JP2000190207A - 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number
JP2000190207A
JP2000190207A JP37221398A JP37221398A JP2000190207A JP 2000190207 A JP2000190207 A JP 2000190207A JP 37221398 A JP37221398 A JP 37221398A JP 37221398 A JP37221398 A JP 37221398A JP 2000190207 A JP2000190207 A JP 2000190207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
layer
thickness
polishing method
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP37221398A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Kubota
俊雄 久保田
Masumi Sugawara
真澄 菅原
Takehiro Horinaka
雄大 堀中
Fujimi Kimura
富士巳 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP37221398A priority Critical patent/JP2000190207A/ja
Priority to US09/450,773 priority patent/US6340558B1/en
Publication of JP2000190207A publication Critical patent/JP2000190207A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/048—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces of sliders and magnetic heads of hard disc drives or the like
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、被研磨物の表面を研磨する研磨方法
及び被研磨物表面を研磨して平坦化する平坦化工程を有
する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、研磨後の被研磨
物の表面の残存膜厚のばらつきを低減させることを目的
とする。 【解決手段】アルティック基板１２上に絶縁膜１４を形
成し、その上に下部シールド層１６を形成する。被覆層
１８を形成して、マスク層２２をエッチングマスクとし
てエッチングを行い、マスク層２２の開口底部の被覆層
１８の突起部を所望の厚さだけ除去する。マスク層２２
の開口部周囲の被覆層１８は適度にアンダーカットされ
るため、突起部が削られて全体として平坦になった被覆
層１８を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被研磨物表面を研
磨する研磨方法、及び被研磨物表面を研磨して平坦化す
る平坦化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の読み出し／書き込み
ヘッドとして用いられる薄膜磁気ヘッドの製造では、高
い平坦度を有する表面を形成する際に化学的機械研磨
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉ
ｓｈｉｎｇ；以下ＣＭＰという）が用いられる。ＣＭＰ
では、まず、回転する研磨定盤上に張り渡された研磨パ
ッドの研磨面と、研磨ヘッドに保持された被研磨物とし
ての基板の被研磨表面とを圧接させる。そして、研磨パ
ッドの研磨面に研磨剤であるスラリを供給しつつ、研磨
パッドと研磨ヘッドとをそれぞれ回転させながら、スラ
リを研磨パッドと被研磨表面との間に供給することによ
り、被研磨表面を化学的及び機械的に研磨するようにな
っている。このＣＭＰを用いた研磨により、局所的な平
坦度と共に大域的な所望の平坦度を得ることができるよ
うになる。
【０００３】研磨パッドには、例えば多孔質材料で表面
に微細な凹凸が形成された発泡ウレタン材などの弾性体
が用いられる。そのため研磨の最中において、研磨パッ
ドの研磨面は、対向する被研磨表面の形状（凹凸）にな
らい、ほぼ被研磨表面全面に接触している。従って、一
般的な機械研磨による定盤研磨であれば、被研磨面上の
突起部に片当たりしてほぼ突起部のみを研磨するのに対
し、ＣＭＰによる研磨では、突起部より低位置の面にも
研磨パッドの研磨面が接触するため、この低位置の面も
研磨が進むことになる。但し、研磨パッドの研磨面との
接触圧は突起部の方が低位置の面より大きいので、相対
的に突起部の方が早く研磨され、これにより被研磨面の
平坦化が促進されるようになっている。
【０００４】薄膜磁気ヘッドの製造工程におけるＣＭＰ
を用いた従来の平坦化処理を図２４を用いて簡単に説明
する。図２４は、薄膜磁気ヘッドの磁極部分をトラック
面に平行な方向に切った基板断面を示している。図２４
に示すように、アルティック基板６０上にアルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）からなる下地層としての絶縁層６２が形成さ
れ、その上にパーマロイからなる厚さ約３μｍの下部シ
ールド層６４が形成されている。なお図２４では２つの
下部シールド層６４を図示している。この下部シールド
層６４上面を平坦化するため、図２４に示すように、ア
ルミナを基板全面に堆積し、下部シールド層６４の膜厚
の１．５倍の約４．５μｍの厚さの被覆層６６を形成し
て下部シールド層６４を埋め込んで被覆する。このと
き、薄膜パターンとしての下部シールド層６４上部の被
覆層６６は、絶縁層６２からの高さが約７．５μｍ程度
の突起部になっている。このように薄膜パターンとして
の下部シールド層６４が形成された基板６０表面を被覆
層６６で埋め込んで被覆してから、そのままＣＭＰによ
る研磨を開始する。そして、ＣＭＰでの研磨により薄膜
パターンの下部シールド層６４上部が被覆層６６から露
出した後、さらに研磨を進めて所定膜厚の平坦化層を形
成する。このように、薄膜磁気ヘッドの平坦化処理で
は、基板表面に被覆層を形成すると薄膜パターン上部に
被覆層による突起部が形成される。従って、所望の膜厚
の平坦化層を形成するためには、薄膜パターン上部が被
覆層から露出する前に、できるだけ突起部を研磨して被
覆層を平坦化しておく必要がある。そのため、従来の薄
膜磁気ヘッドの製造工程におけるＣＭＰを用いた平坦化
工程では、堆積させる被覆層の膜厚をかなり厚くしてお
く必要が生じている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えば、２〜１０μｍ
の膜厚を有する素子をアルミナの被覆層で埋め込んで被
覆してから上面を平坦化する場合、従来のＣＭＰによる
研磨方法では、上述のように被覆層の膜厚を素子の膜厚
の１．５倍程度にする必要があり、突起部となる素子上
部の被覆層の絶縁層６２からの高さは３〜１５μｍにな
ってしまっている。
【０００６】このような膜厚にまで堆積した被覆層のア
ルミナをＣＭＰによる研磨で多量に除去すると、必然的
に除去量のばらつきが大きくなり、結果として研磨後の
被研磨表面上の残膜厚のばらつきが大きくなってしま
う。すなわち、従来のＣＭＰによる平坦化では、被研磨
面の高さのばらつきを低減させることができず素子製造
における歩留まりの低下を引き起こす要因となっている
という問題がある。
【０００７】また、従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程に
おいて、平坦化工程での被覆層の形成工程に長時間を要
することになり、素子製造のスループットを改善するた
めの阻害要因となっているという問題を有している。
