインLAに連なる端子にはスイツ
チS₄の固定接点ｃ、スイツチS₅の固定接点ｂ、ス
イツチS₆の固定接点のおのおのが接続され、第２
のラインLBに連なる端子にはスイツチS₈の固定
接点ｃ、スイツチS₉の固定接点ｂ、スイツチS₀の
固定接点ｂが接続されている。またスイツチS₄の
固定接点ｂ、スイツチS₅の固定接点ｃ、スイツチ
S₈の固定接点ｃ、スイツチS₁₀の固定接点ｃの一
端は第２の電圧源V_Nのマイナス端子に接続され、
該第２の電圧源のプラス端子は接地されている。
端子LA，LBは第３図に示したと同様のオペアン
プ６や制御装置２０等を有する座標検出手段に接
続されているものとする。

上記構成によれば、スイツチ手段２５は制御装
置２０（第３図参照）でコントロールされ、該ス
イツチ手段内のスイツチS₃〜S₄の可動接点ａ側の
接片が固定接点ｃ側に接しているときはパネル１
４のＹ軸方向に接続された第３および第４のダイ
オード群２４Ｙ，２４Y′は逆バイアスされた状
態で実質的にオープン状態であり、パネルのＸ軸
方向の第１および第２のダイオード群２３Ｘ，２
３X′のみがオン状態となされ、端子LA，LB間
からパネル指示点のｘ座標に対応するデータを取
り出し得る。もちろん、この場合第１および第２
のダイオード群を駆動するための最大電圧より第
１の電圧源Vpの電圧は高く選択され、駆動用最
小電圧より第２の電圧源V_Nの電圧は低く選択す
る。

Ｙ軸方向の座標検出を行うためにはスイツチ手
段２５のすべてのスイツチS₃〜S₁₀の可動接点ａ
の接片を固定接点ｃ側に倒すように制御装置２０
によりコントロールすればＸ軸方向がオープン状
態となる。

〔発明の効果〕

本発明は叙上の如く構成させたので二次元的に
座標検出を行うことができるだけでなく、座標位
置指示を指先で行い得る。またダイオードを用い
たために一群のダイオードを逆バイアスするだけ
で済み複雑なアナログスイツチやIC類をパネル
周辺に配設しなくてもよい特徴を有する。さらに
第４図および第５図に示す実施例においてはブロ
ツキングコンデンサを用いることなく座標検出を
行うことができる特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の座標検出装置と本発明の座標検
出装置の原理を説明するための検出装置の等価回
路図、第２図は本発明の座標検出装置の原理を説
明するための検出装置の等価回路図、第３図は本
発明の座標検出装置の一実施例を示す回路図、第
４図は本発明の座標検出装置の他の実施例を示す
切換部分の回路図、第５図は第４図の他の変形例
を示すダイオード群とパネル接続部分の回路図で
ある。 １……抵抗膜、２……抵抗膜一側端、３……抵
抗膜他端、４……指示点、５……出力端子、６…
…オペアンプ、７……接地、８……インピーダン
ス、９……容量可変デイジタル発振器、１０……
パネル幅測定器、１２，１３……浮遊容量、１４
……パネル、１５Ｘ，２３Ｘ……第１のダイオー
ド群、１５X′，２３X′……第２のダイオード群、
１６Ｙ，２４Ｙ……第３のダイオード群、１６
Y′，２４Y′……第４のダイオード群、１７……
第１のスイツチ、１８……第２のスイツチ、１９
……変換回路、２０……制御装置、２１……第３
のスイツチ、２２……第４のスイツチ、S₁……第
１のスイツチ手段、S₂……第２のスイツチ手段、
LA……第１のライン、LB……第２のライン、
D_1x，D_1x′，D_2x，D_2x′，D_3x，D_3x′，D_4x，D_4x′，
D_5x，D_5x′，D_6x，D_6x′……ダイオード、２５…
…スイツチ手段、S₃〜S₁₀……スイツチ、Vp……
第１電圧源、V_N……第２の電圧源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に抵抗膜を形成した座標入力用のパネ
   ル手段と、該パネル手段の適宜位置を指示したと
   きに該パネルのＸ軸方向あるいはＹ軸方向に接続
   したダイオード群を順バイアスあるいは逆バイア
   スするためのバイアス切換手段と、前記パネル手
   段のＸ軸あるいはＹ軸方向に接続したダイオード
   群間の電圧を一定の条件に保つバツフア手段と、
   該バツフア手段に接続されて、該バツフア手段の
   両端を交互に切り換える切換手段と、該切換手段
   によつて切り換えられた上記バツフア手段の一端
   よりみたインピーダンスを検出する検出手段と、
   該検出手段の出力値に基づいてパネル手段の指示
   位置を演算する制御手段とを具備することを特徴
   とする座標検出装置。 ２ 前記パネル手段に接続したダイオード群は同
   方向に直列に接続した２個のダイオードを１単位
   として構成され、該１単位のダイオード群のカソ
   ードどうし、及びアノードどうしを共通接続し、
   該パネル手段のＸまたはＹ軸方向の座標検出を行
   う方向では上記ダイオード群のアノードどうしと
   カソードどうしを共通接続した出力を座標検知の
   ためのバツフア手段に接続し、座標検出を行わな
   いＸまたはＹ軸方向の上記ダイオード群のアノー
   ドどうしとカソードどうしを共通接続して逆バイ
   アスさせるように構成してなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の座標検出装置。