JPH01172273A - ホウ化チタンセラミックス焼結体 - Google Patents
ホウ化チタンセラミックス焼結体Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
特に遷移金属から選ばれた少なくとも1種の金属たとえ
ばクロムのホウ化物と炭化チタンとの混合固溶した結合
層すなわちマトリックス層かホウ化チタン粒子間に配設
されたホウ化チタンセラミックス焼結体に関するもので
ある。
、ホウ化チタン粒子間に遷移金属(たとえばクロムCr
あるいはニッケルNjなど)もしくは遷移金属のホウ化
物(たとえばホウ化コバルトCOBあるいはホウ化マン
ガンMnBなど)か配設されたものが提案されていた。
は、ホウ化チタンTin2の粒界近傍に形成された粒界
相か連続しておらず、ホウ化チタンTiBa粒子とその
粒界近傍に形成された粒界相(結晶粒界相あるいはガラ
ス粒界相)との間の反応が不均一でホウ化チタンTi8
.粒子の成長を抑制することも少ないので、ホウ化チタ
ン粒子間に空孔が発生し易い欠点があり、ひいては高密
度および高強度とでき難い欠点があった。
チタン粒子間に空孔の発生か十分に抑制された結合層す
なわちマトリックス層を配設してなるh密度で高強度の
ホウ化チタンセラミックス焼結体を提供せんとするもの
である。
属から選ばれた少なくとも1種の金属のホウ化物と炭化
チタンとの混合固溶したマトリックス層が、ホウ化チタ
ン粒子の間に配置されてなることを特徴とするホウ化チ
タンセラミックス焼結体」 である。
移金属から選ばれた少なくとも1種の金属のホウ化物と
炭化チタンとの混合固溶したマトリックス層がホウ化チ
タン粒子の間に配設されているので、ホウ化チタン粒子
間のマドソックス層に空孔が発生することを十分に抑制
する作用をなし、ひいては高密度および高強度とする作
用をなす。
明する。
結体の一実施例を示す拡大断面図である。
示す光学am鏡写真であって、実施例4の場合を示して
いる。
子顕微鏡写真であって、実施例4の場合を示している。
組織を示す光学顕微鏡写真であって、実施例4の場合を
示している。
組織を示す走査型電子顕微鏡写真であって、実施例4の
場合を示している。
示す走査型電子顕微鏡写真であって、実施例4の場合を
示しており、研磨処理時の粒子の脱落部分が黒色で示さ
れている。
の脱落部分が黒色で示されている。
EPMA分析すなわち電子プローブ微小分析の結果を示
すxkQ強度分布図であって、第7図の直mA−A’に
そって実行された場合を示している。
組織のEPMA分析すなわち電子プローブ微小分析の結
果を示すX線強度分布写真であって。
を示して8つ、クロムに対応する部分が黒色で示されて
いる。
組織のEPMA分析すなわち電子プローブ微小分析の結
果を示すX線強度分布写真であって、第6図および第7
図のほぼ全体について実行された場合を示しており、チ
タンに対応する部分が黒色で示されている。
作成した模写図であって、クロムが破線で示され、かつ
チタンが実線で示されている。
グラフ図であって、実施例4の場合を示しており、横軸
にX線の回折角度がとられかつ縦軸にX線の回折強度か
とられている。
ックス焼結体の破断面の組織を示す走査型電子顕微鏡写
真である。
一実施例について、その構成を詳細に説明する。
、“セラミックス焼結体”と称することもある)で、ホ
ウ化チタンTiBz粒子20と、ホウ化チタンTiBz
粒子20を結合するための網目状の結合層30とを包有
している。
87Lmでかつ最大粒径が12#Lmであり、特に平均
粒径が0.5〜3gmでかつ最大粒径が6pmであれば
好ましい。ここでホウ化チタンTiBz粒子20の平均
粒径を0゜5〜8gmとする根拠は、(i)平均粒径が
0.51Lm未満となれば、ホウ化チタンTiB2粒子
20の表面酸化が顕著化し、かつホウ化チタンTiBg
粒子20間の凝集が顕著となワて1本発明のホウ化チタ
