JPH01171110A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH01171110A JPH01171110A JP62332633A JP33263387A JPH01171110A JP H01171110 A JPH01171110 A JP H01171110A JP 62332633 A JP62332633 A JP 62332633A JP 33263387 A JP33263387 A JP 33263387A JP H01171110 A JPH01171110 A JP H01171110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、磁
気回路におけるヘッドギャップ部側の盛り上がりを反映
して形成された絶縁保ｉ！層における段差部に起因する
悪影響を排除して良好な性、能を発揮させるための薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
気回路におけるヘッドギャップ部側の盛り上がりを反映
して形成された絶縁保ｉ！層における段差部に起因する
悪影響を排除して良好な性、能を発揮させるための薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
薄膜積層技術、或いは、フォトリソグラフィーなどによ
り形成される薄膜磁気ヘッドにあっては、第４図に示す
ように、フェライトなどの磁性基板、若しくは非磁性基
板等の基板１上に、磁気抵抗効果素子２ａを有する磁気
回路２が形成されており、この磁気回路２の上方には磁
気回路２を保護する目的で保護板３が樹脂により貼着さ
れている。
り形成される薄膜磁気ヘッドにあっては、第４図に示す
ように、フェライトなどの磁性基板、若しくは非磁性基
板等の基板１上に、磁気抵抗効果素子２ａを有する磁気
回路２が形成されており、この磁気回路２の上方には磁
気回路２を保護する目的で保護板３が樹脂により貼着さ
れている。
また、上記磁気回路２上には、この磁気回路２を覆うよ
うに絶縁保ＦＪＮ４が形成されるが、この絶縁保護層４
には、上記磁気回路２におけるヘッドギャップ部側の盛
り上がり、即ちフロントギャップ部の段差を反映して段
差部４ａが生じる。このため、上記保護板３を接着する
ための樹脂が上記段差部４ａに入り込み、上記段差部４
ａの高さに対応した厚みの樹脂層５・６が形成されるこ
とになる。
うに絶縁保ＦＪＮ４が形成されるが、この絶縁保護層４
には、上記磁気回路２におけるヘッドギャップ部側の盛
り上がり、即ちフロントギャップ部の段差を反映して段
差部４ａが生じる。このため、上記保護板３を接着する
ための樹脂が上記段差部４ａに入り込み、上記段差部４
ａの高さに対応した厚みの樹脂層５・６が形成されるこ
とになる。
一方、薄膜磁気ヘッドを完成させるには、記録媒体に摺
接する摺動面１０の形成のための摺動面研磨を行うので
あるが、この摺動面研磨終了位置には樹脂層５が存在し
ているため、摺動面研磨を行った後においては、樹脂Ｎ
５が露出することになる。樹脂層５は、摺動面研磨の際
に同時に研磨される部分、即ち、絶縁保護層４、基板１
および保護板３などよりも硬度が低いために、かかる研
磨によって凹みＡが発生し、この凹みＡによって、記録
媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発するという不都
合を有していた。
接する摺動面１０の形成のための摺動面研磨を行うので
あるが、この摺動面研磨終了位置には樹脂層５が存在し
ているため、摺動面研磨を行った後においては、樹脂Ｎ
５が露出することになる。樹脂層５は、摺動面研磨の際
に同時に研磨される部分、即ち、絶縁保護層４、基板１
および保護板３などよりも硬度が低いために、かかる研
磨によって凹みＡが発生し、この凹みＡによって、記録
媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発するという不都
合を有していた。
そこで、このような不都合を解消するため、上記絶縁保
護層４を研削して平坦化した後に、保護板３を接着する