【０００８】本発明の目的は、研磨後の被研磨物表面の
残存膜厚のばらつきを低減させた研磨方法を提供するこ
とにある。また、本発明の目的は、研磨工程に要する時
間を短縮させる研磨方法を提供することにある。さらに
本発明の目的は、研磨後の被研磨物表面の残存膜厚のば
らつきを低減させて素子製造の歩留まりを向上させた薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。またさ
らに本発明の目的は、研磨工程に要する時間を短縮させ
て素子製造のスループットを向上させた薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、被研磨物表
面を研磨する研磨方法であって、表面に形成された突起
部の膜厚を減少させてから表面を研磨することを特徴と
する研磨方法によって達成される。また、本発明の研磨
方法は、表面上にエッチング保護膜を形成した後パター
ニングを行い、突起部上のエッチング保護膜を開口し、
エッチングにより突起部の膜厚を減少させることを特徴
とする。さらに、本発明の研磨方法において、突起部
は、被研磨物上に形成された薄膜パターンを埋め込んで
被覆した被覆層の薄膜パターン上部に形成されることを
特徴とする。さらに、本発明の研磨方法において、エッ
チング保護膜は、被覆層上に形成することを特徴とす
る。
【００１０】本発明の研磨方法において、エッチング
は、等方性エッチングであることを特徴とする。また、
エッチング保護膜は、フォトレジストで形成されている
ことを特徴とする。あるいは、エッチング保護膜は、金
属材料で形成されていることを特徴とする。
【００１１】また、上記本発明の研磨方法において、開
口は、前記薄膜パターンの幅と等しいかそれより狭い幅
に形成されていることを特徴とする。あるいは、開口
は、薄膜パターンの幅から薄膜パターンの膜厚の２倍を
減じた長さとほぼ等しい幅を有するように形成されてい
ることを特徴とする。
【００１２】さらに、上記本発明の研磨方法において、
被覆層の膜厚は、薄膜パターンの膜厚と同じかそれより
厚く形成することを特徴とする。また、被覆層は、絶縁
材料で形成されていることを特徴とする。またさらに、
上記本発明の研磨方法において、突起部の膜厚を減少さ
せた後、化学的機械研磨により、表面を研磨することを
特徴とする。
【００１３】また、上記目的は、被研磨物表面を研磨し
て平坦化する平坦化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、平坦化工程は、上記本発明のいずれかの
研磨方法を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法によって達成される。本発明の薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、平坦化工程は、薄膜磁気ヘッドを構
成する複数の磁性層のうち少なくともいずれか１つの層
の表面に対して行われることを特徴とする。そして、複
数の磁性層は、薄膜磁気ヘッドを構成する下部シールド
層、上部シールド層、上部ポール部の少なくとも１つを
含むことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】［本発明の第１の実施の形態］本
発明の第１の実施の形態による研磨方法及び薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を図１乃至図２０を用いて説明する。ま
ず、本実施の形態による研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの
製造方法で用いられる化学的機械研磨装置（以下、ＣＭ
Ｐ装置という）の基本的な構成の概略を図１を用いて説
明する。図１は、従来の一般的な構成を有するＣＭＰ装
置を示しており、また、被研磨物としての基板８の表面
を研磨パッドに圧接させてＣＭＰによる平坦化研磨を実
施している状態を示している。なお、本実施の形態にお
いては、従来用いられている種々のＣＭＰ装置を用いる
ことができる。図１において、ＣＭＰ装置１は回転する
研磨定盤（プラテン）２を有している。研磨定盤２上面
には研磨パッド（研磨布）４が全面に張り渡されてい
る。図示しない回転機構により研磨定盤２を回転させる
ことにより研磨パッド４を回転させることができるよう
になっている。
【００１５】基板８は、研磨ヘッド６により回転可能に
保持され、被研磨表面である基板８表面は、回転する研
磨パッド４の研磨面に圧接している。また、研磨パッド
４の研磨面上方にスラリ（研磨剤）を供給するスラリ供
給管１０の供給口が位置している。
【００１６】このような構成のＣＭＰ装置１によって基
板８表面を研磨するには、まず、被研磨物としての基板
８の表面が研磨パッド４側に対応するよう研磨ヘッド６
に保持する。そして、研磨パッド４の研磨面と基板８表
面との間で所定の圧力（例えば、４００ｇ／ｃｍ２）が
生じるように両者を圧接する。次に、スラリ供給管１０
からスラリを研磨パッド４の研磨面に供給しつつ、研磨
定盤２および研磨ヘッド６をそれぞれ回転させて研磨パ
ッド４と基板８表面と圧接させて回転させる。
【００１７】スラリ供給管１０から研磨パッド４上に供
給されたスラリは研磨パッド４の研磨面上に拡散し、基
板８表面と研磨パッド４の相対移動に伴って研磨パッド
４と基板８表面との間に供給される。スラリが研磨パッ
ド４と基板８表面との間に入り込み、スラリを介して研
磨パッド４と基板８表面とが擦れ合うことにより、基板
８表面がスラリによって化学的機械的に研磨され平坦化
が行われる。
【００１８】次に、本実施の形態による研磨方法を使用
した薄膜磁気ヘッドの製造方法について図２乃至図２０
を用いて説明する。本実施の形態では、誘導型の書込用
薄膜磁気ヘッド及び読取用のＭＲ再生素子を積層した複
合型ヘッドを例に取って説明する。図２乃至図１９は、
薄膜磁気ヘッドの磁極部分をトラック面に平行な方向に
切った基板断面を示している。
【００１９】まず、図２に示すように、例えばアルティ
ック（ＡｌＴｉＣ）からなる基板１２上に例えばアルミ
ナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる下地層としての絶縁層１４を
堆積する。次いで、全面に例えばパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）層を約３μｍの厚さで形成した後パターニングして
薄膜パターンの下部シールド層１６を形成する。下部シ
ールド層１６は、この後形成する再生へッドのＭＲ再生
素子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドとして
機能する。なお図２では基板に形成されている複数の下
部シールド層１６のうちの２つを図示している。
【００２０】次に、下部シールド層１６上面を平坦化す
るため、図３に示すように、アルミナを基板全面に堆積
し、下部シールド層１６の膜厚（ｔ１＝３μｍ）の１．
５倍の約４．５μｍの厚さの被覆層１８を形成して下部
シールド層１６を埋め込んで被覆する。このとき、下部
シールド層１６上部の被覆層１８は、被覆層１８自体の
膜厚（ｔ２＝４．５μｍ）に下部シールド層１６の膜厚
ｔ１＝３μｍが加わるため、絶縁膜１４からの高さが約
７．５μｍ（＝ｔ１＋ｔ２）程度の突起部となる。
【００２１】次いで、図４に示すように、スピンコータ
（図示せず）等によりフォトレジストを約４μｍ程度基
板全面に塗布してフォトレジスト層２０を形成する。次
いで、投影露光装置の露光ステージに基板１２を載置し
て、下部シールド層１６の幅よりわずかに狭い開口パタ
ーンが形成されたレチクルの像をフォトレジスト層２０
に転写する。露光が終了した基板１２を現像してフォト
レジスト層２０をパターニングし、図５に示すような、
下部シールド層１６上部の突起部に開口を有するマスク
層２２を形成する。
【００２２】次に、図６に示すように、マスク層２２を
エッチングマスクとしてウェットエッチングによる等方
性エッチングを行い、マスク層２２の開口底部の被覆層
