JPH01156944A - ビフェニル誘導体及びその製造法 - Google Patents

ビフェニル誘導体及びその製造法

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JPH01156944A
JPH01156944A JP3136788A JP3136788A JPH01156944A JP H01156944 A JPH01156944 A JP H01156944A JP 3136788 A JP3136788 A JP 3136788A JP 3136788 A JP3136788 A JP 3136788A JP H01156944 A JPH01156944 A JP H01156944A
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acid
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Takayuki Azumai
隆行 東井
Masayoshi Minamii
正好 南井
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、一般式(I) Hs (式中、Rは水素原子、炭素数1へ15のアA 素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アル
コキシル基を示す。R′は低級アルキル基を示す。) で示されるビフェニル誘導体およびその製造法に関する
〈従来の技術〉 前記−数式(1)で示されるビフェニル誘導体は文献未
記載の新規化合物であり、従来よりその製造法について
は勿論のこと、化合物としての有用性等についても全く
知られていない。
〈発明が解決すべき問題点〉 前記−数式(1)で示されるビフェニル誘導体はたとえ
ばエステラーゼを用いて不斉水解することにより下式 %式% で示される光学活性なアルコールおよびその鏡像体であ
るアルコールのアシル体に導くことができ、これらは医
薬、農薬あるいは有機電子材料等とりわけ液晶化合物の
中間体として有用である。
たとえば、上記の光学活性アルコールは次式に示される
ような方法により液晶化合物へ導くことができ、該化合
物は強誘電性液晶として非常に優れている。
※ く問題点を解決するための手段〉 本発明は、このような医、農薬中間体としては勿論、有
機電子材料とりわけ液晶化合物の中間体として有用な新
規化合物である前記−数式(I)で示されるビフェニル
誘導体を提供するものである。
前記−数式(I)で示されるビフェニル誘導体は、−数
式包) (式中、Rは前記と同じ意味を有する)で示される4−
(l−ヒドロキシエチル)ビフェニル誘導体を低級脂肪
族カルボン酸類と反応させてアシル化することにより製
造することができる。
ここで、原料となる一般式(■)で示される4−(1−
ヒドロキシエチル)ビフェニル誘導体は、以下に示され
るように、 @)           (IF) (上式中、R・は前記と同じ意味を有する)4−アセチ
ルビフェニル誘導体@)を、還元試剤たとえば金属水素
化物である水素化ホウ素ナトリウム等を用い、有機溶媒
中で反応させることにより容易に製造することができる
マタ、ソの原料である4−アセチルビフェニル誘導体は
、たとえば (酌            (2) (式中、Rは前記と同じ意味を有する)で示されるよう
に、シアノビフェニル類(幻を酸または塩基の存在下に
、水、炭素数1〜15のアルコールまたは該当するベン
ジルアルコール類で加溶媒分解することにより容易に製
造することができる。
本発明のアシル化反応において、アシル化剤として使用
される低級脂肪族カルボン酸類としては酢酸、プロピオ
ン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸などの低級脂肪族カル
ボン酸、それらの酸無水物または酸ハライド(たとえば
酸クロライド、酸ブロマイド)などが例示される。
4−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニル誘導体と低級
脂肪族カルボン酸類との反応は、溶媒の存在あるいは非
存在下に、触媒を用いて反応させることにより行われる
が、アシル化剤として低級脂肪族カルボン酸を用いる場
合には、通常脱水剤が併用される。
この反応における低級脂肪族カルボン酸類の使用量は4
−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニル誘導体に対して
1当量以上必要であり、上限については特に制限されな
いが、好ましくは1.2〜2当量である。
この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒として
はたとえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセ
トン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、クロ
ルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムアミド、ヘキサン
等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲ
