JPH01162231A - 薄膜磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01162231A JPH01162231A JP32084487A JP32084487A JPH01162231A JP H01162231 A JPH01162231 A JP H01162231A JP 32084487 A JP32084487 A JP 32084487A JP 32084487 A JP32084487 A JP 32084487A JP H01162231 A JPH01162231 A JP H01162231A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜型の磁気記録媒体において、磁性膜をスパッタによ
って形成する方法に関し、 基板の円周方向において、均一な条件でスパッタが行な
われるようにすることを目的とし、非磁性の基板を、一
対のターゲット間に配置することで、基板に磁性膜をス
パッタによって成膜する際に、 基板とターゲットとの間に、基板とターゲット間を結ぶ
方向に貫通する貫通孔を多数有する遮蔽手段を設け、基
板に対し垂直方向から飛来する成分のみが基板に到達し
被着されるように構成する。
って形成する方法に関し、 基板の円周方向において、均一な条件でスパッタが行な
われるようにすることを目的とし、非磁性の基板を、一
対のターゲット間に配置することで、基板に磁性膜をス
パッタによって成膜する際に、 基板とターゲットとの間に、基板とターゲット間を結ぶ
方向に貫通する貫通孔を多数有する遮蔽手段を設け、基
板に対し垂直方向から飛来する成分のみが基板に到達し
被着されるように構成する。
磁気ディスク装置における記録媒体である磁気記録媒体
には、非磁性の円板に磁性塗料を塗布してなる塗膜型と
、Co−NiやCo−Ptなどの磁性金属を成膜して成
る薄膜型とがある。本発明は、後者の薄膜型の磁気記録
媒体において、磁性膜をスパッタによって形成する方法
に関する。
には、非磁性の円板に磁性塗料を塗布してなる塗膜型と
、Co−NiやCo−Ptなどの磁性金属を成膜して成
る薄膜型とがある。本発明は、後者の薄膜型の磁気記録
媒体において、磁性膜をスパッタによって形成する方法
に関する。
第3図は従来の薄膜磁気記録媒体の全容を示す断面図で
ある。1は例えばアルミニウムなどのような非磁性体か
らなる基板(円板)であり、その上に下地層2、磁性膜
3、保護膜4の順に積層されている。
ある。1は例えばアルミニウムなどのような非磁性体か
らなる基板(円板)であり、その上に下地層2、磁性膜
3、保護膜4の順に積層されている。
第4図は従来の磁気記録媒体の断面構造を示す図であり
、磁性膜3が酸化鉄(γ−FezO,,)によって形成
されている。基板1はアルミニウムからなっており、そ
の表面を酸化させてアルマイト(八1203)層を形成
することで下地層2としている。磁性膜3は、7−Fe
、O,のスパッタ法で形成される。
、磁性膜3が酸化鉄(γ−FezO,,)によって形成
されている。基板1はアルミニウムからなっており、そ
の表面を酸化させてアルマイト(八1203)層を形成
することで下地層2としている。磁性膜3は、7−Fe
、O,のスパッタ法で形成される。
保護膜4は、カーボンやSingをスパッタすることで
形成される。
形成される。
磁性膜3としては、酸化鉄(T FezO*)のほか
に、CoNi、 CoNiCrなどが使用される。
に、CoNi、 CoNiCrなどが使用される。
この磁性膜3を形成するには、第5図〜第7図に示すよ
うな方法が採られている。第5図はパ静止対向型゛°と
呼ばれる方法であり、基板1の両側にリング状のターゲ
ット51.52が配置され、かつ基板1とリング状ター
ゲット51.52との中心が一致している。そのため、
基板lは中心から半径方向に、同一条件でスパッタが行
なわれるので、磁性膜の磁気特性が円周方向の全周にお
いて均一となり、情報の記録/再生が正確に行なわれる
。
うな方法が採られている。第5図はパ静止対向型゛°と
呼ばれる方法であり、基板1の両側にリング状のターゲ
ット51.52が配置され、かつ基板1とリング状ター
ゲット51.52との中心が一致している。そのため、
基板lは中心から半径方向に、同一条件でスパッタが行
なわれるので、磁性膜の磁気特性が円周方向の全周にお
いて均一となり、情報の記録/再生が正確に行なわれる
。
第6図は、静止型のうち基板を回転させる方式であり、
基板1の両側にターゲット61.62が配設されている