という手法が採用されている。これによれば、平坦面同
士の接着となり、かつ、上記樹脂層５・６の厚みを十分
に薄くできるので、ヘッドの目詰まりを防止することが
可能となる。
護層４を研削して平坦化した後に、保護板３を接着する
という手法が採用されている。これによれば、平坦面同
士の接着となり、かつ、上記樹脂層５・６の厚みを十分
に薄くできるので、ヘッドの目詰まりを防止することが
可能となる。
具体的には、第５図に示すように、基板１を平坦度の優
れた定盤７上にその背面が接するように固定し、定盤７
および基板１の背面を基準にして、回転砥石８などによ
り絶縁保護層４を平面研削する手法や、第６図に示すよ
うに、定盤７上に研磨シート９を固定し、この研磨シー
ト９に絶縁保護層４を対向させ、基板ｌの背面から適当
な圧力を加えつつ摺接させて絶縁保護層４を平坦化する
手法などがある。
れた定盤７上にその背面が接するように固定し、定盤７
および基板１の背面を基準にして、回転砥石８などによ
り絶縁保護層４を平面研削する手法や、第６図に示すよ
うに、定盤７上に研磨シート９を固定し、この研磨シー
ト９に絶縁保護層４を対向させ、基板ｌの背面から適当
な圧力を加えつつ摺接させて絶縁保護層４を平坦化する
手法などがある。
ところが、第５図に示した手法では、基板１の背面を基
準とするため、基板１の厚みのばらつき、および膜内応
力による基板１の反りに起因して、絶縁保護層４の研削
量にもばらつきが生じる。
準とするため、基板１の厚みのばらつき、および膜内応
力による基板１の反りに起因して、絶縁保護層４の研削
量にもばらつきが生じる。
この結果、磁気回路２などを疵付ける虞れがあり、しか
も、平面研削時の機械精度も加算すると、研削の仕上が
り精度を厳格に管理していくには種々の困難を伴うこと
になる。このため、上記絶縁保護層４の厚みは２０μｍ
以上に設定されているが、これでは、スパッタリング、
或いはＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｔｏｎ）法等にて絶縁保護層４を形成す
る際の生産的な面で不利となり、さらに、膜厚の増大に
伴う膜内応力による磁気抵抗効果素子２ａへのダメージ
も問題となっている。
も、平面研削時の機械精度も加算すると、研削の仕上が
り精度を厳格に管理していくには種々の困難を伴うこと
になる。このため、上記絶縁保護層４の厚みは２０μｍ
以上に設定されているが、これでは、スパッタリング、
或いはＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｔｏｎ）法等にて絶縁保護層４を形成す
る際の生産的な面で不利となり、さらに、膜厚の増大に
伴う膜内応力による磁気抵抗効果素子２ａへのダメージ
も問題となっている。
また、第６図に示した手法においても、上述の場合と同
様、基板ｌの厚みのばらつき、および基板１の反りのた
めに、研削量の管理が困難である。さらに、研削時の基
板１に対する加圧によって磁気抵抗効果素子２ａがダメ
ージを受けるという欠点も有している。
様、基板ｌの厚みのばらつき、および基板１の反りのた
めに、研削量の管理が困難である。さらに、研削時の基
板１に対する加圧によって磁気抵抗効果素子２ａがダメ
ージを受けるという欠点も有している。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記問題点
を解決するために、基板上に形成された磁気回路上に第
１絶縁保ｇ１層を形成し、次に、上記磁気回路における
ヘッドギャップ部側の盛り上がりを反映して形成された
第１絶縁保護層の段差部に、第１絶縁保護層よりも小さ
い面積を有し、かつ第１絶縁保護層の段差部を反映した
段差部を有する第２絶縁保護層を第１絶縁保護層よりも
高く形成し、次いで、第１絶縁保護層よりも高い部位で
ある第２絶縁保護層の突起部を研削して平坦化した後、
上記第１絶縁保護層および第２絶縁保護層上に接着剤に
て保護板を貼着し、その後、上記第２絶縁保護層の段差
部相当部位の近傍まで摺動面研磨を施す構成である。
を解決するために、基板上に形成された磁気回路上に第
１絶縁保ｇ１層を形成し、次に、上記磁気回路における
ヘッドギャップ部側の盛り上がりを反映して形成された
