JPH011762A - 電子部品用含浸剤 - Google Patents
電子部品用含浸剤Info
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- JPH011762A JPH011762A JP62-158476A JP15847687A JPH011762A JP H011762 A JPH011762 A JP H011762A JP 15847687 A JP15847687 A JP 15847687A JP H011762 A JPH011762 A JP H011762A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童】」!す11用分野
本発明は、特に電子部品の含浸剤として好適に使用され
、優れた耐湿性、及び接着剤との接着性を与えるシリコ
ーン組成物に関する。
、優れた耐湿性、及び接着剤との接着性を与えるシリコ
ーン組成物に関する。
(胆l−術&U’(a明が解決しようとする問題点従来
より、トランジスタ、ダイオード、抵抗。
より、トランジスタ、ダイオード、抵抗。
コンデンサーやセラミックを圧粉したコンデンサー等の
電子部品はエポキシ樹脂組成物などにより樹脂封止する
ことが行なわれているが、封止樹脂と電子部品との間に
は通常非常に小さな隙間や空隙が生じる。
電子部品はエポキシ樹脂組成物などにより樹脂封止する
ことが行なわれているが、封止樹脂と電子部品との間に
は通常非常に小さな隙間や空隙が生じる。
このような隙間や空隙があると、この隙間や空隙を通っ
て外部から水、 CQ−、Na十などの電子部品の特性
を劣化させるような成分が入り込み、電子部品の特性を
劣化させることが起きる。
て外部から水、 CQ−、Na十などの電子部品の特性
を劣化させるような成分が入り込み、電子部品の特性を
劣化させることが起きる。
このため、この隙間や空隙をうめる目的で従来からカル
ナバ等の天然ワックス類やシリコーンオイルが使用され
ている。中でもシリコーンオイルは表面張力が小さいた
め小さな隙間に入り易く、また電子部品の特性を劣化さ
せるCQ−、Na+等の不純物が少ない上に、耐熱性に
優れていることからI+]広く使用されている。
ナバ等の天然ワックス類やシリコーンオイルが使用され
ている。中でもシリコーンオイルは表面張力が小さいた
め小さな隙間に入り易く、また電子部品の特性を劣化さ
せるCQ−、Na+等の不純物が少ない上に、耐熱性に
優れていることからI+]広く使用されている。
しかし、最近、電子部品をプリント基板に取り付ける際
、生産性を上げる目的で予め電子部品を接着剤でプリン
ト基板に接着させ、その後ハンダ浴の中に浸し、電子部
品をプリント基板に取り付ける工程が採用されるように
なってきたが、従来のシリコーンオイルを使用すると電
子部品の空隙や隙間を埋めるだけでなく、表面に若干の
シリコーン被膜が生じ、このシリコーン被膜と接着剤と
の接着性が悪いため接着剤が電子部品に付着せず、プリ
ント基板に取り付けることができないという問題が生じ
る。
、生産性を上げる目的で予め電子部品を接着剤でプリン
ト基板に接着させ、その後ハンダ浴の中に浸し、電子部
品をプリント基板に取り付ける工程が採用されるように
なってきたが、従来のシリコーンオイルを使用すると電
子部品の空隙や隙間を埋めるだけでなく、表面に若干の
シリコーン被膜が生じ、このシリコーン被膜と接着剤と
の接着性が悪いため接着剤が電子部品に付着せず、プリ
ント基板に取り付けることができないという問題が生じ
る。
従って、電子部品の隙間に入り易く、CQ−。
Na+等の不純物の含有量が少なく、耐熱性が良好でし
かも接着剤との接着性の良好な電子部品用含浸剤の開発
が要望される。
かも接着剤との接着性の良好な電子部品用含浸剤の開発
が要望される。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、優れた含浸
性を有する上、含浸、硬化させた後の耐湿性が良好で、
しかも接着剤との接着性が良好であり、このため電子部
品の含浸用として好適に用いられるシリコーン組成物を
提供することを目的とする。
性を有する上、含浸、硬化させた後の耐湿性が良好で、
しかも接着剤との接着性が良好であり、このため電子部
品の含浸用として好適に用いられるシリコーン組成物を
提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明者らは、上記目的を達成するため、特にシリコー
ン系含浸剤を電子部品に使用した際の最大の欠点である
電子部品の表面にシリコーンの被膜が生じ、接着剤に対
する接着が非常に弱くなる点を改善すべく鋭意検討を重
ねた結果、アクリル基含有の特定のシリコーン化合物を
使用すると接着剤とのぬれ性が改善され、接着剤に対す
