JPH01162214A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01162214A JPH01162214A JP32097087A JP32097087A JPH01162214A JP H01162214 A JPH01162214 A JP H01162214A JP 32097087 A JP32097087 A JP 32097087A JP 32097087 A JP32097087 A JP 32097087A JP H01162214 A JPH01162214 A JP H01162214A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は薄膜型磁気記録媒体に関する。更に詳細には、
本発明は優れた耐摩耗性を備えた低ノイズ磁性層を有す
る薄膜型磁気記録媒体に関する。
本発明は優れた耐摩耗性を備えた低ノイズ磁性層を有す
る薄膜型磁気記録媒体に関する。
[従来の技術]
従来から一般に普及している磁気記録媒体は、針状の磁
性粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。
性粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。
現在、磁気記録再生装置はますます高密度化の傾向にあ
り、短波長記録特性に優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。
り、短波長記録特性に優れた磁気記録媒体が要望されて
いる。
しかし、塗布型磁気記録媒体における短波長記録特性の
改善には限界がある。これに対して、Cos’coNi
t CoN1P、CoCrなどのG。
改善には限界がある。これに対して、Cos’coNi
t CoN1P、CoCrなどのG。
を主成分とする強磁性体を真空蒸着、スパッタリング、
まhはイオンブレーティング等のいわゆる物理蒸着法に
よって非磁性基体上に形成する金属薄膜型の磁気記録媒
体は、その磁性層中に非磁性の結合剤が混入されていな
いので著しく高い残留磁束密度を得ることができ、かつ
、磁性層を極めて薄く形成することができるために、高
出力で短波長応答性に優れているという利点を有する。
まhはイオンブレーティング等のいわゆる物理蒸着法に
よって非磁性基体上に形成する金属薄膜型の磁気記録媒
体は、その磁性層中に非磁性の結合剤が混入されていな
いので著しく高い残留磁束密度を得ることができ、かつ
、磁性層を極めて薄く形成することができるために、高
出力で短波長応答性に優れているという利点を有する。
この特徴により、最近は薄膜型磁気記録媒体が磁気媒体
の主流となりつつある。
の主流となりつつある。
しかし、薄膜型磁気記録媒体では信号記録時に粗大な磁
区が発生してノイズが大きくなり、S/N比が低下する
という問題があった。
区が発生してノイズが大きくなり、S/N比が低下する
という問題があった。
この問題点を解決するため、強磁性金属と有機物を同時
蒸着することにより強磁性金属粒子間の磁気的相互作用
を弱める方法が特開昭58−105325号公報に提案
されている。この方法によれば、ノイズは小さくなるが
、使用している有機物が柔らかいため、磁性層の耐摩耗
性が劣るという欠点があった。
蒸着することにより強磁性金属粒子間の磁気的相互作用
を弱める方法が特開昭58−105325号公報に提案
されている。この方法によれば、ノイズは小さくなるが
、使用している有機物が柔らかいため、磁性層の耐摩耗
性が劣るという欠点があった。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明は、上記従来技術が持っていた、磁性層のノイ
ズが高いという問題を、耐摩耗性を低下させることなく
解決した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
ズが高いという問題を、耐摩耗性を低下させることなく
解決した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明者らが長年にわたり広範な実験と試作を続けた結
果、非磁性基体上に、酸化マグネシウムとコバルト金属
が混在した磁性層を設けることにより高S/N比と高耐
摩耗性を有する磁気記録媒体が得られることを発見した
。本発明は斯かる知見に基づき完成された。
果、非磁性基体上に、酸化マグネシウムとコバルト金属
が混在した磁性層を設けることにより高S/N比と高耐
摩耗性を有する磁気記録媒体が得られることを発見した
。本発明は斯かる知見に基づき完成された。
特に、co金属柱状粒子の周囲が酸化マグネシウム被膜
により被覆されている磁性層は高S/N比で極めて耐摩
耗性に優れている。この理由は恐らく、非磁性体の酸化
マグネシウムによりCO金属柱状粒子が磁気的に遮閉さ
れ、co金属柱状粒子は単磁区的挙動を示すためにS/
N比が向上されるのであろう。また、硬質の酸化マグネ
シウム被膜により耐摩耗性も向上されるものと思われる
。
により被覆されている磁性層は高S/N比で極めて耐摩
耗性に優れている。この理由は恐らく、非磁性体の酸化
マグネシウムによりCO金属柱状粒子が磁気的に遮閉さ
れ、co金属柱状粒子は単磁区的挙動を示すためにS/
N比が向上されるのであろう。また、硬質の酸化マグネ