第１絶縁保護層の段差部に、第１絶縁保護層よりも小さ
い面積を有し、かつ第１絶縁保護層の段差部を反映した
段差部を有する第２絶縁保護層を第１絶縁保護層よりも
高く形成し、次いで、第１絶縁保護層よりも高い部位で
ある第２絶縁保護層の突起部を研削して平坦化した後、
上記第１絶縁保護層および第２絶縁保護層上に接着剤に
て保護板を貼着し、その後、上記第２絶縁保護層の段差
部相当部位の近傍まで摺動面研磨を施す構成である。
上記の構成によれば、第２絶縁保護層の突起部における
被研削部位の面積は、第１絶縁保護層の面積よりも十分
に小さい。それゆえ、第２絶縁保護層の突起部の研削を
終了して第１絶縁保護層に到達した途端に、被研削面積
が急増することになり、この時点で研削速度が著しく低
下し、結果的に第１絶縁保護層が研削動作のストッパー
の役割を果たすことになる。これにより、第２絶縁保護
層および第１絶縁保護層の平坦化研削工程において、た
とえその研削量にばらつきが生じても、過剰な研削は回
避される。従って、磁気回路などに疵が付くといった事
態を防止することができ、研削の仕上がり精度を厳格に
管理していくことが可能になる。また、上記第２絶縁保
護層の段差部相当部位の近傍は、平坦化されて接着剤と
しての樹脂の介在を最小限にとどめることができるので
、かかる部位まで摺動面研磨を行うことにより、摺動面
に樹脂層が露出するといった事態を防止することができ
る。従って、摺動面研磨により凹みが発生し、この凹み
によって記録媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発す
るという不都合を解消することができる。
被研削部位の面積は、第１絶縁保護層の面積よりも十分
に小さい。それゆえ、第２絶縁保護層の突起部の研削を
終了して第１絶縁保護層に到達した途端に、被研削面積
が急増することになり、この時点で研削速度が著しく低
下し、結果的に第１絶縁保護層が研削動作のストッパー
の役割を果たすことになる。これにより、第２絶縁保護
層および第１絶縁保護層の平坦化研削工程において、た
とえその研削量にばらつきが生じても、過剰な研削は回
避される。従って、磁気回路などに疵が付くといった事
態を防止することができ、研削の仕上がり精度を厳格に
管理していくことが可能になる。また、上記第２絶縁保
護層の段差部相当部位の近傍は、平坦化されて接着剤と
しての樹脂の介在を最小限にとどめることができるので
、かかる部位まで摺動面研磨を行うことにより、摺動面
に樹脂層が露出するといった事態を防止することができ
る。従って、摺動面研磨により凹みが発生し、この凹み
によって記録媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発す
るという不都合を解消することができる。
本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
例えば、ヨーク型を成す磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッ
ド１１は、第１図（ｆ）に示すように、磁性基板１２、
この磁性基板１２上の眉間絶縁層１３、上部磁極１４、
磁気抵抗効果素子１５、磁気回路１９を保護する第１絶
縁保護Ｊｉ１６、この第１絶縁保護層１６上の樹脂Ｊｉ
１７、第２絶縁保護層２０、保護板１８、磁気抵抗効果
素子１５にバイアス磁界をかけるバイアスＮ（図示せず
）、および、磁気抵抗効果素子１５に接続された電極引
出Ｎ（図示せず）などにより構成されている。
ド１１は、第１図（ｆ）に示すように、磁性基板１２、
この磁性基板１２上の眉間絶縁層１３、上部磁極１４、
磁気抵抗効果素子１５、磁気回路１９を保護する第１絶
縁保護Ｊｉ１６、この第１絶縁保護層１６上の樹脂Ｊｉ
１７、第２絶縁保護層２０、保護板１８、磁気抵抗効果
素子１５にバイアス磁界をかけるバイアスＮ（図示せず
）、および、磁気抵抗効果素子１５に接続された電極引
出Ｎ（図示せず）などにより構成されている。
上記の構造において、薄膜磁気ヘッド１１を製造するに
は、先ず、第１図（ａ）に示すように、フェライト等の
磁性基板１２上にｓ ｔ ｏｚから成る眉間絶縁層１３
