JPH01162072A - ペーパレスファクシミリ手段を含む音声及び画像のテレコンフェランスシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光訓しとたＩ− 本発明は一般的に、ベーパレステレファクシミリ手段の
ごとき電子的に作動する像データの入力及びディスプレ
イシステムに係る。より詳細には本発明は、音声伝送及
びベーパレステレファクシミリの双方の機能を果たす集
積された像データ入力手段と画像ディスプレイ手段とを
備えたディスプレイ通信システムに係る。像データ入力
手段は、一体的デイスプレイ及び遠隔地点の双方に像デ
ータを伝送するように構成され、ディスプレイは一体的
像入力手段と遠隔手段の双方がら入力を受信するように
構成されている。電子データ入力手段は、導電性表面に
情報が入力されると同時に情報を正確にディジタル化し
得る接触感受性像データ入力手段である。かかる情報は
電子的にディスプレイされまた、記憶、ディスプレイ、
再生及び／または情報処理のために下流側に伝送される
。

１朋！ｌＬ【 電子テレコンフエランス（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｔｅ
ｌｅｃｏｎ−ｆｅｒｅｎｃｉｎｇ）は旅行に付随する費
用、移動、遅刻等の不都合を伴なうことなく会議及び集
会に人々を参集させる経済的な方法である。電子テレコ
ンフェランスでは参加者が自身の会議室または執務室に
滞在し電話による会議の方法で協議する。テレコンフェ
ランスは典型的には、ハードテレファクシミリ能力によ
って支えられる。しかしながらテレコンフェランスシス
テムが完全に実用化されるためには視覚データの双方向
通信が可能でなければならない。このためには、視覚情
報入力をディジタル化しディジタルデータを視覚データ
に変換する必要がある。例えばベーパレステレファクシ
ミリの場合のようにデータをディジタル化しディスプレ
イする必要がある。表面、例えば電気通信性表面に手動
で入力された視覚情報をディジタル化し再生し得る電子
データ伝送デバイスは最近開発され紹介されている。こ
れらのデバイスはテレコンフェランスを支える並列の個
別手段から構成されている。

表面に手動入力された情報をディジタル化し再生するよ
うに構成された従来のデータ伝送デバイスは概して２つ
の種類、即ちディジタル化タブレットシステム及び電子
コピーボードに大別できる。

これらのデバイスはいずれも電子データの双方向通信に
関してはかなりの技術的制約をもつ、電子コピーボード
では遠隔地点から到着したデータを再生する手段が構造
的及び機能的に欠如している。

ディジタル化タブレットは単独では遠隔データ入力源か
らのデータを受信しディスプレイすることができない。

テレコンフェランスでは音声通信に１回線、手　　゛動
コピーファクシミリに１回線及びデータ通信に１回線が
必要である。更に、これらの回線間の相互作用手段は全
く存在しない。

九朋！」Ｌｌ 従来技術の欠点は、完全ソリッドステートの像データ入
力用接触感受性位置センサと、該センサと組み合わせて
用いられ該センサ及び外部データ入力またはデータ信号
処理手段によって更新され得るディスプレイシステムと
、双方に対する電子結線と、ペーパレステレファクシミ
リ手段を形成すべく協働するディスプレイシステム及び
遠隔ディスプレイシステムと、アナログ回線で使用すべ
く構成されたシステムの場合にはアナログデータ通信シ
ステムを介して遠距離通信する相互接続手段とを組み合
わせて含む電子データ像通信用電送タッチパッドによっ
て是正される。アナログ回線は一般に、約３００Ｈｚ〜
３，４００Ｈｚの音波帯域幅即ち可聴帯域幅の周波数の
データ信号を搬送する。

本発明は、互いに相乗的に相互作用する集積ソリッドス
テート接触感受性位置センサとソリッドステートディス
プレイとを利用する。集積システムは、該システムに入
力された情報を同時にディスプレイしまた該情報をコー
ド化して伝送しまた同様の情報を受信し得る。これらは
すべて極めて正確に行なわれ、従ってローカル電子メモ
パッド及びペーパレステレファクシミリ手段として機能
する。従って本発明の接触位置センサ、ディスプレイ及
び協働する通信手段の能力は従来の電子テレコンフェラ
ンス及びデータ通信システムに固有の制約から解放され
、従って、集積された電子データ入力、ディスプレイ及
び通信システムの飛躍的な進歩が実現する。

本文中で電送メモパッドとも指称される本発明のデータ
テレコンフェランスシステムは、データ入力とディスプ
レイ手段とをもつペーパレステレファクシミリ手段を含
む。データ入力及びディスプレイ手段は適当な駆動手段
をもつソリッドステート接触感受性位置センサと、適当
な駆動手段をもつソリッドステートディスプレイと、関
連ソリットステートディスプレイ及び遠隔ディスプレイ
の双方に接触位置センサ入力をディスプレイし得る第１
データバス手段と、遠隔データ入力からのデータをソリ
ッドステートディスプレイにディスプレイし得る第２デ
ータバス手段とを含む。

データテレコンフェランスシステムはまた、ディジタル
通信回線手段またはアナログ通信回線手段のいずれと共
に使用されてもよく、ディジタル通信回線手段と共に使
用するときはシリアルデータまたはパラレルデータのい
ずれを使用してもよい。

初期の商業用には音声周波数（３００Ｈｚ〜３，４００
Ｈｚ）で動作するアナログ通信回線即ち電送回線でシリ
アルアナログデータを使用したケースが多い、従って、
音声型回線で通信する場合には、データテレコンフェラ
ンスシステムが更に、（１）接触感受性位置センサのデ
ィジタル出力、特にパラレルデータディジタル出力をア
ナログ遠隔通信回線による伝送に適したシリアルアナロ
グデータ出力に変換するディジタルアナログ変換手段及
び変調手段、並びに、（２）アナログ遠隔通信回線から
受信したシリアルアナログデータ入力をディスプレイ用
データに変換するアナログディジタル変換手段及び復調
手段を含む。アナログデータは振幅及び／または周波数
変調された電気信号または振幅及び／または周波数変調
されたレーザ信号でもよい。ディジタルアナログ変換手
段及びアナログディジタル変換手段は、別個の手段でも
よくまたは、ｕｎｉｖｅｒ−ｓａｌ＾５ｙｎｃｈｒｏｎ
ｏｕｓ　Ｒｅｃｅｉｖｅｒ　Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ（
ＵＡＲＴ）のごとき単一手段でもよい。変調器及び復調
器は別個の手段でもよくまたは変調器と復調器とを組み
合わせた単一手段例えばモデムでもよい。好ましい実施
態様においては、例えばディスプレイされたデータを更
新及びｍ集するため、完全な二重動作をするため及び音
声及びデータの伝送を同時進行的に行なうためのデータ
処理及びメモリが配備されている。

データは接触位置センサを介して入力される。

接触位置センサの使用に関しては本文中で説明する。し
かしながら、本発明の要旨の範囲内で別の位置検出入力
手段例えば当業界で公知の音声接触パネルの使用も可能
であることは容易に理解されよう。接触感受性位置セン
サは接触点の位置を感知し、この情報を導電性表面に対
する接触点の正確なＸ−Ｙ座標に変換するように構成さ
れている。

本発明の電子テレコンフェランスシステムで使用される
好ましい電子接触怒受性位置センサは、接触点のＸ−Ｙ
位置を検出すべく構成された有限の導電性多角形表面を
もつ。位置センサは、導電性表面に電界を発生するため
に少なくとも２組の電流分配収集手段を含む。これによ
り発生した電界は実質的に直線状の等電位線分布をもつ
。位置センサはまた、電流分配収集手段と作動的に協働
する電流制御手段を含む。電流制御手段は、前記電流分
配収集手段を第１状態から第２状態（例えばオフ状態か
らオン状態）に順次切り替えるように構成されている。

特に好ましい接触感受性位置センサは、本出願人所有の
米国特許出願筒１２２，９９０号に記載されている。該
文献の記載内容は本明細書に含まれるものとする。

ソリッドステートペーパレステレファクシミリ手段で使
用するための接触感受性位置センサに不可欠の重要な特
徴は、前出の米国特許出願筒１２２゜９９０号に開示さ
れている。この特徴は、接触感受性位置センサの導電性
表面に均一電界が発生することである。電流分配収集手
段自体が均一電界を発生させる機構を含む。即ち、２組
の電流分配収集手段が配備され、各組の一方の手段が接
触怒受性位置センサの導電性表面の対向境界の１つに沿
って配置されている。電流分配収集手段は互いに直交し
ており、各組の双方の手段が接触位置センサの導電性表
面のＸ面及び７面の双方に電界を発生せしむべく互いに
平行に対向して配置されている。

また、接触位置センサ導電性表面を介して電流分配収集
手段を電気的に相互接続する抵抗手段も接触感受性表面
に均一電界を発生させる機構を構成する。

電流分配収集手段及びこれと協働する抵抗手段は実質的
に均一な電界分布即ち直線状電界分布を与え、接触感受
性位置センサの導電性像担持表面に実質的に平行な等電
位線を生じるように協働する。

前出の米国特許出願第１２２，９９０号に開示されたよ
うに、好ましい電流分配収集手段はダイオードであるが
、その他のデバイス例えば化学量論酌量でないＳｉＮｘ
スイッチも同等に十分な機能を果たす。

電流分配収集手段はまた異方性でもよい。異方性は電流
分配収集手段が１つの方向に高インピーダンスをもち直
交方向の電流に低インピーダンスをもつことに起因する
。より特定的には、電流分配収集手段は、接触感受性位
置センサの導電性表面における電流の所望の流動方向、
即ち接触位置センサの導電性表面上の等電位線に実質的
に平行な方向に高インピーダンスをもち、等電位線に垂
直な方向に比較的低いインピーダンスをもつ。異方性イ
ンピーダンスをもつ結果、第１方向のインピーダンスが
比較的低く第２方向のインピーダンスが比較的高い。

ソリッドステート接触位置センサの電流分配収集手段は
、分布ダイオード例えば細長い分布ダイオードでもよい
、変形具体例においては、抵抗手段が電流分配収集手段
と導電性表面との間に相互接続されている。この抵抗手
段は、接触位置センサの表面の実質的に直線状の均一電
界分布を成立させるのに有用である。変形具体例におい
ては、導電性表面と電流分配収集手段との間に配置され
た細長い電気抵抗性ポリマーマトリクスを抵抗手段とし
て使用してもよい。

電子テレコンフェランス手段の１つの端末に組み込まれ
たデータ入／出力手段として特に有用な小型ソリッドス
テート電子ペーパレステレファクシミリ手段を形成する
ために、ソリッドステート接触入力位置センサは、ソリ
ッドステートディスプレイ手段と電子的に相互作用する
関係で使用される。

一体的なモジュール式ユニットとして形成されたときソ
リッドステート接触位置センサ及びソリッドステートデ
ィスプレイは、（例えば接触センサ表面に接触点または
スタイラスによって与えられた）視覚的に検出できるデ
ータ像の入力とこれに対応する電気信号の発生とを同時
即ちリアルタイムに行なうために相乗的に相互作用する
。この電気信号は、一体的ソリッドステートディスプレ
イに像を形成する入力を与える。更に、ここで発生され
る信号は、遠隔ディスプレイに伝送されるべく更に処理
される。本発明のソリッドステート像入力及びディスプ
レイシステムは、導電性像入力表面とその下に重層する
ソリッドステートディスプレイとの組み合わせを含む。

接触点センサデータ入力は実際にはディスプレイと一体
的な薄ＷＡ構造、例えばディスプレイの頂部にデポジッ
トされそこからデータが入力されるように構成された多
層複合材料でよい、接触点センサの導電性表面に入力さ
れたデータは、下に重層するソリッドステートディスプ
レイにおいて同時に（電気的及び可視的に）検出され得
る。その理由は、電子ペーパレステレファクシミリ入力
手段の接触点センサ表面に入力された情報の各点が単一
のｘ−ｙ座標に対応するからである。従って、少なくと
も接触点のｘ−ｙ位置に対応する信号が接触点センサ手
段によって発生する。これらの信号はソリッドステート
ディスプレイによって検出可能な可視データ像に電子的
に変換される。

電子テレファクシミリ手段を形成するために接触位置セ
ンサと結合して使用されるソリッドステ−トディスプレ
イは、複数の光感応個別画素をもつ光感応ディスプレイ
である。光感応ディスプレイは、多くの種類の光感応材
料（ｌｉｇｈｔ　ｉｎｆｌｕｅｎ−ｃｉｎｇ　ｍａｔｅ
ｒｉａｌ）のいずれかを使用して種々の構造に形成され
得る。「光感応材料」なる用語は、任意の発光材料を意
味するか、または材料に反射されたかもしくは材料を透
過した光の光度、位相または偏光を選択的に変更すべく
使用され得る任意の材料を意味する。これらの特性をも
つ材料の１つに液晶材料がある。従って本明細書では液
晶材料を使用した場合について説明する。しかしながら
、非限定代表例としてエレクトロクロミック、エレクト
ロルミネセント、プラズマ放電、真空蛍光性の別のディ
スプレイを本発明の範囲内で使用し得ることは当業者に
容易に理解されよう。光感応ディスプレイは、個別にス
イッチング可能な複数の画素即ち絵素をもつ。画素の個
数は数１０個から１００万の１７４またはそれ以上の範
囲になり得る。一般には各画素が、個別にアドレスされ
得る一対の電極と該電極間に配置された液晶材料とを含
む。液晶材料の電圧閾値を上回る電圧が電極に印加され
ると電極間の液晶材料の光学特性が暗いまたは明るいデ
ィスプレイを与えるべくスイッチされる。

