JPH01165672A - 改質ポリアミドーイミドをベースとするワニス及びその製造方法 - Google Patents

改質ポリアミドーイミドをベースとするワニス及びその製造方法

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JPH01165672A
JPH01165672A JP28482788A JP28482788A JPH01165672A JP H01165672 A JPH01165672 A JP H01165672A JP 28482788 A JP28482788 A JP 28482788A JP 28482788 A JP28482788 A JP 28482788A JP H01165672 A JPH01165672 A JP H01165672A
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Alain Anton
アラン・アントン
Richard Wagner
リシヤール・バグネール
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Alsthom Atlantique SA
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
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    • C08G18/34—Carboxylic acids; Esters thereof with monohydroxyl compounds
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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    • C08G73/14—Polyamide-imides
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、導電エナメル線上に熱接着性被覆な形成する
ために使用されるポリアミド−イミドベースのワニスに
係わる。このワニスは、芳香族ポリカルボン酸もしくは
その無水物と芳香族ポリイソシアネートとの縮合生成物
を含む０本発明は、このようなワニスの製造方法にも係
わる。
公知の電気ｔ１械のコイルは殆どがワニスを含浸させた
エナメル線からなる。この種の線のエナメルは導体に絶
録耐力を１・１与し、含浸用ワニスはコイルに機械的強
度と攻撃的環境（溶媒、油、冷却剤）に対する耐性とを
与える。
含浸処理を行うとコイルの製造ザイクルに拘束が加えら
れるなめ、含浸用ワニスに代えて熱接着性ワニスＪｒＢ
をエナメル線の上（外１ｉ１１１　）に形成ノ゛ること
は以前から提案されていた。この種の熱接若性ワニスを
用いれば製造は著しく簡略化される。なぜなら、線を巻
く操作の後でジュール効果を用いるか又は炉の中に入れ
て簡単な加熱を行うだけで磁気回？１′δを固定するこ
とができるからである。
そこで、脂肪族ポリアミド、改質ポリヒダントイン又は
芳香族ポリアミドからなる熱接着性外部Ｊｉが提案され
た。
エナメルへの前記外部層の接着は、熱接着層をポリマー
に応じて１５０℃〜２４０℃の温度で軟化させて行うが
、この現象は可逆的であるため、接着温度が軟化温度と
ほぼ同じになる。
前記タイプの外部層は機械的強度には優れているが、化
学物質、特にフッ素１ヒらしくはタロロフルオロＺ炭１
ヒ水素、例えばモノクロロフルオロメタンのような冷却
剤に対する耐性は不十分である。
エナメル培土のポリアミド−イミド外部層の熱接着性を
向上させるべく、ポリアミド−イミドに軟１ヒ点のより
低い熱可塑性ポリマー、例えばポリアミド、ボリヒダン
１〜イン、芳香族ポリアミドを加えることも提案された
。
特許文書ＤＥ−＾−３６１２３７２に開示されている導
電エナメル線上に熱接ｆ４Ｍを形成するためのポリアミ
ド−イミドベースのワニスは、鎖中に４〜３６個の炭米
原子を含み且つ少なくとも２つの膿接したカルボキシル
基においてモル％で１０％〜６０％の芳香族トリーもし
くはテ！・ジカルボン酸により置換された脂肪族ジカル
ボン酸、その無水物もしくは酸エステルと、芳香族ジイ