を形成すると共に、Ｎｉ−Ｆｅ合金から成る上部磁極１
４、磁気抵抗効果素子１５、バイアス層（図示せず）、
および電極引出層（図示せず）等を積層して磁気回路１
９を形成する。
は、先ず、第１図（ａ）に示すように、フェライト等の
磁性基板１２上にｓ ｔ ｏｚから成る眉間絶縁層１３
を形成すると共に、Ｎｉ−Ｆｅ合金から成る上部磁極１
４、磁気抵抗効果素子１５、バイアス層（図示せず）、
および電極引出層（図示せず）等を積層して磁気回路１
９を形成する。
その後、この磁気回路１９上に、スパッタリング法、若
しくはＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａ Ｉ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により、ＳｉＱ、等を
素材とする厚さ約４μｍの第１絶縁保護層１６を形成す
る。この第１絶縁保護Ｎ１６には、上記磁気回路１９に
おけるヘッドギャップ部側の盛り上がり、即ち上部磁極
１４のフロントギャップ部の段差を反映して、段差部１
６ａが形成されている。第１絶縁保護１！ｆ１６’ｆ形
成する際には、第２図（ｂ）に示すように、例えば厚さ
０．３ｎ程度のステンレス鋼の板に第１絶縁保護層１６
に対応するスリット穴２２を形成したメタルマスク２１
を使用する。そして、このメタルマスク２１をそのスリ
ット穴２２が第１絶縁保護１ｉ１６の形成領域と一致す
るように配し、第１絶縁保護層１６の形成領域以外をマ
スキングすることにより、第２図（ａ）に示すように、
スリット穴２２に対応した第１絶縁保護Ｎ１６が形成さ
れる。
しくはＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａ Ｉ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により、ＳｉＱ、等を
素材とする厚さ約４μｍの第１絶縁保護層１６を形成す
る。この第１絶縁保護Ｎ１６には、上記磁気回路１９に
おけるヘッドギャップ部側の盛り上がり、即ち上部磁極
１４のフロントギャップ部の段差を反映して、段差部１
６ａが形成されている。第１絶縁保護１！ｆ１６’ｆ形
成する際には、第２図（ｂ）に示すように、例えば厚さ
０．３ｎ程度のステンレス鋼の板に第１絶縁保護層１６
に対応するスリット穴２２を形成したメタルマスク２１
を使用する。そして、このメタルマスク２１をそのスリ
ット穴２２が第１絶縁保護１ｉ１６の形成領域と一致す
るように配し、第１絶縁保護層１６の形成領域以外をマ
スキングすることにより、第２図（ａ）に示すように、
スリット穴２２に対応した第１絶縁保護Ｎ１６が形成さ
れる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１絶縁保護層１６
上に、スパッタリング法、若しくはＣＶＤ法等により、
ＳｉＯ□等を素材とする厚さ約４μｍの第２絶縁保護Ｊ
ｌｉ２０を形成する。この際には、第２図（ｃ）に示す
ように、厚さ０．３ ｍ程度のステンレス鋼の板に第２
絶縁保ｉ層２０に対応するスリット穴２４を形成したメ
タルマスク２３を使用する。そして、このメタルマスク
２３をそのスリット穴２４が第１絶縁保１１７１１６上
における第２絶縁保護層２０の形成領域と一致するよう
に配し、第２絶縁保護層２０の形成領域以外をマスキン
グすることにより、第２図（ａ）に示すように、スリッ
ト穴２４に対応した第２絶縁保護層２０が形成される。
上に、スパッタリング法、若しくはＣＶＤ法等により、
ＳｉＯ□等を素材とする厚さ約４μｍの第２絶縁保護Ｊ
ｌｉ２０を形成する。この際には、第２図（ｃ）に示す
ように、厚さ０．３ ｍ程度のステンレス鋼の板に第２
絶縁保ｉ層２０に対応するスリット穴２４を形成したメ
タルマスク２３を使用する。そして、このメタルマスク
２３をそのスリット穴２４が第１絶縁保１１７１１６上
における第２絶縁保護層２０の形成領域と一致するよう
に配し、第２絶縁保護層２０の形成領域以外をマスキン
グすることにより、第２図（ａ）に示すように、スリッ
ト穴２４に対応した第２絶縁保護層２０が形成される。
上記第２′ｌ＠縁保護層２０には、第１絶縁保護層１６