ン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単独または混合
物があげられる。その使用量については特に制限なく使
用することができる。
触媒としては、たとえばジメチルア定ノビリジン、ピロ
リジノピリジン、トリエチルアミン、トリーn−ブチル
アミン、ピリジン、ピコリン、リジン、イミダゾール、
炭酸ナトリウム、ナトリウムメチラート、炭酸水素カリ
ウム等の有機あるいは無機塩基性物質があげられる。ま
た、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸など
の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもでき
る。
かかる触媒を使用するにあたり、たとえば低級脂肪族カ
ルボン酸類として酸ハライドを使用する場合にはピリジ
ンが特に好ましく使用される。
触媒の使用量は低級脂肪族カルボン酸類の種類と使用す
る触媒の組合わせ等によっても異なり、必ずしも特定で
きないが、たとえば低級脂肪族カルボン酸類として酸ハ
ライドを使用する場合には、酸ハライドに対して1当量
以上使用される。
尚、アシル化剤として低級脂肪族カルボン酸を用いる場
合、併用する脱水剤としては、ジシクロへキシルカルボ
ジイミド等のカルボシイ主ド誘導体が特に好ましく使用
され、その使用量は、−船釣には低級脂肪族カルボン酸
に対して1当量以上である。この場合には特に触媒は必
要としないが、前記塩基性触媒の使用は反応速度、収率
の向上に有効であるところから好ましく、その使用量は
カルボン酸に対して0.O1当に以上、好ましくはo、
otへi当量の範囲である。
反応温度は通常−80″Cへ100℃であるが、好まし
くは一25℃へ80℃である。
反応時間は特に制限されず、原料の4−(1−ヒドロキ
シエチル)ビフェニル誘導体が消失した時点を反応の終
点とすることができる。
反応終了後、通常の分離手段、たとえば抽出、分液、濃
縮、蒸留等により反応混合物から目的とする一般式(I
)で示されるビフェニル誘導体を単離することができ、
必要によりカラムクロマトグラフィーなどで精製するこ
とができる。
かくして、−数式(I)で示されるビフェニル誘導体を
好収率で、容易に製造することができるが、かかるビフ
ェニル誘導体(I)としては、たとえば4−(1−アセ
トキシエチル)−41−ビフェニルカルボン酸、4−(
1−アセトキシエチル) −4’−ビフェニルカルボン
酸メチルエステル、4−(l−アセトキシエチル)−4
′−ビフェニルカルボン酸ブチルエステル、4−(1−
アセトキシエチル) −4’−ビフェニルカルボン酸プ
ロピルエステル、4−(1−アセトキシエチル)−4’
−ビフェニルカルボン酸ブチルエステル、4−(l−ア
セトキシエチル)−41−ビフェニルカルボン酸ペンチ
ルエステル、4−(1−アセトキシエチル) −4’−
ビフェニルカルボン酸ヘキシルエステル、4−(1−ア
セトキシエチル) −4’−ビフェニルカルボン酸ヘプ
チルエステル、4−(1−アセトキシエチル)−4′−
ビフェニルカルボン酸オクチルエステル、4−(1−ア
セトキシエチル) −4’−ビフェニルカルボン酸ノニ
ルエステル、4−(1−アセトキシエチル)−41−ビ
フヱニルカルボン酸デシルエステル、4−(1−アセト
キシエチル)−41−ビフェニルカルボン酸ウンデシル
エステル、4−(l−アセトキシエチル)−4′−ビフ
ェニルカルボン酸ドデシルエステル、4−(1−アセト
キシエチル) −4’−ビフェニルカルボン酸トリデシ
ルエステル、4−(1−アセトキシエチル) −4’−
ビフェニルカルボン酸テトラデシルエステル、4−(1
−アセトキシエチル)=4′−ビフェニルカルボン酸ペ
ンタデシルエステル、4−(l−アセトキシエチル)−
4′−ビフェニルカルボン酸ヘキサデシルエステル、4
−(1−アセトキシエチル) −4’−ビフェニルカル
ボン酸ヘプタデシルエステル、4−(1−アセトキシエ
チル)−4′−ビフェニルカルボン酸オクタデシルエス
テル、4−(1−アセトキシエチル)−4’−ビフェニ
ルカルボン酸ノナデシルエステル、4−(1−アセトキ
シエチル)−4′−ビフェニルカルボン酸エイコシルエ
ステル、4−(1−アセトキシエチル)−41−ビフェ
ニルカルボン酸ベンジルエステル、4−(1−アセトキ
シエチル) −4’−ビフェニルカルボン酸ハロペンシ
ルエステル、4−(1−アセトキシエチル) −4’−
ビフェニルカルボン酸メチルベンジルエステル、4−(
1−アセトキシエチル) −4’−ビフェニルカルボン
酸メトキシベンジルエステルおよび上記各化合物におけ
るアセトキシがプロパノイルオキシ、ブタノイルオキシ
、ペンタノイルオキシまたはヘキサノイルオキシ基に置
換された化合物が例示される。
また、上記化合物において、ハロとあるはフルオロ、ク
ロロ、ブロモヨードの各置換基を示す。
〈発明の効果〉 本発明の方法によれば、好収率で新規化合物であるビフ
ェニル誘導体(I)を得ることができ、かくして製造さ
れたビフェニル誘導体(I)は医農薬中間体はもとより
液晶化合物等の有機電子材料の中間体として利用するこ
とができる。
〈実施例〉 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は何ら