ソシアネートもしくはジアミンとの縮合生成物か°らな
る。従って、出発混合物の脂肪族二酸対芳香族トリーも
しくはテトラカルボン酸のモル比は６６．７％〜９００
％である。このようなワニスは、アミド基含量が高いた
め、熱、１ヒ学物質及び冷却剤に対する耐性がポリイミ
ド樹脂よりかなり劣る。
本発明の目的は、導電エナメル線上の熱接着層の形成に
使用されるポリアミド−イミドベースのワニスであって
、熱接着性が高いと同時に耐熱性、１、＋１に熱可塑性
温度に対する耐性、化学物質に対する耐性及び冷却剤に
対する耐性も大きいエナメル線を形成せしめるようなワ
ニスを提供することにある０本発明のワニスは下のエナ
メル層に極めて良く付着し、このワニスを用いれば製造
上特別の性急を払わなくても約１８０℃〜２３０℃の温
度で熱接着性外部層をコイルのエナメル線上にデポジッ
トさせることができる。
第１の態様では、脂肪族二酸（ｄｉａｃｉｄ）、及び／
又は脂肪族二酸をベースとするエステル及び／又はエー
テルをモル％で芳香族ポリカルボン酸の５シアネートを
任意に添加する。
このワニスは更に下記の特徴のうち少なくとも１つを有
するのが好ましい。
−脂肪族二酸が鎖中に２〜３６個、好ましくは４〜１０
個の炭素原子を含む二酸である。
−脂肪族二酸エステルが、二酸とジアルコールとを二Ｈ
ｚモル対ジアルコール１モルの割合で反応させた場合の
生成物である。
−脂肪族ジイソシアネートが−最大 ％式％： ［式中、ｎは４〜１１の整数であって好ましくは６に等
しく、Ｒは水素もしくはメチル基であるコで示される。
−脂肪族ジイソシアネートがイソポロンジイソシアネー
ト、シクロへキシルジイソシアネ−１へ及びジシクロヘ
キシルメタンジイソシアネートの中から選択される。
第２の態様では、芳香族ポリカルボン酸又はその無水物
に脂環式二酸、及び／又は脂環式二酸をベースとするエ
ステル及び／又はエーテル、及び／又は非対称構造の芳
香族二酸を加え、芳香族ポリイソシアネートに脂肪族も
しくは脂環式ジイソシアネートを任意に加える。
このワニスは更に下記の特徴のうち少なくとも１つを有
するのが好ましい。
−脂環式二酸がシクロプロパン、シクロブタン、シクロ
ペンクン、シクロヘキサン及びシクロヘプタン系列の二
酸の中から選択される。
−脂環式二酸エステルが二酸とジアルコールとを二酸２
モル対ジアルコール１モルの割合で反応さぜな場合の生
成物である。
−非対称構造の芳香族二酸がオルトフタル酸又はイソフ
タル酸である。
前記２つの態様のワニスでは、芳香族ポリカルボン酸及
び／又はその無水物並びに芳香族ポリイソシアネート香
族トリーボキシル官能基もし・くは第１アルコール官能
基で鎖を制限する一官能価化合物も加えるのが好ましい
。
有利には、前記縮合生成物に、エポキシ当量１５０〜４
０００、好ましくは５００〜１０００のエポキシ樹脂を
加え得る。エポキシ樹脂の最も好ましい割合は乾燥ポリ
アミド−イミド樹脂の５重量％〜５０ｆｆｉ量％、より
特定的には１０重量％〜３０重量％である。
前記第１の態様のワニスの製造方法は、芳香態ポリカル
ボン酸又はその無水物に脂環式二酸及び／又は脂環式二
酸をベースとするエステル及び／又はエーテル、及び／
又は非対称構造の芳香族二酸を加えたものと゛、脂肪族
もしくは脂環式ジイソシアネートを任意に加えた芳香族
ポリイソシアネー？−とを、４０℃〜２５０℃の温度で
数分〜数時間反応させることを特徴とする。
前記第２の態様のワニスの製造方法は、脂肪族二酸及び
／又は脂肪族二酸をベースとするエステル及び／又はエ
ーテルをモル％で当該芳香族ポリカルボン酸の５〜６０
％、好ましくは２０％〜４０％加えた芳香族ポリカルボ
ン酸又はその無水物と、脂肪族もしくは脂環式ジイソシ
アネーＩ−を任１口に加えた芳香族、ポリイソシアネー
トとを、４０℃〜２５０℃の温度で数分〜数時間反応さ
せることな特徴とする。
前記ポリアミド−イミドワニスの製造で使用する芳香族
ポリイソシアネートは４−４゛ジフエニルメタンジイソ
シアネートが好ましい、この物質全部又は一部分に代え
て２．４−）ルエンージイソシアネート、メターフェニ
レンージイソシアネ−１−，２，４−ジフェニルメタン
ージイソシアネー）、２．２’−ジフェニルメタン−ジ
イソシアネート、４．６−キジレンージイソシアネート
又は１，５−ナフタレンジイソシアネートを使用しても
よい。