る接着性が良好になること、即ち一分子中にアクリル基
を有している後述する(1)式のシリコーン化合物と後
述する(2)式のアルコキシ基含有のシリコーン化合物
とを反応させて得られる25℃における粘度が3.5〜
50センチストークスのシリコーン化合物が、電子部品
に含浸したときの含浸性に優れ、電子部品の外部からの
影響を確実に防ぎ。
ン系含浸剤を電子部品に使用した際の最大の欠点である
電子部品の表面にシリコーンの被膜が生じ、接着剤に対
する接着が非常に弱くなる点を改善すべく鋭意検討を重
ねた結果、アクリル基含有の特定のシリコーン化合物を
使用すると接着剤とのぬれ性が改善され、接着剤に対す
る接着性が良好になること、即ち一分子中にアクリル基
を有している後述する(1)式のシリコーン化合物と後
述する(2)式のアルコキシ基含有のシリコーン化合物
とを反応させて得られる25℃における粘度が3.5〜
50センチストークスのシリコーン化合物が、電子部品
に含浸したときの含浸性に優れ、電子部品の外部からの
影響を確実に防ぎ。
かつ接着剤に対する接着性に優れ、上述したようにこの
シリコーン化合物を含浸、硬化させた電子部品をアクリ
ル系等の接着剤によりプリント基板などに接着し、これ
を半田浴に浸した場合でも電子部品がプリント基板など
に確実に保持されることを知見し、本発明を完成するに
至ったものである。
シリコーン化合物を含浸、硬化させた電子部品をアクリ
ル系等の接着剤によりプリント基板などに接着し、これ
を半田浴に浸した場合でも電子部品がプリント基板など
に確実に保持されることを知見し、本発明を完成するに
至ったものである。
従って、本発明は
(A)下記一般式(1)
%式%(1)
(但し、式中R1はアクリル基含有の一価有機基、1り
2は置換又は非置換の一価炭化水素基、R′はアルキル
基又は水素原子、aは]、又は2、bはO又は1である
。) で示される有機けい素化合物と、 (B)下記一般式(2) %式%(2) (但し、式中R4は置換又は非置換の一価炭化水素基又
は水素原子 R5は一価有機基である。)で示される有
機けい素化合物 との反応生成物からなり、25℃における粘度が3.5
〜50センチストークスの範囲であることを特徴とする
シリコーン組成物を提供するものである。
2は置換又は非置換の一価炭化水素基、R′はアルキル
基又は水素原子、aは]、又は2、bはO又は1である
。) で示される有機けい素化合物と、 (B)下記一般式(2) %式%(2) (但し、式中R4は置換又は非置換の一価炭化水素基又
は水素原子 R5は一価有機基である。)で示される有
機けい素化合物 との反応生成物からなり、25℃における粘度が3.5
〜50センチストークスの範囲であることを特徴とする
シリコーン組成物を提供するものである。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明のシリコーン組成物を構成する(A)成分の有機
けい素化合物は、」二連したように下記一般6〇− 式(1) R”aR’+、5i(OR3)4−a−b
−・=(1)で示されるものである。ここで、上記
式中R1のアクリル基含有の一価有機基としては、特に
制限等が好適に使用し得ろ。R2の置換又は非置換の一
価炭化水素基としては、メチル基、エチル基。
けい素化合物は、」二連したように下記一般6〇− 式(1) R”aR’+、5i(OR3)4−a−b
−・=(1)で示されるものである。ここで、上記
式中R1のアクリル基含有の一価有機基としては、特に
制限等が好適に使用し得ろ。R2の置換又は非置換の一
価炭化水素基としては、メチル基、エチル基。
プロピル基等のアルキル基、シクロヘキシル基。
シクロベンジル基等のシクロアルキル基、ビニル基、ア
リル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基等の
アリール基及びアラルキル基又はこれらの基の水素原子
が部分的にハロゲン原子、メルカプト基、グリシド基或
いはアミノ基等で置換された基などを挙げることができ
る。また、R3は水素原子又はアルキル基であるが、ア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基又は
ブチル基などが例示される。
リル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基等の
アリール基及びアラルキル基又はこれらの基の水素原子
が部分的にハロゲン原子、メルカプト基、グリシド基或
いはアミノ基等で置換された基などを挙げることができ
る。また、R3は水素原子又はアルキル基であるが、ア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基又は
ブチル基などが例示される。
具体的には、この(A)成分の有機けい素化合物として