ンセラミックス焼結体赳の焼結を著しく阻害することと
なり、また(ii)平均粒径か8gmを超えれば、焼結
の駆動力が小さくなって、本発明のホウ化チタンセラミ
ックス焼結体すを緻密化せしめることが困難化し、ホウ
化チタンTi8.粒子20に既存の亀裂が拡大され本発
明のホウ化チタンセラミックス焼結体赳の強度を低下せ
しめることにある。加えてホウ化チタンTiBz粒子2
0の最大粒径が121Lmとされている根拠は、最大粒
径が121Lmを超えれば1本発明のホウ化チタンセラ
ミックス焼結体u中に粗大粒子として存在することとな
り1本発明のホウ化チタンセラミックス焼結体すの高密
度化ないし高強度化を阻害することにある。
チタンTiB2と後述の金属Mとの混合固溶相からなる
粒界相21か形成されている。これによりホウ化チタン
TiB*粒子20と結合層30との間の結合力が、十分
の大きさとされており、結果的に本発明のホウ化チタン
セラミックス焼結体」の強度を確保している。
Noなどの遷移金属から選ばれた少なくとも1種Q金属
M(以下、同様)とホウ化チタンTiB、と炭素Cとの
間の TiBt+2M+C→2MB+TiC あるいは TiB、十閘十G −+ MB2+TiCあるいは TiB2+6M+Il: → 2M、B +TiCな
どの反応によって生成されたホウ化金属すなわち金属M
のホウ化物MB、MB、あるいはMJなどと炭化チタン
TiCとが混合固溶したマトリックス層であって、空孔
が十分に除去されている。これによりホウ化チタンTi
B2粒子20間の結合力が、十分の大きさとされており
、またセラミックス焼結体赳の相対密度(すなわち全体
積がら空孔体積を差し引いた体積を全体積で除した偵)
が95%以上となっているので、結果的に本発明のホウ
化チタンセラミックス焼結体刊の密度および強度が確保
されている。ここで結合層すなわちマトリックス層30
から空孔が実質的に除去されている根拠は、金EMのホ
ウ化物すなわちホウ化合gMB、MB2あるいはM、B
などの粒径と炭化チタンTiCの粒径とがほぼ一致して
おり、互いに均質に混合固溶していることにある。
一実施例について、その製造要領を説明する。
粉末および炭素C粉末あるいは金属炭化物111C粉末
とを適宜の配合比で互いに配合することにより、セラミ
ックス配合物を作成する。
は0.5〜3 ILm)で最大粒径が12終m(好まし
くは6 ILm)であり純度が99重量%以上のホウ化
チタンTiB2と、(ii)平均粒径が1〜5μm(好
ましくは1〜3Bm)で最大粒径が12#Lm(好まし
くは6 ILm)の金属Mと、(iii)比表面積が5
0〜150■”/g(好ましくは80〜150麿”/g
)で純度が9g、9重量%以上であり平均粒径がlO〜
10100n好ましくは10〜50nm)で最大粒径が
150nm(好ましくは10100nの炭素(たとえば
カーボンブラックなど)Cとを、互いに配合し、第1の
セラミックス配合物を作成する。第1のセラミックス配
合物においては、金属Mおよび炭素Cの混合物1〜25
重量%に対しホウ化チタンTie!が75〜99重量%
たけ配合されている。また金属Mと炭素Cとの配合比は
、 7:0.1〜10である。
は0.5〜3pm)で最大粒径が12μm(好ましくは
6#Lm)であり純度が99重量%以上のホウ化チタン
TiB、と、(ii)平均粒径が1−1−1OJL好ま
しくは1〜3pm)で最大粒径が15pm(好ましくは
6μm)の金N炭化物肛とを、それヂれ11〜99.9
重量%と0.1〜89重量%との割合で互いに配合し、
第2のセラミックス配合物を作成する。
されている根拠は、焼結時に不純物が悪影響を及ぼすこ
とを回避することにある。
(i)平均粒径がlJLm未満となれば、金属M粒子の
表面酸化が顕著化し、かつ金EM粒子間の凝集もしくは
金属M粒子とホウ化チタンTie。
本発明のホウ化チタンセラミックス焼結体艮の焼結を著
