JPH01163570A - Icデバイスの低温試験装置 - Google Patents
Icデバイスの低温試験装置Info
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- JPH01163570A JPH01163570A JP62319761A JP31976187A JPH01163570A JP H01163570 A JPH01163570 A JP H01163570A JP 62319761 A JP62319761 A JP 62319761A JP 31976187 A JP31976187 A JP 31976187A JP H01163570 A JPH01163570 A JP H01163570A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 35
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はICデバイスを低温下で性能試験するためのI
Cデバイスの低温試験装置に関するものである。
Cデバイスの低温試験装置に関するものである。
(従来技術)
従来、ICテスタによるICデバイスの性能試験を一定
の温度条件下で行なうための装置とじて所謂ICハンド
ラーが公知であるが、これは専ら常温または高温下での
試験装置としての機能しか備えておらず、低温下での試
験は、たとえばICテスタのヘッド上に鉄板を介してI
Cデバイスを載置した状態で液体窒素を吹き句ける等、
常温空気中でICデバイスを直接冷却しながら行なう方
式をとっている。
の温度条件下で行なうための装置とじて所謂ICハンド
ラーが公知であるが、これは専ら常温または高温下での
試験装置としての機能しか備えておらず、低温下での試
験は、たとえばICテスタのヘッド上に鉄板を介してI
Cデバイスを載置した状態で液体窒素を吹き句ける等、
常温空気中でICデバイスを直接冷却しながら行なう方
式をとっている。
ところが、この方式によると、空気中の水蒸気が低温の
ICデバイスの表面に付着して着霜、結露が生じ、これ
によりICデバイスに短絡が発生するという問題が生じ
ていた。また、温度変化が激しくて温度管理がしにくい
こと、温度センサによる正確な温度検出が困難なこと等
から温度制御が困難なため、試験精度が低くなるととも
に、温度調整のために作業が中断される場合が多いこと
から連続運転ができないという欠点があった。
ICデバイスの表面に付着して着霜、結露が生じ、これ
によりICデバイスに短絡が発生するという問題が生じ
ていた。また、温度変化が激しくて温度管理がしにくい
こと、温度センサによる正確な温度検出が困難なこと等
から温度制御が困難なため、試験精度が低くなるととも
に、温度調整のために作業が中断される場合が多いこと
から連続運転ができないという欠点があった。
(発明の目的)
そこで本発明は、ICデバイスの@霜、結露を防止でき
るとともに、温度制御が容易で、試験精度の向上および
運転の連続化を実現することがでぎるICデバイスの低
温試験装置を提供するものである。
るとともに、温度制御が容易で、試験精度の向上および
運転の連続化を実現することがでぎるICデバイスの低
温試験装置を提供するものである。
(発明の構成)
本発明は、性能試験される被験体としてのICデバイス
が収容されるテストチャンバと、このテストチャンバ内
において上記ICデバイスに接触または近接してこのI
Cデバイスを冷却するクーリングディスクと、これらテ
ストチャンバ内およびクーリングディスクに冷媒を供給
してこれらを冷却する冷媒供給手段とを具備してなるも
のである。
が収容されるテストチャンバと、このテストチャンバ内
において上記ICデバイスに接触または近接してこのI
Cデバイスを冷却するクーリングディスクと、これらテ
ストチャンバ内およびクーリングディスクに冷媒を供給
してこれらを冷却する冷媒供給手段とを具備してなるも
のである。
この構成により、ICデバイスを、冷媒が充満した低温
かつ乾燥状態にあるテストチャンバ内でクーリングディ
スクによって冷却するため、ICデバイスに着霜、結露
が生じない。また、クーリングディスクによる温度変化
の少ない安定した冷却作用を行なうことができ、かつ温
度センサによる正確な温度検出が可能となるため、温度
制御が容易となり、一定低温下での高精度の試験、そし
て連続運転が可能となる。
かつ乾燥状態にあるテストチャンバ内でクーリングディ