前記反応は溶媒を存在させて又は存在させずに行い得る
。好ましい溶媒はジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
タミド、Ｎ−メチル−ピロリドン及び芳香族アルキル化
化合物である。
前記反応は複数のステップで実施するのが好ましいこと
もある。温度は連続的に、又は階段状に上昇させ得る。
前記反応は無水炭酸ガスを発生させる６反応の進行度は
、前記ガスの発生及び反応混合物の粘度の増加によって
測定できる。前記反応は、場合によっては、少なくとも
最後の部分を不活性雰囲気下で実施すると有利である。
ポリカルボン酸もしくはその無水物並びに二酸及びポリ
イソシアネートは理論的割合に近い量で反応させると有
利である０通常は、１５モル％までの過剰量のイソシア
ネート基を使用するのがよい。
得られた重縮合物は極性溶剤中、又は極１１溶剤と芳香
族炭化水素との混合物中に溶ｈ″１′する。
このワニスの乾燥物質含量は５０重量％に達し得るが、
好ましくは２５〜３５重量％である。
このようにして得られたワニスは、公知の耐熱性絶縁ワ
ニス、例えばポリエステルらしくはポリエステルイミド
、特にトリヒドロキシエチルイソシアヌレート（ＴＩＩ
ＥＩＣ）ポリエステルイミドを用いてエナメル加工した
金属線上に然接着性外部層ご形成するのに使用し得る。
この場合、ポリアミド−イミドの第１外部層はあっても
なくてらよい。導線上へのエナメルのデポジットは比軸
的高温の第１炉で行い、熱接着性外部層のデポジットは
それより低い温度の第２炉で行う。但し、ワニスによっ
てはエナメルのデボジッＩ・と熱接着性外部層のデポジ
ットとを同一炉内で行い得る。
インシアホー１−基をカルボキシル基よりｉ謎らか過剰
なモル％で使用する場合には、反応後に残るインシアホ
ー１−基を媒質中に存在するブロック剤、例えばＮ−メ
チルピロリドン又はギ酸でマスキングする。エナメル層
形成炉内に通すと、遊離インシアネート基がポリマー頚
中に存在する！２ｍ水素と反応して疑似架橋結合を生じ
、その結果ポリマーに熱硬１ヒ性の発端が付与される。
これは、Ｆさ接着性の測定時に明らかになる。実際、接
着温度は約２００℃であり剥九１温度は２３０℃〜２５
０℃であるため、これらの温度の間には３０〜５０℃の
差がある。
以下に非限定的実施例を挙げて、先行技術による公知の
ワニス及び本発明の数置ワニスの製造方法を説明する。
夫羞１しｍ：・・　　ボ１アミド−ミドの・・）・２１
の容器に８３１．８３とのＮＨｒ’（Ｎ−メチル−２−
ピロリドン）を導入し、撹拌する。
４０℃に加熱し、１９２ｇの無水Ｉ・リメリッ！−酸（
ＴＭＡ）と２５２．５０Ｂのジフェニルメタン−４，４
゛−ジイソシアネ−１−（ＭＤＩ）とを加える。
温度を２時間で８０℃に上げる。
次いで温度を２時間で１００℃まで徐々に上げる。
反応の初期にガス（ＣＯ２）が発生ずる。
温度を更に４時間で１００　’Ｃから１４０℃に上げる
。
合計で約８５ｇの無水炭酸が放出される（計算量の９７
％）。
得られた反応生成物を１２２．９７ＦｉのＮＭＰと２３
８．７０とのキシレンとで希釈する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は２７％（Ｉｇ−
３０分−２００℃）、ボーメ粘度は２０℃で２０００　
ｍ　ｐ　ａ　ｓである。
Ｘ１Ｊ［Ｌニー・１　ポリアミド−イミドの・−２１の
容器に６７０．５４ｇの８Ｍ１’を導入し、撹拌する。
４０℃に加熱し、１９２ｇのＴ１４＾と４．５６ｇのギ
酸と２５２．５ｇの８０１とを加える。
温度を２時間で８０℃に上げる。
次いで温度を２時間で１００℃まで徐々に上げる。
反応の初期にガス（Ｃｏ□）が発生する。
温度を更に４時間で１００°Ｃから１４０℃に上げる。
合計で約８５ｇ、即ち計算量の９７％の無水炭酸が発生
する。
得られた反応生成物を３．４４ｇのＮＭＰと１６８．４
９ｇのキシレンとで希釈する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は３５％（Ｉｇ−
３０分−２００℃）、ボーメ粘度は２０℃で２，２００
ｍｐａｓである。
Ｘ差ｊしと：　　ボ１アミド−イミドの）゛一実施例１
と同じ操作な行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１・・・７