液晶ディスプレイは一般に、行列マトリクスとして配列
された多数の画素（絵素）を含む。マトリクスアレイ中
に多数の画素が存在するので、各画素を選択的にアドレ
スするために多重化が使用される。このために、各行の
画素は行アドレスラインによって互いに接続され、各列
の画素は列アドレスラインによって互いに接続されてい
る。その結果、各画素はその２つのアドレスライン、即
ち列アドレスラインと行アドレスラインとの単一の交点
によって規定される。交差するこれらの２つのアドレス
ラインに電圧ポテンシャルを印加することによって画素
を個別にアドレスする。

スイッチングは受動マトリクスによって行なわれてもよ
くまたは能動マトリクスによって行なわれてもよい。本
発明の電子ベーパレステレファクシミリ手段には能動マ
トリクスディスプレイが好ましい。受動マトリクスにお
いては、画素電極がアドレスラインに直接接続される。

その結果、受動マトリクスにおいては、閾値電圧より高
い電位でアドレスされ力画素だけがスイッチングされる
ように、ディスプレイ材料の特性電圧閾値だけに依存す
る。従って、受動マトリクスにおいては、アドレスされ
た行とアドレスされない列とに属する画素またはアドレ
スされた列とアドレスされない行に属する画素に、増加
した電圧ポテンシャルが与えられる可能性がある。しか
しながら１つのアドレスラインだけに生じた電位増加は
ディスプレイ材料の閾値電圧を下回るのでスイッチング
は生じない。受動マトリクスを使用する液晶材料ディス
プレイで使用され得る画素の個数は、コントラスト及び
スイッチング速度の問題による制約を受ける。スイッチ
ング速度は、液晶材料の閾値電圧特性曲線の有限な鋭度
（ｆｉｎｉｔｅ　５ｈａｒｐｎｅｓｓ）にある程度依存
する。

多数の画素をもつディスプレイにおいて高分解能、適格
なコントラスト及び高いスイッチング速度を得るために
は能動マトリクスが必要である。

能動７トリクスデイスプレイは各画素毎１つまたは複数
の分離素子を使用する。分離手段は各画素における閾値
電圧の鋭度を改良し、共通アドレスライン上の画素間で
印加電位の分離特性を向上させる。「分離素子」なる用
語は、１つの画素が、共通アドレスラインを共有する別
の画素のスイッチングを生じたり不都合な影響を与えた
りすることなくアドレス（スイッチング）される能力を
向上させる任意のデバイスを意味する。所望の分解能を
与えるために、多数種類の分離素子、例えばグイオード
、トランジスタが使用される。分離素子の機能は「クロ
ストーク」を抑制または除去し、光惑応材料自体によっ
て与えられる閾値電圧より精密な電圧閾値を与えること
である。より精密な電圧閾値なる用語は、画素をオフか
らオンにスイッチングするなめに必要な電圧の分散がよ
り小さいことを意味する。

分離素子としてダイオードを使用しており、本発明のデ
ィスプレイ手段として有用な能動マトリクス液晶ディス
プレイは、ｒＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓ−
ｐｌａｙｓ　　０ｐｅｒａｔｅｄ　　Ｂｙ　　Ａｍｏｒ
ｐｈｏｕｓ　　５ｉｌｉｃｏｎ　　Ａ１１ｏｙＤｉｏｄ
ｅｓ」なる標題で夫々Ｚｖｉ　Ｙａｎｉｖ、　Ｖｉｎｅ
ｅｎｔ　Ｄ。

Ｃａｎｎｅｌｌａ＋Ｇｒｅｇｏｒｙ　Ｌ、Ｈａｎｓｅｌ
ｌ及びＬｏｕｉｓ　Ｄ、Ｓｕ＋ａｒ−ｔａｚによって夫
々１９８４年１月２３日、１９８４年１２月３日、１９
８７年８月６日、１９８７年８月２６日に出願された米
国特許出願第５７３，００４号、第６７５．９４１号、
第０８２，２６６号、第０８９．７８３号、Ｖｉｎｃｅ
ｎｔ　Ｄ、Ｃａｎｎｅｌｌａの名義で１９８６年１０月
１８日に出願された米国特許出願第９１８，７４１号ｒ
Ｄｉｓｐｌａｙｓ　Ａｎｄ　Ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｉｅ
ｓ　ＨａｖｉｎＦｌｏｐｔｉｎｉ−ｚｅｄ　Ｃａｐａｃ
ｉｔａｎｃｅ」、Ｖｉｎｃｅｎｔ　Ｄ、Ｃａｎｎｅｌｌ
ａ名義の米国特許第４，６３９，０８７号ｒＤｉｓｐｌ
ａｙｓ　Ａｎｄ　Ｓｕｂａｓｓｅｍｂ−１ｉｅｓ　Ｈａ
ｖｉｎｇ　Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ　Ｃａｐａｃｉｔａｎｃ
ｅ」、Ｙａｉｒ　Ｂａ−ｒｏｎ名義の米国特許出願第９
１６，９１４号ｒＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉ
ｓｐｌａｙ　Ｐｉｘｅｌｓ　Ｗｉｔｈ　Ａｕｘｉｌｉａ
ｒｙ　Ｃａｐａｃｉｔａｎ−ｅｅＪ、Ｚｖｉ　Ｙａｎｉ
ｖ％Ｙａｉｒ　Ｂａｒｏｎ、Ｖｉｎｃｅｎｔ　Ｄ、Ｃａ
ｎｎｅｌｌａ及びＧｒｅｇｏｒｙ　Ｌ、Ｈａｎｓｅｌ１
名義の米国特許第４．５８９　。

７７３号ｒ［１ｉｓｐｌａｙｓ　Ａｎｄ　Ｓｕｂａｓｓ
ｅｍｂｌｉｅｓ　Ｈａｖｉｎｇ　Ｉｍｐ−ｒｏｖｅｄ　
Ｐｉｘｅｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ、１に開示されてい
る。これらの特許及び特許出願は本明細書に含まれるも
のとする。

添付図面に示す非限定具体例に基づく以下の記載より本
発明がより十分に理解されよう。

ｌ１匠 １、ベーパレステレファクシミリ手段を含むテレコンフ
ェランスユニット 第１図は、集積ベーパレステレファクシミリ手段２７を
含む集積テレコンフェランスシステム１１を示す、シス
テム１１は音声及びデータを実質的に平行に同時伝送す
る６ 集積テレコンフェランスシステム１１は、送受話器２３
を備えた音声回路（第２６図及び第２７図の素子２１）
と、キーバッド入力２５を備えたダイヤル回路と、ペー
パレステレファクシミリ手段２７とを含むユニット１３
として図示されている。

キーバッド入力２５は複数の個別キー２５ａから構成さ
れてもよく、または、位置感受性入力手段３１のある程
度の領域がいくつかの機能に割り当てられ例えばブツシ
ュボタン２５ａの押圧によってこれらの機能が励起され
るように構成することによってキーバッド入力２５をペ
ーパレステレファクシミリ手段２７に組み込んでもよい
。接触感受性入力手段が例えばブツシュボタン２５ａと
１対１の対応関係をもつディスプレイ接触ゾーン２５ｂ
を介してダイヤル回路入力手段として機能してもよい。

この構造の利点は、機械的スイッチを完全に削除できる
ことにある。第１図では説明のために、機械的入力手段
２５ａとディスプレイ入力接触ゾーン２５ｂとの双方を
示しているが、ディスプレイ接触ゾーン２５ｂを使用す
るときは機械釣人カポタン２５ａが削除されることは理
解されよう。

ペーパレステレファクシミリ手段２７は位置感受性入力
手段３１とディスプレイ手段４１とを含む。位置感受性
入力手段は後述するごとく、第２八図に示すようなディ
スプレイ手段４１に近接配置されるべく構成された個別
素子３１でもよい。

または、位置感受性入力手段３１は第２Ｂ図に示すごと
きディスプレイ手段の皮膜または層でもよい。

入／出力インタフェース手段は、センサ出力インタフェ
ース手段１５とディスプレイ入力インタフェース手段１
７とを含む。

テレコンフェランスユニットの個々の素子を以下の第２
項及び第３項で説明し、集積ユニットをその相互作用、
インタフェースユニット及び素子と共に以下の第４項で
説明する。

２、換ぷ」」Ｃ１ 第３図は、本発明の入力デバイスとして使用される改良
されたソリッドステート接触感受性位置センサ１１１を
概略図で示す。第３図の位置センサ１１１は、はぼ矩形
の導電性露出表面１２１を含む、該表面は、例えば該表
面１２１と接触する使用者の指またはスタイラスの接触
点１３１のｘ−Ｙ座標位置を検出し信号を発生するよう
に特殊に構成されている。

接触点１３１の位置検出という機能を果たすために、位
置センサ１１１は少なくとも２組の電流分配収集手段１
４１を含む。電流分配及び収集手段１４１は、その導電
性表面１２１に均一な直線状電界を発生させる。より詳
細には、電界の分配が導電性表面１２１の少なくとも１
つの境界（例えば下部の水平境界）に沿って配置された
第１の細長い電流分配手段１５１ａと導電性表面１２１
の少なくとも１つの第２境界に沿って作動的に配置され
た第１の細長い電流収集手段１６１ａとによって行なわ
れる。電流分配手段１５１ａと電流収集手段１６１ａと
は導電性表面１２１の上で互いに平行に向き合っている
。第１組の電流分配収集手段１５１ａ　、　１６１ｇは
位置センサ１１１の導電性表面１２１の対向する２つの
境界に沿って作動的に配置されており、導電性表面１２
１に実質的に平行な等電位線Ｅ（第４図参照）をもつ実
質的に均一な直線状の電界分布を協働して与えるように
構成されている。後述する好適具体例においては、電流
分配収集手段が分布ダイオードとして形成されているが
、同等に有効な別のデバイスを使用してもよい。

第３図に示す矩形接触感受性位置センサ１１１において
、水平に配置された第１の電流分配手段１５１ａ及び該
手段から鉛直方向に離間し水平に配置された第１の電流
収集手段１６１ａは協働して第１組の水平等電位線をも
つ第１の均一電界分布を成立させる。

この結果、接触点のｙ軸座標を決定する高分解能手段が
形成される。第２組の電流分配収集手段１４１はＸ軸座
標位置を与えるために必要である。より詳細には、第２
組の電流分配収集手段は、導電性表面１２１の１つの鉛
直方向境界に沿って配置された１つの細長い電流分配収
集手段１５１ｂと前記第２の電流分配手段１５１ｂから
水平方向に離間して導電性表面１２１の対向する鉛直境
界に沿って配置された第２の細長い電流分配収集手段１
６１ｂとを含む。鉛直方向に配向され互いに離間して配
置された第２組の電流分配収集手段１５１ｂ、１６１ｂ
は協働して第１電界分布の等電位線と直交する第２電界
分布をもつ第２組の均一間隔の等電位線を成立させる。

これにより高分解能をもつＸ軸座標位置決定手段が与え
られる。

電流分配収集手段１５１ａ、１５１ｂ、１８１ａ、１６
１ｂはその全長に沿って等間隔ずつ離間した複数の電流
リード（例えば１５Ｚａ、１５２ｂ、１５１ｃ、　、、
、１５２ｍ及び１６２ａ　、　１６２ｂ　。

１６２ｃ、、、、１６２ｍ及び１５３ａ　、　Ｌ５３ｂ
　、　１５３ｃ　、　、　、　、　１５３ｍ及び１６３
ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、、、、１６３ｍ）をもつ。こ
れらの電流リードは電流分配収集手段を介して位置セン
サ１１１の導電性表面１２１に電流を与え該表面に電界
を発生させる。この結果、対向して配置され荷電された
分配収集手段（１５１ａと１６１ａ及び１５１ｂと１６
１ｂ）の間に電流が流れる。好適具体例において、電流
リードは約４０本／インチの構成で配置されているが、
任意の分解能（１インチ当たり２〜１００本またはそれ
以上）を使用することが可能である。しかしながら、単
位長さ当たりの電流リードの本数は、隣接する電流リー
ド間のクロストークを実質的に阻止するという要件によ
って制限される。

電流分配収集手段において、隣接電流リード間の側方間
隔は、両者間を流れる電流のインピーダンスが位置セン
サ１１１の導電性表面１２１に沿った有効インピーダン
スパスに比較して高い値になるように選択される必要が
ある。このようにして電流は電流分配収集手段の長手方
向以外の１つの方向に優先的に伝導される。接触位置セ
ンサ１１１の分解能（導電性表面に対する接触入力の特
定ｘ−Ｙ座標位置決定の正確度として定義される）は、
導電性表面の電界特に非使用中（ｃｌｉｓｅｎｇａｇｅ
ｄ）の電流分配収集手段の最も近傍の導電性表面の縁端
に沿った電界の均−性及び直線性によって規定される。

この場合、非使用中の電流分配収集手段に電流が流入す
ることを阻止するために該手段のインピーダンスはかな
り高い値でなければならない。

（図示しない）電流制御手段が電流分配収集手段１５１
ａ　、　１５１ｂ　、　１６１ａ　、　１６１ｂの各々
と電気的に相互接続されている。電流制御手段は複数組
の電流分配収集手段１４１を交互にオン及びオフに逐次
的に切り替える。電流制御手段は実質的ににオンの状態
から実質的にオフの状態にスイッチングできオフ状態で
電流リークを全く生じないことが要求される。