スクによって冷却するため、ICデバイスに着霜、結露
が生じない。また、クーリングディスクによる温度変化
の少ない安定した冷却作用を行なうことができ、かつ温
度センサによる正確な温度検出が可能となるため、温度
制御が容易となり、一定低温下での高精度の試験、そし
て連続運転が可能となる。
(実施例)
本発明の実施例を図によって説明する。
1は直方形箱状のテストチャンバで、このテストチャン
バ1の底部に縦軸まわりに回転するターンテーブル2が
旋回軸受3を介して設置され、このターンテーブル2上
に被験体としての複数のICデバイス4・・・が周方向
一定間隔置きに載置される。これらICデバイス4・・
・は、テストチャンバ1の外底面中央に配置されたIC
テスタのヘッド(以下、テスタヘッドという)5に、タ
ーンテーブル2.ソケット6、配線7を介して電気的に
接続され、ICデバイス4の低温下での性能試験がIC
テスタによって行なわれる。
バ1の底部に縦軸まわりに回転するターンテーブル2が
旋回軸受3を介して設置され、このターンテーブル2上
に被験体としての複数のICデバイス4・・・が周方向
一定間隔置きに載置される。これらICデバイス4・・
・は、テストチャンバ1の外底面中央に配置されたIC
テスタのヘッド(以下、テスタヘッドという)5に、タ
ーンテーブル2.ソケット6、配線7を介して電気的に
接続され、ICデバイス4の低温下での性能試験がIC
テスタによって行なわれる。
また、テストチャンバ1内には、ターンテーブル2の上
部に、右端リング状に形成されたクーリングディスク8
が設けられるとともに、このクーリングディスク8の上
方に熱交換器9、さらにこの熱交換器9の上方でかっ後
壁側に攪拌用ブロワ10がそれぞれ設けられている。
部に、右端リング状に形成されたクーリングディスク8
が設けられるとともに、このクーリングディスク8の上
方に熱交換器9、さらにこの熱交換器9の上方でかっ後
壁側に攪拌用ブロワ10がそれぞれ設けられている。
クーリングディスク8は、第3図に示すように、ステン
レス等の熱伝導性金属材料からなる二枚の右端リング状
金属板8a、8bが接合されて構成されている。この場
合、一方の金属板8aには、他方の金属板8bとの接合
面に周方向の凹溝80が設けられ、両金属板接合状態で
この凹1118Gが閉じられて冷媒通路8dが形成され
ている。
レス等の熱伝導性金属材料からなる二枚の右端リング状
金属板8a、8bが接合されて構成されている。この場
合、一方の金属板8aには、他方の金属板8bとの接合
面に周方向の凹溝80が設けられ、両金属板接合状態で
この凹1118Gが閉じられて冷媒通路8dが形成され
ている。
このクーリングディスク8は、テストチャンバ1の外部
に設置された液体窒素タンク11からの冷媒としての液
体窒素が冷媒通路8dに供給されることによって冷却さ
れ、このクーリングディスク8によってICデバイス4
が冷却される。この場合、クーリングディスク4をIC
デバイス4に密@させてもよいし、僅かに離間させてお
いてもよい。また、とくに密着させる場合に、ICデバ
イス4の過冷却を防止するために、クーリングディスク
8の表面をテフロン、シリコン樹脂等によって被覆して
もよい。
に設置された液体窒素タンク11からの冷媒としての液
体窒素が冷媒通路8dに供給されることによって冷却さ
れ、このクーリングディスク8によってICデバイス4
が冷却される。この場合、クーリングディスク4をIC
デバイス4に密@させてもよいし、僅かに離間させてお
いてもよい。また、とくに密着させる場合に、ICデバ
イス4の過冷却を防止するために、クーリングディスク
8の表面をテフロン、シリコン樹脂等によって被覆して
もよい。
クーリングディスク8を通過した液体窒素は、熱交換器
9に入り、この熱交換器9による熱交換作用、および熱
交換器9の出口から放出される窒素ガスによりテストチ
ャンバ1内が冷却される。
9に入り、この熱交換器9による熱交換作用、および熱
交換器9の出口から放出される窒素ガスによりテストチ
ャンバ1内が冷却される。
また、ブロワ10によるガス攪拌作用により、テストチ
ャンバ1内のガスが攪拌されエアストチャンバ1内が全
域均一に冷却され、これによりターンテーブル2上の複
数のICデバイス4・・・の雰囲気温度が均等に保たれ
る。なお、高温化した窒素ガスは図示しないガス排出ラ
インを介して室外等に排出される。また、テストチャン
バ1内の過冷却防止のために、同チャンバ内加熱用のヒ
ータを設けてもよい。