は、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン
、α−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタアクリロキシビニルジメトキシシランなど
が挙げられる。
は、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン
、α−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタアクリロキシビニルジメトキシシランなど
が挙げられる。
この(A)成分の有機けい素化合物は、特に制限されろ
ものではないが、その25℃における粘度が3〜100
センチストークスの範囲であることが好ましく、より好
ましくは3〜50センチストークスである。この(A)
成分の25℃における粘度が3センチスト一クス未満の
場合1本組成物を電子部品などに含浸し、硬化させたと
きに揮敗し易くなる場合があり、一方100センチスト
ークスを超える場合は、含浸性が低下する場合があるの
で、本発明の目的からは3〜100センチストークスと
することが好適である。
ものではないが、その25℃における粘度が3〜100
センチストークスの範囲であることが好ましく、より好
ましくは3〜50センチストークスである。この(A)
成分の25℃における粘度が3センチスト一クス未満の
場合1本組成物を電子部品などに含浸し、硬化させたと
きに揮敗し易くなる場合があり、一方100センチスト
ークスを超える場合は、含浸性が低下する場合があるの
で、本発明の目的からは3〜100センチストークスと
することが好適である。
また、電子部品の耐湿性の点から、(A)成分中のNa
”、 CQ−の含有量はそれぞれ10ppm以下である
ことが好ましく、より好ましくは2ppm以下である。
”、 CQ−の含有量はそれぞれ10ppm以下である
ことが好ましく、より好ましくは2ppm以下である。
Na”、 CQ−の含有量がIOPρmを超えると本発
明のシリコーン組成物を電子部品用含浸剤として適用し
た場合、電子部品の特性を劣化させる場合がある。
明のシリコーン組成物を電子部品用含浸剤として適用し
た場合、電子部品の特性を劣化させる場合がある。
次に、本発明の組成物に配合される(B)成分の有機け
い素化合物は、上述したように下記一般式%式%(2) で示されるものである。ここで、R4は置換又は非置換
の一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、シクロヘ
キシル基、シクロベンジル基等のシクロアルキル基、ビ
ニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、キシ
リル基等のアリール基及びアラルキル基又はこれらの基
の水素原子が部分的にハロゲン原子、メルカプト基、グ
リシドキシ基或いはアミノ基等で置換された基などが挙
げられる。また、R’はアルキル基を示すが、好ましく
は炭素原子数1〜4の低級アルキル基であり、これには
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが例示
される。
い素化合物は、上述したように下記一般式%式%(2) で示されるものである。ここで、R4は置換又は非置換
の一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、シクロヘ
キシル基、シクロベンジル基等のシクロアルキル基、ビ
ニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、キシ
リル基等のアリール基及びアラルキル基又はこれらの基
の水素原子が部分的にハロゲン原子、メルカプト基、グ
リシドキシ基或いはアミノ基等で置換された基などが挙
げられる。また、R’はアルキル基を示すが、好ましく
は炭素原子数1〜4の低級アルキル基であり、これには
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが例示
される。
この(B)成分の有機けい素化合物としては、ジメチル
ジェトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニ
ルメチルジメトキシシランなどが挙げられる。
ジェトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニ
ルメチルジメトキシシランなどが挙げられる。
この(B)成分の有機けい素化合物も(A)成分の有機
けい素化合物と同様に、その25℃における粘度が3〜
100センチストークスの範囲であることが好ましく、
より好ましくは3〜50センチストークスである。25
℃における粘度が3センチスト一クス未満の場合、(A