接触感受性位置センサ１１１は更に、前記電流分配収集
手段１４１と前記有限導電性表面１２１との間に電気的
に配置された抵抗手段を含む。抵抗手段は導電性表面１
２１と実質的に等しい抵抗、典型的には１０〜１０００
オームの範囲、好ましくは５０〜５００オームの範囲の
抵抗を与え得るのが好ましい。

次に第５図は、電流分配収集手段１４１と前記導電性表
面１２１との間に配置された抵抗手段１４２をもつ電流
分配収集手段１５１ａ　、　１５１ｂ　、　１６１ａ　
、　１６１ｂを含む接触怒受性位置センサ１１１の概略
図である。抵抗手段は電流分配収集手段の電流リード（
例えば１５２ａ。

１５２ｂ、１５２ｃ、、、）に結合されている。抵抗手
段は次に接触感受性位置センサ１１１の導電性表面１２
１に直接固定されている。

接触点１３１のｘ−ｙ位置を電気的に決定するために使
用される正確な原理は以下の説明で最も良く理解できよ
う。センサ１１１の導電性表面１２１は一連の不連続走
査サイクルによって連続的に走査される。

走査サイクルは分布電界に対して接触点１３１の位置を
相関させるべく構成された協働タイミング手段によって
トリガされる。より詳細には、約５００回／秒の各走査
サイクルは、（毎秒光たりの走査サイクルの実際の回数
は１０−１０，０００サイクル／秒の範囲内の独立変数
である）、２つの半サイクルを含む。第１の半サイクル
では第１即ちｙ’１ｍ電流分配収集手段１５１ａ、１６
１ａを励起することによって接触点１３１のＸ軸位置を
決定し、第２の半サイクルでは第２即ちＸ軸電流分配収
集手段１５１ｂ、１６１ｂを励起することによって接触
点１３１のＸ軸位置を決定する。

次に第６八図〜第６Ｄ図は、交番する半サイクル走査を
実行するために第１即ちｙ軸電流分配収集手段１５１ａ
　、　１６１ａ及び第２即ちＸ軸電流分配収集手段１５
１ｂ。

１６１ｂに夫々印加される電圧の波形を示す。時点Ｌ０
〜ｔ、までは全部の電流分配収集手段が接触感受性位置
センサがオフモードにある場合のように電位０ボルトに
維持される。時点ｔ１〜ｔ２までは接触点１３１のＸ軸
位置を決定するなめに電流分配手段１５１ａ及び電流収
集手段１６１ａと協働する電流制御手段に＋５ボルト及
び−５ボルトを夫々印加することによって該手段を「オ
ン」即ち順バイアス状態にスイッチする。この結果接触
センサのディスプレイ表面１２１に均一電界が分布し得
る。同時に（時点ｔ１〜ｔ２までに）電流分配収集手段
１５１ｂ、１６１ｂと協働する電流制御手段に例えば−
５ボルト及び＋５ボルトを夫々印加することによって第
６Ｃ図及び第６Ｄ図に示すごとく該電流分配収集手段を
「オフ」即ち逆バイアスする（電流分配収集手段１５１
ｂ、１６１ｂがダイオードのとき、ダイオードに印加さ
れる電圧は実質的に等しい景でありダイオードの逆バイ
アス降伏電圧より小さい）。従って、１つの完全走査サ
イクルの第１半サイクル中は接触センサーディスプレイ
表面のｙ軸に均一電界が発生する。

第２半サイクル中は電流分配収集手段１５１ｂ、１６１
ｂと協働する電流制御デバイスが第１半サイクル中に印
加した電圧を反転させることによって電流分配収集手段
１５１ｂ４６１ｂをオン即ち順バイアス状態にスイッチ
する。他方、電流分配収集手段１５１ａ　。

１６１ａと協働する電流制御デバイスが第１半サイクル
中に印加した電圧を反転させることによって電流分配収
集手段１５１ａ、１６１ａはオフ即ち逆バイアス状態に
スイッチされる。このようにしてダイオードをバイアス
させるることによって、位置センサ１２１のＸ軸に均一
電界が発生し、従って、接触点１３１のＸ軸位置−を決
定できる。接触センサーディスプレイ表面１２１に入力
されたすべての情報の位置が不断に更新されるようにこ
れらの走査サイクルが連続的に初期化されることに注目
されたい。

分布電界に対する接触点１３１の位置の相関関係は位置
相関手段によって得られる（図示せず）０位置相関手段
は、瞬間的な電界及び／または電流の分布を全体の電界
及び／または電流の分布と比較し接触点１３１の位置を
正確に示す。第６八図〜第６Ｄ図に示すように、走査サ
イクルはセンサ１１１の作動中学に初期化され、従って
入力情報の状態が連続的に更新される。更に、好ましい
電流制御デバイスはオフ状態からオン状態にスイッチイ
ング可能であることも理解されよう。

上記のごとく発生した交番電界は第４図のごとく分布す
る。第４図において、等電位線Ｅは実質的に平行である
。接触感受性位置センサに対するデータ入力のｘ−ｙ座
標の正確な位置を決定すべく十分な直線性及び均一性を
もつ電界を得るためにはこのように図示のごとく高度な
電位線の平行性及び直交性を得ることが必要である。

接触点位置１３１の高分解能測定に必要な高度な均一性
を得るためには、１つまたは複数の高度に均一なダイオ
ード構造、高抵抗表面１２１または分布ダイオード内の
「内部抵抗（ｂｕｌｋ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）」効果
の抑制が必要である。従って、接触センサーディスプレ
イ表面１２１に配置された全部のダイオードが内部限定
挙動（ｂｕｌｋ　１１ｍ１ｔｅｄ　ｂｅｈａｖｏｕｒ）
の開始より低い値で動作することを確保するために、セ
ンサ１１１の接触センサーディスプレイ表面１２１の抵
抗率を増加させることが可能である。ディスプレイ表面
１２１の抵抗率は、例えば内在酸素量を増加させよりガ
ラス状にして絶縁性を高めることによって容易に増加で
きる。位置センサ１１１の導電υ１ 性表面１２１の抵抗の好適値は２０〜５０００オーム／
忰（ｓｑｕａｒｅ）好ましくは１００〜３００オーム／
５ｑ−（ｓｑｕａｒｅ）の範囲である。

第７八図は、２つの同様のダイオード１８０，１８２の
電流電圧曲線を示す。ダイオード１８０と１８２とで観
察される電流電圧特性値の差は、ダイオード製造中の厚
みのわずかな違い（例えば１％以上で５％未満〉に起因
する。ダイオード１８０，１８２が結合される導電性表
面１２１の抵抗は［１８４によって示される。線１８４
はダイオード１８２の電流電圧曲線の直線部分を通過し
、ダイオード１８０の内部限定領域を通過する。ダイオ
ード電流電圧特性曲線のこの均一性の欠如が前記のごと
き分解能の問題である。しかしながら、点線１８６で示
すように導電性表面の抵抗を増加させることによって導
電性表面を流れる電流を減らし、その結果として導電性
表面と協働する実質的に全部のダイオードが夫々の電流
電圧特性曲線の直線部分で動作するようにすれば問題を
解決できる。

内部限定領域の分布ｐ−１−ｎダイオードの動作に関連
する低分解能の問題を解決するための付加的または代替
的な第２の方法では、典型的には５００〜１５．０００
人の範囲のダイオード厚みを例えば約１７２に減らし、
この厚み減少の実質的に全部を真性領域で行なう必要が
ある。真性領域の厚みを減らすと内部限定挙動の開始が
より高い電圧レベルに移行するのでより高度な電界均一
性が１）られる。第７Ｂ図は４つのｐ−１−ｎ（または
ｎ−１−ｐ）ダイオード１８０゜１８２．１９０，１９
２の電流電圧特性曲線を示す。ダイオード１９０，１９
２は、ダイオード１８０，１８０の真性層よりも実質的
に薄い（即ち５０％減）真性層をもつように製造されて
いる。従って電流電圧曲線は実質的により長い直線領域
をもつ。この結果、導電性表面１２１の線１８６で示す
固有負荷抵抗は、ダイオード１９０または１９２の特性
曲線のごときダイオード電流電圧特性曲線の直線部分を
通過する。従って前記゛のごときダイオードの不均一性
に関連する問題が解決される。

電流分配収集手段１４１は、好ましくない静電気放電効
果を阻止するように特殊設計された化学量論的でない（
ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ）シリコン窒化
物スイッチとして形成されてもよい。または、電流分配
収集手段１４１が細長い分布ダイオード１６１ｂとして
形成されてもよい。第８図はこの分布ダイオード１６１
ｂを示す。かかる細長い分布ダイオード１６１ｂは、例
えばステンレススチールから成る共通基板１６４にデポ
ジットされた半導体合金材料薄膜の複数の連続重層から
形成されるのが好ましい６より詳細には、分布ダイオー
ドが、例えば導電性接着Ｎ１７２によって位置センサ１
１１の導電性表面１２１の１つの境界に直接結合されて
もよい、第１境界に結合されたダイオードは、基板１６
４と該基板に壓次デポジットされたｐ形アモルファスシ
リコン合金材料Ｍ１６５、実質的に真性のシリコン合金
材料層１６７、ｎ形アモルファスシリコン合金材料層１
６９及び薄膜導電性酸化物材料層１７１とから構成され
ている。センサの導電性表面１２１の反対側の境界にも
分布ダイオードを結合できるが、半導体材料層は逆の順
序でデポジットされる。より特定的には、基板１６４に
、ｎ形アモルファスシリコン合金層、真性半導体材料層
、ｐ半導体合金材料層及び薄膜導電性酸化物材料層を順
次デポジットする（この逆のダイオードの具体例は図示
せず）。このようにして、有限表面の一方の境界面に沿
って細長い分布ｐ−１−ｎダイオードが配備され他方の
境界面に沿って細長い分布ｎ−１−ｐダイオードが配備
されることが理解されよう。この構造によって、一方の
組の対向する細長いダイオードが順バイアスされて導電
性表面に単一方向の電流が流れ、他方の組の対向する細
長いダイオードが逆バイアスされ導電性表面に電流が流
れることを阻止する。

本発明で使用される導電性酸化物材料の例は、インジウ
ムスズ酸化物である。材料の面積抵抗は接触位πセンサ
１１１の導電性表面の面積抵抗に比較してダイオードの
長手方向で比較的高い横方向抵抗率（ｌａｔｅｒａｌ　
ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）を与え均一ダイオード性能を
与えるように設計され得る。シングルまたはタンデム形
のｐ−１−ｎダイオード構造の総厚みはわずかに約５０
０〜１５，０００人、好ましくは１，０００〜ｓ、ｏｏ
ｏ人であり、均一なダイオード電流電圧特性曲線を与え
るように設計され得る。横方向抵抗率によって更に、単
一の細長い分布ダイオードを１６１ｂａ　、　１６１ｂ
ｂ　、　１６１ｂｃ　、　、　、　、１６１ｂｚのごと
き不連続な複数のダイオード構造と考えることができる
。これらの不連続な各ダイオード間の水平間隔は、該間
隔に流れる電流に高いインピーダンスを与えるために十
分な大きさであり、その結果、電流分配収集手段１６１
ｂは、（センサ１１１の導電性表面１２１に垂直な通路
内の）分配手段の内部に優先的な電流導通路をもつ。ダ
イオード構造が使用中（ｅｎｇａｇｅｄ）、導通状態ま
たはｒオン」モードでないときは導電性酸化物が垂直な
電界を妨害しないように導電性酸化物の横方向抵抗率は
十分に高い値でなければならない。上記タイプのダイオ
ードは、例えば複数の個別ダイオードを形成する標準エ
ツチング技術によってパターン化され得ることに注目さ
れたい。

また、上記導電性酸化物表面は、隣接構造との電気接続
に影響を与えるようにパターン化され得る。

次に第９図は、抵抗手段１４２を備えた電流分配収集手
段１４１と結合した導電性表面１２１の断面図を示す。

詳細には、電流分配手段１４１の電流リード１５２ａの
上に例えばスクリーンまたはプリントされた不連続薄膜
抵抗器から成る抵抗手段１４２が設けられている。抵抗
手段１４２及び電流リード１５２ａは、導電性接着層１
４３を介して導電性表面１２１に結合されている。詳細
には、接着層は第１方向で導電性であり電気伝導性通路
に垂直な少なくとも１つの第２方向で電気抵抗性でなけ
ればならない。この機能に特に適した材料は、商標ｒｔ
ｌＮＩ＾ＸＩＡＬ　Ｃ０ＮＤＵＣ−ＴＩＶＥ　ＡＤＨＥ
ＳＩＶＥ、としてＵｎｉａｘ社によって製造されている
。９７０２　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ
　Ｔａｐｅｓとして公知の３Ｍ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ社の材料を使用してもよい。

または、前記分布ダイオードを接触センサ１１１の表面
と電気接続的に配置してもよい。好適具体例において、
かかる機能に使用される材料は細い導電性炭素線がプリ
ントされた電気抵抗性ポリマーマトリクス材料の薄膜か
ら製造される。この機能に特に好適な材料は商標ｒＥ　
Ｌ　ＦＯＲＭＪ、として市販のＣｈｉｎｉｔｓｕ社の材
料である。ｒＥ　Ｌ　ＦＯＲＭ、マトリクスはまた、約
９０オームの固有電気抵抗をもち、これは電界の均−性
及び直線性を強化促進するに十分な値であるから抵抗手
段としても機能し得る。