シウム被膜により耐摩耗性も向上されるものと思われる
。
本発明の磁気記録媒体はMgOとCoを適度な析出速度
と基板温度で同時蒸着することにより作製できる。
と基板温度で同時蒸着することにより作製できる。
MgO対Coの原子比は一般的に0.1〜1゜0の範囲
内である。MgO/Coの原子比が0゜1未溝ではCo
金属−粒子の周囲に十分なMgO被膜が形成されず、c
oの磁気的遮閉が不十分となり、ノイズ低減効果は期待
できない。一方、MgO/Coの原子比が1.0超にな
ると、磁性層の飽和磁化が減少して、再生出力が低下す
る。MgO対Coの析出速度比を0.1〜1.0の範囲
内とすると前記原子比の膜が得られる。
内である。MgO/Coの原子比が0゜1未溝ではCo
金属−粒子の周囲に十分なMgO被膜が形成されず、c
oの磁気的遮閉が不十分となり、ノイズ低減効果は期待
できない。一方、MgO/Coの原子比が1.0超にな
ると、磁性層の飽和磁化が減少して、再生出力が低下す
る。MgO対Coの析出速度比を0.1〜1.0の範囲
内とすると前記原子比の膜が得られる。
MgOおよびCoを同時蒸着させる際の基板温度は20
0℃以−ヒであることが好ましい。基板温度を高くする
と、MgOとCoとは互いに和犬れない物質なので、冷
えるときに明確に分離し、Co金属粒子の周囲にMgO
の被膜が形成される。
0℃以−ヒであることが好ましい。基板温度を高くする
と、MgOとCoとは互いに和犬れない物質なので、冷
えるときに明確に分離し、Co金属粒子の周囲にMgO
の被膜が形成される。
基板温度の上限は使用される基板の耐熱温度により変化
する。
する。
MgOおよびCoはいずれもペーパーデポジション法に
より非磁性基体上に析出させることができる。この方法
には、真空蒸着法、イオン・ブレーティング法、高周波
イオンφブレーティング法。
より非磁性基体上に析出させることができる。この方法
には、真空蒸着法、イオン・ブレーティング法、高周波
イオンφブレーティング法。
イオン・クラスタービーム法、イオンビームデポジシジ
ン法、スパッタリング法、CVD法などがある。本発明
の複合磁性膜は斜め蒸着または垂直蒸着のいずれの態様
でも形成できる。
ン法、スパッタリング法、CVD法などがある。本発明
の複合磁性膜は斜め蒸着または垂直蒸着のいずれの態様
でも形成できる。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子
フィルム、ガラス類、セラミック。
、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の高分子
フィルム、ガラス類、セラミック。
アルミ、陽極酸化アルミ、黄銅などの金属板、Si単結
晶板9表面を熱酸化処理したSi単結晶板などがある。
晶板9表面を熱酸化処理したSi単結晶板などがある。
この非磁性基体は必要に応じて、甲面研磨やテクスチャ
リング加工を行うためのニッケル・リン系合金層やアル
マイト処理層等の下地研磨層を設けることもできる。
リング加工を行うためのニッケル・リン系合金層やアル
マイト処理層等の下地研磨層を設けることもできる。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと
摺接する構造の種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィルム、アル
ミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基
体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと
摺接する構造の種々の形態を包含する。
[実施例]
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
第1図に示されるような2元蒸着装置を用いて、MgO
とCoの原子比を下記の表1に示されるように様々に変
化させて磁気テープを作製した。べ−スフィルム2とし
て厚さ50μmのポリイミドフィルムを使用した。防着
板5により最低入射角を50°に規制した。ベースフィ
ルム2上にMe影形成れる磁性層の層厚は1000人と
した。ベースフィルム2はキャンロール4により200
℃に加温した。
とCoの原子比を下記の表1に示されるように様々に変
化させて磁気テープを作製した。べ−スフィルム2とし
て厚さ50μmのポリイミドフィルムを使用した。防着
板5により最低入射角を50°に規制した。ベースフィ
ルム2上にMe影形成れる磁性層の層厚は1000人と
した。ベースフィルム2はキャンロール4により200
℃に加温した。
このようにして作製された各原子比の試料1〜10の再
生出力とS/N比を評価した。再生出力およびS/N比
は現行VH8型VTRにより測定した。測定結果を下記
の表1に要約して示す。
生出力とS/N比を評価した。再生出力およびS/N比
は現行VH8型VTRにより測定した。測定結果を下記
の表1に要約して示す。
表1
表1に示された結果から明らかなように、Mg0/Co
原子比が0.1〜1.0の範囲内にある本発明の磁気テ
ープは、M g O/ Co原子比が前記範囲外の比較
例の磁気テープに比べて、再生出力が殆ど低下せずに、
S/N比が向上している点で優れている。
原子比が0.1〜1.0の範囲内にある本発明の磁気テ