しく阻害することとなり、また(ii)平均粒径が5μ
mを超えれば、本発明のホウ化チタンセラミックス焼結
体耗のマトリックス層30あるいはホウ化チタンTiB
2粒子20の粒界近傍に形成された粒界相21中に粗大
粒子となって存在し、本発明のホウ化チタンセラミック
ス焼結体用の強度を低下せしめることとなることにある
。
大粒径が12μmを超えれば、金属M粒子に既存の亀裂
が拡大され1本発明のホウ化チタンセラミックス焼結体
刊の強度が低下されることにある。
根拠は、(i)平均粒径がLOnm未満となれば、炭素
C粒子の表面酸化が顕著化し、かつ炭素C粒子間の凝集
が顕著となって、本発明のホウ化チタンセラミックス焼
結体刊の焼結を著しく阻害することとなり、また(ii
)平均粒径が1100nを超えれば、マトリックス層3
0中に粗大粒子として存在することとなって1本発明の
ホウ化チタンセラミックス焼結体艮の強度を低下せしめ
ることにある。炭素Cの最大粒径が150nmとされて
いる根拠は、最大粒径が15(lnmを超えれば、炭素
C粒子に既存の亀裂あるいはホウ化チタンTiB2との
間の反応によって生じた炭化チタンTiC粒子に既存の
亀裂が拡大され、本発明のホウ化チタンセラミックス焼
結体すの強度を低下せしめることにある。
れている根拠は、(i)比表面積が50m2/g未満と
なれば、炭素C粒子が大き過ぎることとなってホウ化チ
タンTiB、との間の反応が短時間で進行できないこと
となり、また(ii)比表面積が150■27 gを超
えれば、炭素C粒子が互いに凝集することとなりてホウ
化チタンTi1tおよび金属Mとの混合ができなくなる
ことにある。
ている根拠は、(i)平均粒径がIBm未満となれば、
金属炭化物肛粒子の表面酸化が顕著化し、かつ金属炭化
物1lIC間の凝集が顕著となって。
しく阻害することとなり、また(ii)平均粒径がl0
JLIIIを超えれば、マトリックス層30中に粗大粒
子として存在することとなって、本発明のホウ化チタン
セラミックス焼結体刊の強度を低下せしめることにある
。金属炭化物肛の最大粒径が151部mとされている根
拠は、最大粒径が151部mを超えれば、金属炭化物肛
粒子に既存の亀裂あるいはホウ化チタンTiBzとの間
の反応によって生じたホウ止金Ji1MB、MLあるい
はM、Bなどに既存の亀裂が拡大され1本発明のホウ化
チタンセラミックス焼結体赳の強度を低下せしめること
にある。
合物を、適宜の混合機によって均質に混合し、セラミッ
クス混合物を作成する。
たとえばポリビニルアルコール)とともに適宜の金型に
収容したのち、適宜の圧力(たとえば100〜800k
g/c■2の圧力)を印加して一輌加圧し、セラミック
ス圧粉体を作成する。
(たとえば800〜3500kg/cm”の圧力)を印
加してCiP処理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を施
し、セラミックス成形体とする。
(1G−’Torr以下の気圧であることが好ましい)
、アルゴン雰囲気あるいは水素ガス雰囲気などの非酸化
性雰囲気(すなわち中性ないし還元性の雰囲気)中にお
いて無加圧状態もしくは加圧状態(100〜500kg
/am’の圧力を印加)で1500〜2000℃(好ま
しくは1700〜1900℃)の温度により適宜の時間
をかけて焼結し、セラミックス焼結休刊とする。ここで
非酸化性雰囲気とされる根拠は、チタンTi、ホウ素B
、金属Mもしくは炭素Cが酸化されないようにすること
にある。
焼結体刊が製造される。
の一実施例について、−層の理解を図るために、具体的
な数値などを挙げて説明する。
35日27gで純度か99重量%であるカーボンブラッ
クCとの混合比を変えて作成した混合物2.5重量%に
対し、平均粒径が3μmでかつ最大粒径が6gmであり
純度が99重量%であるホウ化チタンTiBgを97.