。この方式は、ターゲット61.62が基板1の中心に
対し点対称になっていないため、基板1の円周方向に均
一な磁気特性が得られない。
基板1の両側にターゲット61.62が配設されている
。この方式は、ターゲット61.62が基板1の中心に
対し点対称になっていないため、基板1の円周方向に均
一な磁気特性が得られない。
そのため、基板1を回転させることで、被着条件を均一
化し、磁気特性の均一化を図っている。しかしながら、
基板1を回転可能に支持する摺動部からの発塵のために
欠陥を引き起こす恐れがあり、実用性に欠ける。
化し、磁気特性の均一化を図っている。しかしながら、
基板1を回転可能に支持する摺動部からの発塵のために
欠陥を引き起こす恐れがあり、実用性に欠ける。
第7図は、同時に多数の基板1…にスパッタを行なう方
法であり、通過型ないしインライン方式と呼ばれている
。7は支持板であり、その各円形孔に基板1…が挿入支
持されている。そして支持板7が、ターゲット61.6
2の間を移動する。この方法は、同時に多数の基板に磁
性膜のスパッタを行なうことができるが、各基板1…に
おいて、その中心に対し点対称の条件でスパッタが行な
われないため、円周方向において、磁気特性が均一とな
らず、情報の記録/再生に支障を来している。
法であり、通過型ないしインライン方式と呼ばれている
。7は支持板であり、その各円形孔に基板1…が挿入支
持されている。そして支持板7が、ターゲット61.6
2の間を移動する。この方法は、同時に多数の基板に磁
性膜のスパッタを行なうことができるが、各基板1…に
おいて、その中心に対し点対称の条件でスパッタが行な
われないため、円周方向において、磁気特性が均一とな
らず、情報の記録/再生に支障を来している。
〔発明が解決しようとする問題点]
第8図は、この通過型のスパッタ方法における被着模様
を示す図であり、(a)は平面図、(b)は基板の側面
図である。ターゲット61.62からは四方六方に分子
が飛散するため、基板1がターゲット61と62との間
を通過する際に、基板1がターゲット61.62間に進
入する最初の時点においては、矢印1aで示すように、
基板1に対し斜め方向から分子が飛来し被着される。つ
まり(b)に示すように、基板1の前後の領域1a、1
bにおいては、基板1に対し径方向に分子が飛来し、被
着される。
を示す図であり、(a)は平面図、(b)は基板の側面
図である。ターゲット61.62からは四方六方に分子
が飛散するため、基板1がターゲット61と62との間
を通過する際に、基板1がターゲット61.62間に進
入する最初の時点においては、矢印1aで示すように、
基板1に対し斜め方向から分子が飛来し被着される。つ
まり(b)に示すように、基板1の前後の領域1a、1
bにおいては、基板1に対し径方向に分子が飛来し、被
着される。
ところが基板1の上下の領域IC21dにおいては、基
板lに対し円周方向に分子が飛来し、被着される。この
ように基板1において、はぼ90度おきに被着条件が変
化するために、基板lの円周方向において、磁気特性が
変化するという問題がある。
板lに対し円周方向に分子が飛来し、被着される。この
ように基板1において、はぼ90度おきに被着条件が変
化するために、基板lの円周方向において、磁気特性が
変化するという問題がある。
そのためテクスチャーと称して、基板1の下地層2の成
膜前に、基板lに、円周方向の微細な傷をつけることで
、磁気特性の改善を図ることが行なわれている。このテ
クスチャー処理により、磁気ヘッド浮上マージンが面粗
さの分だけ悪くなる問題が発生する。
膜前に、基板lに、円周方向の微細な傷をつけることで
、磁気特性の改善を図ることが行なわれている。このテ
クスチャー処理により、磁気ヘッド浮上マージンが面粗
さの分だけ悪くなる問題が発生する。
本発明の技術的課題は、従来の薄膜磁気記録媒体の製造
方法におけるこのような問題を解消し、テクスチャー処
理を施さない基板の円周方向において、均一な条件でス
パッタが行なわれるようにすることにある。
方法におけるこのような問題を解消し、テクスチャー処
理を施さない基板の円周方向において、均一な条件でス
パッタが行なわれるようにすることにある。
第1図は本発明による薄膜磁気記録媒体の製造方法の基
本原理を説明する図である。6162はターゲットであ
り、両者の間に基板1が配設されることで、磁性膜のス
パッタが行なわれる。両ターゲット61.62と基板l
との間には、遮蔽手段91.92が配設されている。遮
蔽手段91.92は、基板1とターゲット61.62間