ープは、M g O/ Co原子比が前記範囲外の比較
例の磁気テープに比べて、再生出力が殆ど低下せずに、
S/N比が向上している点で優れている。
また、本発明の磁気テープである試料2〜6の耐摩耗性
と比較例の磁気テープである試料1の耐摩耗性を現行の
VH8型VTRにより再生出力が初期の172に低下す
るまでの時間(スチル時間)を測定することにより評価
した。本発明の磁気テープは全て60分以上のスチル時
間を有していたが、比較例の磁気テープのスチル時間は
約5分程度であった。
と比較例の磁気テープである試料1の耐摩耗性を現行の
VH8型VTRにより再生出力が初期の172に低下す
るまでの時間(スチル時間)を測定することにより評価
した。本発明の磁気テープは全て60分以上のスチル時
間を有していたが、比較例の磁気テープのスチル時間は
約5分程度であった。
本発明の磁気テープである試料4の断面構造を調べたと
ころ、第2図に示されるように、非磁性基体2上に斜め
蒸着されたCo柱杖粒子1oの周囲がMg011により
被覆された構造になっていた。
ころ、第2図に示されるように、非磁性基体2上に斜め
蒸着されたCo柱杖粒子1oの周囲がMg011により
被覆された構造になっていた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体においては
、磁性体であるCo柱状粒子がMgO被膜により被覆さ
れているので、各Co柱状粒子が磁気的に連間され、単
磁区的挙動を示す。そのため、磁性層ぜんたのS/N比
が向上される。また、Co柱状粒子の周囲が硬質のMg
O被膜で被覆されているので磁性層全体の耐摩耗性も向
上される。
、磁性体であるCo柱状粒子がMgO被膜により被覆さ
れているので、各Co柱状粒子が磁気的に連間され、単
磁区的挙動を示す。そのため、磁性層ぜんたのS/N比
が向上される。また、Co柱状粒子の周囲が硬質のMg
O被膜で被覆されているので磁性層全体の耐摩耗性も向
上される。
このように、本発明の磁気記録媒体は従来のポリマーと
磁性体とからなる磁気記録媒体と異なり、高S/N比を
実現すると共に、耐摩耗性の点でも非常に優れている。
磁性体とからなる磁気記録媒体と異なり、高S/N比を
実現すると共に、耐摩耗性の点でも非常に優れている。
第1図は本発明の実施例で使用された真空蒸着装置の一
例を示す概要断面図、第2図は本発明の磁気記録媒体の
断面構造を示す模式図である。 1・・・巻出しロール、2・・・ベースフィルム。 3・・・真空槽、4・・・キャンロール、5・・・防着
板。 6・・・蒸発源、7・・・巻取ロール、10・・・Co
柱状粒子、11・・・MgO被膜 第1図
例を示す概要断面図、第2図は本発明の磁気記録媒体の
断面構造を示す模式図である。 1・・・巻出しロール、2・・・ベースフィルム。 3・・・真空槽、4・・・キャンロール、5・・・防着
板。 6・・・蒸発源、7・・・巻取ロール、10・・・Co
柱状粒子、11・・・MgO被膜 第1図
Claims (4)
- (1)非磁性基体上に、酸化マグネシウムとコバルト金
属が混在した磁性層を設けたことを特徴とする磁気記録
媒体。 - (2)Co粒子の周囲がMgO被膜で被覆されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録
媒体。 - (3)Co粒子が柱状粒子であることを特徴とする特許
請求の範囲第2項に記載の磁気記録媒体。 - (4)MgO/Coの原子比が0.1〜1.0の範囲内
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項
または第3項に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32097087A JPH01162214A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32097087A JPH01162214A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01162214A true JPH01162214A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18127331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32097087A Pending JPH01162214A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01162214A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7371471B2 (en) | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP32097087A patent/JPH01162214A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7371471B2 (en) | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
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