しかしながら、（協働する抵抗手段を任意に含む）その
他の接続手段も同等に使用できることは理解されよう。

電流分配収集手段は各接触点で整流接合を与えることに
注目されたい。このためには、第１の矩形基板材料シー
トにｐ−１−ｎダイオード構造をデポジットし、第２の
矩形基板材料シートにｎ−１−ｎダイオード構造をデポ
ジットする。　ｐ−１−ｎダイオード構造の導電性酸化
物層をｒＥ　Ｌ　ＦＯＲＭ、マトリクスの導電線に電気
接続する。該ｒＥ　Ｌ　ＦＯＲＭ、マトリクスはセンサ
１１１の一方の境界に結合される。

ｎ−１−ｎダイオード構造の導電性酸化物層をセンサの
反対側境界のｒＥ　Ｌ　ＦＯＲＭＪマトリクスの導電線
に電気接続する。このようにすると、導電性表面１１１
に電流が流れるが、隣接ダイオード（電流リードと同数
）間のクロストークは生じない。強調すべきは、対向極
性のダイオードがセンサ１１１の対向境界に結合された
このタイプの細長い分布ダイオード構造が薄膜デポジッ
ト半導体技術だけによって形成できることである。

この薄膜半導体技術の使用によって実現される別の利点
は、半導体合金材料の連続薄膜層としてデポジットされ
たダイオードが実質的な均一性をもつことである。連続
プロセスで均一デポジション条件下に実質的に同一の前
駆物質を使用して分布ダイオード材料の細長いストリッ
プを製造することによって均一性が得られる。この多層
薄膜半導体合金材料の細長いストリップは所望の寸法及
び形状のより小さいストリップに裁断できる。

本発明の接触怒受性位置センサ１１１は、接触点１３１
のＸ−Ｙ位置を示す電気信号の発生手段を含む。

例えば、画素または絵素がベクトル座標または行列座標
でアドレスされ得る。内容コード、例えば２進データ内
容コード、または、色、ピッチ、色相、グレースケール
等のごときアナログデータを示す内容コード語等が発生
する。

位置センサの導電性表面に入力されたデータの消去は、
色データの入力と同様にして処理され得る。特に、消去
手段は強さまたは周波数の変化する信号を与える単一信
号を発生するように構成されている。この周波数はデー
タの入力部に対して下流側の消去に関する処理装置によ
って容易に感知されディジタルデータがメモリから除去
される。

３、−゛イスプレイ 本発明のペーパレスファクシミリ手段は、接触感受性位
置センサ１１１に入力され遠隔データ入力点で受信され
た像データをディスプレイする手段を含む。このディス
プレイ手段は、光感応ディスプレイ好ましくは能動マト
リクス光感応ディスプレイである。

光感応ディスプレイ２１０は個別にアドレス可能な複数
の画素を含む。各画素は、光感応材料を申開に挾む離れ
た一対の対向画素電極を含む。電圧は電極対に選択的に
印加され、電極間の光感応材料が発光するかまたは光学
密度の変化を生じる。

これらの対向画素電極は対向するガラス板のごとき対向
基板に配置され、液晶材料のごとき光感応材料が基板間
に配置される。または電極が同じプレート上に配置され
液晶材料が該電極の上方または下方に配置されてもよい
。

多数画素をもつディスプレイにおいては、ｘ−ｙマトリ
クスアドレシングの使用が必要である。

ｘ−ｙマトリクスアドレシングにおいて、所与の行の「
第１」画素電極の全部が膝行と協働するアドレスライン
に接続され、所与の列の「第２」画素電極の全部が談判
と協働するアドレスラインに接続されている。従って各
画素は、協働するＸアドレスラインとＸアドレスライン
とを選択することによってアドレスされ得る。

比較的小型のｘ−ｙ光感応ディスプレイにおいては、受
動マトリクススイッチングが使用される。

受動マトリクススイッチングにおいては、Ｘライン及び
Ｘラインの各々が通常は電子デバイスを介在させずに、
協働する行または列の画素電極に直接接続されている。

逐次走査において、受動マトリクスアレイの画素は走査
プロセスで逐次励起され、各行が順次選択され、各行の
選択中に各列が順次選択される。これにより各行の各画
素が順次走査される。各画素の選択に割り当てられた時
間中に回路は、画素に印加された電圧の振幅を制御する
ことによって画素をオンにするかオフにするかを判断す
る。平行走査が行なわれる受動アレイにおいては、各行
が順次選択され、行の選択中に全部の列ラインが個別に
選択された電圧で平行励起され、膝行の各画素を所望状
態即ちオンまたはオフにする。比較的小さいアレイでは
、電子デバイスを介在させずにをＸアドレスライン及び
Ｘアドレスラインで画素を直接励起するこのような受動
マトリクス多重走査スキームが十分に機能する。

しかしながら、アレイの寸法が大きくなるに伴って、所
与の画素即ち画素行に対する電圧印加時間の量が減る。

その結果、各走査サイクル中で所与の画素に対する電圧
印加時間の割合が減少し、オン状態とオフ状態との間の
平均コントラストが弱まる。このような理由から、大形
受動マトリクス多重ディスプレイはコントラストの弱い
像を生じ易くディスプレイが読み難い。

テレコンフェランスシステムのペーパレスファクシミリ
手段におけるこの制約を克服するためには、受動ディス
プレイの代わりに能動ディスプレイマトリクスを使用す
るのが好ましい。能動ディスプレイマトリクスにおいて
は、各画素が、スイッチとして機能する非線形電子デバ
イスと協働する。

このスイッチは、短時間の画素選択期間中に画素に電流
を出入りさせ、画素をオンからオフまたはその逆に迅速
に状態変化させ、画素が選択されていないときは画素に
対する電流の出入りを阻止する。このようにすると、短
時間の選択時間中に画素に導入された電荷が走査サイク
ルの残りの期間中に実質的に維持される。その結果、画
素は全走査サイクル中にオン状態またはオフ状態を維持
し易い。このため、ディスプレイのコントラスト及び読
取適性が格段に向上する６ スイッチから成る非線形デバイスは、ダイオードのごと
き二端子デバイスでもよくまたはトランジスタのごとき
三端子デバイスでもよい。

ａ、二端子Ｉｔ御デバイスをもつ−イスプレイー９二端
子制御デバイスは２つの電流通過電極と該電極間の１つ
の接合とをもつ。

接合は、１つの方向に電流を導通させ対向方向の電流を
遮断する障壁高さをもつ。

第１０図及び第１１図はディスプレイ画素２１０を示す
。ディスプレイ画素２１０を１つだけ図示したが、完全
液晶ディスプレイを与えるために行列構成に配置された
多数の画素か必要であることは理解されよう。

ディスプレイ画素２１０は例えばガラスから成る絶縁基
板２１２を含む。相互接続バスまたはリード２１４と第
１アドレスリード２１６とが基板２１２に形成されてい
る。相互接続リード２１４と第１アドレスリード２１６
とは、例えばアルミニウム、モリブデン、モリブデンタ
ンタル合金、クロム、タンタル、タングステン、パラジ
ウムまたは白金のごとき金属から成る導電性材料から形
成され得る。

ディスプレイ画素２１０は更に、相互接続リード２１４
及び第１アドレスリード２１６に夫々形成された一対の
ダイオード２１８，２２０を含む。ダイオード２１８゜
２２０は好ましくは、デポジット半導体材料から形成さ
れる。デポジット半導体材料は好ましくは、シリコンを
含むアモルファス半導体合金である。

アモルファスシリコン合金はまた、水素及び／またはフ
ッ素を含み、プラズマアシストＣＶＤ例えばグロー放電
によってデポジットされ得る。ダイオード２１８，２２
０は好ましくは、ｐ形でもよい第１ドープ領域２１８ａ
、２２０ｂと第１ドープ領域２１８ａ、２２０ａに夫々
重層する真性領域２１８ｂ、２２０ｂと真性領域２１８
ｂ。

２２０ｂに夫々重層しｎ影領域でもよい第２ドープ領域
２１８ｃ、２２０ｃとによって形成されたｐ−１−ｎ構
造をもつ。

ディスプレイ画素２１０は更に、ダイオード２１８のｎ
影領域２１８ｃと電気接触した第２アドレスリード２２
６と、開孔２２４及びダイオード２２０のｎ影領域２２
０ｃとを介して相互接続リード２１４と電気接続する第
１電′Ｉｆ１２２８とを含む。

アドレスリード２１Ｂ　、２２６は第１１図に示すごと
く、互いに実質的に平行なデポジット金属から形成され
、双方が第１電極２２８に結合されている。ダイオード
２１８，２２０は第１電ｆｌ！２２８に結合されたアイ
ソレータを形成している。ダイオード２１８，２２０か
ら形成されたアイソレータは、アドレスライン２２６，
２１６に夫々接続した第１及び第２の入力をもつ。

第１電極２２８は第１１図のごとく方形構造に形成され
、例えば完成ディスプレイマトリクスの総寸法及び所望
縦横比に基づいて１辺３００〜２，０００μでよい。

第１電ｆｉ２２８が開孔２２４を介して相互接続リード
２１４と接触していると、ダイオード２１８，２２０は
互いに直列に接続されている。第１０図に示すごとく、
アドレスリード２１６，２２６だけがダイオード２１８
，２２０を介して第１電極２２８と電気接続する。

上記のごとく得られた構造に光感応材料層２３０を重層
する。

ディスプレイ画素２１０は更に、例えばガラスから成る
頂部透明絶縁プレート２３２を含む。絶縁プレート２３
２の内面２３４に、例えばインジウムスズ酸化物から成
る透明導電性材料層２３６が設けられている。インジウ
ムスズ酸化物層２３６は、ディスプレイ画素２１０の第
２電極を形成する。この電極２３６は液晶材料２３０と
接触している。第２電！！２３６は第１電極２２８と同
じ寸法をもつように形成され、第１電極に対して位置合
わせされている。頂部絶縁プレート２３２は、ディスプ
レイ画素２１０において使用される液晶材料（光感応材
料２３０）の種類に適合する当業界で公知の技術で分極
されている。液晶ディスプレイ材料２３０中の分子を整
列させるために従来のタイプの配向皮膜を第１電極２２
８に設けてもよい。

第１２図は第１０図の画素２１０の等価回路図を示す。

画素２１０は、アドレスリード２１６，２２６と、該ア
ドレスリード２１６と２２６との間に接続された一対の
直列ダイオード２１８，２２０と、ダイオード間に結合
された第１導電性電極２２８とを含む。画素２１０は更
に第１電極２２８から離間した第２電ｆ！２３６を含む
。電極２２８と２３６との間に液晶ディスプレイ材料２
３０が充填されている。

交番フレームまたはスキャン中に印加電圧ポテンシャル
の極性が反転するならばネマチック液晶ディスプレイの
有効寿命を延長できる。このためには第１０図の画素２
１０に対し、１つのフレーム中に第１アドレス゛リード
２１６に正電位を印加し第２電極２３６に負電位を印加
してダイオード２２０を順パイアスし、次のフレーム中
に第２アドレスリード２２６に負電位を印加し第２電極
２３６に正電位を印加するとよい。このシーケンスを反
復すると、交番フレーム中に液晶ディスプレイ材料に印
加される電位を反転させ得る。

第１３図は別の液晶ディスプレイ画素２４０を示す。

画素２４０は２対のダイオードを含み、第１及び第２の
サブアセンブリ２４２，２４４から形成されている。

サブアセンブリ２４２．２４４の各々は第１０図の液晶
ディスプレイ画素２１０の液晶材料２３０の下方の部分
に実贋的に等しい。

第１サブアセンブリ２４２は、例えばガラスから成る絶
縁基板２５２を含む、第１サブアセンブリ２４２は更に
、相互接続リード２５４と、第１アドレスリード２５６
と画素２１０のｐ−１−ｎダイオード２１８，２２０に
実質的に等しい第１対のダイオード２５８，２６０とを
含む０例えばポリイミドから成る絶縁材料Ｍ２６２がダ
イオード２５８と２６０との間に設けられ、相互接続リ
ード２５４の接続開孔２６４を規定している。第１サブ
アセンブリ２４２は更に、第２アドレスリード２６６及
び第１電極２６８を含む。

第２サブアセンブリ２４４も、絶縁基板２７２と、相互
接続リード２７４と、第１アドレスリード２７６と、第
２対のダイオード２７８，２８０と、相互接続リード２
７４の接続開孔２８４を規定する絶縁層２８２と、第２
アドレスリード２８６と、第２電ｉ　２８８とを含む。

サブアセンブリ２４２と２４４との間の液晶ディスプレ
イ材料２７０を第２サブアセンブリ２４４の側から透視
するときは、第２電極２８８を透明導電性材料例えばイ
ンジウムスズ酸化物から形成し、絶縁基板２７２をサブ
アセンブリ間で使用される液晶ディスプレイ材料２７０
と適合するように分極されたガラスのごとき透明材料か
ら形成する必要がある。従来の分子配向皮膜及び偏光板
が当業界に公知の方法で本発明のサブアセンブリ２４２
．２４４に組み込まれ得ることに注目されたい。

第１４図は第１３図の画素の等価回路図を示す。画素２
４０は、第１対のダイオード２５８，２６０と第２対の
ダイオード２７８，２８０とを含む、各ダイオード対は
直列に接続されている。画素２４０は更に、直列接続さ
れたダイオード２５８，２６０の各々の末端に接続され
た第１対のアドレスリード２５６．２６６と、他方の対
の直列接続されたダイオード２７８，２８０の各々の末
端に接続された第２対のアドレスリード２７６．２８６
とを含む。第１電極２６８はダイオード２５８と２６０
との接合に接続され、第２電ｆ！２８８はダイオード２
７８と２８０との接合に接続されている。液晶ディスプ
レイ材料２７０は電極２６８と２８８との間に配置され
ている。