これら実施例に制限されるものではない。
実施例1 4−(1−とドロキシエチル)−4′−ペンチルオキシ
カルボニルビフェニル84.4f(110ミリモル)を
乾燥ジクロルメタン200−に溶かし、ピリジン60−
を加えたのち、アセチルクロリド9.42f(120ミ
リモル)を含むジクロルメタン溶液50sdを室温にて
滴下する。
約2時間後、反応肢を8N塩酸800−に注ぎ出し、抽
出操作を行う。
有機層を水洗後、7%炭炭酸水素ナトリウム水散液10
0で更に洗浄し、その後無水硫酸マグネシウムで乾燥す
る。溶媒を留去して、薄i色油状の4−(1−アセトキ
シエチル)−4−ペンチルオキシカルボニルビフェニル
87、8 F (収率97%)を得た。
np  1.5514 実施例2 4−(1−ヒドロキシエチル)−4′−ペンチルオキシ
カルボニルビフェニルに代えて4−(1−ヒドロキシエ
チル)−4’−エチルオキシカルボニルビフェニルを用
いる以外は実施例1と同様に反応、後処理を行って4−
(1−アセトキシエチル)−41−エチルオキシカルボ
ニルビフェニルを収率98%で得た。
m、p、42〜48.5℃ 実施例8 4−(l−ヒドロキシエチル)−4′−ペンチルオキシ
カルボニルビフェニルに代えて4−(1−ヒドロキシエ
チル)−41−ドデシルオキシカルボニルビフェニルを
用いる以外は実施例1と同様に反応、後処理を行って4
−(l−アセトキシエチル)−4′−ドデシルオキシカ
ルボニルビフェニルを収率98.8%で得た。
nD 1.5810 実施例4 4−(1−ヒドロキシエチル)−4′−ベンジルオキシ
カルボニルビフェニル16.fM(0,05モル)を乾
燥ジクロルメタン200―に溶かし、これにジシクロへ
キシルカルボジイミド12.8F、4−ピロリジノピリ
ジン0.5gおよび酢酸8.61を加えたのち、室温で
12時間撹拌する。生じた沈殿をP別し、P液を水、5
%酢酸、5%重曹水、水で順次洗浄したのち、無水硫酸
マグネシウウで乾燥させ、減圧下に濃縮する。得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトにて(溶sa:トルエ
ン/酢酸エチル[製し、4−(1−アセトキシエチル)
−4′−ベンジルオキシカルボニルビフェニル17.1
1(収率92%)ヲ得た。
n r、  1.5454 実施例5 4−(l−ヒドロキシエチル)−4’−(P−クロルベ
ンジル)オキシカルボニルビフェニル33.010.0
9モル)をトルエン150m1およびピリジン50ゴ中
に溶解し、これにアセチルクロリド9.42 f (0
,12モル)ヲ15〜20℃にて2時間を要して加える
。その後、同温度で1時間、40〜50℃で2時間保温
する。反応終了後、10℃以下に冷却したのち8N塩酸
300 me、を加え、有機層を分散ののち水、5%炭
酸水素ナトリウム、水にて順次洗浄する。有機層を減圧
下に濃縮し、残渣をさらにカラムクロマトにて精製して
4−(1−アセトキシエチル) −4’−ビフェニルカ
ルボン酸P−クロロベンジル36.45F(収率99.
0%)を得た。
nD 1.5880 実施例6.7 4−(l−ヒドロキシエチル)−4°−(p−クロロベ
ンジル)オキシカルボニルビフェニルに代えて第1表に
示す基質を用いる以外は実施例5に準じて反応、後処理
を行い、第1表に示す結果を得た。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、炭素数1〜15の アルキル基または▲数式、化学式、表等があります▼を
    示し、A は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル 基または低級アルコキシル基を示す。R′は低級アルキ
    ル基を示す。) で示されるビフェニル誘導体。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、炭素数1〜15の アルキル基または▲数式、化学式、表等があります▼を
    示し、A は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル 基または低級アルコキシル基を示す。) で示される4−(1−ヒドロキシエチル)ビフェニル誘
    導体を低級脂肪族カルボン酸類と反応させてアシル化す
    ることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前記と同じ意味を有し、R′は低級アルキ
    ル基を示す) で示されるビフェニル誘導体の製造法。
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JPH01242555A (ja) * 1988-03-22 1989-09-27 Sumitomo Chem Co Ltd 光学活性なベンゼンカルボン酸エステル類およびその製造法

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JPS6331368A (ja) * 1986-07-25 1988-02-10 Nec Corp イメ−ジフアイリングシステムにおける追記情報の管理方法

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