)成分と反応させて得られる本発明のシリコーン組成物
を電子部品などに含浸し、硬化させたときに揮散し易く
なる場合があり、一方100センチストークスを超える
場合は含浸性が低下する場合がある。
けい素化合物と同様に、その25℃における粘度が3〜
100センチストークスの範囲であることが好ましく、
より好ましくは3〜50センチストークスである。25
℃における粘度が3センチスト一クス未満の場合、(A
)成分と反応させて得られる本発明のシリコーン組成物
を電子部品などに含浸し、硬化させたときに揮散し易く
なる場合があり、一方100センチストークスを超える
場合は含浸性が低下する場合がある。
また、電子部品の耐湿性の点から、(B)成分中のNa
+及びCQ−の含有量はそれぞれLOppm以下とする
ことが好ましく、より好ましくは2ppm以下である。
+及びCQ−の含有量はそれぞれLOppm以下とする
ことが好ましく、より好ましくは2ppm以下である。
Na”、 CQ−の含有量が10ppmを超えると、電
子部品に含浸させた場合に電子部品の特性が劣化する場
合がある。
子部品に含浸させた場合に電子部品の特性が劣化する場
合がある。
本発明のシリコーン組成物は、上述した(A)成分と(
B)成分とを反応させることにより得られるものである
が、この反応は適当な酸の存在下で25℃の粘度が3〜
100センチストークス、好ましくは3〜50センチス
トークスの範囲になるまで重合させることが必要であり
、粘度が3.5センチスト一クス未満の場合は含浸性は
良好になるが、電子部品などに含浸させて硬化させる時
に含浸させた電子部品などに対する接着剤の接着性が低
下する。また、粘度が50センチストークスを超えると
接着剤との接着性は良好になるが、細かい隙間への含浸
性が低下する。従って、接着剤に対する接着性及び含浸
性を併わせ持った電子部品用含浸剤を得るには、その粘
度を上記の範囲内とすることが特に重要となる。
B)成分とを反応させることにより得られるものである
が、この反応は適当な酸の存在下で25℃の粘度が3〜
100センチストークス、好ましくは3〜50センチス
トークスの範囲になるまで重合させることが必要であり
、粘度が3.5センチスト一クス未満の場合は含浸性は
良好になるが、電子部品などに含浸させて硬化させる時
に含浸させた電子部品などに対する接着剤の接着性が低
下する。また、粘度が50センチストークスを超えると
接着剤との接着性は良好になるが、細かい隙間への含浸
性が低下する。従って、接着剤に対する接着性及び含浸
性を併わせ持った電子部品用含浸剤を得るには、その粘
度を上記の範囲内とすることが特に重要となる。
更に、本発明のシリコーン組成物は、@子部品の含浸剤
として使用する場合、後述する使用方法例からもわかる
ように電子部品の非常に敏感な部分に直接接触するため
、前述したようにその原料である(A)成分及び(B)
成分の有機けい素化合物としては、電子部品に悪い影響
を与えるNa十及びCl−の極力少ないものを使用する
ことが好ましいが1反応生成物である本発明のシリコー
ン組成物においてもNa+及びCQ−の管理は重要であ
り、Na”、 CQ−を各々10ppm以下とすること
が好ましく、より好ましくは5ppm以下である。更に
、(A)成分及び(B)成分の反応中に混入するおそれ
のある5声以上の固形不純物を本発明組成物100g中
1■以下とすることが好ましく、より好ましくはo、0
1mg以下である。
として使用する場合、後述する使用方法例からもわかる
ように電子部品の非常に敏感な部分に直接接触するため
、前述したようにその原料である(A)成分及び(B)
成分の有機けい素化合物としては、電子部品に悪い影響
を与えるNa十及びCl−の極力少ないものを使用する
ことが好ましいが1反応生成物である本発明のシリコー
ン組成物においてもNa+及びCQ−の管理は重要であ
り、Na”、 CQ−を各々10ppm以下とすること
が好ましく、より好ましくは5ppm以下である。更に
、(A)成分及び(B)成分の反応中に混入するおそれ
のある5声以上の固形不純物を本発明組成物100g中
1■以下とすることが好ましく、より好ましくはo、0
1mg以下である。
また、(A)成分と(B)成分との反応比は、そのモル
比で(A)/(B)=O,1〜10、好ましくは0.3
〜5である。この反応比が0.1未満の場合粘度が著し
くh昇することがあり、また、10を超えると硬化時の
揮発分が多くなり、耐湿性が低下する場合がある。
比で(A)/(B)=O,1〜10、好ましくは0.3
〜5である。この反応比が0.1未満の場合粘度が著し
くh昇することがあり、また、10を超えると硬化時の
揮発分が多くなり、耐湿性が低下する場合がある。
本発明のシリコーン組成物は、上述した(A)成分及び
(B)成分の反応生成物を含み、電子部品等の含浸用と
して使用されるものである。この場合、本発明のシリコ