を結ぶ方向に貫通する貫通孔8…を多数有している。
本原理を説明する図である。6162はターゲットであ
り、両者の間に基板1が配設されることで、磁性膜のス
パッタが行なわれる。両ターゲット61.62と基板l
との間には、遮蔽手段91.92が配設されている。遮
蔽手段91.92は、基板1とターゲット61.62間
を結ぶ方向に貫通する貫通孔8…を多数有している。
このような遮蔽手段91.92を通してスパッタを行な
うことにより、基板1に対し垂直方向から飛来する分子
のみが基板lに到達し、磁性膜の被着が行なわれる。
うことにより、基板1に対し垂直方向から飛来する分子
のみが基板lに到達し、磁性膜の被着が行なわれる。
基板lは、破線11で示す位置から、両ターゲット61
.62間に進入し、両ターゲット61.62間を通過し
て鎖線12で示す位置に到達する。ところが、遮蔽手段
91.92は、両ターゲット61.62間に位置してい
る基板1に向けて貫通する貫通孔8…を有しているため
、ターゲット61.62から発生した分子は、基板1に
向けて垂直方向から飛来する成分のみが基板1に到達し
被着される。基板1から斜めに方向に飛散した成分は、
遮蔽手段91.92の各貫通孔8…の側壁10…に遮ら
れて、基板lに到達できない。
.62間に進入し、両ターゲット61.62間を通過し
て鎖線12で示す位置に到達する。ところが、遮蔽手段
91.92は、両ターゲット61.62間に位置してい
る基板1に向けて貫通する貫通孔8…を有しているため
、ターゲット61.62から発生した分子は、基板1に
向けて垂直方向から飛来する成分のみが基板1に到達し
被着される。基板1から斜めに方向に飛散した成分は、
遮蔽手段91.92の各貫通孔8…の側壁10…に遮ら
れて、基板lに到達できない。
できない。
そのため、基板lがどの位置に有る場合であっても、ま
た基板1のどの領域でも、基板1に対し垂直方向から飛
来する成分のみが被着されることになる。その結果、基
板lの円周方向の総ての位置において、被着の条件が一
定し、磁気特性も均一化する。また同時に多数の基板に
スパッタを行なう場合でも、総ての基板が、垂直方向か
ら飛来する成分のみが被着されるので、均一の条件でス
パッタされる。
た基板1のどの領域でも、基板1に対し垂直方向から飛
来する成分のみが被着されることになる。その結果、基
板lの円周方向の総ての位置において、被着の条件が一
定し、磁気特性も均一化する。また同時に多数の基板に
スパッタを行なう場合でも、総ての基板が、垂直方向か
ら飛来する成分のみが被着されるので、均一の条件でス
パッタされる。
次に本発明による薄膜磁気記録媒体の製造方法が実際上
どのように具体化されるかを実施例で説明する。第2図
は本発明方法に実施する遮蔽手段の実施例を示す斜視図
である。この遮蔽手段は、帯板を格子状に組合わせるこ
とで、多数の貫通孔8…を形成したものである。
どのように具体化されるかを実施例で説明する。第2図
は本発明方法に実施する遮蔽手段の実施例を示す斜視図
である。この遮蔽手段は、帯板を格子状に組合わせるこ
とで、多数の貫通孔8…を形成したものである。
この遮蔽手段を、第1図に示した要領で、ターゲット6
1.62と基板1との間に配置して、スパッタを行なう
と、ターゲット61.62から飛散した分子のうち、斜
め方向に飛散した成分は、側壁10に遮られて、基板l
に到達できず、基板1に対し垂直方向から飛来した成分
のみが基板lに到達し、被着される。
1.62と基板1との間に配置して、スパッタを行なう
と、ターゲット61.62から飛散した分子のうち、斜
め方向に飛散した成分は、側壁10に遮られて、基板l
に到達できず、基板1に対し垂直方向から飛来した成分
のみが基板lに到達し、被着される。
図示例では、貫通孔8…が四角形になっているが、円形
あるいは三角形、その他の多角形であってもよい。
あるいは三角形、その他の多角形であってもよい。
なお本発明は、第6図に示すように基板を回転させるス
パッタ法、あるいは第7図のように多数の基板を同時に
スパッタする方法等のいずれにも適用できる。第7図の
ように多数の基板l…に同時にスパッタする場合は、総
ての基板1…が均一の条件でスパッタされる利点がある
。
パッタ法、あるいは第7図のように多数の基板を同時に
スパッタする方法等のいずれにも適用できる。第7図の
ように多数の基板l…に同時にスパッタする場合は、総
ての基板1…が均一の条件でスパッタされる利点がある
。
〔発明の効果]
以上のように本発明によれば、基板1と一対のターゲッ