１８の突起部を下部シールド層１６の厚さ約３μｍ分だ
け除去する。マスク層２２の開口部周囲の被覆層１８は
適度にアンダーカットされるため、図３に示した状態と
比較して、突起部が削られて全体として平坦になった被
覆層１８を得ることができる。
【００２３】次いで、図７に示すようにマスク層２２を
除去した後、図１に示したＣＭＰ装置を用いたＣＭＰに
よる平坦化処理を行い、基板１２上面を平坦化する。Ｃ
ＭＰによる平坦化では、図８に示すように、被覆層１８
から下部シールド層１６が露出するまで研磨を行い、最
終的には下部シールド層１６及び研磨された被覆層１８
で形成される埋め込み層１８’で構成される平坦化層２
４の厚さが約２μｍとなるまで表面研磨を行う。
【００２４】このように、本実施の形態による研磨方法
では、被研磨物としての基板の表面を研磨する際に、基
板表面に形成された突起部の膜厚を減少させてから基板
表面を研磨することを特徴としている。また、突起部の
膜厚を減少させるために、基板表面上にエッチング保護
膜としてのフォトレジスト層２０を形成した後パターニ
ングして突起部上のエッチング保護膜を開口したマスク
層２２を形成し、エッチングにより突起部の膜厚を減少
させるようにしている点にも特徴を有している。
【００２５】なお、本実施の形態では、下部シールド層
１６上の被覆層１８で形成される突起部の高さを減少さ
せることを例に用いて説明しているが、基板表面の他の
領域に形成された突起部に対して同様にマスク層をパタ
ーニングしてエッチング処理することにより、その高さ
を低減させることができる。また、本実施の形態による
研磨方法では、エッチング保護膜の材料として、フォト
レジストを用いたが、例えば、Ｔｉ等の金属材料を用い
ることももちろん可能である。
【００２６】また、マスク層２２の突起部上の開口は、
下部シールド層１６の幅よりわずかに狭い開口幅とした
が、使用するエッチャントの性質等を勘案して、下部シ
ールド層１６の幅と等しいかそれより狭い幅を適宜選択
することが可能である。例えば、堆積した被覆層１８の
突起部の段差が急峻であるなら、マスク層２２の突起部
上の開口は、下部シールド層１６の幅から下部シールド
層１６の膜厚の２倍を減じた長さとほぼ等しい幅を有す
るように形成してもよい。こうすることにより、理想的
には、等方性エッチングで突起部の高さを下部シールド
層１６の膜厚分だけ下げることができるようになる。
【００２７】さて、表１は、本実施の形態による下部シ
ールド層１６及び被覆層１８のＣＭＰによる平坦化の具
体的結果の一例を示している。表１に示すデータは、図
２０に示すように、円形の基板表面をほぼ正方形に区画
し、当該正方形の４頂点と４辺の中点、及び１対角線上
の５点の計１３点について膜厚測定した結果を示してい
る。膜厚の測定は、例えば非接触光学式膜厚測定装置を
用いることができる。表１に示すように、本実施の形態
では、堆積させた被覆層１８の膜厚は平均値として４．
５９８１μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は７
０．６ｎｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均
値で２．６０２６μｍ、範囲は０．２６７９μｍであ
る。また、平坦化層２４の膜厚は、平均値で１．９９５
５μｍであり、その範囲（Ｒａｎｇｅ；Ｒ＝（最大値Ｍ
ａｘ）−（最小値Ｍｉｎ））は０．２６４０μｍであ
る。
【００２８】
【表１】
【００２９】一方、表２に従来の研磨方法を用いた場合
の研磨結果を比較例として示す。この比較例における平
坦化工程は、本実施の形態による図２及び図３に示す工
程までが同一である。すなわち、アルティック基板１２
上にアルミナの下地層を形成した後、全面に例えばパー
マロイ層を約３μｍの厚さで形成した後パターニングし
て下部シールド層１６を形成する。
【００３０】次に、下部シールド層１６上面を平坦化す
るため、下部シールド層１６の膜厚の１．５倍の約４．
５μｍの厚さにアルミナを基板全面に堆積して被覆層１
８を形成し、下部シールド層１６を埋め込んで被覆す
る。すなわち、下部シールド層１６上部の被覆層１８が
突起部となっている。この状態で図１に示したＣＭＰ装
置で平坦化のための研磨を行う。
【００３１】表２に示すように、従来の平坦化処理で
は、堆積させた被覆層１８の膜厚は平均値として４．６
２５３μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は６８．
５ｎｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均値で
２．５７２２μｍ、範囲は０．３３０２μｍである。ま
た、平坦化層２４の膜厚は、平均値で２．０５３１μｍ
であり、範囲は０．３３８７μｍである。
【００３２】
【表２】
【００３３】表１及び表２に基づいて、本実施の形態に
よる研磨方法を用いた平坦化処理と比較例による従来の
研磨方法を用いた平坦化処理とを比較する。まず、本実
施の形態及び比較例の双方とも、堆積させた被覆層１８
の膜厚はほぼ同じであり、またその範囲の程度もほぼ同
一である。従って、ＣＭＰによる被覆層１８の除去量も
同一であり、表１及び表２におけるＣＭＰ除去量の平均
値は同等である。ところが、本実施の形態の方は、ＣＭ
Ｐ除去量の範囲が、比較例のそれより約２０％程度小さ
くなっていることが分かる。また、平坦化層２４の膜厚
においても、所望の膜厚２μｍに対して、本実施の形態
が平均値で１．９９５５μｍを達成し、比較例でも平均
値で２．０５３１μｍを達成している点では両者は同等
である。ところが、本実施の形態の方は、平坦化層２４
の膜厚の範囲が、比較例のそれより約２０％程度小さく
なっていることが分かる。
【００３４】このように本実施の形態による研磨方法を
用いることにより、従来に比して研磨後の基板表面の残
存膜厚のばらつきを低減させることが可能となる。さら
に本実施の形態により、研磨後の基板表面の残存膜厚の
ばらつきを低減させて素子製造の歩留まりを向上させた
薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現することができる。
【００３５】さて、以上説明した下部シールド層１６に
おける平坦化層２４の形成が終了した後、図９に示すよ
うに、スパッタリングによりアルミナを所定の膜厚に堆
積して絶縁層２６を形成し、次いで、ＭＲ再生素子を構
成する磁気抵抗効果を有する材料を成膜してパターニン
グし、磁気抵抗層２８を形成する。
【００３６】次に、絶縁層３０を形成して磁気抵抗層２
８を絶縁層２６、３０間に埋設させる。次いで、パーマ
ロイ（ＮｉとＦｅの合金）を形成材料とした上部シール
ド層３２を約４．５μｍの膜厚に形成する。この上部シ
ールド層３２は、下部シールド層１６と共にＭＲ再生素
子を磁気的に遮蔽する機能を有する。また、上部シール
ド層３２は、書き込み用薄膜磁気ヘッドの下部磁性層
（下部ポール）としての機能も有している。
【００３７】次に、上部シールド層３２上面を平坦化す
るため、図１０に示すように、アルミナを基板全面に堆
積して、上部シールド層３２の膜厚の１．５倍の約６．
７５μｍの厚さに被覆層３４を形成して上部シールド層
３２を埋め込んで被覆する。このとき、上部シールド層
３２上部の被覆層３４は、被覆層３４自体の膜厚（＝
６．７５μｍ）に上部シールド層３２の膜厚（＝４．５
μｍ）が加わるため、絶縁層３０からの高さが約１１．
２５μｍ程度の突起部となる。
【００３８】次いで、フォトレジストを約４μｍ程度基
板全面に塗布してフォトレジスト層を形成し、上部シー
ルド層３２の幅よりわずかに狭い開口が上部シールド層
３２上に形成されるようにパターニングして、図１１に
示すような、上部シールド層３２上部の突起部に開口を
有するマスク層３６を形成する。
【００３９】次に、マスク層３６をエッチングマスクと
してウェットエッチングによる等方性エッチングを行
い、マスク層３６の開口底部の被覆層３４の突起部を厚
さ約４．５μｍ、つまり上部シールド層３２の厚さ分だ
け除去する。マスク層３６の開口部周囲の被覆層３４は