８８．９０ｇのＮＭＩ’ ２・・・　１１５．２０ｇのＴＭＡ ３・・・５８．４０ｇのアジピン酸 ４・・・２５２．５０８の８０１ 希釈には１１１３．０２ｇの８８１’及び２２６．３８
ｇのキシレンを用いる。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は２７％（Ｉｇ−
３０分−２００℃）、ボーメ粘度は２０℃で２，１００
＋ｎｐａｓである。
夫１１」一 実施例２と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１・・・　
６３６．５７ｇのＮＭＰ ２・・・　１１５．２０．のＴＭＡ ３・・・５８．４０．のアジピン酸、 ４・・・４．５６ｇのギ酸、 ５・・・　２５２．５０ビのＭＤＩ 希釈には、３．０６ｇｃｒ）ＮＭＰと１５９．９１Ｈノ
’ｇ　”ｙ　し□　７とを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（Ｉｇ−３０分
−２００℃で）３５％、ボーメ粘度は２０℃で２，３０
０＋ａｐａｓである。
大」Ｌ阻ｊ− 実施例１と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び旦は下記の通りである：１・・・　
８３８．８３ｇのＮＭＰ、 ２・・・　１３４．４０６のＴＭ八、 ３・・・６０．１３０ｇのセバシン酸、４・・・　２５
２．５０ＨのＭＤＩ 希釈には１２４　、ＯＯｇ（７）　ＮＭＰ及び２４０．
７１ｇのキシレンを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（ｔＦｔ−３Ｏ
分−２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０℃で２，１
００＋ｏｐａｓである。
囚」１阻Ｊ− 実施例４と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１・・・７
５５．９０ビのＮＭｒ’　。
２・・・　１９２．００ビのＴＭ＾、 ３・・・６７．２８．の１．６−ヘキサンジイツシアネ
ー１・、４・・・　１５２．０８ＨのＭＤＩ 希釈には１１１．７５ｇのＮＭＰ及び２１［３、９１ｇ
のキシレンを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（１Ｂ−３０分
−２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０℃で１，９０
０１ｎｐａｓである。
塞」１阻１一 実施例１と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び址は下記の通りである：１・・・　
７５４．０９ＨのＮＭＰ、 ２・・・　１１５．２０ＨのＴＭ＾、 ３・・・５８．４０ｇのアジピン酸、 ４・・・３４．８４ｇのトルエンジイソシアネート、５
・・・　２０２．７４．のＭＤＩ 希釈には１１１．４７ｇのＮＭｒ’及び２１６．３９ｇ
のキシレンを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（Ｉｇ−３０分
−２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０℃で１，８０
０ｍｐａｓである。
人」ｌ理３一 実施例１と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１−７４３
．７７ｇｃｒ）ＮＭｒ’、 ２・・・　１５３　、ＧＯＨのＴＨΔ、３・・・３３．
２０．のイソフタル酸、４・・・６７　、２８８の１，
６−ヘキサンジイツシアネー１・、５・・・　１５２．
６８ｇのＭＤＩ 希釈には１０９．９５ｇのＮＭＰ及び２１３．４３ｇの
キシレンを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（１ｇ−３０分
−２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０℃で１，９０
０＋ｎｐａｓである。
ス１ヱＬと 実施例１と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１・・・　