液晶材料２７０に印加された電位は交番フレーム中に反
転され得る。１のつフレーム中にアドレスリード２７６
に正電位を印加しアドレスリード２６６に負電位を印加
する。交番フレーム中にアドレスリード２５６に正電位
を印加しアドレスリード２８６に負電位を印加し得る。

このようにして、交番フレーム中に液晶材料２７０に印
加される電位を反転し得る。

第１５図はまた別の液晶ディスプレイ画素２９０を示す
。画素２９０は、例えばガラスから成る絶縁基板２９２
上に形成される。ガラス基板２９２の上に第１アドレス
リード２９４が形成される。第１アドレスリード２９４
は先の具体例と同様に、例えばアルミニウム、モリブデ
ン、モリブデンタンタル合金、クロム、タンタル、タン
グステン、パラジウムまたは白金のごとき導電性金属か
ら形成され得る。

画素２９０は更に、絶縁層２９６と絶縁部分３０４とを
含む。絶縁層２９６及び部分３０４はシリコン酸化物ま
たはシリコン窒化物のごとき任意のデポジット絶縁体か
ら形成され得る。絶縁層２９６は開孔３０６．３０８　
。

３１０をもち、ダイオード３００，３０２のｎ影領域の
表面部分と第１相互接続リード２９８の表面部分とが該
開孔で露出している。

画素２９０は更に底部電極３１２と第２相互接続り−ド
３１４とを含む。

第１５図は更に、第２相互接続リード３１４がアドレス
リード２９４及び絶縁部分３０４の開孔３０６を介して
ダイオード３００のｎ影領域３００ｃと接触しているこ
とを示す。底部型［！３１２は開孔３０８を介して第１
相互接続リード２９８と接触し開孔３１０を介してダイ
オード３０２のｎ影領域３０Ｚｃと接触している。ダイ
オード３０２のアノードはダイオード３００のカソード
に接続されダイオード３００のアノードはダイオード３
０２のカソードに接続されている。また、ダイオード３
００のアノードとダイオード３０２のカソードとの間の
接合が第１電極即ち底部型ｆｉ３１２に接続されている
。

画素２９０は更に透明絶縁プレート３１６を含み、その
内面にデポジットされた透明導電性材料３１８が画素２
９０の第２電極を形成している。透明導電体３１８は、
底部型［３１２の有効寸法と等しい寸法をもち底部電極
と位置合わせするように形成されている。

当業界に公知の種類の例えばネマチック液晶材料から成
る液晶ディスプレイ材料３２０が、少なくとも電極３１
２と３１８との間でこれらの電極と接触して配置されて
いる。頂部透明プレート３１６及び底部プレート２９２
は先出の具体例と同様に、ディスプレイに使用された液
晶材料３２０の種類と適合するように分極され得る。

第１６図は第１５図の液晶ディスプレイ画素２９０の等
価回路図を示す０画素２９０はダイオード対３００゜３
０２を含み、ダイオード３００のカソードとダイオード
３０２のアノードとが互いに結合され、また第１アドレ
スリード２９４に接続されている。ダイオード３００の
アノードとダイオード３０２のカソードも互いに結合さ
れ、また第１電＠３１２にも接続されている。

第２電極３１８は、（第１５図に図示しない）第２アド
レスリード３２２に接続され、液晶ディスプレイ材料３
２０は、少なくとも電極３１２と３１８との間にこれら
の電極と電気接触して配置されている。

液晶材料３２０に印加される電位は交番フレーム中に反
転され得る。１つのフレーム中に第１アドレスリード３
９４に正電位が印加され、第２アドレスリード３２２に
負電待が印加される。交番フレーム中に第２アドレスリ
ード３２２に正電位第１アドレスリード２９４に負電位
が印加される。このようにして、交番フレーム中に液晶
材料２２０に印加さ、れる電位を反転し得る。

第１７図は本発明で使用できるディスプレイの更に別の
具体例を示す、第１７図は、サブアセンブリ３４２を組
み込んだディスプレイの１つの画素３４０を示す。ガラ
スから形成され得る透明絶縁基板３４４がサブアセンブ
リ３４２から離間しており、基板に画素電極３４６が形
成されている。画素電極３４６は透明インジウムスズ酸
化物から形成されてもよい。

基板３４４、画素電極３４６とサブアセンブリ３４２と
の間に光怒応材料充填領域３４８が存在する。例えば、
従来タイプのネマチック液晶材料が使用される。

サブアセンブリ３４２は例えばガラスから成る絶縁基板
３５０を含み、基板の上に画素電極３５２が形成されて
いる。サブアセンブリ３４２はまた、絶縁基板３５０上
に形成された第１アドレスライン３５４と、第１アドレ
スライン３５４から絶縁され絶縁基板３５０に担持され
た第２アドレスライン３５６とを含む。好ましくはｐ−
１−ｎダイオードから成る分離デバイス３５８ガ第１ア
ドレスライン３５４の領域に形成される。

二酸化シリコン層３６０または従来から公知の等価の絶
縁体がダイオード３５８を包囲し、領域即ち通路３６２
以外の第１アドレスライン３５４を被覆している。金属
デポジット３６４は通路３６２を通り分離デバイス３５
８と接触している。金属デポジット３６４は分離デバイ
ス３５８を画素電極３５２に接続している。

好ましくは同じ（ｐ−１−ｎダイオードから成る第２分
離デバイス３６６は画素電極３５２の領域に形成されて
いる。二酸化シリコンのごとき絶縁層３６８は分離デバ
イス３６６を包囲し領域即ち通路３７０以外を被覆して
いる。金属デポジット３７２は通路３７０を通過し分離
デバイス３６６と接触している。第２アドレスライン３
５６は好ましくは金属デポジット３７２と同じ処理段階
で同時に形成される。第２アドレスライン３５６と金属
デボジッｌ−３７２とを同時に形成するために、金属層
を絶縁層３６８にデポジットし得る。

次に金属層を従来の方法でエツチングして除去しデポジ
ット３７２と第２アドレスライン３５６とを形成する。

または、金属デポジット３フ２の以前または以後に第２
アドレスライン３５６を形成してもよい。

金属デポジット３７２は画素電極３５２と第２アドレス
ライン３５６との間で分離デバイス３６６と接続する。

第２アドレスライン３５６は絶縁層３６８の領域にデポ
ジットされる。第１２図の等価回路は第１７図の液晶デ
ィスプレイ３４０にも通用する。

アドレスライン３５４．３５６はアドレスライン２１６
゜２２６のごときクロスオーバーをもたずに形成され得
る。アドレスライン３５４，３５６の各々は画素電極３
５２に接続され得る。

ｂ、三端子制御デバイスをもつディスプレイ素子または
、能動マトリクスが三端子非線形制御デバイスを有して
いてもよい。

三端子制御デバイスは２つの電流通過電極と１つの制御
電極とをもつデバイスであり、２つの電流通過電極間の
実効抵抗は制御電極に供給された信号に従って制御され
る。例えば、能動マトリクスディスプレイでしばしば使
用される薄膜電界効果トランジスタにおいて、ゲート電
極に印加される電圧はトランジスタのソース電極とドレ
イン電極との間に流れる電流量を制御する。

１つの極性の画素電極、協働するＸ及びＹアドレスライ
ン及び協働する三端子デバイスがディスプレイの１つの
基板にデポジットされる。三端子デバイスの各々の電流
通過電極の１つは、協働する画素の画素電極に接続され
ている。各三端子デバイスとその協働画素が個別にアド
レスされ得るようにＸ及びＹラインが基板に設けられて
いる。一方のアドレスライン群例えばＸアドレスライン
は三端子デバイスの制御電極に接続され、Ｘアドレスラ
インが１行の画素の全部の制御電極（ゲート）に接続さ
れている。これに対応して他方のアドレスライン群例え
ばＹアドレスラインは制御デバイスの電流通過電極（ソ
ースまたはドレイン）の１つに接続され、Ｙアドレスラ
インは１つの画素列の各画素の電流通過電ｗｌ（ソース
またはドレイン）に接続されている。対向基板の画素電
極は通常アースのごとき共通電圧に接続されている。

個々の画素は画素の液晶材料に閾値電圧より高い電圧を
印加することによってスイッチされる。

このためには、三端子デバイスの制御電極に接続された
Ｘアドレスラインに電位例えばゲート電圧を印加し、同
時に三端子デバイスの電流通過電極に接続されたＹアド
レスライン電位即ちトレイン電圧を印加する。例えば、
三端子デバイスが薄膜電界効果トランジスタの場合、各
トランジスタのゲートはＸアドレスラインに接続され各
トランジスタのソースはＹアドレスラインに接続される
。

電界効果トランジスタにおいて、ゲートに接続されたＸ
アドレスラインとソースに接続されたＹアドレスライン
との間に適当な電圧を印加することによって選択画素即
ち選択構造がオンまたはオフにスイッチされる。

入力とディスプレイとが一体化されたモジュール式ディ
スプレイを与えるために有用な典型的光感応ディスプレ
イと該ディスプレイの操作モードを第１８図から第２５
図゛に基づいて説明する。

第１８図は３×３画素アレイの概略図である。底部基板
に形成された回路素子は実線で示され、頂部基板５４２
のストリップ導体５４４によって形成された回路素子は
点線で示される。トランジスタのゲート５２４はＸアド
レスライン５３０に接続され、トレイン５２６は画素型
ｆｆ！５２０及び画素５５１を介してＹアドレスライン
５４４に接続されている。全部のトランジスタ５２２の
ソース５２８は第２導電リード５３２を介してアースに
接続されている。

第１９図は個々の画素が第２０図のパターンを形成する
ように第１８図の回路に印加される電圧波形を示す０判
り易いように電圧が印加されないとき画素５５１が光透
過性であるとする。画素に電圧が印加されると画素は光
を遮断し暗くなる。波形Ｘｌ＋Ｘ２．Ｘ、は制御リード
５３０を介して行５１４，５１５または５１６のトラン
ジスタのゲート５２４に夫々供給される電圧波形である
。同様に波形Ｙ、、Ｙ２．Ｙ、はデータリードとして機
能するストリップ導体５４４を介して列５１７，５１８
または５１９の画素５５１に夫々印加される電圧である
。Ｙ電圧は画素を介してトランジスタ５２２のドレイン
５２６に印加される。全部のトランジスタ５２２のソー
ス電極５２８は給電リード５３２を介してアースに接続
されている。

動作中、所与の行５１４，５１５または５１６のトラン
ジスタ５２２の各々は、夫々のＸアドレスライン５３０
に正の「オン」ゲート電圧が供給されるとオンになる。

この「オン」ゲート電圧は図示のＥＦＴの具体例の場合
約１０Ｖである。所与の行のトランジスタ５２２がオン
になるとこの行のソース５２８とドレイン５２６との間
の導電率が顕著に増加し、膝行の底部画素電極５２０を
有効にアースに接続する。所与の行がこのように選択さ
れると、複数の選択データ電圧がデータリードまたはＹ
ライン５４４を介して行の第２画素電極に平行印加され
る。この結果、選択行の画素５５１の各々が、協山する
Ｙラインのデータ電圧とソースライン５３２のアース電
圧との差に等しい電圧に荷電される。例えば、各ｐモー
ドの最初の１７３期間中は、アドレスラインＸ１が高で
ＹアドレスラインＹ１に約＋５ｖの「オン」データ電圧
が印加され、ＹアドレスラインＹ２及びＹ、に０■の「
オフ」データ電圧が印加される。その結果、１番上の行
の左の画素がオンになり、この行の残りの２つの画素が
オフに維持される。第２０図の具体例において、オンに
スイッチされた画素は不透明即ち暗くなり、オフに維持
された画素は透明即ち明るい、しかしながら、正反対の
挙動即ち電圧が印加された画素が透明になり電圧が印加
されない画素が不透明に維持されるディスプレイが得ら
れるように回路を構成することも可能である。

第１行が選択されトランジスタがオンである期間中、別
の非選択画素行に接続されているアドレスラインＸ２　
、Ｘｓは一５■の負電位を受容する。この負電位はアー
スから一５■を減算した値であり、被選択行の各トラン
ジスタを確実にオフに維持する。実際、この電圧は、ド
レイン５２６に接続された協働底部画素５２０の電圧が
５Ｖの「オン」画素電圧の２倍もアース電圧を下回ると
きにも、非選択行の１−ランジスタを確実にオフに維持
できる十分に低い値である。この電圧が必要な理由を以
下に説明する。所与の行が選択されているとき、所与の
画素の底部画素電極５２０をアースしＹラインを＋５Ｖ
にすることによって該画素を＋５■に荷電すると、画素
に＋５Ｖ電荷が残存する間は底部画素電極がＹラインの
電圧より５Ｖ低い値に維持される。

画素再充電の中間期間には液晶材料に対する画素電荷の
リークが比較的低いため、また画素と協働するトランジ
スタは行が非選択のときオフになるため、画素の非選択
期間中には＋５Ｖ電荷の実質的部分が画素に残存する。

従って、別の行の選択期間中にＹラインがＯｖに低下す
ると、画素底部電極５２０の電圧は約−５Ｖに降下する
。より極端な場合、後述するｎ−モード中には、Ｙライ
ンが「オン」画素電圧マイナス５Ｖになり、底部画素電
極またはアドレスラインは約−１０Ｖに低下するであろ
う。