適度にアンダーカットされるため、図１２に示すよう
に、突起部が削られて全体として平坦になった被覆層３
４を得ることができる。マスク層３６を除去した後、図
１に示したＣＭＰ装置によるＣＭＰを行い、基板１２上
面を平坦化する。ＣＭＰによる平坦化では、図１３に示
すように、被覆層３４から上部シールド層３２が露出す
るまで研磨を行い、最終的には上部シールド層３２及び
被覆層３４の研磨で形成される埋め込み層３４’で構成
される平坦化層３８の厚さが約３．５μｍとなる平坦化
を行う。
【００４０】以上説明した研磨方法も、下部シールド層
１６を含む平坦化層２４を形成したのと同様に、基板表
面に形成された突起部の膜厚を減少させてから基板表面
を研磨する点に特徴を有している。なお、上部シールド
層３２を含む平坦化層３８を形成する上での特徴点は、
既に説明した下部シールド層１６を含む平坦化層２４を
形成する上での特徴点と一致するので、それらの説明は
省略する。
【００４１】さて、表３は、本実施の形態による上部シ
ールド層３２及び被覆層３４のＣＭＰによる平坦化の結
果の一例を示している。表３に示すデータも、図２０に
示したように基板上を計１３点について膜厚測定した結
果を示している。表３に示すように、本実施の形態で
は、堆積させた被覆層３４の膜厚は平均値として６．７
９８３μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は０．１
２００μｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均
値で３．２６９７μｍ、範囲は０．３０５４μｍであ
る。また、平坦化層３８の膜厚は、平均値で３．５２８
６μｍであり、範囲は０．３０２８μｍである。
【００４２】
【表３】
【００４３】一方、表４に従来の研磨方法を用いた場合
の研磨結果を比較例として示す。この比較例に示すもの
は、本実施の形態による図１１に示した突起部の膜厚を
減少させる工程がない研磨方法を用いた平坦化工程であ
る。すなわち、上部シールド層３２上面を平坦化するた
め、図１０に示すように、上部シールド層３２の膜厚の
１．５倍の約６．７５μｍの厚さにアルミナを基板全面
に堆積して被覆層３４を形成し、上部シールド層３２を
埋め込む。このとき、薄膜パターンとしての上部シール
ド層３２上部の被覆層３４には、絶縁層３０からの高さ
が約１１．２５μｍ程度の突起部が形成されている。こ
の状態で図１に示したＣＭＰ装置で平坦化のための研磨
を行う。
【００４４】表４に示すように、従来の平坦化処理で
は、堆積させた被覆層３４の膜厚は平均値として６．７
２１３μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は０．１
０２５μｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均
値で３．１３６７μｍ、範囲は０．３６６８μｍであ
る。また、平坦化層３８の膜厚は、平均値で３．５８４
６μｍであり、範囲は０．３８５８μｍである。
【００４５】
【表４】
【００４６】表３及び表４に基づいて、本実施の形態に
よる研磨方法を用いた平坦化処理と比較例による従来の
研磨方法を用いた平坦化処理とを比較する。まず、本実
施の形態及び比較例の双方とも、堆積させた被覆層３４
の膜厚はほぼ同じであり、またその範囲の程度もほぼ同
一である。従って、ＣＭＰによる被覆層３４の除去量も
同一であり、表３及び表４におけるＣＭＰ除去量の平均
値は同等である。ところが、本実施の形態の方は、ＣＭ
Ｐ除去量の範囲が、比較例のそれより約２０％程度小さ
くなっていることが分かる。従って、平坦化層２４の膜
厚においても、所望の膜厚３．５μｍに対して、本実施
の形態が平均値で３．５２８６μｍを達成し、比較例で
も平均値で３．５８４６μｍを達成している点では両者
は同等である。ところが、本実施の形態の方は、平坦化
層３８の膜厚の範囲が、比較例のそれより約２０％程度
小さくなっていることが分かる。
【００４７】このように本実施の形態による研磨方法を
用いることにより、従来に比して研磨後の基板表面の残
存膜厚のばらつきを低減させることが可能となる。さら
に本実施の形態により、研磨後の基板表面の残存膜厚の
ばらつきを低減させて素子製造の歩留まりを向上させた
薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現することができる。
【００４８】さて、上部シールド層（下部ポール）３２
における平坦化層３８の形成が終了した後、図１４に示
すように、上部シールド層３２の上に、例えばアルミナ
からなる非磁性材料によりライトギャップ層４０を形成
した後、例えばパーマロイや窒化鉄（ＦｅＮ）のような
高飽和磁束密度材料からなる上部ポールの一部を構成す
るポールチップ４２を厚さ約５μｍに形成する。所定の
形状に成形されたポールチップ４２の幅Ｗでトラック幅
が規定される。
【００４９】次に、ポールチップ４２上面を平坦化する
ため、図１５に示すように、アルミナを基板全面に堆積
して、ポールチップ４２の膜厚の１．５倍の約７．５μ
ｍの厚さに被覆層４４を形成してポールチップ４２を埋
め込んで被覆する。このとき、ポールチップ４２上部の
被覆層４４は、被覆層４４自体の膜厚（＝７．５μｍ）
にポールチップ４２の膜厚（＝５μｍ）が加わるため、
平坦化層３８からの高さが約１２．５μｍ程度の突起部
となる。
【００５０】次いで、フォトレジストを約４μｍ程度基
板全面に塗布してフォトレジスト層を形成し、ポールチ
ップ４２の幅よりわずかに狭い開口がポールチップ４２
上に形成されるようにパターニングして、図１６に示す
ような、ポールチップ４２上部の突起部に開口を有する
マスク層４５を形成する。
【００５１】次に、マスク層４５をエッチングマスクと
してウェットエッチングによる等方性エッチングを行
い、マスク層４５の開口底部の被覆層４４の突起部を厚
さ約５μｍ、つまりポールチップ４２の厚さ分だけ除去
する。マスク層４５の開口部周囲の被覆層４４は適度に
アンダーカットされるため、図１７に示すように、突起
部が削られて全体として平坦になった被覆層４４を得る
ことができる。マスク層４５を除去した後、図１に示し
たＣＭＰ装置によるＣＭＰを行い、基板１２上面を平坦
化する。ＣＭＰによる平坦化では、図１８に示すよう
に、被覆層４４からポールチップ４２が露出するまで研
磨を行い、最終的には被覆層４４の研磨で形成された埋
め込み層４４’及びポールチップ４２で構成される平坦
化層４６の厚さが約４μｍとなる平坦化を行う。
【００５２】以上説明した研磨方法も、既に平坦化層２
４等の形成と同様に、基板表面に形成された突起部の膜
厚を減少させてから基板表面を研磨する点に特徴を有し
ている。また、ポールチップ４２を含む平坦化層４６を
形成する上での特徴点は、既に説明した下部シールド層
１６を含む平坦化層２４を形成する上での特徴点と一致
するので、それらの説明は省略する。
【００５３】さて、表５は、本実施の形態によるポール
チップ４２及び被覆層４４のＣＭＰによる平坦化の結果
の一例を示している。表５に示すデータも、図２０に示
したように基板上を計１３点について膜厚測定した結果
を示している。表５に示すように、本実施の形態では、
堆積させた被覆層４４の膜厚は平均値として７．６００
３μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は０．１２０
７μｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均値で
３．４９７５μｍ、範囲は０．３５６４μｍである。ま
た、平坦化層４６の膜厚は、平均値で４．１０２８μｍ
であり、範囲は０．３７８４μｍである。
【００５４】
【表５】
【００５５】一方、表６に従来の研磨方法を用いた場合
の研磨結果を比較例として示す。この比較例に示すもの
は、本実施の形態による図１６及び図１７を用いて説明
した突起部の膜厚を減少させる工程がない研磨方法を用
いた従来の平坦化工程である。すなわち、ポールチップ