ーン組成物には、平滑な表面を有する皮膜を得る目的で
種々の界面活性剤、例えばポリオキシエチレングリコー
ルジメチルシロキサン、ふっ化アルキル系界面活性剤な
どを配合し得。
(B)成分の反応生成物を含み、電子部品等の含浸用と
して使用されるものである。この場合、本発明のシリコ
ーン組成物には、平滑な表面を有する皮膜を得る目的で
種々の界面活性剤、例えばポリオキシエチレングリコー
ルジメチルシロキサン、ふっ化アルキル系界面活性剤な
どを配合し得。
更にコロイダルシリカ等を添加配合することは差支えな
い。
い。
本発明のシリコーン組成物は、電子部品などに含浸させ
た後、これを硬化するが、硬化条件としては、150〜
180℃で1〜4時間で硬化させるといった条件を採用
し得る。なお、含浸方法としては公知の方法でよく、例
えば本発明のシリコーン組成物を電子部品の含浸剤とし
て電子部品に含浸させる場合、加圧含浸法、真空含浸法
、常圧含浸法などが採用され、特に電子部品の特性を良
くするためには下記の如き真空含浸法がより効果的であ
る。
た後、これを硬化するが、硬化条件としては、150〜
180℃で1〜4時間で硬化させるといった条件を採用
し得る。なお、含浸方法としては公知の方法でよく、例
えば本発明のシリコーン組成物を電子部品の含浸剤とし
て電子部品に含浸させる場合、加圧含浸法、真空含浸法
、常圧含浸法などが採用され、特に電子部品の特性を良
くするためには下記の如き真空含浸法がより効果的であ
る。
A痔含浸火
(1)容器に含浸すべき部品を入れ、次いで部品が完全
に浸るように含浸剤を加え。
に浸るように含浸剤を加え。
(2)容器を減圧可能な装置に入れ、系全体を減圧にし
くこの場合、部品の表面から気泡が発生する。気泡は最
初全面から出るが、暫くすると部品の空隙部のみから発
生するようになる。なお、減圧度はできるだけ高い方が
好ましいが、20〜50 m Hgで十分である)、 (3)気泡の発生が無くなるか、殆ど無くなったら系を
常圧に戻し、 (4)部品を含浸液から取り出し余滴を切った後。
くこの場合、部品の表面から気泡が発生する。気泡は最
初全面から出るが、暫くすると部品の空隙部のみから発
生するようになる。なお、減圧度はできるだけ高い方が
好ましいが、20〜50 m Hgで十分である)、 (3)気泡の発生が無くなるか、殆ど無くなったら系を
常圧に戻し、 (4)部品を含浸液から取り出し余滴を切った後。
トリクロルエチレン、トルエン、アセトン等の溶剤に浸
し5表面に付着した含浸剤を取り除き。
し5表面に付着した含浸剤を取り除き。
(5)溶剤から引き上げ、残存する溶剤を十分室温で飛
ばした後、必要に応じて加熱乾燥し、(6)所定の温度
で硬化させる。
ばした後、必要に応じて加熱乾燥し、(6)所定の温度
で硬化させる。
見乳段羞来
本発明のシリコーン組成物を例えば電子部品の含浸剤と
して使用した場合、水、 Cf1−、 Na十等の不純
物が電子部品に侵入するのを有効に防止し。
して使用した場合、水、 Cf1−、 Na十等の不純
物が電子部品に侵入するのを有効に防止し。
かつ電子部品の表面にシリコーン被膜が生じても、本組
成物中に含まれるアクリル基のために接着剤が良く付着
する。従って、本発明組成物は電子部品の含浸剤として
好適に用いられる。
成物中に含まれるアクリル基のために接着剤が良く付着
する。従って、本発明組成物は電子部品の含浸剤として
好適に用いられる。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明
するが1本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、下記の例において部は重量部を示す。
するが1本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。なお、下記の例において部は重量部を示す。
〔実施例1〕
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン(2
5℃における粘度1.0センチストークス)150部、
ジメチルジメトキシシラン(25℃における粘度0.3
センチストークス)50部、メタノール50部を加熱可
能なフラスコに入れ、攪拌しながら0.2N−HCQ水
溶液150部を徐々に滴下し1滴下終了後室温で3時間
攪拌し、次いで加熱リフラックスで8時間反応させ、反
応を終了した。
5℃における粘度1.0センチストークス)150部、
ジメチルジメトキシシラン(25℃における粘度0.3
センチストークス)50部、メタノール50部を加熱可
能なフラスコに入れ、攪拌しながら0.2N−HCQ水
溶液150部を徐々に滴下し1滴下終了後室温で3時間
攪拌し、次いで加熱リフラックスで8時間反応させ、反
応を終了した。
反応液を室温迄冷却した後、プロピレンオキサイド0.