と同様、第１図（ｂ）に示すように、前記磁気回路１９
におけるヘッドギャップ部側の盛り上がり、即ち上部磁
極１４のフロントギャップ部の段差を反映して、高さ２
μｍ〜３μｍの段差部２０ａが形成される。尚、第２絶
縁保護層２０の厚さは段差部２０ａの高さ（２μｍ〜３
μｍ）以上で適当に選定される。また、第１図（ａ）中
のＥ線は、記録媒体と摺接する後記の摺動面２９の形成
のための摺動面研磨終了位置を示しており、この位置は
上記段差部２０ａの下端付近に設定される。このとき、
第２図（ａ）に示す第１絶縁保護層１６の幅Ｙと、第２
絶縁保護層２０の幅Ｘとの関係は、第１絶縁保護層１６
の幅Ｙが約３鰭、第２絶縁保護層２０の幅Ｘが約０．５
ｍとなっており、Ｙ／Ｘ＝６に設定されている。
と同様、第１図（ｂ）に示すように、前記磁気回路１９
におけるヘッドギャップ部側の盛り上がり、即ち上部磁
極１４のフロントギャップ部の段差を反映して、高さ２
μｍ〜３μｍの段差部２０ａが形成される。尚、第２絶
縁保護層２０の厚さは段差部２０ａの高さ（２μｍ〜３
μｍ）以上で適当に選定される。また、第１図（ａ）中
のＥ線は、記録媒体と摺接する後記の摺動面２９の形成
のための摺動面研磨終了位置を示しており、この位置は
上記段差部２０ａの下端付近に設定される。このとき、
第２図（ａ）に示す第１絶縁保護層１６の幅Ｙと、第２
絶縁保護層２０の幅Ｘとの関係は、第１絶縁保護層１６
の幅Ｙが約３鰭、第２絶縁保護層２０の幅Ｘが約０．５
ｍとなっており、Ｙ／Ｘ＝６に設定されている。
次に、第１図（ｃ）に示すように、第２絶縁保護Ｎ２０
における第１絶縁保護層１６よりも高い部位である突起
部２０ｂを研削して第１絶縁保護層１６の上面と同一高
さとなるように平坦化する。この平坦化研削工程では、
第３図に示すように、基板保持具２５に、シリコンゴム
等の弾性体２６を介して、この弾性体２６に背面側が接
するように磁性基板１２を取り付ける。そして、平坦度
の優れた定盤２７上に固着された研磨シート２８に、磁
性基板１２に形成されたパターンの表側面、即ち第２絶
縁保護層２０を摺接させて研削する、尚、上記の弾性体
２６は、磁性基板１２の厚さのばらつき、および膜内応
力に起因する磁性基板１２の反り等の研削量を管理する
上での誤差要因を吸収して誤差を緩和すると共に、適当
な加圧力を磁性基板１２に与えて被研削部である第２絶
縁保護層２０を研磨シート２８に適切に圧接する機能を
備えている。
における第１絶縁保護層１６よりも高い部位である突起
部２０ｂを研削して第１絶縁保護層１６の上面と同一高
さとなるように平坦化する。この平坦化研削工程では、
第３図に示すように、基板保持具２５に、シリコンゴム
等の弾性体２６を介して、この弾性体２６に背面側が接
するように磁性基板１２を取り付ける。そして、平坦度
の優れた定盤２７上に固着された研磨シート２８に、磁
性基板１２に形成されたパターンの表側面、即ち第２絶
縁保護層２０を摺接させて研削する、尚、上記の弾性体
２６は、磁性基板１２の厚さのばらつき、および膜内応
力に起因する磁性基板１２の反り等の研削量を管理する
上での誤差要因を吸収して誤差を緩和すると共に、適当
な加圧力を磁性基板１２に与えて被研削部である第２絶
縁保護層２０を研磨シート２８に適切に圧接する機能を
備えている。
上記の平坦化研削工程は、第１図（ａ）に示す摺動面研
磨終了位置Ｅの近傍が平坦化された時点で終了する。即
ち、同図（ｃ）に示すように、第２絶縁保１１Ｊｉ２０
の上面が第１絶縁保護層１６の上面と均一になるように
平坦化された位置、この位置からさらに研削を進め、同
図（ｄ）に示すように、第１絶縁保護層１６が平坦にな
る位置、あるいは上記の再位置の間の位置にて研削を終
了してもよい。そして、同図（ｄ）に示す位置まで研削
する場合であっても、この位置まで研削が進んだときに
、被研削面積の増大によって研削速度が著しく増大する
ため、過度の研削により誤って磁気回路１９にダメージ
を与えることもなく、平坦化研削工程を円滑に行うこと
ができる。
磨終了位置Ｅの近傍が平坦化された時点で終了する。即
ち、同図（ｃ）に示すように、第２絶縁保１１Ｊｉ２０
の上面が第１絶縁保護層１６の上面と均一になるように
平坦化された位置、この位置からさらに研削を進め、同