４２上面を平坦化するため、図１５に示すように、ポー
ルチップ４２の膜厚の１．５倍の約７．５μｍの厚さに
アルミナを基板全面に堆積して被覆層４４を形成してポ
ールチップ４２を埋め込んで被覆する。このとき、薄膜
パターンとしてのポールチップ４２上部の被覆層４４に
は、平坦化層４６上面からの高さ約１２．５μｍ程度の
突起部が形成されている。この状態で図１に示したＣＭ
Ｐ装置で平坦化のための研磨を行う。
【００５６】表６に示すように、従来の平坦化処理で
は、堆積させた被覆層４４の膜厚は平均値として７．５
２８４μｍであり、また、計測した膜厚の範囲は０．１
２６８μｍである。また、ＣＭＰによる除去量は、平均
値で３．４６９８μｍ、範囲は０．４０９９μｍであ
る。また、平坦化層４６の膜厚は、平均値で４．０５８
６μｍであり、範囲は０．４２５０μｍである。
【００５７】
【表６】
【００５８】表５及び表６に基づいて、本実施の形態に
よる研磨方法を用いた平坦化処理と比較例による従来の
研磨方法を用いた平坦化処理とを比較する。まず、本実
施の形態及び比較例の双方とも、堆積させた被覆層４４
の膜厚はほぼ同じであり、またその範囲の程度もほぼ同
一である。従って、ＣＭＰによる被覆層４４の除去量も
同一であり、表５及び表６におけるＣＭＰ除去量の平均
値は同等である。ところが、本実施の形態の方は、ＣＭ
Ｐ除去量の範囲が、比較例のそれより約２０％程度小さ
くなっていることが分かる。また、平坦化層４６の膜厚
においても、所望の膜厚４μｍに対して、本実施の形態
が平均値で４．１０２８μｍを達成し、比較例でも平均
値で４．０５８６μｍを達成している点では両者は同等
である。ところが、本実施の形態の方は、平坦化層４６
の膜厚の範囲が、比較例のそれより約１０％程度小さく
なっていることが分かる。
【００５９】このように本実施の形態による研磨方法を
用いることにより、従来に比して研磨後の基板表面の残
存膜厚のばらつきを低減させることが可能となる。さら
に本実施の形態により、研磨後の基板表面の残存膜厚の
ばらつきを低減させて素子製造の歩留まりを向上させた
薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現することができる。
【００６０】さて、ポールチップ４２における平坦化層
４６の形成が終了したら、図示は省略するが、例えば銅
からなる第１の薄膜コイルを形成し、第１の薄膜コイル
上に第１の絶縁膜を形成後、第２の薄膜コイルを形成す
る。次いで、第２の薄膜コイル上部に第２の絶縁膜を形
成する。
【００６１】次に、図１９に示すように、ポールチップ
４２及び図示を省略した第２の絶縁膜上に、例えばパー
マロイからなるヨーク４８を所定の膜厚及び形状に形成
する。次いで、基板上部にアルミナ等によるオーバーコ
ート層を堆積した後、磁気抵抗層２８及びライトギャッ
プ層４０近傍の側面を研磨して、磁気記録媒体に対向す
るエアベアリング面（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒ
ｆａｃｅ：ＡＢＳ）を形成する。
【００６２】［本発明の第２の実施の形態］次に、本発
明の第２の実施の形態による研磨方法及び薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を図２１乃至図２３を用いて説明する。本
実施の形態における研磨方法は、薄膜パターンを埋め込
んで被覆する被覆層の膜厚を、薄膜パターンとほぼ同じ
高さに形成していることを特徴としている。本実施の形
態も第１の実施の形態と同様に、誘導型の書込用薄膜磁
気ヘッド及び読取用のＭＲ再生素子を積層した複合型ヘ
ッドを例に取って説明する。図２１乃至図２３は、薄膜
磁気ヘッドの磁極部分をトラック面に平行な方向に切っ
た基板断面を示している。
【００６３】まず、図２１に示すように、例えばアルテ
ィック基板１２上に例えばアルミナからなる下地層とし
ての絶縁層１４を堆積する。次いで、全面に例えばパー
マロイ層を約３μｍ（＝ｔ１）の厚さで形成した後パタ
ーニングして下部シールド層１６を形成する。次に、下
部シールド層１６上面を平坦化するため、図２１に示す
ように、アルミナを基板全面に堆積し、下部シールド層
１６の膜厚（３μｍ）とほぼ同じ厚さの約３．５μｍの
膜厚の被覆層１８を形成して下部シールド層１６を埋め
込んで被覆する。このとき、下部シールド層１６上部の
被覆層１８は、被覆層１８自体の膜厚（ｔ２＝３．５μ
ｍ）に下部シールド層１６の膜厚ｔ１＝３μｍが加わる
ため、絶縁膜１４からの高さが約６．５μｍ（＝ｔ１＋
ｔ２）程度の突起部となる。
【００６４】次いで、図２２に示すように、フォトレジ
ストを約４μｍ程度基板全面に塗布してフォトレジスト
層を形成する。次いで、下部シールド層１６の幅よりわ
ずかに狭い開口パターンを転写してフォトレジスト層を
パターニングし、図２２に示すような、下部シールド層
１６上部の突起部に開口を有するマスク層２２を形成す
る。
【００６５】次に、図２３に示すように、マスク層２２
をエッチングマスクとしてウェットエッチングによる等
方性エッチングを行い、マスク層２２の開口底部の被覆
層１８の突起部を下部シールド層１６の厚さ分約３μｍ
だけ除去する。マスク層２２の開口部周囲の被覆層１８
は適度にアンダーカットされるため、図２１に示した状
態と比較して、突起部が削られて全体として平坦になっ
た被覆層１８を得ることができる。
【００６６】マスク層２２を除去した後、図１に示した
ＣＭＰ装置を用いたＣＭＰによる平坦化処理を行い、基
板１２上面を平坦化する。ＣＭＰによる平坦化では、第
１の実施の形態と同様に、被覆層１８から下部シールド
層１６が露出するまで研磨を行い、最終的には被覆層１
８の研磨で形成された埋め込み層１８’及び下部シール
ド層１６で構成される平坦化層２４の厚さが約２μｍと
なるまで表面研磨を行う。研磨終了時点の形状は第１の
実施の形態における図８と同様である。
【００６７】このように、本実施の形態による研磨方法
では、第１の実施の形態と同様に、被研磨物としての基
板の表面を研磨する際、基板表面に形成された突起部の
膜厚を減少させてから基板表面を研磨することを特徴と
しているのに加えて、被覆層１８の膜厚を薄膜パターン
である下部シールド層１６の膜厚と同等かそれよりやや
厚い程度に制御して成膜している点に特徴を有してい
る。このように、従来に比して被覆層１８の形成膜厚を
薄くできるのは、被覆層１８の成膜により作られる突起
部を、ＣＭＰとは別のエッチング等の除去手段により予
め除去してしまうからに他ならない。既に従来技術とし
て説明したように、被覆層に形成された突起部を含めて
ＣＭＰで研磨処理をするには、突起部とそれより低位置
の面との研磨の進行速度の差を勘案して、被覆層１８の
膜厚を下部薄膜パターンの膜厚の約１．５倍程度見積も
っていたが、本実施の形態のようにＣＭＰの前に予め突
起部が除去されてしまうのであれば、被覆層１８の膜厚
は、理論的には薄膜パターンの膜厚と同一でよいことに
なる。
【００６８】以上説明した本実施の形態による研磨方法
によれば、被覆層１８の膜厚を薄くすることができるの
で、被覆層１８の成膜に要する時間を節約でき、また、
ＣＭＰによる研磨で除去するアルミナの量も少なくて済
むため研磨工程に要する時間も短縮させることができる
ようになる。従って、薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て、素子製造のスループットを向上させることができる
ようになる。
【００６９】さて、表７は、本実施の形態による下部シ
ールド層１６及び被覆層１８のＣＭＰによる平坦化の結
果の一例を示している。表７に示すデータも、図２０に
示した基板上を計１３点について膜厚測定した結果を示
している。表７に示すように、本実施の形態では、堆積
させた被覆層１８の膜厚は平均値として３．４８６４μ
ｍであり、また、計測した膜厚の範囲は５８．８ｎｍで
ある。また、ＣＭＰによる除去量は、平均値で１．４４
３９μｍ、範囲は０．１８２１μｍである。また、平坦
化層２４（図８参照）の膜厚は、平均値で２．０４２５
μｍであり、範囲は０．１９０２μｍである。