5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃/ 1
0 wm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部品含浸用
シリコーン組成物を得た(収率85%)。
5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃/ 1
0 wm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部品含浸用
シリコーン組成物を得た(収率85%)。
この組成物の25℃での粘度は4.5センチストークス
、屈折率1.406、抽出水型導度5.8μΦ/cm、
Na及びにイオン含有量はそれぞれlppm以下、CQ
イオンは2ppmであった。また、このシリコーン組成
物を150℃/1時間で硬化させろことにより強固な被
膜が得られた。
、屈折率1.406、抽出水型導度5.8μΦ/cm、
Na及びにイオン含有量はそれぞれlppm以下、CQ
イオンは2ppmであった。また、このシリコーン組成
物を150℃/1時間で硬化させろことにより強固な被
膜が得られた。
〔実施例2〕
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン10
0部、メタアクリロキシプロピルジメトキシメチルシラ
ン(25℃における粘度1.0センチストークス)50
部、ジメチルジメトキシシラン50部、メタノール50
部を加熱可能なフラスコに入れ、攪拌しながら0.5N
−HCQ水溶液15部を徐々に滴下し、滴下終了後室温
で3時間攪拌し、その後加熱リフラックスで8時間反応
させ、反応を終了した。
0部、メタアクリロキシプロピルジメトキシメチルシラ
ン(25℃における粘度1.0センチストークス)50
部、ジメチルジメトキシシラン50部、メタノール50
部を加熱可能なフラスコに入れ、攪拌しながら0.5N
−HCQ水溶液15部を徐々に滴下し、滴下終了後室温
で3時間攪拌し、その後加熱リフラックスで8時間反応
させ、反応を終了した。
次に1反応液を室温迄冷却した後、プロピレンオキサイ
ド0.5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃
/ 10 +nm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部
品含浸用シリコーン組成物を得た(収率87%)。
ド0.5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃
/ 10 +nm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部
品含浸用シリコーン組成物を得た(収率87%)。
この組成物の25℃での粘度は9.0センチストークス
、屈折率1.4406、抽出水型導度10μご/cx、
Na及びにイオン含有量はそれぞれlppm以下、CQ
イオンは4ppmであった。また、このシリコーン組成
物を150℃/1時間で硬化させることにより強固な被
膜が得られた。
、屈折率1.4406、抽出水型導度10μご/cx、
Na及びにイオン含有量はそれぞれlppm以下、CQ
イオンは4ppmであった。また、このシリコーン組成
物を150℃/1時間で硬化させることにより強固な被
膜が得られた。
〔実施例3〕
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン10
0部、ジメトキシメチルフェニルシラン(25℃におけ
る粘度1.0センチストークス)15部、ジメチルジメ
トキシシラン85部、メタノール50部を加熱可能なフ
ラスコに入れ、攪拌しながら0.5N−HC11水溶液
15部を徐々に滴下し、滴下終了後室温で3時間攪拌し
、次いで加熱リフラックスで8時間反応させ、反応を終
了した。
0部、ジメトキシメチルフェニルシラン(25℃におけ
る粘度1.0センチストークス)15部、ジメチルジメ
トキシシラン85部、メタノール50部を加熱可能なフ
ラスコに入れ、攪拌しながら0.5N−HC11水溶液
15部を徐々に滴下し、滴下終了後室温で3時間攪拌し
、次いで加熱リフラックスで8時間反応させ、反応を終
了した。
次に、反応液を室温迄冷却した後、プロピレンオキサイ
ド0.5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃
/ 10 mm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部品
含浸用シリコーン組成物を得た(収率92%)に の組成物の25℃での粘度は23センチストークス、抽
出水型導度は12μご/■、Na及びにイオン含有量は
それぞれlppm以下、CQイオンは2ppmであった
。また、このシリコーン組成物を150℃/1時間で硬
化させることにより強固な被膜が得られた。
ド0.5部を添加して中和し、ミリポア濾過し、80℃
/ 10 mm Hgの条件で溶媒を除去し、電子部品
含浸用シリコーン組成物を得た(収率92%)に の組成物の25℃での粘度は23センチストークス、抽
出水型導度は12μご/■、Na及びにイオン含有量は
それぞれlppm以下、CQイオンは2ppmであった
。また、このシリコーン組成物を150℃/1時間で硬
化させることにより強固な被膜が得られた。
〔実施例4〜10、比較例1,2〕
上記実施例1〜3と同様にして第1表に示す成分より電
子部品含浸用シリコーン組成物を得た。
子部品含浸用シリコーン組成物を得た。
また比較のため、ジメチルシロキサン、メチルハイドロ