ャンバ1内のガスが攪拌されエアストチャンバ1内が全
域均一に冷却され、これによりターンテーブル2上の複
数のICデバイス4・・・の雰囲気温度が均等に保たれ
る。なお、高温化した窒素ガスは図示しないガス排出ラ
インを介して室外等に排出される。また、テストチャン
バ1内の過冷却防止のために、同チャンバ内加熱用のヒ
ータを設けてもよい。
テストチャンバ1の一方の側壁にはICデバイス4の搬
入口12、他方の側壁には同搬出口13がそれぞれ設け
られている。ICデバイス4は、ターンテーブル2によ
り搬入口12側から搬出口13側に向けて回転移動し、
この移動中に一定低温下でのICデバイス4の性能試験
が行なわれる。
入口12、他方の側壁には同搬出口13がそれぞれ設け
られている。ICデバイス4は、ターンテーブル2によ
り搬入口12側から搬出口13側に向けて回転移動し、
この移動中に一定低温下でのICデバイス4の性能試験
が行なわれる。
また、テストチャンバ1の上記搬入口12側の側方に前
処理室14、搬出口13側の側方に後処理室15がそれ
ぞれテストチャンバ1と隣接して設けられている。これ
ら前、後両処理室14.1− 〇 − 5には、それぞれ窒素ガスタンク16からの窒素ガスが
ヒ〜り17.18により加熱されて供給され、この窒素
ガスにより、画処理室14.15が常温よりは低温でテ
ストチャンバ1内温度よりは高温、かつ乾燥状態に保持
される。
処理室14、搬出口13側の側方に後処理室15がそれ
ぞれテストチャンバ1と隣接して設けられている。これ
ら前、後両処理室14.1− 〇 − 5には、それぞれ窒素ガスタンク16からの窒素ガスが
ヒ〜り17.18により加熱されて供給され、この窒素
ガスにより、画処理室14.15が常温よりは低温でテ
ストチャンバ1内温度よりは高温、かつ乾燥状態に保持
される。
このように、テストチャンバ1の入口側および出口側に
、温度的にはテストチャンバ内外温度の中間状態の乾燥
室としての画処理室14.15を設けることにより、 (イ)テストチャンバ1内への外部空気の侵入を防止す
ることができる。
、温度的にはテストチャンバ内外温度の中間状態の乾燥
室としての画処理室14.15を設けることにより、 (イ)テストチャンバ1内への外部空気の侵入を防止す
ることができる。
(ロ)ICデバイス4を、テストチャンバ1内への搬入
前に前処理室14によって予冷すると同時に、その表面
を窒素ガスで覆って露点を下げることかできる。
前に前処理室14によって予冷すると同時に、その表面
を窒素ガスで覆って露点を下げることかできる。
(ハ)テスト後、ICデバイス4を外部に取出す前に、
後処理室15で昇温させて外部との温度ギャップを小さ
くすることができる。
後処理室15で昇温させて外部との温度ギャップを小さ
くすることができる。
これらにより、Icデバイス4のテストチャンバ1内で
の試験中および試験後の着霜、結露の発生原因を完全に
なくし、ICデバイス4の着霜、結露をより一層確実に
防止することができる。
の試験中および試験後の着霜、結露の発生原因を完全に
なくし、ICデバイス4の着霜、結露をより一層確実に
防止することができる。
なお、テストチャンバ1内および画処理室14゜15内
は、空気侵入防止効果を高めるために、大気圧より少し
高い圧力に保たれる。また、画処理室14.15には、
昇温、乾燥を助けるためのプレートヒータ19.20が
設けられている。また、テスタヘッド5の上面とテスト
チャンバ1の外底面との間に小室21が形成され、この
小室21にも、窒素ガスタンク16からの窒素ガスがヒ
ータ22により加熱されて供給されることにより、テス
タヘッド5の着霜、結露が防止されるようになっている
。さらに、テストチャンバ1および画処理v14.15
は、保冷のために断熱材にて被覆される。
は、空気侵入防止効果を高めるために、大気圧より少し
高い圧力に保たれる。また、画処理室14.15には、
昇温、乾燥を助けるためのプレートヒータ19.20が
設けられている。また、テスタヘッド5の上面とテスト
チャンバ1の外底面との間に小室21が形成され、この
小室21にも、窒素ガスタンク16からの窒素ガスがヒ
ータ22により加熱されて供給されることにより、テス
タヘッド5の着霜、結露が防止されるようになっている
。さらに、テストチャンバ1および画処理v14.15
は、保冷のために断熱材にて被覆される。
一方、クーリングディスク8とテストチャンバ1に対す
る液体窒素の供給ライン、および前、後両処理室14.