ト61.62との間に、基板1とターゲット61.62
間を結ぶ方向に貫通する貫通孔8…を多数有する遮蔽手
段91.92を設けるため、基板1に対し垂直方向から
飛来する成分のみが基板1に到達し、磁性膜の被着が行
なわれる。その結果、基板1の円周方向の総ての位置に
おいて、均一の条件でスパッタが行なわれ、磁気特性が
一定となるので、情報の記録/再生が正確に行なわれ、
信頼性の高い薄膜磁気記録媒体が得られる。
ト61.62との間に、基板1とターゲット61.62
間を結ぶ方向に貫通する貫通孔8…を多数有する遮蔽手
段91.92を設けるため、基板1に対し垂直方向から
飛来する成分のみが基板1に到達し、磁性膜の被着が行
なわれる。その結果、基板1の円周方向の総ての位置に
おいて、均一の条件でスパッタが行なわれ、磁気特性が
一定となるので、情報の記録/再生が正確に行なわれ、
信頼性の高い薄膜磁気記録媒体が得られる。
第1図は本発明による薄膜磁気記録媒体の製造方法の基
本原理を説明する平面図、第2図は本発明に実施する遮
蔽手段の実施例を示す斜視図、第3図は従来の薄膜磁気
記録媒体の全容を示す断面図、第4図は従来の磁気記録
媒体の断面構造を示す図、第5図〜第7図は従来の各種
スパッタ方法を示す斜視図、第8図は通過型のスパッタ
方法における被着模様を示す図、第9図は従来のスパッ
タ法によって成膜された薄膜磁気記録媒体の磁気特性を
示す図である。 図において、1は基板、51.52.61.62はター
ゲット、8…は貫通孔、91.92は遮蔽手段、10…
は側壁をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 木登日月の基本原理 第1図 実施例 第3図 従来の磁気記錬條体 通皿型スパッタ法 第7図 須I吐セスバッ57法における械A對I某第8図
本原理を説明する平面図、第2図は本発明に実施する遮
蔽手段の実施例を示す斜視図、第3図は従来の薄膜磁気
記録媒体の全容を示す断面図、第4図は従来の磁気記録
媒体の断面構造を示す図、第5図〜第7図は従来の各種
スパッタ方法を示す斜視図、第8図は通過型のスパッタ
方法における被着模様を示す図、第9図は従来のスパッ
タ法によって成膜された薄膜磁気記録媒体の磁気特性を
示す図である。 図において、1は基板、51.52.61.62はター
ゲット、8…は貫通孔、91.92は遮蔽手段、10…
は側壁をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 復代理人 弁理士 福 島 康 文 木登日月の基本原理 第1図 実施例 第3図 従来の磁気記錬條体 通皿型スパッタ法 第7図 須I吐セスバッ57法における械A對I某第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性の基板1を、一対のターゲット61、62間に配
置することで、基板1に磁性膜をスパッタによって成膜
する際に、 基板1とターゲット61、62との間に、基板1とター
ゲット61、62間を結ぶ方向に貫通する貫通孔8…を
多数有する遮蔽手段91、92を設け、基板1に対し垂
直方向から飛来する成分のみが基板1に到達し被着され
るようにしたことを特徴とする薄膜磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32084487A JPH01162231A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32084487A JPH01162231A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01162231A true JPH01162231A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18125876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32084487A Pending JPH01162231A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01162231A (ja) |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP32084487A patent/JPH01162231A/ja active Pending
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