この大きい負電圧はドレインに接続されているので、非
選択行のトランジスタは、確実にオフに維持されるよう
な負のゲート電圧を受容する。好適具体例のトランジス
タのゲート開値電圧は５Ｖより高いので、ドレイン電圧
が一１０■に達するときでも非選択トランジスタを「オ
フ」に維持するために一５ｖの「オフ」ゲート電圧で十
分である。

各ｐ−モード期間の中間の１７３期間中は、第２のＸラ
インＸ２が正、即ち「オン」ゲート電圧を受容しその他
の全部のＸラインが一５■の「オフ」ゲート電圧を受容
する。第１９図に示すごとく、この期間中にラインＹ１
はＯ■に維持されラインＹ２及びＹ、は＋５■の「オン
」電圧を受容する。従って、第２０図に示すごとく、行
ｘ２の第１画素はオフに維持されて透明であり、膝行の
第２及び第３の画素はオンになり光を遮断する。同様に
、ｐ−モードの最後の１７３期間中は、最終行Ｘ、のト
ランジスタが正の「オン」ゲート電圧を受容しその他の
行のトランジスタが負の即ち「オフ」ゲート電圧を受容
する。この期間中、ラインＹ１は「オフ」電圧Ｏ■を受
容しラインＹ２は正のｒオン」電圧を受容しラインＹ、
は「オフ」電圧Ｏｖを受容する。従って、膝行の第１及
び第３のトランジスタはオフに維持され膝行の中間のト
ランジスタだけがオンになる。

二端子デバイスに関して前述したように、個々の画素に
印加される電圧の極性を周期的に反転させることが重要
である。この理由から、第１８図に概略図で示すディス
プレイに給電するべく使用される電圧励起スキームは、
第１９図にｐ−モード及びｎ−モードとして示した交番
する正のモードと負のモードとに分割される。この励起
スキームにおいて、ＸラインＸ、　、Ｘ２．Ｘ、を介し
てトランジスタ５２２のゲートに印加される電圧はｎモ
ード及びｎモードの双方で同じである。しかしながらｎ
モード中にＹラインＹ、、Ｙ２．Ｙ、に印加される電圧
の極性はｎモード中に印加される電圧に対して反転して
いる。従って、Ｘラインに印加される電圧はｎモード及
びｎモードの双方において同様にディスプレイのトラン
ジスタをオン切換えるが、ｎモード中は「オン」に切換
えられるべき画素５５１に＋５Ｖの正の「オン」電圧で
なく一５■の負の「オン」電圧が印加される。

デバイスは許容できる頻度でｎモード及びｎモードの間
で切換えられる。典型的には、頻度は６０回／秒であり
、これは標準ビデオ信号の電界の交番に使用される速度
である。その結果、オンに切換えられた画素に印加され
る電圧の極性が急速に交番し、この画素と協働する液晶
材料にはｄｃ電流が実質的に流れない。更に、画素アレ
イ全体の各画素が例えば毎秒６０回書き替えられるので
ディスプレイにフリッカ−が認められない。

第２１図は本発明のペーパレスファクシミリに使用でき
る交番能動マトリクスディスプレイの概略図である。こ
の具体例は第１８図と同様であるが、全部のトランジス
タのソース５２８が電圧供給ライン５３２と共通導電リ
ード５３３とを介して共通電圧源Ｖｃｓによって供給さ
れる可変予選択電圧に接続されている。第２２図は、第
２０図の画素パターンを生成するために第２１図の回路
を励起する電圧波形を示す。第２２図に示すごとく、全
部のトランジスタ５２２のソースに接続された共通電圧
源Ｖｃｓの出力は、２つの電圧即ちより負の電圧とより
正の電圧との間で反復的に交番する。Ｖｃｓの出力は各
ｎモード中により負のアース電圧に維持され各ｎモード
中はより正の＋５■電圧に維持される。

第２２図の波形をもつ第２１図の装置はｎモード中は第
１９図の波形をもつ第１８図の装置と全く同様に動作す
る。ｎモード中は第２２図の電圧励起スキームが第１９
図とは異なる。第１９図の電圧励起スキームは、上記の
ごとくＹラインに供給される「オン」データ電圧の極性
をｎモード中の＋５Ｖからｎモード中は一５Ｖにスイッ
チングすることによって画素の電圧極性を反転させる。

これに対して第２２図の電圧励起スキームでは、画素５
５１の極性変化は、（ａ）共通電圧源Ｖｃｓがより負の
アース電圧からより正の電圧＋５ｖに変化すること、及
び、（ｂ）ｙデータリードライン５４４に供給される「
オン」及び「オフ」データ電圧が反転し「オン」データ
電圧を＋５ｖからアースに変化させ「オフ」データ電圧
をアースから＋５Ｖに変化させることの双方によって得
られる。ｎモード中、全部のトランジスタ５２２のソー
スにより正の電圧＋５■が印加されているとき、Ｘライ
ン５４４は頂部電極に＋５ｖを供給することによって選
択行の画素を放電即ち「オフ」に切換え、頂部電極にＯ
Ｖを供給することによって画素に負のｒオン」電圧を充
電する。この電圧は、選択行の底部電極に供給される電
圧を５Ｖ下回る値である。

ｎモード中には選択行のトランジスタを「オン」に切換
えるためにラインＸ、　、Ｘ２．Ｘ、に供給されるゲー
ト電圧は＋１５Ｖであり、これはｐモード中に同じ目的
で使用される＋ＩＯＶより高い、このため、ｎモード中
に選択行のトランジスタのソース５２８に＋５Ｖが印加
されると該トランジスタのゲート５２４に供給される電
圧が該ソース電圧より十分に高く選択トランジスタを完
全にオンに維持する。

次に第２３図及び第２４図は本発明のベーパレスファク
シミリに有用な交番能動マトリクスディスプレイを示す
。第２３図は底部基板サブアセンブリの部分平面図であ
り、電圧源と画素行５１４，５１５，５１６間に配置さ
れた制御リードとが１つの共通導電り−ド５７２に結合
されている。これによりＸ−Ｙ画素アレイの配線が極め
て簡単になり、大きいＸ−Ｙアレイの底部基板サブアセ
ンブリに比較して必要なアドレスライン数が半減する。

第２３図及び第２４図に示すごとく、頂部χライン５７
２はＸＧＩとして符号付けされており、これは第１画素
行のゲートに接続されていることを示す。第２Ｘライン
５７２はＸ５Ｉ−Ｃ１と符号付けされており、これは第
１画素行のソースと第２画素行のゲートとの双方に接続
されていることを示す。同様に、これらの図の第３Ｘラ
イン５７２はＸＳ２−Ｇ３と符号付けされており、これ
は第２画素行のソースと第３画素行のゲートとの双方に
接続されている。！＆後に、最も底部のＸライン５７２
はＸＳ３と符号付けされておりこれは第３画素行のソー
スに接続されていることを意味する。

第２３図に示す底部基板サブアセンブリは頂部基板アセ
ンブリと結合される。この結合後に得られた光怒応ディ
スプレイは第２４図の回路を有する。

この回路では底部基板サブアセンブリの底部画素電極５
２０が協勿する透明Ｙ導電ストリップ５４４と共に光感
応画素５５１を形成する。第２４図のディスプレイは第
１８図のディスプレイと同様であるが、画素行間の制御
及び電圧供給ラインが上記のように接続されている。

第２５図は３×３マトリクスを形成するために第２４図
のＸライン５７２及びＸライン５４４に供給される電圧
波形が第２０図の像パターンをもつことを示す。第２５
図のＹラインに供給される電圧は第１９図のＹラインに
供給される電圧に等しい。同様に、第２５図のＸライン
ＸＧＩに供給される電圧は第１９図のＸラインＸ１に供
給される電圧に等しい。その理由は、ＸラインＸＣＩが
その下の行のトランジスタのゲートだけに接続されてい
るので第１９図のラインＸ、と同様に機能するからであ
る。しかしながらラインＸ５Ｉ−Ｇ２及びＸＳ２−Ｇ３
に供給される電圧は第１９図のラインＸ２及びＸ３に供
給される電圧と同じではない。その理由は、ラインＸ５
Ｉ−Ｇ２及びＸＳ２−Ｇ３の双方が下の行にゲート電圧
を供給し上の行にソース電圧を供給するからである。こ
れらの機能は異なる時点で行なわれるのでラインＸ５ｌ
−Ｃ１及びＸＳ２−Ｇ３は双方の機能を実行し得る。

各走査サイクルの大部分の時間では、結合ソース−ゲー
トラインの各々が上の行のトランジスタのソースに接続
されても、ソースアドレスされたトランジスタがオフで
ありドレイン及び協働する底部画素電極をソースがら有
効に分離するので、この接続は有効でない。ｒオンＪゲ
ート電圧の印加によってかかるラインの直ぐ上の行のソ
ースアドレスされたトランジスタが選択され、結合ソー
スゲートラインｘｓ−ｃｔがソースアドレスされたトラ
ンジスタのソースに有効に接続されるのは走査サイクル
の短時間の期間にすぎない。この期間中は、０電圧また
アース電圧が結合ソース−ゲートラインに供給され、ア
ース電圧は選択トランジスタを介して協働する底部行に
供給され、膝行を協働するＹアドレスラインに供給され
た電圧まで荷電する。

残りの時間中は別の画素行が選択され、結合ソース−ゲ
ートラインＸ５−Ｇはゲート電圧供給ラインの機能だけ
を果たす。これに供給される電圧は第１９図の対応する
Ｘラインに供給される電圧に等しい。結合ソース−ゲー
トラインの直ぐ下の画素行が選択されると、該ラインは
、１０ｖのｒオン」ゲート電圧を受容し選択行のトラン
ジスタをオンに切換える。所与のソース−ゲートライン
の直ぐ上の画素行または直ぐ下の画素行のいずれもが選
択されていないとき、該ラインに供給される電圧は一５
■に維持され、直ぐ下の行の非選択トランジスタがオフ
に維持される。

ソース−ゲートラインが直ぐ上の選択行のトランジスタ
にアースソース電圧を供給する短時間の期間中は、該ラ
インは、直ぐ下の非選択行のトランジスタにもアースゲ
ート電圧を供給する。非選択行に対するこの不都合な高
いゲート電圧の効果は、ソース−ゲートラインの直ぐ下
の行のトランジスタを放電可能にすることである。この
放電効果は、かかるトランジスタのドレインに接続され
た底部画素電極５２０が一１０■のごとき大きい負の電
圧に励起されたときに生じる。これに関しては、非選択
行のトランジスタに何故−５■ゲート電圧が通常供給さ
れるかを説明した前記の記載と同様に考えるとよい。し
かしながら、非選択行が所望ゲート電圧よりやや高い電
圧を受容しているこの短時間は各走査サイクルで各画素
に印加されるＲＭＳ電圧に対する効果は比較的小さい。

かがるＯＶゲート電圧は直ぐ上の行が選択されている比
較的短時間の期間中だけ所与の非選択行に印加される。

多数のラインが存在する大形ディスプレイにおいては、
書き替え以前の１つのライン間隔に相当するにすぎない
この画素電荷の損失は問題にはならない。

ラインＸＳ３に供給される電圧はアースに維持される。

その理由は、このラインがその直ぐ上の画素行のトラン
ジスタのソースに電圧を供給するだけであり、常に自由
にアースに維持されているからである。

４、集積テレコンフェランスシステム 本発明のテレコンフェランスシステムの各々は、音声回
路と、ベーパレステレファクシミリ手段即ち接触位置セ
ンサと、ディスプレイと、それらの相互作用を与える回
路とを含む。接触位置センサ及びディスプレイ並びに音
声回路は互いに相互作用し、データ記憶システムを含む
内部データ処理システムとインタフェースシステムとを
介して通信回線とインタフェースする。これらのシステ
ムはアナログ接触位置センサに流れる電流及び電位をデ
ィジタル化した接触位置に変換し、ディジタル化した接
触位置を接触位置ディジタルメモリ手段に記憶し、ディ
ジタルメモリ手段を更新し、更新したメモリ内容データ
をディスプレイに表示し、瞬間的な接触位置及び／また
は更新メモリ内容のいずれかまたは双方を通信回線を介
して別の出力デバイスに送信し、別の入力ソースから通
信回線を介してメモリ及び／またはディスプレイに入力
を受信し、音声通信を送受信する。

ａ−匪ｌ 第２６図及び第２７図はテレコンフェランスシステムの
ブロック図である。第２６図において、図示の２つのシ
ステムはアナログデータ回線即ち電話回線を介して交信
する。一方のシステムのディスプレイ回路は省略されて
おり、他方のシステムの接触センサは省略されている。

図を判り易くするために省略したが勿論各テレコンフェ
ランスシステムは接触センサとディスプレイとの双方を
備えた完全ペーパレステレファクシミリシステムを含む
。

ペーパレステレファクシミリ手段の接触センサは、接触
点の位置で同定される電流及び／または電圧の特有の組
み合わせから成る接触点位置のアナログデータをディジ
タル出力に変換する手段を含む。このディジタル出力は
内部記憶されてもよく、協働ディスプレイに表示されて
もよく、またはディジタルコンピュータ、遠隔ディスプ
レイまたは遠隔ペーパレステレファクシミリ手段のごと
き遠隔位置に送信されてもよい。接触感受性位置センサ
のアナログ電流及び／または電圧を測定しアナログ測定
値をディジタル出力に変換するシステムを接触センサド
ライブと指称する。接触センサドライブのディジタル化
された出力は典型的にはパラレルビットディジタルデー
タであり、アナログ、例えば電話回線で遠隔場所にデー
タ伝送するためにはシリアルアナログデータに変換され
る必要がある。ディジタルパラレルデータからシリアル
ディジタルデータへの変換はパラレルシリアル変換手段
によって行なわれる０次にアナログ通信回線によって遠
隔場所に伝送するためにシリアルディジタルデータを例
えば変調手段によって変調即ちアナログデータに変換す
る。受信端末において例えば復調器でアナログデータ信
号を復調しディジタル化してシリアルディジタルビット
ストリームを得る０次にシリアルディジタルデータをパ
ラレルディジタルデータに変換し、パラレルディジタル
データをディスプレイ手段に入力してディスプレイに表
示し、また所望に応じてメモリ手段にディジタルデータ
として記憶する。