15に対する窒素ガスの供給ライン、ならびに小室21
に対する窒素ガスの供給ラインにそれぞれ開閉弁23.
24.25.26が設けられ、これら各開閉弁23〜2
6による液体窒素および窒素ガスの供給制御により、ク
ーリングディスク8、テストチャンバ1内、画処理室1
4.15内、および小室21内の温度が制御される。
る液体窒素の供給ライン、および前、後両処理室14.
15に対する窒素ガスの供給ライン、ならびに小室21
に対する窒素ガスの供給ラインにそれぞれ開閉弁23.
24.25.26が設けられ、これら各開閉弁23〜2
6による液体窒素および窒素ガスの供給制御により、ク
ーリングディスク8、テストチャンバ1内、画処理室1
4.15内、および小室21内の温度が制御される。
このうち、液体窒素供給ラインの開閉弁23は、クーリ
ングディスク8の温度を検出する温度センサ27からの
信号に基づいてコントローラ28によって自動的に開閉
制御され、これによりICデバイス4の冷却温度が自動
的に一定に制御されるようになっている。いいかえれば
、この低温試験装置によると、従来の常温空気中での窒
素吹き付は方式等と異なり、テストチャンバ1内の低温
雰囲気中でクーリングディスク8によってICデバイス
4を冷却するため、ICデバイス4の冷却温度が安定し
ていること、温度センサ26がICデバイス同様、着霜
、結露のおそれがなく、正確な温度検出を行ないうろこ
と等により、従来方式では困難乃至は不可能であった冷
却温度の自動制御が可能となるものである。また、こう
して温度制御が可能となることにより、運転の連続化が
可能となる。
ングディスク8の温度を検出する温度センサ27からの
信号に基づいてコントローラ28によって自動的に開閉
制御され、これによりICデバイス4の冷却温度が自動
的に一定に制御されるようになっている。いいかえれば
、この低温試験装置によると、従来の常温空気中での窒
素吹き付は方式等と異なり、テストチャンバ1内の低温
雰囲気中でクーリングディスク8によってICデバイス
4を冷却するため、ICデバイス4の冷却温度が安定し
ていること、温度センサ26がICデバイス同様、着霜
、結露のおそれがなく、正確な温度検出を行ないうろこ
と等により、従来方式では困難乃至は不可能であった冷
却温度の自動制御が可能となるものである。また、こう
して温度制御が可能となることにより、運転の連続化が
可能となる。
ところで、上記実施例では、クーリングディスク8に通
した液体窒素を熱交換器9を介してテストチャンバ1内
に供給する構成をとったが、クーリングディスク8と熱
交換器9に別々の系統から冷媒を供給するようにしても
よい。また、熱交換器9およびプロワ10は、テストチ
ャンバ1内全域を均一温度に保つうえで非常に有効であ
るが、これらを設けない場合でも、たとえばテストチャ
ンバ1内に多数箇所から冷媒を送り込む等の工夫により
対処可能である。さらに、クーリングディスク8および
テストチャンバ1内に供給する冷媒として、上記実施例
で用いた液体窒素に代えて、冷却したメタノールやフロ
ンガス等を用いてもよい。一方、ICデバイスの着霜、
結露防止上、上記実施例のようにテストチャンバ10入
口側に前処理室、出口側に後処理室を設けるのが最も望
ましいが、これら画処理室がない場合でも、テストチャ
ンバ内が低温かつ乾燥状態に保持されることにより、実
用上十分な効果を上げることができる。
した液体窒素を熱交換器9を介してテストチャンバ1内
に供給する構成をとったが、クーリングディスク8と熱
交換器9に別々の系統から冷媒を供給するようにしても
よい。また、熱交換器9およびプロワ10は、テストチ
ャンバ1内全域を均一温度に保つうえで非常に有効であ
るが、これらを設けない場合でも、たとえばテストチャ
ンバ1内に多数箇所から冷媒を送り込む等の工夫により
対処可能である。さらに、クーリングディスク8および
テストチャンバ1内に供給する冷媒として、上記実施例
で用いた液体窒素に代えて、冷却したメタノールやフロ
ンガス等を用いてもよい。一方、ICデバイスの着霜、
結露防止上、上記実施例のようにテストチャンバ10入
口側に前処理室、出口側に後処理室を設けるのが最も望
ましいが、これら画処理室がない場合でも、テストチャ
ンバ内が低温かつ乾燥状態に保持されることにより、実
用上十分な効果を上げることができる。
(発明の効果)
上記のように本発明のICデバイスの低温試験装置によ
るときは、ICデバイスを、冷媒が充満した低温かつ乾
燥状態のテストチャンバ内でクーリングディスクによっ
て冷却するため、このICデバイスに着霜、結露が生じ
るおそれがなくなる。
るときは、ICデバイスを、冷媒が充満した低温かつ乾
燥状態のテストチャンバ内でクーリングディスクによっ
て冷却するため、このICデバイスに着霜、結露が生じ
るおそれがなくなる。
また、低温雰囲気中でクーリングディスクにより安定し
た冷却作用を行なうことができ、かつ温度センサによる
正確な温度制御が可能となるため、従来の常温空気中で
の窒素吹き付は方式等では困難であった温度制御が容易
となり、ICデバイスの試験精度を向上させることがで
きるとともに、連続運転が可能となるものである。
た冷却作用を行なうことができ、かつ温度センサによる
正確な温度制御が可能となるため、従来の常温空気中で
の窒素吹き付は方式等では困難であった温度制御が容易
となり、ICデバイスの試験精度を向上させることがで
きるとともに、連続運転が可能となるものである。
第1図は本発明の実施例にかかる試験装置の構成を示す
概略縦断面図、第2図は同水平断面図、第3図は第2図
I−1[[線に沿うクーリングディスクの拡大断面図で
ある。 1・・・テストチャンバ、4・・・ICデバイス、5・
・・ICテスタのヘッド、8・・・クーリングディスク
、8d・・・クーリングディスクの冷媒通路、11・・
・クーリングディスクおよびテストチャンバ内に冷媒と
しての液体窒素および窒素ガスを供給する液体窒素タン
ク。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所 同 日本エル・ニス・アイ株式会社代 理 人
弁理士 小谷悦司 同 弁理士 長1)正 同 弁理士 板谷康夫
概略縦断面図、第2図は同水平断面図、第3図は第2図
I−1[[線に沿うクーリングディスクの拡大断面図で