図（ｄ）に示すように、第１絶縁保護層１６が平坦にな
る位置、あるいは上記の再位置の間の位置にて研削を終
了してもよい。そして、同図（ｄ）に示す位置まで研削
する場合であっても、この位置まで研削が進んだときに
、被研削面積の増大によって研削速度が著しく増大する
ため、過度の研削により誤って磁気回路１９にダメージ
を与えることもなく、平坦化研削工程を円滑に行うこと
ができる。
上記の平坦化研削工程において、例えば、第１図（ｃ）
に示す位置まで研削したものとすると、次に、同図（ｅ
）に示すように、樹脂Ｎ１７を形成するエポキシ系樹脂
によって、第２絶縁保護層２０と第１絶縁保護層１６と
の被研削面に保護板１８を貼着する。そして、記録媒体
と摺接する摺動面２９の形成のために、同図（ｆ）に示
すように、摺動面研磨終了位置Ｅまで研磨して摺動面２
９の仕上げを行い、ヨーク型の薄膜磁気ヘッド１１を得
る。
に示す位置まで研削したものとすると、次に、同図（ｅ
）に示すように、樹脂Ｎ１７を形成するエポキシ系樹脂
によって、第２絶縁保護層２０と第１絶縁保護層１６と
の被研削面に保護板１８を貼着する。そして、記録媒体
と摺接する摺動面２９の形成のために、同図（ｆ）に示
すように、摺動面研磨終了位置Ｅまで研磨して摺動面２
９の仕上げを行い、ヨーク型の薄膜磁気ヘッド１１を得
る。
上記の構成において、第２絶縁保護層２０における被研
削部位の面積は、第１絶縁保護１１１６の面積よりも十
分に小さい。それゆえ、第２絶縁保護層２０の研削を終
了して第１絶縁保護層１６に到達した途端に研削面積が
急増することになり、この時点で研削速度が著しく低下
し、結果的に第１絶縁保護層１６がストッパーとしての
役割を果たすことになる。これにより、第１絶縁保護層
１６および第２絶縁保護層２０の平坦化研削工程におい
て、たとえその研削量にばらつきが生じても、誤って磁
気回路１９を疵付けるといった事態を回避することがで
き、研削の仕上がり精度を厳格に管理していくことがで
きる。また、上記第２絶縁保護層２０の突起部２０ｂ、
あるいは第２絶縁保護１ｉ２０自体の研削は短時間にて
行うことができるので、生産効率の向上にも寄与できる
。さらに、第１絶縁保護層１６および第２絶縁保護層２
０の厚みを薄くできるからその膜内応力を低減でき、素
子に与えるダメージを低減することができる。尚、本実
施例においては、第２絶縁保護層２０の幅Ｘを約０．５
ｍ、第１絶縁保護層１６の幅Ｙを約３鶴にそれぞれ設
定しているが、Ｙ／Ｘ ＞ ３程度であれば、かかる効
果を十分に奏し得るものである。
削部位の面積は、第１絶縁保護１１１６の面積よりも十
分に小さい。それゆえ、第２絶縁保護層２０の研削を終
了して第１絶縁保護層１６に到達した途端に研削面積が
急増することになり、この時点で研削速度が著しく低下
し、結果的に第１絶縁保護層１６がストッパーとしての
役割を果たすことになる。これにより、第１絶縁保護層
１６および第２絶縁保護層２０の平坦化研削工程におい
て、たとえその研削量にばらつきが生じても、誤って磁
気回路１９を疵付けるといった事態を回避することがで
き、研削の仕上がり精度を厳格に管理していくことがで
きる。また、上記第２絶縁保護層２０の突起部２０ｂ、
あるいは第２絶縁保護１ｉ２０自体の研削は短時間にて
行うことができるので、生産効率の向上にも寄与できる
。さらに、第１絶縁保護層１６および第２絶縁保護層２
０の厚みを薄くできるからその膜内応力を低減でき、素
子に与えるダメージを低減することができる。尚、本実
施例においては、第２絶縁保護層２０の幅Ｘを約０．５
ｍ、第１絶縁保護層１６の幅Ｙを約３鶴にそれぞれ設
定しているが、Ｙ／Ｘ ＞ ３程度であれば、かかる効
果を十分に奏し得るものである。
また、上記段差部２０ａが存在した部位の近傍は、前記
の平坦化研削工程において平坦化され、接着剤としての
樹脂が介在していないから、かかる箇所まで摺動面研磨
を行うことにより、摺動面２９に樹脂Ｎ１７が露出しな
い。従って、摺動面研磨によって凹みが発生し、この凹
みにより記録媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発す
るという不都合を解消することができる。