第２６図は２つ１組のテレコンフェランス回線の概略図
を示し、第２７図は１つのテレコンフェランスシステム
のより詳細な図を示す０本発明の範囲を限定する意図は
ないが判り易いように、第２６図の送信ユニットＩｌａ
からディスプレイ４１を省略し第２６図の受信ユニット
ｌｌｂから接触位置センサ３１を省略した。

接触位置センサ手段３１の出力はパラレルビットによっ
て示される。パラレルビット出力は同じテレコンフエラ
ンスユニッｌ〜ｌｌａの図示しないディスプレイ手段に
直接入力され得る。パラレルビットディジタル出力はま
ず遠隔テレコンフエランスユニット１１ｂのディスプレ
イ手段４１に入力するために処理される必要がある。こ
のために、例えばパラレルシリアル変換手段３３で出力
ビットのシリアルストリームに変換する必要がある。更
に、シリアルビットストリームを電話回線手段５７のご
ときアナログ伝送ラインで伝送するときはアナログ信号
に変換する必要がある。商業用電話回線で使用されるア
ナログ信号は、可聴周波数即ち３００Ｈｚ〜３，４００
１１ｚの電気信号である。

同様に、遠隔ディスプレイで信号を受信しディスプレイ
に表示するためには、個々のテレコンフェランスユニッ
トが「受信」モードの場合、アナログデータ入カストリ
ームをディジタル化し、受信ディスプレイの内部論理に
基づいてシリアル入力からパラレル入力に変換する必要
がある。

ｂ、電話ペーパレステレファクシミリ個別ユニット第２
６図は回線５フを介して接続された一対のテレコンフエ
ランスユニッ１ｌｌａ及びｌｌｂを示す。第２７図は個
別テレコンフェランスユニット１１を示す。

テレコンフェランスユニット１１は、ドライブ手段４２
を含むディスプレイ４１と、接触センサパネルドライブ
手段３２を含む接触センサパネル３１とを含む。

第２６図の一方のユニットｌｌａは、接触位置センサ３
１にデータが入力される「送信モード」で示されており
、第２ユニツトｌｌｂは第１ユニツトｌｌａの接触位置
センサ３１からのデータを第２ユニツトＩｌｂのディス
プレイ４１に表示する「受信」モードで示す。

データは、例えばスタイラス、指触等によって第１ユニ
ツトｌｌａの接触位置センサ３１に入力される。

データは電流及び／または電圧の形態のアナログデータ
であり、１群の接触点に変換され、各接触点は電流流動
パターン及び／または電圧マツプによって個々に規定さ
れる。この接触点群が、例えばドライブ手段３２に組み
込まれたアナログディジタル変換器によってディジタル
化される。接触センサドライブ手段３２の出力は接触点
位置を示すデータストリームである。このデータストリ
ームはパラレルピットストリームでもよくまたはシリア
ルピットストリームでもよい。図では８ビツトパラレル
ストリームが示されている。

接触センサ３１からパラレルデータとして回収されたデ
ータは、後述するごとく、パラレルシリアル変換手段３
３によって送信用シリアルピットストリームに変換され
る。

パラレルシリアル変換手段３３の出力３４はそのままで
は現行の商業用電話回線５７で伝送することができない
。その理由は、商業用電話回線５７が可聴周波数即ち３
００１１ｚ〜３，４００１１ｚのアナログデータ用に構
成されているからである。従って、シリアルディジタル
データ３４をアナログデータに変換する必要がある。こ
のために、ディジタルアナログ変換手段例えば変調手段
５１を使用する。ディジタル伝送を使用するデータ回線
では、ディジタルアナログ変換手段と受信ユニットのア
ナログディジタル変換手段とを省略できる。本発明はデ
ィジタルモード及びアナログモードの双方で使用できる
ように構成されており、従って、変調−復調手段５１即
ちモデムを配備した。これは音声回線またはその他のア
ナログディジタル通信手段をするときに必要である。

アナログ信号または変調信号は、例えば受信テレコンフ
ェランスユニットｌｌｂ、コンピュータ、ディスプレイ
等の復調手段５１内で復調即ちディジタルデータに変換
される。復調されたディジタルデータ１４４はシリアル
ディジタルデータの形態であり、必要ならばパラレルデ
ータ４５の形態に変換される必要がある。シリアルパラ
レルデータ変換は後述するごとく例えばＵＡＲＴ、　Ｕ
ｎｉｖｅｒｓａｌ　八５ｙｎ−ｃｈｒｏｎｏｕｓ　Ｒｅ
ｃｅｉｖｅｒ　Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒのごときシリア
ルパラレル信号変換手段４３によって行なわれる。

シリアルパラレル変換手段４３のパラレルデータ出力４
５は、第２ユニツトｌｌｂのディスプレイドライブ手段
４２に入力され、第２ユニツトｏｂのディスプレイ手段
４１によってアナログデータとして表示される。

第２７図は、各テレコンフェランスユニット１１のより
詳細なブロック図である。テレコンフエランスユニツト
１１は、音声回路２１と接触センサ回路３１とディスプ
レイ回路４１と図示しないいくつかの回路例えばパルス
またはトーンダイヤル回路と音響回路く呼び出しベル防
止、弱音化及び平衡回路）等を含む。接触感受性位置セ
ンサ３１及びディスプレイ４１が第２７図に示すごとく
夫々のパラレルシリアル及びシリアルパラレル変換手段
３３．４３を有していてもよい。または接触センサ回路
及びディスプレイ回路がパラレルとットデータをシリア
ルビットデータに且つシリアルピットデータをパラレル
ピッｌ−データに変換する手段を共有してもよい。

またデータバス手段４０または接触センサ３１の出力を
協働ディスプレイ手段４１への直接入力または処理入力
にするための適当なデータ処理手段と組み合わせたデー
タバス手段を配備してもよい。

接触位置センサ３１のパラレル出力３０は、パラレルシ
リアル変換手段３３によってシリアルディジタルデータ
３４に変換される。接触位置センサ３１と協働するパラ
レルシリアル変換手段３３のシリアル出力３４は、例え
ば変調手段５１において変調即ちアナログデータに変換
され、ディスプレイシリアルパラレル変換器へのシリア
ル入力は、復調手段５１において復調される。変調手段
５１及び復調手段５１は単一素子例えば変調復調手段モ
デムとして結合されてもよい。接触位置センサ３１及び
ディスプレイ４１は変調復調手段５１を介して相互作用
し、データバス及びデータ記憶手段４０を介して相互作
用し得る。データ記憶手段４０は、接触位置センサ３１
の出力をディスプレイ４１への入力としてバッファし、
接触位置センサ３１からの入力３０及び遠隔ユニット１
１ｂからの入力によってディスプレイを更新する。

変調復調手段５１例えばモデムは、ＵＡＲＴ３３のディ
ジタル出力を受信しこれを電話回線５５のアナログ搬送
波信号に変調する。復調手段５１は変調アナログ搬送波
信号を受信し、ｔｌＡＲＴ４３にシリアルディジタルデ
ィスプレイ人力４４を与える。

音声回路２１は当業界で公知である。

音声及びデータのスイッチ手段５３が配備されている。

このスイッチ５１は、非同期データ伝送及び伝送された
接触センサ出力の記憶と組み合わせて時間領域多重化さ
れた音声及びデータを「同時」伝送し得る。スイッチ５
７は手動スイッチ例えば接触パッドまたは電話受話器で
もよい。または、特定持続時間の信号例えば論理Ｏ１論
理１の信号またはアナログ回線に連続的に伝送される搬
送波周波数によって励起される論理スイッチでもよい。

本発明金膜、特に音声及びデータの伝送の多重化を同期
即ちクロック制御データ伝送モードでなく、非同期即ち
「ハンドシェーク」データ伝送モードに関して説明した
が、本発明が同期または等時データ伝送に使用できるこ
とは理解されよう。非同期完全多重モードでは種々の周
波数を使用するので送信モードと受信モードとの間のス
イッチングは不要である。更に、非同期モードでは、音
声伝送モードとデータ伝送モードとの間のスイッチング
が、搬送波周波数のある予設定時間後に音声に切換える
スイッチを用い、搬送波周波数信号のストリングの持続
時間を測定するだけによって行なわれてもよく、または
、所定の時間後または論理０または論理１のストリング
が所定の長さだけ変わらずに持続した後に音声モードに
切換えるスイッチを用い、論理０または論理１に対応す
る周波数とは別の異なる周波数をもつ信号ストリングを
測定することによって行なわれてもよい。または、音声
とデータとのスイッチングが、手動スイッチ、またはス
タイラス３０と接触位置センサ３１との接触を確認する
特有信号によって行なわれてもよい。

データバス及びデータプロセッサ４０を介する接触位置
センサ３１とディスプレイ４１との相互作用は、接触位
置センサ３１に入力されたデータのローカル遠隔ディス
プレイを可能にし、またディスプレイ４１に対するデー
タのローカル遠隔入力を可能にする。

Ｃ，パラレルシリアル亦１ 種々のパラレルシリアル変換手段が当業界で公知である
。公知のパラレルシリアル変換手段の一例はＵＡＲＴと
も指称される汎用非同期送受信器である。ディジタル化
されたデータは例えば５ビツトＣＣＩＴＴ、７ビツトＡ
ＳＣＩＩ、８ピツｌ〜ＡＳＣＩＩのごとき任意のソフト
ウェア適合性コードとして送信され、奇数または偶数パ
リティで送られる。２つのユニット間の接続は同期即ち
共通りロック手段、または当業界で「ハンドシェーク」
と指称される非同期通信または等時のいずれによって行
なわれてもよい。

Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ　　八５ｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ　　
Ｒｅｃｅｉｖｅｒ　　Ｔｒａｎｓｍｉｔ−ｔｅｒ（ＵＡ
ＲＴ）はソフトウェアでなくハードウェアによってシリ
アルデータを送受信し得る。シリアルパラレル変換及び
パラレルシリアル変換のためのハードウェアはＵｎｉｖ
ｅｒｓａｌΔ３ｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ　Ｒｅｃｅｉｖｅ
ｒ　Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ即ちＵＡＲＴである。最新
の集ｆｉ　ＩＩＡＲＴはボー速度を決定する２つのクロ
ック入力をもつ独立した別々のシリアルデータ送信手段
及び受信手段をもつ。１つのユニットに別々の受信回路
及び送信回路が存在するので完全二重動作が可能である
。例えば接触位置センサ３１及び／またはディスプレイ
４１のいずれかまたは双方にインタフェースされたとき
のＵＡＲＴの重要な特徴は、ディスプレイ４１への入力
及び接触位置センサ３１からの出力の双方がディスプレ
イ及び接触センサパッドに夫々パラレルで例えば８ビツ
トパラレルデータで出現することである。その理由は、
ｔｌＡＲＴが単にパラレル出力ポートにバイトを書込み
復調入力ボートからバイトを読み取るからである。ＤＡ
ＲＴはデータをシリアル化し、パリティピットを挿入し
、データ伝送速度を制御する。

ｄ４Ｊし」Ｌ町 相互接続手段５５を介するユニット１１と音声アナログ
電話回線５７とのインタフェースは回線５７の制約によ
って規定される。その理由は、音声通信の搬送に実際に
利用できるバンド幅の量がかなり限定されているからで
ある。現在、最低コストの゛電話データ通信手段は、バ
ンド幅３００Ｈｚ〜３，４００Ｈｚに適応する音声バン
ドチャネルである。従って、テレコンフェランスユニッ
トｌｌａのベーパレステレファクシミリ３１−４１から
テレコンフェランスユニット１１ｂのペーパレステレフ
ァクシミリ３１−４１にディジタルデータを搬送するた
めに３００　Ｉｆ　ｚ〜３，４００１１ｚの搬送波周波
数を変調する必要がある。これは、利用可能バンド幅の
内部で搬送波振幅の変調、即ち論理「１」の高振幅と論
理「０」の低振幅との間で振幅を変調することによって
行なわれてもよい。または、論理１の高周波数と論理０
の低周波数との間で周波数変調を行なってもよい。更に
別の具体例では、搬送波の位相を論理１で１つの方向に
シフトし論理０で対向方向にシフトしてもよい、この技
術は「位相キーシフト（ｐｈａｓｅ　ｋｅｙ　ｓｈｉｆ
ｔｉｎｇ）３として公知である。

上記のごとく、利用可能バンド幅は３００Ｈｚ〜３．４
００Ｈｚである。しかしながら、接触位置センサバッド
３１からの出力とディスプレイ４１への入力とは高周波
数信号である。３００　ｔｌ　ｚ〜３　、４００Ｈｚの
音声回線で搬送するためにはこれらの信号を変調、即ち
可聴バンド幅の周波数をもつ電気信号に変換する必要が
ある。より詳細には、第２８図、第２９図及び第３０図
は音声通信回線でデータ通信するために使用される周波
数スペクトルを示す。第２８図及び第２９図は、低速非
同期変調−復調手段に使用される周波数スペクトルを示
し、第２８図は単一（ｓｉｍｐｌｅｘ）または半（ｈａ
ｌＦ）伝送モードの周波数スベク１〜ルを示し、第２９
図は完全二重（ｄｕｐｌｅｘ）伝送モードの周波数スペ
クトルを示す。