5gi量%だけ配合して作成したセラミックス混合物1
00部を、プラスチック容器中にウレタンボールおよび
300部のエチレンアルコールとともに収容せしめ、2
4時間かけて湿式混合し、これによりセラミックス混合
物を作成した。
て十分に乾燥した。そののちセラミックス混合物100
部は、バインダとしてのポリビニルアルコール2部とと
もに適宜の金型に収容し、300kg/c■2の圧力を
印加して一輌加圧することにより、セラミックス圧粉体
とした。
印加してCIP処理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を
施すことにより、セラミックス成形体とした。
において15℃/分の昇温速度で1900℃の温度まで
加熱し、かつ1900℃の温度に1時間にわたり維持す
ることにより、セラミックス焼結体■0とした。
たとえば実施例4の場合(以下同様)について光学顕微
鏡で写真観察したところ、第2図に示すとおりであった
。すなわちホウ化チタン粒子20の脱落により生じた陥
凹部が散点状に配置されており、また結合層30が空孔
を有さず稠密であることが判明した。
し、その破断面を走査型電子顕微鏡て写真観察したとこ
ろ、第3図に示すとおりであった。すなわちホウ化チタ
ンTiB2粒子20において粒内破壊が生じており、ホ
ウ化チタンTi8.粒子20が結合層30によって強固
に結合されていることが判明した。結合層3aは、X線
回折分析およびEPMA分析により、ホウ化チタンTi
BffiとクロムC「とカーボンブラックCとの間の反
応 TiB*+2Cr +C42CrB + TiCによっ
て生じたホウ化クロムCrBおよび炭化チタンTiCの
混合固溶したマトリックス層(第4図〜第1a図参照)
であることが判明した。
分間浸漬することによってその外表面をエツチング処理
したのち、光学顕微鏡によって写真観察したところ、第
4図に示すとおりであった。すなわちエツチング処理に
よりホウ化チタンTi[12粒子20が脱落して生じた
陥凹部を測定することにより、ホウ化チタンTiB2粒
子20の平均粒径が2〜4μmに止まっていることが判
明した。換言すればホウ化チタンTiB□粒子20は、
当初に比しほとんど成長していないことが判明した。こ
れはクロムCrおよびカーボンブラックCが、焼結に際
しTiBz+2Cr +c −+ 2CrB + Ti
Cの反応を生じており、ホウ化チタンTi8z粒子20
の成長か抑制されているためである。またホウ化チタン
Ti8.粒子20の粒界近傍には、XM回折分析および
EPMA分析により、ホウ化チタンTiBzとクロムC
「との混合固溶相からなる粒界相が形成されていること
も判明した(第6図〜第10図参照)。
を測定したところ、それぞれ第1表に示すとおりであっ
た。
%に対し、ホウ化チタンTiBaを95重量%だけ配合
したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
%に対し、ホウ化チタンTiB、をg2.5重量%だけ
配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりてあった。
量%に対し、ホウ化チタンTi8.を90.0重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTin2を87.5重量%た
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それデれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTiB、を85.0重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTin2を82.5重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTi1tを80.0重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTiBzを77.5重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
量%に対し、ホウ化チタンTie2を75.0重量%だ
け配合したことを除き、実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ第1表に示すとおりてあった。
%に対してホウ化チタンTie2を92.5重量%だけ
配合し、かつ焼結温度を1500℃としたことを除き、
実施例1〜7を反復した。
したところ、それぞれ@2表に示すとSりであった。
77を反復した。
したところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
77を反復した。
したところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
77を反復した。
したところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
したところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
均粒径が31Lmでかつ最大粒径が61Lmであり純度
が99重量%であるホウ化チタンTif1.とを、それ
ぞれ2.5重量%と97.5重量%との割合で配合して
セラミックス配合物を作成し、かつ焼結温度を1800
℃としたことを除き、実施例1を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりてあった。
れぞれ5.0重量%と95.0重量%との割合で配合し
てセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例1
06を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
れぞれ7.5重量%と92.5重量%との割合で配合し
てセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例1
06を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
れぞれ1000重量%と90.0重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれwS3表に示すとおりであプた。
れぞれ12.5重量%と87.5重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりでありだ。
れぞれ15.0重量%と85.0重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
それぞれ17.5重量%と82.5重量%との割合で配
合してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施
例106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
れぞれ20.0重量%と80.0重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