【００７０】
【表７】
【００７１】この表７に示す本実施の形態の研磨結果
と、表２に示した従来の研磨方法、及び表１に示した第
１の実施の形態による研磨方法の研磨結果とを比較す
る。それぞれの表から明らかなように、本実施の形態の
被覆層１８の膜厚は、従来及び第１の実施の形態のそれ
より約１μｍ低くすることができたので、被覆層１８の
膜厚の成膜時の範囲も約２０％程度低くすることができ
ている。従って、本実施の形態でのＣＭＰ除去量も、従
来及び第１の実施の形態のそれより約１μｍ低くするこ
とができるため、ＣＭＰ除去量の範囲も大幅に改善され
ており、従来方法に比して約６０％、第１の実施の形態
に対して約３０％程度小さくなっている。また、平坦化
層２４の膜厚においては、所望の膜厚２μｍに対して、
本実施の形態が平均値で２．０４２５μｍを達成し、従
来例及び第１の実施の形態でもほぼ同等である。ところ
が、本実施の形態によれば、平坦化層２４の膜厚の範囲
が、従来方法に比して７０％程度減少しており、第１の
実施の形態より約３０％程度減少させることができる。
【００７２】このように本実施の形態による研磨方法を
用いることにより、従来に比して研磨後の基板表面の残
存膜厚のばらつきを低減させた研磨方法を実現できると
共に、研磨工程に要する時間を短縮させる研磨方法を実
現できる。
【００７３】さらに本実施の形態によれば、研磨後の基
板表面の残存膜厚のばらつきを低減させて素子製造の歩
留まりを向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現で
きると共に研磨工程に要する時間を短縮させて素子製造
のスループットを向上させた薄膜磁気ヘッドの製造方法
を実現できる。
【００７４】次に、上述と同様に本実施の形態による研
磨方法を適用して上部シールド層（下部ポール）３２に
おける平坦化層３８の形成を行った結果の一例を表８に
示す。表８は、本実施の形態による上部シールド層３２
及び被覆層３４のＣＭＰによる平坦化の結果を示してい
る。表８に示すデータも、図２０に示したように基板上
を計１３点について膜厚測定した結果を示している。表
８に示すように、本実施の形態では、堆積させた被覆層
３４の膜厚は平均値として５．００５９μｍであり、ま
た、計測した膜厚の範囲は９９．６ｎｍである。また、
ＣＭＰによる除去量は、平均値で１．５１９３μｍ、範
囲は０．１７５９μｍである。また、平坦化層３８（図
１３参照）の膜厚は、平均値で３．４８６６μｍであ
り、範囲は０．１８９６μｍである。
【００７５】
【表８】
【００７６】この表８に示す本実施の形態の研磨結果
と、表４に示した従来の研磨方法、及び表３に示した第
１の実施の形態による研磨方法の研磨結果とを比較す
る。それぞれの表から明らかなように、本実施の形態の
被覆層３４の膜厚は、従来及び第１の実施の形態のそれ
より約１．７５μｍ低くすることができている。従っ
て、本実施の形態でのＣＭＰ除去量も、従来及び第１の
実施の形態のそれより約１．７５μｍ低くすることがで
きるため、ＣＭＰ除去量の範囲が大幅に改善されてお
り、従来方法に比して約５０％、第１の実施の形態に対
して約４０％程度小さくなっている。また、平坦化層３
８の膜厚においては、所望の膜厚３．５μｍに対して、
いずれの実施例もほぼ同等である。ところが、本実施の
形態によれば、平坦化層３８の膜厚の範囲が、従来方法
に比して５０％程度減少しており、第１の実施の形態よ
り約４０％程度減少させることができる。
【００７７】次に、さらに上述と同様に本実施の形態に
よる研磨方法を適用して上部ポールを構成するポールチ
ップ４２における平坦化層４６の形成を行った結果を表
９に示す。表９は、本実施の形態によるポールチップ４
２及び被覆層４４のＣＭＰによる平坦化の結果を示して
いる。表９に示すデータも、図２０に示したように基板
上を計１３点について膜厚測定した結果を示している。
表９に示すように、本実施の形態では、堆積させた被覆
層４４の膜厚は平均値として５．５４６７μｍであり、
また、計測した膜厚の範囲は０．１００３μｍである。
また、ＣＭＰによる除去量は、平均値で１．４３３２μ
ｍ、範囲は０．１９１１μｍである。また、平坦化層４
６（図１８参照）の膜厚は、平均値で４．１１３５μｍ
であり、範囲は０．１９８４μｍである。
【００７８】
【表９】
【００７９】この表９に示す本実施の形態の研磨結果
と、表６に示した従来の研磨方法、及び表５に示した第
１の実施の形態による研磨方法の研磨結果とを比較す
る。それぞれの表から明らかなように、本実施の形態の
被覆層４４の膜厚は、従来及び第１の実施の形態のそれ
より約２μｍ低くすることができている。従って、本実
施の形態でのＣＭＰ除去量も、従来及び第１の実施の形
態のそれより約２μｍ低くすることができるため、ＣＭ
Ｐ除去量の範囲が大幅に改善されており、従来方法に比
して約５０％、第１の実施の形態に対して約４０％程度
小さくなっている。また、平坦化層４６の膜厚において
は、所望の膜厚４μｍに対して、いずれの実施例もほぼ
同等である。ところが、本実施の形態によれば、平坦化
層４６の膜厚の範囲が、従来方法に比して５０％程度減
少しており、また、第１の実施の形態より約５０％程度
の減少を達成している。
【００８０】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。上記実施の形態では、突起部の除去
のためにウエット・エッチングによる等方性エッチング
を施したが、本発明はこれに限られず、開口幅などを変
更したマスク層をパターニングすることにより、ドライ
・エッチングによる異方性エッチング（例えば、反応性
イオンエッチング：ＲＩＥ）により突起部を平坦化させ
るようにすることももちろん可能である。
【００８１】上記実施の形態においては、薄膜磁気ヘッ
ドの下部シールド層上面、上部シールド層上面、及び上
部ポールを構成するポールチップ上面にＣＭＰによる平
坦化処理を施したが、これらの層のいずれかについて本
発明を適用してももちろんよく、また、薄膜磁気ヘッド
を構成する他の層にも本発明の研磨方法を適用すること
が可能である。
【００８２】また、上記実施の形態では、本発明の研磨
方法をＣＭＰに適用した例で説明したが、本発明はこれ
に限られず、例えば本発明の研磨方法を機械研磨に用い
ることも可能である。
【００８３】またさらに、上記実施の形態では、薄膜磁
気ヘッドの製造方法を例にとって説明したが、本発明の
研磨方法はこれに限られず、硬度の異なる複数の層が露
出した被研磨面の研磨にも適用することが可能であり、
また、例えば半導体装置の製造方法における研磨工程や
平坦化工程に適用することが可能である。
【００８４】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、ＣＭＰに
よる平坦化の精度を向上させることができるので、製造
する素子の歩留まりを向上させることができる。また、
ＣＭＰに使用する埋め込み用の絶縁膜を形成する時間が
短くて済み、製造プロセスに要する時間を短縮できる。
また、埋め込み用の絶縁膜の使用量を低減できるので製
造コストを抑えることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に用いられるＣＭＰ
装置の概略の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図４】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図５】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図６】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図７】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図８】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図９】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及び