の平坦化研削工程において平坦化され、接着剤としての
樹脂が介在していないから、かかる箇所まで摺動面研磨
を行うことにより、摺動面２９に樹脂Ｎ１７が露出しな
い。従って、摺動面研磨によって凹みが発生し、この凹
みにより記録媒体の摺動時にヘッドの目詰まりを誘発す
るという不都合を解消することができる。
尚、本実施例においては、ヨーク型の薄膜磁気ヘッド１
１を例に挙げたが、巻線型の薄膜磁気ヘッドなどにおい
ても適用できることは勿論である。また、前記平坦化研
削工程においては遊離砥粒による研削を行うことも可能
である。
１を例に挙げたが、巻線型の薄膜磁気ヘッドなどにおい
ても適用できることは勿論である。また、前記平坦化研
削工程においては遊離砥粒による研削を行うことも可能
である。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以上のよう
に、基板上に形成された磁気回路上に第１絶縁保護層を
形成し、次に、上記磁気回路におけるヘッドギヤ・ノブ
部側の盛り上がりを反映して形成された第１絶縁保護層
の段差部に、第１絶縁保護層よりも小さい面積を有し、
かつ第１絶縁保ｍｌの段差部を反映した段差部ををする
第２絶縁保護層を第１絶縁保護層よりも高く形成し、次
いで、第１絶縁保護層よりも高い部位である第２絶縁保
護層の突起部を研削して平坦化した後、上記第１絶縁保
護層および第２絶縁保護層上に接着剤にて保護板を貼着
し、その後、上記第２絶縁保護層の段差部相当部位の近
傍まで摺動面研磨を施す構成である。
に、基板上に形成された磁気回路上に第１絶縁保護層を
形成し、次に、上記磁気回路におけるヘッドギヤ・ノブ
部側の盛り上がりを反映して形成された第１絶縁保護層
の段差部に、第１絶縁保護層よりも小さい面積を有し、
かつ第１絶縁保ｍｌの段差部を反映した段差部ををする
第２絶縁保護層を第１絶縁保護層よりも高く形成し、次
いで、第１絶縁保護層よりも高い部位である第２絶縁保
護層の突起部を研削して平坦化した後、上記第１絶縁保
護層および第２絶縁保護層上に接着剤にて保護板を貼着
し、その後、上記第２絶縁保護層の段差部相当部位の近
傍まで摺動面研磨を施す構成である。
それゆえ、第２絶縁保護層および第１絶縁保護層の平坦
化研削工程において、たとえその研削量にばらつきが生
じても、誤って磁気回路等を疵付けるといった事態を回
避することができ、研磨の仕上がり精度を厳格に管理す
ることができる。しかも、記録媒体に対する摺動面には
、樹脂層が露出しないので、記録媒体の摺動時において
、ヘッドの目詰まりを誘発するという不都合を解消でき
る。その上、上記第２絶縁保護層の突起部の研削は短時
間にて行うことができるので生産効率の向上にも寄与で
きる。さらに、絶縁保護層の厚みを薄くできるからその
膜内応力を低減でき、磁気抵抗効果素子等に与えるダメ
ージを低減することができる。
化研削工程において、たとえその研削量にばらつきが生
じても、誤って磁気回路等を疵付けるといった事態を回
避することができ、研磨の仕上がり精度を厳格に管理す
ることができる。しかも、記録媒体に対する摺動面には
、樹脂層が露出しないので、記録媒体の摺動時において
、ヘッドの目詰まりを誘発するという不都合を解消でき
る。その上、上記第２絶縁保護層の突起部の研削は短時
間にて行うことができるので生産効率の向上にも寄与で
きる。さらに、絶縁保護層の厚みを薄くできるからその
膜内応力を低減でき、磁気抵抗効果素子等に与えるダメ
ージを低減することができる。
このように、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、生産性の向上を図り得ると共に、性能の良好な薄膜
磁気ヘッドを得ることができるという効果を奏する。
ば、生産性の向上を図り得ると共に、性能の良好な薄膜
磁気ヘッドを得ることができるという効果を奏する。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第１図のＣａ）乃至（ｆ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す断面図、第２図（ａ）は第２絶縁保