ポリシロキサンからなる電子部品含浸用シリコーン組成
物を得た。
ポリシロキサンからなる電子部品含浸用シリコーン組成
物を得た。
次に、これらのシリコーン組成物の耐熱性及び接着性を
下記に示す測定法により測定した。結果を第1表に併記
する。
下記に示す測定法により測定した。結果を第1表に併記
する。
且」L囚
耐湿性ニアルミニウム配線(膜厚1μ、線巾5μ)を施
したシリコーンチップを14 ビンDjpのフレームにマウントした後、熱硬化性エポ
キシ樹脂で封止した電子 部品に対し、実施例4〜10の組成物、比較例1,2の
組成物でそれぞれ減圧 真空含浸処理し1次いで180℃/4 時間キュアーさせ、P、C,T (121℃、2気圧)
に放置し、アルミニウム配線のオープン不良率を測定し
た。
したシリコーンチップを14 ビンDjpのフレームにマウントした後、熱硬化性エポ
キシ樹脂で封止した電子 部品に対し、実施例4〜10の組成物、比較例1,2の
組成物でそれぞれ減圧 真空含浸処理し1次いで180℃/4 時間キュアーさせ、P、C,T (121℃、2気圧)
に放置し、アルミニウム配線のオープン不良率を測定し
た。
接着性:実施例4〜10及び比較例1,2の組成物で含
浸処理し、これを硬化した電 子部品100個をエポキシ系積層板に アクリル系接着剤で仮止めし、これを 電子部品を下側に、エポキシ系積層板 を上側に向けて260℃の半田洛中に 所定回数浸し、半田浴から引き上げる 際にエポキシ系積層板からとれて半田 浴槽に落下する電子部品数を測定し、 その率を調べた。
浸処理し、これを硬化した電 子部品100個をエポキシ系積層板に アクリル系接着剤で仮止めし、これを 電子部品を下側に、エポキシ系積層板 を上側に向けて260℃の半田洛中に 所定回数浸し、半田浴から引き上げる 際にエポキシ系積層板からとれて半田 浴槽に落下する電子部品数を測定し、 その率を調べた。
手続補正書輸発)
昭和6”E年5月11日
特許庁長官 小 川 邦 夫 殿
1、事件の表示
昭和62年特許願第158476号
2、発明の名称
シリコーン組成物
38補正をする者
事件との関係 特許出願人
代表者 小坂雄太部
ダパクリエートビル5階 電話(545)64546、
補正の内容 (1)明細書第7頁第7行目のr等」を「やこの基のメ
チル基を水素原子としたγ−アクリロキシプロピル基等
」と訂正する。
補正の内容 (1)明細書第7頁第7行目のr等」を「やこの基のメ
チル基を水素原子としたγ−アクリロキシプロピル基等
」と訂正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)下記一般式(1) R^1aR^2bSi(OR^3)_4_−_a_−_
b・・・・・・(1)(但し、式中R^1はアクリル基
含有の一価有機基、R^2は置換又は非置換の一価炭化
水素基、R^3はアルキル基又は水素原子、aは1又は
2、bは0又は1である。) で示される有機けい素化合物と、 (B)下記一般式(2) R^4_2Si(OR^5)_2・・・・・・(2)(
但し、式中R^4は置換又は非置換の一価炭化水素基又
は水素原子、R^5は一価有機基である。)で示される
有機けい素化合物 との反応生成物からなり、25℃における粘度が3.5
〜50センチストークスの範囲であることを特徴とする
シリコーン組成物。 2、(A)成分と(B)成分との反応モル比が(A)/
(B)=0.1〜10である特許請求の範囲第1項記載
のシリコーン組成物。 3、Na^+及びCl^−の含有量がそれぞれ10pp
m以下である特許請求の範囲第1項又は第2項記載のシ
リコーン組成物。 4、(A)成分及び(B)成分中のNa^+及びCl^
−の含有量がそれぞれ10ppm以下である特許請求の
範囲第1項乃至第3項のいずれか1項に記載のシリコー
ン組成物。 5、(A)成分及び(B)成分の25℃における粘度が
それぞれ3〜100センチストークスの範囲である特許
請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか1項に記載のシ
リコーン組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62158476A JPS641762A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Silicone composition |
CN88103891A CN1027375C (zh) | 1987-06-25 | 1988-06-24 | 硅树脂组合物制造方法 |
KR1019880007639A KR940004097B1 (ko) | 1987-06-25 | 1988-06-24 | 실리콘 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62158476A JPS641762A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Silicone composition |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH011762A true JPH011762A (ja) | 1989-01-06 |
JPS641762A JPS641762A (en) | 1989-01-06 |