れぞれ22.5重量%と77.5重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりであった。
れぞれ25.0重量%と75.0重量%との割合で配合
してセラミックス配合物を作成したことを除き、実施例
106を反復した。
したところ、それぞれ第3表に示すとおりでありだ。
を反復した。
したところ、それぞれ第4表に示すとおりであった。
を反復した。
したところ、それぞれ第4表に示すとおりであった。
を反復した。
したところ、それぞれ第4表に示すとおりであった。
したところ、それぞれ第4表に示すとおりであった。
8を反復した。
したところ、それぞれ第4表に示すとおりてあった。
ックCを除去したことを除き、実施例1〜70を反復I
ノだ。
度か9神1%のホウ化チタンTiB2100部を、バイ
ンダとしてのポリビニルアルコール2部とともに適宜の
金型に収容し、 300kg/cm2の圧力を印加して
一軸加圧することにより、セラミックス圧粉体を作成し
た。
印加してCIP処理すなわち常温静水圧圧縮成形処理を
施すことにより、セラミックス成形体とした。
において15°C/分の昇温速度て1900°Cの温度
まで加熱し、かつ1900°Cの温度に1時間にわたり
維持することにより、セラミ・ンクス焼結体とした。
、その破断面を走査型電子WJ微鏡で写真観察したとこ
ろ第11図に示すとおりてあった。すなわちホウ化チタ
ンTiRz粒子の粒界破壊か支配的に生しており、ホウ
化チタンT i B 2粒子間の結合かあまり強固てな
いことか判明した。
測定したところ、それぞれ第1表に示すとおりであった
。
ことを除き、実施例1〜7を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例8〜14を反復した。
たところ、それでれ第1表に示すとおりてあった。
ことを除き、実施例15〜21を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例22〜28を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例29〜35を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりてあった。
ことを除き、実施例36〜42を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例43〜49を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例50〜56を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例57〜63を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例64〜70を反復した。
たところ、それぞれ第1表に示すとおりてあった。
ックCを除去したことを除き、実施例71〜77を反復
した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりてあった。
ックCを除去したことを除き、実施例78〜84を反復
した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
ックCを除去したことを除き、実施例85〜91を反復
した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりてあった。
ックCを除去したことを除き、実施例92〜98を反復
した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
ックCを除去したことを除き、実施例99〜105を反
復した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりてあった。
ことを除き、実施例71〜77を反復した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりてあった。
ことを除き、実施例78〜84を反復した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりてあった。
ことを除き、実施例85〜91を反復しセラミックス焼
結体の相対密度および抗折強度を測定したところ、それ
ぞれ第2表に示すとおりであった。
ことを除き、実施例92〜98を反復した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
たことを除き、実施例99〜105を反復した。
たところ、それぞれ第2表に示すとおりであった。
たことを除き、実施例106〜115を反復した。
たところ、それぞれ第3表に示すとおりてあった。
たことを除き、それぞれ実施例116〜120を反復し
た。
たところ、それぞれ第4表に示すとおりであった。
ボンブラックCの混合物2,5〜25重量%に対しホウ
化チタンTiBzを75〜97.5重量%だけ配合し、
かつクロムCrおよびカーボンブラックCとの配合比を
7:0.2〜5として作成されたセラミックス配合物に
関してのみ実行されたが、クロムCrおよびカーボンブ
ラックCの混合物1〜25ffi量%に対しホウ化チタ
ンを75〜99重量%だけ配合し、かつクロムCrおよ
びカーボンブラックCとの配合比を7:0.1〜lOと
して作成されたセラミックス配合物についても良好な結
果が得られている。
量%の炭化クロムCrxC2に対し75〜97.5重量
%だけのホウ化チタンTie2を配合して作成されたセ
ラミックス配合物に関してのみ実行されたが、 0.1
〜89重量%の炭化クロムCr1C2に対し11〜99
.9重量%のホウ化チタンTiB2を配合して作成され
たセラミックス配合物についても良好な結果か得られて
いる。
ラミ・)tクス焼結体は、 遷移金属から選ばれたの少なくとも1種の金属のホウ化
物と炭化チタンとの混合固溶したマトリックス層が、ホ
ウ化チタン粒子の間に配置され てなるので、 (i)ホウ化チタンTiBz粒子間のマトリックス層に
空孔が発生することを十分に抑 制できる効果 ゛ を有し、ひいては (i i)高密度および高強度とできる効果を有する。
結体の一実施例を示す拡大断面図、第2図は第1図実施
例の研磨処理後した外表面の組織な示す光学類am写真
、第3図は第1図実施例の破断面の組織を示す走査型電
子顕微鏡写真、第4図は第1図実施例のエツチング処理
した外表面の組織を示す光学顕微鏡写真、第5図は第1
図実施例のエツチング処理した外表面の組織を示す走査
型電子顕微鏡写真、第6図は第1図実施例の研磨処理し
た外表面の組織を示す走査型電子顕微鏡写真、第7図は
第6図の模写図、第8図は第1図実施例の研磨処理した
外表面の組織のEP鮎分析すなわち電子プローブ微小分
析の結果を示すX線強度分布図、第9図(a)は第1図
実施例の研磨処理した外表面の組織のEP鮎分析すなわ
ち電子プローブ微小分析の結果を示すX線強度分布写真
、:fS9I¥1(b)は第1図実施例の研磨処理した
外表面の組織のEPMA分析すなわち電子プローブ微小
分析の結果を示すX線強度分布写真、第9図(c)は第
9図(a) (b)を重ね合わせて作成した模写図、第
10図は第1図実施例のX線回折分析の結果を示すグラ
フ図、第11図は比較例1として示したホウ化チタンセ
ラミウクス焼結体の破断面の組織を示す走査型電子顕微