護層の幅と第１絶縁保護層の幅との関係を示す平面図、
同図（ｂ）と同図（Ｃ）はそれぞれ第１絶縁保護層と第
２絶縁保護層を形成する際に使用するメタルマスクの平
面図、第３図は第１および第２絶縁保護層の平坦化研削
工程を示す説明図、第４図乃至第６図は従来例を示すも
のであって、第４図は薄膜磁気ヘッドの断面図、第５図
および第６図はそれぞれ絶縁保護層の平坦化研削工程を
示す説明図である。 １１は薄膜磁気ヘッド、１２は磁性基板、１３は層間絶
縁層、１４は上部磁極、１５は磁気抵抗効果素子、１６
は第１絶縁保護層、１６ａは段差部、１７は樹脂層、１
８は保護板、１９は磁気回路、２０は第２絶縁保ｙｉ層
、２０ａは段差部、２０ｂは突起部、２１・２３はメタ
ルマスク、２９は摺動面である。 第１図（ａ） １］２ 第 １図（Ｃ） 第１図（ｂ） 豪 第１図（ｄ） 〕２１２ 第 １図（ｆ） ｉ １２ １２′ 第２図（ｂ） 第２図（ａ） 第２図（Ｃ） 第５図 第４図 第 ６１；ｉＡ
て、第１図のＣａ）乃至（ｆ）はそれぞれ薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す断面図、第２図（ａ）は第２絶縁保
護層の幅と第１絶縁保護層の幅との関係を示す平面図、
同図（ｂ）と同図（Ｃ）はそれぞれ第１絶縁保護層と第
２絶縁保護層を形成する際に使用するメタルマスクの平
面図、第３図は第１および第２絶縁保護層の平坦化研削
工程を示す説明図、第４図乃至第６図は従来例を示すも
のであって、第４図は薄膜磁気ヘッドの断面図、第５図
および第６図はそれぞれ絶縁保護層の平坦化研削工程を
示す説明図である。 １１は薄膜磁気ヘッド、１２は磁性基板、１３は層間絶
縁層、１４は上部磁極、１５は磁気抵抗効果素子、１６
は第１絶縁保護層、１６ａは段差部、１７は樹脂層、１
８は保護板、１９は磁気回路、２０は第２絶縁保ｙｉ層
、２０ａは段差部、２０ｂは突起部、２１・２３はメタ
ルマスク、２９は摺動面である。 第１図（ａ） １］２ 第 １図（Ｃ） 第１図（ｂ） 豪 第１図（ｄ） 〕２１２ 第 １図（ｆ） ｉ １２ １２′ 第２図（ｂ） 第２図（ａ） 第２図（Ｃ） 第５図 第４図 第 ６１；ｉＡ
Claims (1)
- １、基板上に形成された磁気回路上に第１絶縁保護層を
形成し、次に、上記磁気回路におけるヘッドギャップ部
側の盛り上がりを反映して形成された第１絶縁保護層の
段差部に、第１絶縁保護層よりも小さい面積を有し、か
つ第１絶縁保護層の段差部を反映した段差部を有する第
２絶縁保護層を第１絶縁保護層よりも高く形成し、次い
で、第１絶縁保護層よりも高い部位である第２絶縁保護
層の突起部を研削して平坦化した後、上記第１絶縁保護
層および第２絶縁保護層上に接着剤にて保護板を貼着し
、その後、上記第２絶縁保護層の段差部相当部位の近傍
まで摺動面研磨を施すことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332633A JPH01171110A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332633A JPH01171110A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171110A true JPH01171110A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18257134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332633A Pending JPH01171110A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01171110A (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62332633A patent/JPH01171110A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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