単一または半伝送モード、即ち第２８図の周波数スペク
１〜ルでは、３００Ｈｚ〜３，４００Ｈｚの周波数スペ
クトルをデータ伝送に使用し得る。中心周波数として１
，１７０１１２を使用し、論理Ｏの搬送波では１．０７
０１１ｚにシフトし論理１の搬送波では１．２７０ｔｌ
ｚにシフトする。

第２９図に示す完全双方向データ通信を行なう完全二重
モードでは、データ伝送に同じ（３００Ｈｚ〜３．４０
０Ｈｚの周波数スペクトルを使用し得る。このスペクト
ルは第２９図に示すように２つのバンド幅に分割される
。一方のバンド幅は中心周波数１．１７０ｆｉｚをもつ
低いほうのバンド幅である。他方のバンド幅は中心周波
数２　、１２５Ｈｚをもつ高いほうのバンド幅である。

中心周波数１　、１７０Ｈｚをもつ低いほうのバンド幅
は１，０７０Ｈｚにスイッチングすることによって論理
「Ｏ」を伝送し１　、２７０Ｈｚにスイッチングするこ
とによって論理「１」を伝送する。中心周波数２　、０
２５Ｈｚをもつ高いほうの周波数バンド幅は２，１２５
Ｈｚにスイッチングすることによって論理ｒ□、を伝送
し、２　、２２５Ｈｚにスイッチングすることによって
論理「１」を伝送する。

第３０図は例えば毎秒１．２００バイトの高速非同期デ
ータ伝送の周波数スペクトルを示す。この周波数は本発
明のテレコンフェランスシステムに不可欠ではないが、
高速非同期完全二重データ伝送が可能な設計はある程度
有利である。毎秒１，２００バイトの非同期モデムにお
いて、周波数スペクトルは中心周波数１　、７００Ｈｚ
をもち３８７　Ｉｆ　ｚに持続音（ｃｏｎ−ｔｉｎｕｉ
ｔｙ　ｔｏｎｅ）、１　、２００Ｈｚに論理Ｏ及び２，
２００Ｈｚに論理１をもつ。毎秒１．２００バイトの高
いデータ伝送速度では論理「Ｏ」と論理「１」とを分離
するためにより広いバイト幅が必要なのでＯと１との間
に１．０ＯＯＨｚの曝たりが必要である。この１　、０
００Ｈｚの隔たりの結果、３００Ｈｚと３，４００Ｈｚ
との間に完全二重動作に適した十分なバンド幅が存在し
ない。しかしながら、３８７　ｔｌ　ｚの単一周波数信
号を受信ユニットｌｌｂから送信ユニットｌｌａに伝送
し、また毎秒１，２００バイトのデータを１，２００Ｈ
ｚ及び２　、２００Ｈｚの周波数にのせて伝送し得る。

この３８７１（ｚリバースチャネルは通常は持続音を伝
送し維持するために使用される。この持続音は受信ユニ
ットｌｌｂが送信ユニットｌｌａに回路成立を知らせる
ために使用される。しかしながら、３８７Ｈｚの音のオ
ン／オフキーイングを使用することによっである程度の
データを伝送することも可能である。

更に、変調−復調手段は毎秒１，２００バイトのデータ
伝送範囲でより進歩した変調技術を実行するために使用
され得る。

シリアルパラレル変換及びパラレルシリアル変換を行な
う手段及び変調復調手段のための個々の回路構成は本発
明の一部ではないが、これらの回路構成と音声回路、接
触感受性位置センサ及び電子ペーパレステレファクシミ
リ手段のディスプレイとの組み合わせは本発明の基幹を
成す相互作用システムを形成する。集積システムのこれ
らのデータ処理素子を形成するために種々の等価回路を
使用し得る。例えば汎用非同期送受信素子としてＧｅｎ
ｅｒａｌ　　１ｒ＋ｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　へＹ−５−１
０１３集積回路Ｕ八ＲＴを使用し得る。特に、Ｔｅｘａ
ｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製の７ＭＳ９９５３２モデ
ムは本発明の電話器において変調復調機能を与える有用
な単一集積回路モデムまたは変調復調手段である。

本発明をいくつかの実施態様及び特定具体例に基づいて
説明した。これらの実施態様及び具体例が本発明の範囲
を限定しないこと、本発明の範囲は特許請求の範囲の記
載によってのみ限定されることは理解されよう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、受話器と相互作用性データ像入力及びディス
プレイ手段とを含む電子テレコンフェランス及びペーパ
レステレファクシミリに使用すべく構成された電話シス
テムの斜視図、第２八図及び第２Ｂ図は、ソリッドステ
ート接触感受性位置センサ手段とソリッドステートディ
スプレイ手段とを組み合わせた一体的モジュール式電話
器の一部分解一部破断斜視図であり、第２Δ図は接触位
置センサが個別素子である具体例の斜視図、第２Ｂ図は
位置センサがディスプレイにデポジットされた具体例の
斜視図、第３図は、本発明の一体的モジュール式電話器
で使用するための電流分配収集手段を含む改良された電
子接触感受性位置センサの斜視図、第４図は、接触感受
性位置センサの導電性表面の１つの電界に電流分配収集
手段が生じさせる電界線の均一分布を示す電流及び電位
の模式地図、第５図は、前記電流分配収集手段と前記導
電性表面との間に挿入された抵抗手段を組み込んだ接触
８受性位置センサの概略図、第６八図から第６Ｄ図は、
入力された接触点の位置を決定すべく接触感受性位置セ
ンサのｘ−ｙ電界を交互に逐次走査するために電流制御
手段及び協働する電流分配収集手段に印加される電位の
充電シーケンスを示す一連の波形を示すグラフ、第７Ａ
図及び第７Ｂ図は、本発明の位置センサに使用される分
布ダイオードの特性を示す電流電圧曲線を示すグラフで
あり、特に「下流」相開エラーを阻止するために、第７
八図のグラフは位置−センサの導電性表面の抵抗率を増
加させる手段を示し、第７Ｂ図のグラフはダイオードの
電流電正特性曲線を修正する手段を示しており、第８図
は、本発明の接触感受性位置センサの導電性表面の電界
線分布を直線化するために使用される細長いソリッドス
テートダイオード電流分配（または収集）手段の好適具
体例の一部断面斜視図、第９図は、前記電流分配収集手
段の上に配置され導電性接着層によって前記導電性表面
に結合された抵抗手段を備えた接触感受性位置センサの
断面斜視図、第１０図は液晶ディスプレイ画素の側面断
面図、第１１図は第１０図の１１−１１線断面に沿った
平面図、第１２図は第１０図の液晶ディスプレイ画素の
等価回路の概略図、第１３図は別の液晶ディスプレイ画
素の等価回路の側面断面図、第１４図は第１３図の液晶
ディスプレイ画素の等価回路の概略図、第１５図は別の
液晶ディスプレイ画素の側面断面図、第１６図は第１４
図の液晶ディスプレイ画素の等価回路の概略図、第１７
図は別の液晶ディスプレイ画素の側面断面図、第１８図
は三端子制御デバイスをもつ液晶ディスプレイマトリク
スの電気回路の概略図、第１９図は、第１８図の本発明
の具体例のχライン及びＹラインに供給される電圧の一
連の波形を示す図、第２０図は、第１８図の具体例に第
１９図の波形の電圧が供給されたときの「オン」及び「
オフ」の画素の分布を示す概略図、第２１図は、トラン
ジスタのソース全部が第１８図のごとくアースされる代
わりに共通可変電圧源Ｖｃｓに結合された第１８図同様
の回路図、第２２図は、第２１図の画素パターンを生成
するために電圧源Ｖｃｓによって第２１図のＸ及びｙラ
インに供給される電圧を示す一連の波形、第２３図は、
本発明の具体例として光感応ディスプレイに使用される
単一基板サブアセンブリの概略平面図、第２４図は光感
応ディスプレイの概略回路図、第２５図は、第２０図の
画素パターンを生成するためて接続された一対のテレコ
ンフエランスユニツＩ・の配置を示すブロック図、第２
７図は個別テレコンフェランスユニットを示すブロック
図、第２８図は単信即ち半二重伝送変調の振幅対周波数
のプロットを示すグラフ、第２９図は全二重伝送変調の
ための振幅対周波数のプロットを示すグラフ、第３０図
は１２００ボー変調のための振幅対周波数のプロットを
示すグラフである。 １１・・・・・・集積テレコンフェランスシステム、２
７・・・・・・集積ペーパレステレファクシミリ手段、
３１・・・・・・位置怒受性入力手段、４１・・・・・
・ディスプレイ手段、１１１・・・・・・位ヱセンサ、
１２１・・・・・・導電性露出面、１４１・・・・・・
電流分配収集手段、２１０・・・・・・ディスプレイ画
素。 ＦＩＧ、　２／ ＦＩＧ　２２ Ｌ双」Σ ＦＩＧ　　２５

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）音声及び画像データを伝送するように構成された
   テレコンフェランスシステムであって、システムが音声
   回路手段と接触位置センサ手段とディスプレイ手段と画
   像ディスプレイデータを形成する第１及び第２のディジ
   タルデータを記憶及び処理する処理手段と画像データを
   アナログデータに変換する変調手段とアナログデータを
   ディジタルデータに変換する復調手段と前記第１画像デ
   ータを通信回線に送信する送信手段と第２画像データを
   通信回線から受信する受信手段と前記テレコンフェラン
   スシステムを音声データ送受信状態と画像データ送受信
   状態との間で切換えるスイッチ手段とを含み、アナログ
   画像データを第１ディジタルデータに変換すべく前記接
   触位置センサと一体的に設けられた画像データ入力手段
   と前記画像データをディスプレイする前記ディスプレイ
   手段とが実質的に一体的に形成されており、 前記接触位置センサと一体的な画像データ入力手段が、 （ａ）前記ディスプレイ手段と一体的に配置された透明
   導電性表面を含み、 （ｂ）薄膜分布ダイオードに制御される２対の電流分配
   収集手段を含み、各対の一方の電流分配収集手段は同じ
   対の他方の電流分配収集手段に対して平行で離間してお
   り、２つの対は互いに直交し、前記導電性表面に均一電
   界を生成すべく前記導電性表面と作動的に協働しており
   、前記薄膜分布ダイオードに制御される電流分配収集手
   段は、基板にデポジットされ垂直方向に重層した複数の
   実質的に同一領域にわたる半導体合金薄膜層を含み、（
   ｃ）電気的に異方性の抵抗手段が前記電流分配収集手段
   と前記導電性表面とを電気的に相互接続しており、 （ｄ）制御手段が前記電流分配収集手段と作動的に協働
   し、１組の前記電流分配収集手段を逐次オンにスイッチ
   し同時に別の組の電流分配収集手段のをオフにスイッチ
   するように構成され、 （ｅ）前記表面の電界分布を測定し前記電界分布を前記
   表面の接触点の位置と相関させる手段を含み、前記ディ
   スプレイ手段が、画素行及び画素列を形成するｘ−ｙア
   レイとして配置された複数の画素を含み各画素が各１つ
   の画素行及び１つの画素列に所属し個々の画素間に非線
   形分離手段が設けられた能動マトリクス光感応液晶ディ
   スプレイ手段から成り、各画素が、 （ａ）絶縁基板と、 （ｂ）前記基板上に形成された第１画素電極と、（ｃ）
   前記基板上に形成された第１アドレスリード手段と、 （ｄ）前記第１アドレスリード手段と前記第１画素電極
   との間の直列な第１非線形分離手段と、 （ｅ）前記第１アドレスリード手段から絶縁された第２
   アドレスリード手段と、 （ｆ）前記第１電極手段と前記第２アドレスリード手段
   とに直列な第２非線形分離手段と、 （ｇ）前記第１画素電極から離間し該第１画素電極に実
   質的に平行な第２画素電極と、 （ｈ）少なくとも前記電極間に配置された光感応手段と
   を含むことを特徴とするテレコンフェランスシステム。
2. （２）接触点の位置を検出するために、 （ａ）透明導電性酸化物から成る導電性表面を含み、（
   ｂ）少なくとも２対の細長い分布ダイオード電流分配収
   集手段を含み、各対の手段が相互間に均一電界を生成す
   べく互いに平行で互いから離間して対向配置されており
   、前記分布ダイオード電流分配収集手段は、基板にデポ
   ジットされ垂直方向に重層した複数の実質的に同一領域
   にわたる半導体合金薄膜層を含み、 （ｃ）電流制御手段が前記細長い分布ダイオード電流分
   配収集手段と作動的に協働し、一方の対の前記細長い分
   布ダイオード電流分配収集手段を逐次オンにスイッチし
   同時に他方の対の細長い分布ダイオード電流分配収集手
   段をオフにスイッチするように構成され、 （ｄ）前記導電性表面の電界分布を測定し前記電界分布
   を接触点の位置と相関させる手段を含むことを特徴とす
   る接触感受性位置センサ。
3. （３）更に、導電異方性の電気抵抗手段を含み、該電気
   抵抗手段は接触位置センサの透明導電性酸化物から成る
   導電性表面に電流を実質的に確実に維持すべく前記分布
   ダイオード電流分配収集手段と前記透明導電性酸化物か
   ら成る導電性表面とを直列に相互接続していることを特
   徴とする請求項２に記載の接触位置センサ。