JPH01152752A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01152752A JPH01152752A JP31351887A JP31351887A JPH01152752A JP H01152752 A JPH01152752 A JP H01152752A JP 31351887 A JP31351887 A JP 31351887A JP 31351887 A JP31351887 A JP 31351887A JP H01152752 A JPH01152752 A JP H01152752A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型の半導体装
置に関する。
置に関する。
Ｃ従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は、リードフレームのアイラ
ンドに半導体チップを搭載した後、半導体チップの外周
を覆って樹脂で封止しており、リードフレームの樹脂か
ら導出された外部リードはその全面に錫又は錫・鉛合金
のめっきを施していた。
ンドに半導体チップを搭載した後、半導体チップの外周
を覆って樹脂で封止しており、リードフレームの樹脂か
ら導出された外部リードはその全面に錫又は錫・鉛合金
のめっきを施していた。
上述した従来の半導体装置は、プリント基板等に実装す
る際、−ａにはんだ付けで固着される。
る際、−ａにはんだ付けで固着される。
従来このはんだ付は温度はウェーブソルダ又は赤外線リ
フロー法を用い２３０〜２５０℃の比教的高温で行って
いた。しかしなから、最近の実装方法の進歩によりベー
パーフェイズリフロー法では２１５℃の低温度ではんだ
付けされる。このはんだ付けの低温化により、従来の錫
又は錫・鉛合金のめっき被膜でははんだ付は性が低下し
ている。特にめっき被膜形成後に長時間保管した半導体
装置の外部リードの表面はＳｎＯ，Ｓｎ２０３の錫の酸
化膜が成長するので、更に、はんだ付け性が劣化すると
いう欠点がある。
フロー法を用い２３０〜２５０℃の比教的高温で行って
いた。しかしなから、最近の実装方法の進歩によりベー
パーフェイズリフロー法では２１５℃の低温度ではんだ
付けされる。このはんだ付けの低温化により、従来の錫
又は錫・鉛合金のめっき被膜でははんだ付は性が低下し
ている。特にめっき被膜形成後に長時間保管した半導体
装置の外部リードの表面はＳｎＯ，Ｓｎ２０３の錫の酸
化膜が成長するので、更に、はんだ付け性が劣化すると
いう欠点がある。
本発明の半導体装置は、中央部に半導体≠ツブを搭載す
るアイランドと該アイランドの外周に放射状に形成され
る複数の外部リードとを備えるリードフレームと、前記
半導体チップの外周を覆って前詰り−ドフレームを封止
する樹脂と、前記外部リードの前記樹脂から導出された
全面を覆って形成される金属系の第１の被膜と、該第１
の被膜上に形成される前記第１の被膜と異る金属系の第
２の被膜とを有している。
るアイランドと該アイランドの外周に放射状に形成され
る複数の外部リードとを備えるリードフレームと、前記
半導体チップの外周を覆って前詰り−ドフレームを封止
する樹脂と、前記外部リードの前記樹脂から導出された
全面を覆って形成される金属系の第１の被膜と、該第１
の被膜上に形成される前記第１の被膜と異る金属系の第
２の被膜とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、中央部に半導体チップ４を搭載す
るアイランド２とアイランド２の外周に放射状に形成さ
れる複数の外部リード３とを備えるリードフレーム１と
、半導体チップ４の外周を覆ってリードフレーム１を封
止する樹脂５と、外部リード３の樹脂５から導出される
部分の全面を覆って形成される第１の被膜６と、第１の
被膜６上に形成される第２の被膜７とを含む。
るアイランド２とアイランド２の外周に放射状に形成さ
れる複数の外部リード３とを備えるリードフレーム１と
、半導体チップ４の外周を覆ってリードフレーム１を封
止する樹脂５と、外部リード３の樹脂５から導出される
部分の全面を覆って形成される第１の被膜６と、第１の
被膜６上に形成される第２の被膜７とを含む。
リードフレーム１の素材として厚さ０．２ｍｍの銅合金
材を用い、アイランド２上に半導体チップ４を搭載し外
周を樹脂５で封止したあとの外部リード３の樹脂５から
の導出部全面に６０：４０の組成の錫、鉛合金の被膜６
を形成する。
材を用い、アイランド２上に半導体チップ４を搭載し外
周を樹脂５で封止したあとの外部リード３の樹脂５から
の導出部全面に６０：４０の組成の錫、鉛合金の被膜６
を形成する。
次に、被膜６上に金の被膜７を形成する。被膜６及び７
は通常の電気めっき法により形成できる。
は通常の電気めっき法により形成できる。
なお、被膜６として錫・鉛合金の他に錫を用いてもよい
。又、リードフレームの素材として厚さ０．２５ｍｍの
鉄合金材を用い、第１の被膜として錫・鉛合金めっきの
被膜を形成し、その上に第２の被膜として銀めっき被膜
を形成しても本発明を適用できる。
。又、リードフレームの素材として厚さ０．２５ｍｍの
鉄合金材を用い、第１の被膜として錫・鉛合金めっきの
被膜を形成し、その上に第２の被膜として銀めっき被膜
を形成しても本発明を適用できる。
以上説明したように本発明は、封止樹脂から導出される
外部リードの全面を錫又は錫・鉛合金めっき被膜と金、
銀又は錫・ニッケル合金のめっき被膜の積層構造とする
ことにより、従来の錫・鉛合金めっき被膜の単層構造に
比べて、錫・鉛合金めっき被膜の表面酸化が抑制される
ので、長期保管後に実装する場合においてもはんだ付は
性が劣化することを防止でき、従って、実装後の装置の
信頼性を向上できる効果がある。
外部リードの全面を錫又は錫・鉛合金めっき被膜と金、
銀又は錫・ニッケル合金のめっき被膜の積層構造とする
ことにより、従来の錫・鉛合金めっき被膜の単層構造に
比べて、錫・鉛合金めっき被膜の表面酸化が抑制される
ので、長期保管後に実装する場合においてもはんだ付は
性が劣化することを防止でき、従って、実装後の装置の
信頼性を向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・リードフレーム、２・・・アイランド、３・・
・外部リード、４・・・半導体チップ、５・・・樹脂、
６，７・・・被膜。
・外部リード、４・・・半導体チップ、５・・・樹脂、
６，７・・・被膜。
Claims (1)
- 中央部に半導体チップを搭載するアイランドと該アイ
ランドの外周に放射状に形成される複数の外部リードと
を備えるリードフレームと、前記半導体チップの外周を
覆って前記リードフレームを封止する樹脂と、前記外部
リードの前記樹脂から導出された全面を覆って形成され
る金属系の第１の被膜と、該第１の被膜上に形成される
前記第１の被膜と異る金属系の第２の被膜とを有するこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31351887A JPH01152752A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31351887A JPH01152752A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152752A true JPH01152752A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18042273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31351887A Pending JPH01152752A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152752A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656855A (en) * | 1992-12-23 | 1997-08-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| EP0823731A3 (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-03 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor metallization system and structure therefor |
| US7842889B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP31351887A patent/JPH01152752A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656855A (en) * | 1992-12-23 | 1997-08-12 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| US5909053A (en) * | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| EP0823731A3 (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-03 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor metallization system and structure therefor |
| US6140703A (en) * | 1996-08-05 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor metallization structure |
| US7842889B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
| DE102006011232B4 (de) * | 2005-04-25 | 2012-11-08 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrat zum Montieren eines elektronischen Bauteils sowie elektronisches Bauteil |
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