それを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図で
ある。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における基板上の
膜厚測定個所を示す図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態による研磨方法及
びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図
である。
【図２４】従来のＣＭＰを用いた平坦化処理を説明する
図である。
【符号の説明】
２ 研磨定盤（プラテン） ４ 研磨パッド（研磨布） ６ 研磨ヘッド ８ 基板 １０ スラリ供給管 １２ アルティック基板 １４ 絶縁層 １６ 下部シールド層 １８、３４、４４ 被覆層 １８’、３４’、４４’ 埋め込み層 ２０ フォトレジスト層 ２２、３６、４５ マスク層 ２４、３８、４６ 平坦化層 ２６、３０ 絶縁層 ２８ 磁気抵抗層 ３２ 上部シールド層 ４２ ポールチップ ４８ ヨーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀中 雄大 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 木村 富士巳 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 AC04 CB01 CB03 DA12 DA16 5D033 BB43 CA05 DA01 DA09

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被研磨物表面を研磨する研磨方法であっ
    て、 前記表面に形成された突起部の膜厚を減少させてから前
    記表面を研磨することを特徴とする研磨方法。
  2. 【請求項２】請求項１記載の研磨方法であって、 前記表面上にエッチング保護膜を形成した後パターニン
    グを行い、前記突起部上の前記エッチング保護膜を開口
    し、 エッチングにより前記突起部の膜厚を減少させることを
    特徴とする研磨方法。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の研磨方法であっ
    て、 前記突起部は、前記被研磨物上に形成された薄膜パター
    ンを埋め込んで被覆した被覆層の前記薄膜パターン上部
    に形成されることを特徴とする研磨方法。
  4. 【請求項４】請求項３記載の研磨方法であって、 前記エッチング保護膜は、前記被覆層上に形成すること
    を特徴とする研磨方法。
  5. 【請求項５】請求項２乃至４のいずれか１項に記載の研
    磨方法であって、 前記エッチングは、等方性エッチングであることを特徴
    とする研磨方法。
  6. 【請求項６】請求項２乃至５のいずれか１項に記載の研
    磨方法であって、 前記エッチング保護膜は、フォトレジストで形成されて
    いることを特徴とする研磨方法。
  7. 【請求項７】請求項２乃至５のいずれか１項に記載の研
    磨方法であって、 前記エッチング保護膜は、金属材料で形成されているこ
    とを特徴とする研磨方法。
  8. 【請求項８】請求項２乃至７のいずれかに記載の研磨方
    法であって、 前記開口は、前記薄膜パターンの幅と等しいかそれより
    狭い幅に形成されていることを特徴とする研磨方法。
  9. 【請求項９】請求項２乃至７のいずれかに記載の研磨方
    法であって、 前記開口は、前記薄膜パターンの幅から前記薄膜パター
    ンの膜厚の２倍を減じた長さとほぼ等しい幅を有するよ
    うに形成されていることを特徴とする研磨方法。
  10. 【請求項１０】請求項３乃至９のいずれか１項に記載の
    研磨方法であって、 前記被覆層の膜厚は、前記薄膜パターンの膜厚と同じか
    それより厚く形成することを特徴とする研磨方法。
  11. 【請求項１１】請求項３乃至１０のいずれか１項に記載
    の研磨方法であって、 前記被覆層は、絶縁材料で形成されていることを特徴と
    する研磨方法。
  12. 【請求項１２】請求項１乃至１１のいずれか１項に記載
    の研磨方法であって、 前記突起部の膜厚を減少させた後、 化学的機械研磨により、前記表面を研磨することを特徴
    とする研磨方法。
  13. 【請求項１３】被研磨物表面を研磨して平坦化する平坦
    化工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記平坦化工程は、請求項１乃至１２のいずれか１項に
    記載の研磨方法を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  14. 【請求項１４】請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法であって、 前記平坦化工程は、薄膜磁気ヘッドを構成する複数の磁
    性層のうち少なくともいずれか１つの層の表面に対して
    行われることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法であって、 前記複数の磁性層は、薄膜磁気ヘッドを構成する下部シ
    ールド層、上部シールド層、上部ポール部の少なくとも
    １つを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
JP37221398A 1998-12-28 1998-12-28 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 Pending JP2000190207A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37221398A JP2000190207A (ja) 1998-12-28 1998-12-28 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
US09/450,773 US6340558B1 (en) 1998-12-28 1999-11-30 Polishing method and fabrication method of thin film magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37221398A JP2000190207A (ja) 1998-12-28 1998-12-28 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000190207A true JP2000190207A (ja) 2000-07-11

Family

ID=18500054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37221398A Pending JP2000190207A (ja) 1998-12-28 1998-12-28 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6340558B1 (ja)
JP (1) JP2000190207A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104849861A (zh) * 2015-06-01 2015-08-19 中国科学院光电技术研究所 一种用于制备高性能光学薄膜的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002245947A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Canon Inc 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置