JPH0529159B2 JPH0529159B2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=15672575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62158476A Granted JPS641762A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Silicone composition |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS641762A (ja) |
KR (1) | KR940004097B1 (ja) |
CN (1) | CN1027375C (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437817A (en) * | 1990-11-30 | 1995-08-01 | Shin-Etsu Chemical Company, Limited | Liquid crystalline organopolysiloxanes and liquid crystal compositions |
JP2647285B2 (ja) * | 1991-07-23 | 1997-08-27 | 信越化学工業株式会社 | アクリル官能性オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
US5539777A (en) * | 1995-01-26 | 1996-07-23 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for a DMT receiver having a data de-formatter coupled directly to a constellation decoder |
US5606577A (en) * | 1995-01-26 | 1997-02-25 | Motorola Inc. | Method and apparatus for a DMT transmitter having a data for matter coupled directly to a constellation encoder |
JP3925604B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2007-06-06 | 信越化学工業株式会社 | (メタ)アクリロキシ基含有オルガノポリシロキサンの製造方法 |
JP4134753B2 (ja) | 2002-06-26 | 2008-08-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体、電子写真用部材、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
CN100334137C (zh) * | 2005-03-07 | 2007-08-29 | 华明扬 | 有柔软防缩功能的阴离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
CN100334133C (zh) * | 2005-03-07 | 2007-08-29 | 华明扬 | 有柔软爽滑松弹功能的阳离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
CN100334132C (zh) * | 2005-03-07 | 2007-08-29 | 华明扬 | 有松弛防缩功能的阴离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
CN100389144C (zh) * | 2005-03-07 | 2008-05-21 | 华明扬 | 有柔软防缩功能的阳离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
JP4513966B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2010-07-28 | 信越化学工業株式会社 | プライマー組成物及びそれを用いた電気電子部品 |
CN100389143C (zh) * | 2005-03-07 | 2008-05-21 | 华明扬 | 有柔软防缩松弹功能的阴离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
CN100334136C (zh) * | 2005-03-07 | 2007-08-29 | 华明扬 | 有柔软爽滑松弹功能的阴离子复合改性有机硅乳液的制备方法 |
JP4957928B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2012-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 電線又はケーブル |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP62158476A patent/JPS641762A/ja active Granted
-
1988
- 1988-06-24 KR KR1019880007639A patent/KR940004097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-06-24 CN CN88103891A patent/CN1027375C/zh not_active Expired - Lifetime
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