７８８．９０ｇのＮＭＰ、 ２・・・　１１５．２０ＨのＴＭ＾、 ３・・・５８．４０ｇのアジピン酸、 ４、・・２５２．５０のＭＤＩ 希釈には２４３．０２ｇのＮＭｒ’及び２５６．１４ｇ
のへ・シレンを使用する。
エポキシ樹脂“Ｅｐｉｋｏｔｅ　１００１”（ＳＩＩＥ
ＬＬ　ＣＩ＋ｉ＋ｎｉｅ社）をＮＭｒ’／キシレン（８
０／２０容ユ比）混合溶媒中に５０／’Ｌｌで溶解した
溶液を１３５．２４ｇ加える。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（１ｇ３０分−
２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０°Ｃで１，５０
０ｍｐａｓである。
実ＪＩＪＬ堕− 実施例１と同じ操作を行う。
成分の添加順序及び量は下記の通りである：１・・・　
１０２８．９４ｇのＮＭＰ、２・・・　１８７．５５ｇ
のＴＭ八、 ３・・・６４゜４３ｇのポリエステルニ酸（２モルのア
ジピン酸と１モルの１．６−ヘキサンジオールとの反応
によって生成）、 ４・・・　２９０．１４ｇのＭＤＩ 希釈には５８．２３ｇのＮＭＩ’及び２７１．８３ｇの
キシレンを使用する。
得られたワニスの乾燥物質含量測定値は（１ビ一３０分
−２００℃で）２７％、ボーメ粘度は２０℃で２，００
０ｎｐａｓである。
実施例１〜９の反応体の割合を下記の表Ｉに示す。
これらの実施例で製造したワニスをレファレンス番号１
９８５６００３５で市販されている本出願人のＴＩＩＥ
ＩＣを用いたポリエステルイミドエナメル上に外部層と
してデポジットする。
被覆層の形成は２つの別個の炉を用いて連続的に行う、
これら２つの炉に線を通す速度は１４ｍ／分である。
胆工：下層１９８５（ｉｏ０３５のデポジット、４つの
加熱ゾーン（２５０℃、３７０℃、５００℃、３９０℃
）をもつ縦型機械。
炉に通す回数二〇回。
線の直径の変（ヒ（ＩＩＩＩｏ）　：　０．８５０−０
．８フＯ−０，８９０−０，９１０−０，９３０−０，
９５０゜形成された層の厚み：’　０　、０６５＋ａｍ
　。
笛ユｒ−：熱接着性外部層（本発明の被覆層）のデボジ
ッ１−．９つの加熱ゾーン（２４０℃、３２５℃、２９
０℃）をもつ縦型機械。
炉に通す回数：２回 線の直径の変化：　０．９５０ｍｍ−０，９８０ｍ＋ａ
形成された層の厚み：　０．０３０〜０．０３５ｎ＋ｍ
得られたエナメル線をＣｏｍｍ１ｓｑｉｏｎ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ−Ｌｅｃｈｎｉｑｕｅ　ＩｎｔｅｒｎａＬｉｏｎ
ａｌｅ（ＣＥＩ）１！格：　１９７８年の３１７−１０
＾及び１９８５年の８５１−１〜８５１−６に従って検
査する。熱接着性検査はドイツ規格ＤＩＮ４（３４３５
に従って実施する。
得られた絶縁導線の機械的性質及び化学的性質を下記の
表ＩＩに示す、これらの導線の電気的性質、熱的性質及
び熱接着性は表１’Ｉ　Ｉに示す。
実施例３〜１０で形成した本発明の絶総導線の機械的、
化学的、電気的及び熱的性質は実施例１及び２で形成し
た先行技術の線と同程度であるが、熱接着性は遥かに向
上していることがわかる。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）導電エナメル線上に熱接着層を形成するために使
    用されるポリアミド−イミドベースのワニスであって、
    芳香族ポリカルボン酸又はその無水物に脂肪族二酸及び
    ／又は脂肪族エステル及び／又はエーテルを添加したも
    のと芳香族ポリイソシアネートとの縮合生成物を含み、
    前記脂肪族二酸及び／又は脂肪族二酸をベースとするエ
    ステル及び／又はエーテルがモル％で前記芳香族ポリカ
    ルボン酸の５％〜６０％、好ましくは２０〜４０％存在
    し、前記芳香族ポリイソシアネートに脂肪族又は脂環式
    ジイソシアネートが任意に添加されることを特徴とする
    ワニス。
  2. （２）脂肪族二酸が鎖中に炭素原子を２〜３６個、好ま
    しくは４〜１０個含む二酸であることを特徴とする請求
    項１に記載のワニス。
  3. （３）脂肪族二酸エステルが二酸とジアルコールとを二
    酸２モル対ジアルコール１モルの割合で反応させた場合
    の生成物であることを特徴とする請求項１に記載のワニ
    ス。