JP4244527B2 (ja) * 2001-04-06 2009-03-25 ソニー株式会社 光ディスクの製造方法
JP2003317214A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの下部シールド層の形成方法
US7119988B2 (en) * 2003-04-01 2006-10-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Perpendicular magnetic head having modified shaping layer for direct plating of magnetic pole piece
US7120988B2 (en) * 2003-09-26 2006-10-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming a write head having air bearing surface (ABS)
US20050067374A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Ananda Baer Method of forming a read sensor using photoresist structures without undercuts which are removed using chemical-mechanical polishing (CMP) lift-off processes
US20060002023A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Quang Le Magnetic head having a deposited second magnetic shield and fabrication method therefor
US7479235B2 (en) * 2006-02-13 2009-01-20 Ahead Magnetics, Inc. Method for etching a workpiece

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498565A (en) * 1991-11-29 1996-03-12 Sony Corporation Method of forming trench isolation having polishing step and method of manufacturing semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104849861A (zh) * 2015-06-01 2015-08-19 中国科学院光电技术研究所 一种用于制备高性能光学薄膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6340558B1 (en) 2002-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6969625B2 (en) CMP assisted liftoff micropatterning
JP3371081B2 (ja) 複合型薄膜磁気ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造方法に用いる複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニット
US7640650B2 (en) Method of making a magnetoresistive reader structure
US6353995B1 (en) Thin film mangetic head and method of manufacturing same
JP3859398B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7081041B1 (en) Manufacturing method for forming a write head top pole using chemical mechanical polishing with a DLC stop layer
JP3856591B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6475062B1 (en) Film thickness measuring method, polishing method, fabrication method of thin film magnetic head and substrate for forming the thin film magnetic head
US6024886A (en) Planarizing method for fabricating an inductive magnetic write head for high density magnetic recording
JP3284156B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法を用いて製造された薄膜磁気ヘッド
US6400525B1 (en) Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
JP2000190207A (ja) 研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2003317214A (ja) 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの下部シールド層の形成方法
US20010029158A1 (en) Polishing apparatus and polishing method, and method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing thin film magnetic head
JP3784182B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000042914A (ja) 研磨装置および研磨方法、並びに半導体装置および薄膜磁気ヘッドの製造方法
US20070230061A1 (en) Method for fabricating magnetic head
US6596468B1 (en) Process to form a flux concentration stitched write head
US6367146B1 (en) Photoresist frame plating method for forming planarized magnetic pole layer
JP3366582B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2000202768A (ja) 研磨方法及び装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
US7092205B1 (en) Isolated transducer portions in magnetic heads
JP3490643B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6666981B2 (en) Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head
JP3830070B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040608

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041102