JPH01175233A - ウェット装置 - Google Patents

ウェット装置

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JPH01175233A
JPH01175233A JP33314387A JP33314387A JPH01175233A JP H01175233 A JPH01175233 A JP H01175233A JP 33314387 A JP33314387 A JP 33314387A JP 33314387 A JP33314387 A JP 33314387A JP H01175233 A JPH01175233 A JP H01175233A
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JP
Japan
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wafer
chemical liquid
liquid
chemical
frequency vibration
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JP33314387A
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Takayuki Ogoshi
大越 隆之
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NEC Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板(以下ウェハーと称す)のウェット
処理、特に洗浄、エツチング等のウェット装置に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のウェット装置は第3図に示すように、薬
液槽18の中に薬液16をウェハー1が完全に浸る深さ
まで入れ、ウェハー1をウェハーキャリア17にセット
した状態でバッチ処理を行うのが一般的であった。高周
波振動には〜数十KHzを使用する超音波(以下U、S
、と略す)あるいは0.7〜LM)Izを使用するメガ
ソニック(以下M、S、と略す)が用いられている。6
は振動子、5は高周波振動コイルである。そうして薬液
中の浮遊塵を除去するため、薬液槽18の底部より圧送
ポンプ14を用いフィルタ15でフィルタリングシステ
ムを構成し、ウェハー1に対するゴミ付着を軽減する改
良がなされてきた。
また、一部のエツチング等ではスピンナーと呼ばれるウ
ェハー回転支持部にウェハーを載置し、薬液を滴下させ
て処理を行っていたが、この装置においてはU、S、、
 M、S、機構の取付はできなかった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のウェット装置では、バッチ処理であるた
めにフィルタリング機能を強化しても、あるウェハーか
ら出たゴミ、汚れが他のウェハーに再付着してしまう。
特にキャリア内では多数枚連続してウェハーが並んでい
るため、裏面から出たゴミ、汚れが次のウェハーの表面
に移ってしまい、十分な効果が得られなかった。また1
枚でも汚れが激しいものがあれば、全枚に影響してしま
う欠点があった。
また、U、S、、 M、S、は指向性が強く、その負荷
状態で出力が変化してしまい、槽構造、キャリアの′ 
置き方等で効果が減少するという欠点もあった。
またさらに、キャリアを同時に同じ液に浸すため、キャ
リアの汚れに対しての管理も重要であった。
従来装置はウェハー全体を薬液に浸すため、大量の薬液
と大きな槽が必要であり、ランニングコスト、フロアス
ペースの面で欠点があった。
本発明の目的は前記問題点を解消したウェット装置を提
供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のウェット装置に対し1本発明では薬液を
通過−させることができる管状の振動子と。
この振動子に取り付け、駆動可能な形態の高周波コイル
を設け、U、S、あるいはM、S、のエネルギーを。
液中を伝達させることにより薬液がウェハーに対し一過
性であるという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は薬液を通過させる管状の振動子を備えた振動源
と、ウェハーを載置し、回転可能なスピンチャック部と
、このスピンチャック部を覆うカップ部と、薬液供給が
制御可能なパルプ薬液貯留槽とを有することを特徴とす
るウェット装置である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の実施例1を示す縦断面の模式1はウェ
ハーであり、スピンチャック2にその外周部のみで数点
支持されている。この点数についてはウェハーサイズに
より3〜6点程度範囲で選択する。3はカップで、スピ
ンチャック2を覆い、処理中の薬液の飛散を防止し、使
用後の薬液をドレイン口4から排出するものである。5
は高周波振動コイルで、Ll、S、あるいはに、S、又
はその中間の周波数にて振動させるものであり、振動子
6によりその出力を薬液に伝えるものである。この振動
子6は管状構造をなし、その中を薬液が通過するように
し、かつ高周波エネルギーのロスを少なくするよう薬液
の出口側は対数曲線で製作しである。7は振動しゃ断部
であり、ゴムや樹脂などの軟らかい材料で製作し、振動
子の運動がその支持物の影響を受けないようにしである
。8は絞り弁で、薬液の吐出量を調整するものである。
本実施例においては、ウェハーの表裏面を同時に処理す
べく高周波振動コイル5から絞り弁8までが上下2組実
装しである。10はパルプ、11はシール部品、12は
軸受である69は貯液タンクで、窒素ガス等で薬液を圧
送できるようになっている。
13はサーボモータで、スピンチャック2を低速回転か
ら高速回転までシーケンシャルに制御できるものである
。薬液を完全に一過性で使用する場合はドレイン口4か
ら排出し、また繰返し使用する場合は破線で示した経路
にて圧送ポンプ14.フィルタ15を通しゴミを除去し
た後、貯液タンク9へ戻す構成を取るものである。
したがって、本発明によれば、連続した流れの状態の下
に液体を振動子6内に通過させ、かつ連続した流れの状
態の下にウェハーにあてて薬液処理を行うものである。
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2の縦断面を示す模式本実施例
において、ウェハー1は表面を下向きにしスピンチャッ
ク2で支持し、下方からの噴流1にて片面のみを処理す
るように構成しである。この場合、振動子部を大きくま
た、薬液量も多くすることができるため、より大きな処
理効果が得られる利点がある。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明はU、S、やM、S、のエネ
ルギーを伝達された薬液をウェハーに対して一過性にす
ることにより、ウェハーから剥離したゴミや汚れが薬液
に滞留し、他ウェハーの汚染源となることを防ぎ、また
再付着の可能性を減少させるため、処理効果、特に洗浄
に対し大きな効果がある。また複数の薬液の切り換え連
続処理において、1ケ所のスピンチャック部で実現でき
るため、ウェハー搬送部を省略でき、さらに多数の大き
な薬液槽も不要とすることが可能となり、この結実装置
を極めて小型に構成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の縦断面図、第2図は本発明
の実施例2の縦断面図、第3図は従来のウェット装置の
ブロック図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)薬液を通過させる管状の振動子を備えた振動源と
    、ウェハーを載置し、回転可能なスピンチャック部と、
    このスピンチャック部を覆うカップ部と、薬液供給が制
    御可能なパルプ薬液貯留槽とを有することを特徴とする
    ウェット装置。
JP62333143A 1987-12-29 1987-12-29 ウェット装置 Expired - Fee Related JPH0724263B2 (ja)

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JP62333143A JPH0724263B2 (ja) 1987-12-29 1987-12-29 ウェット装置

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JPH01175233A true JPH01175233A (ja) 1989-07-11
JPH0724263B2 JPH0724263B2 (ja) 1995-03-15

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JP62333143A Expired - Fee Related JPH0724263B2 (ja) 1987-12-29 1987-12-29 ウェット装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147534A (ja) * 1984-12-21 1986-07-05 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 超音波化学処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147534A (ja) * 1984-12-21 1986-07-05 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 超音波化学処理方法

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JPH0724263B2 (ja) 1995-03-15

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