ある。 1・・・テストチャンバ、4・・・ICデバイス、5・
・・ICテスタのヘッド、8・・・クーリングディスク
、8d・・・クーリングディスクの冷媒通路、11・・
・クーリングディスクおよびテストチャンバ内に冷媒と
しての液体窒素および窒素ガスを供給する液体窒素タン
ク。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所 同 日本エル・ニス・アイ株式会社代 理 人
弁理士 小谷悦司 同 弁理士 長1)正 同 弁理士 板谷康夫
Claims (1)
- 1、性能試験される被験体としてのICデバイスが収容
されるテストチャンバと、このテストチャンバ内におい
て上記ICデバイスに接触または近接してこのICデバ
イスを冷却するクーリングディスクと、これらテストチ
ャンバ内およびクーリングディスクに冷媒を供給してこ
れらを冷却する冷媒供給手段とを具備してなることを特
徴とするICデバイスの低温試験装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319761A JPH01163570A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | Icデバイスの低温試験装置 |
US07/284,547 US4918928A (en) | 1987-12-17 | 1988-12-15 | Apparatus for testing IC devices at low temperature and cooling bag for use in testing IC devices at low temperature |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319761A JPH01163570A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | Icデバイスの低温試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01163570A true JPH01163570A (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=18113884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62319761A Pending JPH01163570A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | Icデバイスの低温試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01163570A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6505471B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
JP2008016487A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板温度制御装置および半導体検査装置 |
JP2017044593A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品搬送装置および電子部品検査装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54115189A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Toshiba Corp | Low temperature conveyor unit |
JPS5717871A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Environment test device |
JPS5759450B2 (ja) * | 1975-12-17 | 1982-12-15 | Sumitomo Electric Industries |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62319761A patent/JPH01163570A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5759450B2 (ja) * | 1975-12-17 | 1982-12-15 | Sumitomo Electric Industries | |
JPS54115189A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Toshiba Corp | Low temperature conveyor unit |
JPS5717871A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | Environment test device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6505471B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
US6615605B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-09 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting device used at low temperature without deterioration thereof |
JP2008016487A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板温度制御装置および半導体検査装置 |
JP2017044593A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品搬送装置および電子部品検査装置 |
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