  4. （４）脂肪族ジイソシアネートが一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−（ＣＨＲ）ｎ−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ ［式中、ｎは４〜１１の整数であって好ましくは６に等
    しく、Ｒは水素もしくはメチル基である］で示されるこ
    とを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のワニ
    ス。
  5. （５）脂肪族ジイソシアネートがイソホロンジイソシア
    ネート、シクロヘキシルジイソシアネート及びジシクロ
    ヘキシルメタンジイソシアネートの中から選択されるこ
    とを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のワニ
    ス。
  6. （６）導電エナメル線上に熱接着層を形成するために使
    用されるポリアミド−イミドベースのワニスであって、
    芳香族ポリカルボン酸又はその無水物と芳香族ポリイソ
    シアネートとの縮合生成物を合み、前記芳香族ポリカル
    ボン酸又はその無水物に脂環式二酸、及び／又は脂環式
    二酸をベースとするエステル及び／又はエーテル、及び
    ／又は非対称構造の芳香族二酸が添加され、前記芳香族
    ポリイソシアネートに脂肪族もしくは脂環式ジイソシア
    ネートが任意に加えられることを特徴とするワニス。
  7. （７）脂環式二酸がシクロプロパン、シクロブタン、シ
    クロペンタン、シクロヘキサン及びシクロヘプタン系列
    の二酸の中から選択されることを特徴とする請求項６に
    記載のワニス。
  8. （８）脂環式二酸エステルが二酸とジアルコールとを二
    酸２モル対ジアルコール１モルの割合で反応させた場合
    の生成物であることを特徴とする請求項７に記載のワニ
    ス。
  9. （９）非対称構造の芳香族二酸がオルトフタル酸又はイ
    ソフタル酸であることを特徴とする請求項６に記載のワ
    ニス。
  10. （１０）芳香族ポリカルボン酸及び／又はその無水物並
    びに芳香族ポリイソシアネートに、カルボキシル官能基
    もしくは第１アルコール官能基で鎖を制限する一官能価
    化合物も加えられることを特徴とする請求項１から７の
    いずれかに記載のワニス。
  11. （１１）縮合生成物に、エポキシ当量１５０〜４０００
    、好ましくは５００〜１０００のエポキシ樹脂が加えら
    れることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記
    載のワニス。
  12. （１２）エポキシ樹脂が乾燥ポリアミド−イミド樹脂の
    ５重量％〜５０重量％、より好ましくは１０重量％〜３
    ０重量％の割合で加えられることを特徴とする請求項１
    １に記載のワニス。
  13. （１３）導電エナメル線上に熱接着層を形成するために
    使用されるポリアミド−イミドベースのワニスの製造方
    法であって、芳香族ポリカルボン酸又はその無水物に脂
    環式二酸及び／又は脂環式二酸をベースとするエステル
    及び／又はエーテル及び／又は非対称構造の芳香族二酸
    を加えたものと、脂肪族もしくは脂環式ジイソシアネー
    トを任意に加えた芳香族ポリイソシアネートとを、４０
    ℃〜２５０℃の温度で数分〜数時間反応させることを特
    徴とする方法。
  14. （１４）導電エナメル線上に熱接着層を形成するために
    使用されるポリアミド−イミドベースのワニスの製造方
    法であって、芳香族ポリカルボン酸又はその無水物に脂
    肪族二酸及び／又は脂肪族二酸をベースとするエステル
    及び／又はエーテルをモル％で当該芳香族ポリカルボン
    酸の５〜６０％、好ましくは２０％〜４０％加えたもの
    と、脂肪族もしくは脂環式ジイソシアネートを任意に加
    えた芳香族ポリイソシアネートとを、４０℃〜２５０℃
    の温度で数分〜数時間反応させることを特徴とする方法
    。
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