鏡写真である。
0・・・・・・・・ホウ化チタン粒子21・−・・・・
粒界相 コ0・・・・・・・・マトリックス層 特許出願人 株式会社ニス・ティー・ケー徒うミyクス
研究所(外2名) 代理人 弁理士 工 藤 隆 失策1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第11図 第7図 A′ 第8図 □チタン 一一一一一クロム 第9図 (C) 一チグン to、um −一一一クロム ■ 0 慨 区 ■D
Claims (5)
- (1)遷移金属から選ばれた少なくとも1種の金属のホ
ウ化物と炭化チタンとの混合固溶したマトリックス層が
、ホウ化チタン粒子の間に配置されてなることを特徴と
するホウ化チタンセラミックス焼結体。 - (2)95%以上の相対密度を有していることを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載のホウ化チタンセラ
ミックス焼結体。 - (3)無加圧状態で焼結してなることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項もしくは第(2)項記載のホウ化
チタンセラミックス焼結体。 - (4)遷移金属が、クロムでなることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項ないし第(3)項のいずれか一項
記載のホウ化チタンセラミックス焼結体。 - (5)ホウ化チタン粒子が、0.5〜8μmの平均粒径
を有してなることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
項ないし第(4)項のいずれか一項記載のホウ化チタン
セラミックス焼結体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62328627A JPH0679978B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | ホウ化チタンセラミックス焼結体 |
US07/285,571 US5185112A (en) | 1987-12-25 | 1988-12-16 | Titanium boride ceramic material |
DE3843712A DE3843712C2 (de) | 1987-12-25 | 1988-12-23 | Titanborid-Keramikmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62328627A JPH0679978B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | ホウ化チタンセラミックス焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01172273A true JPH01172273A (ja) | 1989-07-07 |
JPH0679978B2 JPH0679978B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=18212378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62328627A Expired - Lifetime JPH0679978B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | ホウ化チタンセラミックス焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0679978B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01183470A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | S T K Ceramics Kenkyusho:Kk | ホウ化チタンセラミックス焼結体 |
CN113416078A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-09-21 | 燕山大学 | 一种非化学计量比硼化钛及利用该非化学计量比硼化钛制备的高熵硼化物陶瓷 |
Citations (6)
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JPS4985115A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-15 | ||
JPS6144768A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | 旭硝子株式会社 | 高強度硼化物焼結体 |
JPS62260775A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-13 | 工業技術院長 | 炭化チタニウム・ハフニウム―ホウ化金属基セラミックス材料 |
JPS6350368A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-03-03 | 日本鋼管株式会社 | 二硼化チタン焼結体の製造方法 |
JPS63206361A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | 株式会社 エス・テイ−・ケ−・セラミツクス研究所 | 二硼化金属基セラミツクスの製造方法 |
JPS63206362A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | 株式会社エス・テイ−・ケ−・セラミツクス研究所 | 二硼化金属基セラミツクスの製造方法 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328627A patent/JPH0679978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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JPH01183470A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | S T K Ceramics Kenkyusho:Kk | ホウ化チタンセラミックス焼結体 |
CN113416078A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-09-21 | 燕山大学 | 一种非化学计量比硼化钛及利用该非化学计量比硼化钛制备的高熵硼化物陶瓷 |
CN113416078B (zh) * | 2021-08-09 | 2022-09-27 | 燕山大学 | 一种非化学计量比硼化钛及利用该非化学计量比硼化钛制备的高熵硼化物陶瓷 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0679978B2 (ja) | 1994-10-12 |
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