JP2671640B2 - 金属化フィルムコンデンサ - Google Patents
金属化フィルムコンデンサInfo
- Publication number
- JP2671640B2 JP2671640B2 JP13203291A JP13203291A JP2671640B2 JP 2671640 B2 JP2671640 B2 JP 2671640B2 JP 13203291 A JP13203291 A JP 13203291A JP 13203291 A JP13203291 A JP 13203291A JP 2671640 B2 JP2671640 B2 JP 2671640B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metallikon
- layer
- metallized film
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
ンサに関する。
各種の電子部品がチップ化されている。フィルムコンデ
ンサも、誘電体として用いるプラスチックフィルムの融
点が低いことがチップ化の妨げとなっていたが、最近、
利用できるようになった。
チックフィルムにアルミニウム等の金属を蒸着して金属
薄膜を形成し、この金属薄膜を電極とした金属化フィル
ムを用いる。そしてこの金属化フィルムを巻回し、巻回
したものの端面にメタリコンを吹き付けて引き出し用電
極とした構造のコンデンサ素子を形成している。プラス
チックフィルムとしては主としてポリエチレンテレフタ
レート(融点264℃)等を用いている。また、メタリ
コンは、プラスチックフィルムの融点に合わせて、融点
が160〜260℃の合金やZn、Pb等の単一金属を
用いている。なお、フィルムコンデンサをさらに小形化
するために一般的な外装を省くことがある。
デンサは無外装になると、例えばメタリコンに融点が1
60〜260℃の合金を用いた場合には、フローやリフ
ローにより基板等に半田付けした際に、溶融したり、融
点以下でも拡散反応により溶解して周囲の半田に溶け出
し、断線不良を生じる欠点がある。
は、周囲の湿気によって溶け易く、フィルムの表面に形
成した金属薄膜との接続が不良となり、tan δが上昇し
たり、IR特性が劣化したり、断線したりする欠点があ
る。
ルミニウム等の金属薄膜に対して接続性が悪く、初期に
正常なtan δ特性が得られず、耐電流が極めて低い欠点
がある。
線不良を防止し、tan δ特性等を向上できるフィルムコ
ンデンサを提供するものである。
達成するために、プラスチックフィルムにアルミニウム
からなる金属薄膜を積層した金属化フィルムを重ね巻回
して素子とし、この素子の端面にメタリコン層を設けた
金属化フィルムコンデンサにおいて、アルミニウム80
%以上、シリコンを3%以上含むメタリコン層を設ける
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサを提供する
ものである。
以上含む合金は、アルミニウムの金属薄膜との接続が良
い。また、この合金は、固相線が380℃以上であるた
め、通常の半田付けの際にも溶融等したりすることがな
い。さらに、この合金は湿気にも安定していて、溶出す
ることもない。
と、硬度が上がり線材にならず、メタリコン層を形成し
難くなる。
が最高659.8℃まで上がり、金属薄膜を損傷し、ta
n δ不良や耐電流が不良となる欠点がある。
ンが3%未満になると、各物質が足りない場合の欠点が
生じるとともに、一般的に付着強度が低下する。
図1において、1は、ポリフェニレンサルファイドフィ
ルムやポリパラフェニレンテレフタルアミド等の高耐熱
フィルムにアルミニウムを蒸着して金属薄膜を形成した
金属化フィルムを2枚、互いにずらして積層して巻回
し、最外周にシール用フィルムを巻き付けた素子であ
る。2は、この素子1の端面に積層し、金属薄膜に直接
接続した第1のメタリコン層であり、アルミニウムを8
0%以上、シリコンを3%以上含む金属からなる。3
は、この第1のメタリコン層2に積層したPbからなる
第2のメタリコン層であり、表面を研磨している。4は
第2のメタリコン層3に積層した、Ni又はCuからな
る第1のメッキ層である。5は第1のメッキ層4に積層
した半田からなる第2のメッキ層である。
ず、金属化フィルム2を巻回し最外周にシール用フィル
ムを巻き付けて素子1を形成する。素子1を形成後、ア
ルミニウムを80%以上、シリコンを3%以上含む合金
からなる1.2φの金属線を用い、電気アーク溶射方法
によって、素子1の端面に第1のメタリコン層2を形成
する。電気アーク溶射条件は、印加電圧が20V、D
C、吹付エアーは圧力が5kg/cm2、流量が1.6m3/
分で、金属線の送りを50mm/秒、溶射距離を200m
m、溶射速度を50mm/秒とする。なお、溶射距離と
は、エアーを吹き付けるノズルの先端と素子の端面との
間の距離をいう。また、溶射速度とは、複数個の素子2
を一体化してその端にメタリコン処理する際に、ノズル
を端面に沿って動かす速さをいう。溶射後、Pbからな
る1.6φの金属線を用い、上記と同じ条件により、第
1のメタリコン層2の表面に第2のメタリコン層3を形
成する。第2のメタリコン層3を形成後、余剰のメタリ
コンを回転バレルで取り除く。次に、素子1に金属化フ
ィルム2のフィルムの厚さ1μmに対して80V、DC
の電圧を1秒間印加して処理する。この電圧処理後、素
子1にエポキシ樹脂を3Hr真空加圧含浸し、遠心分離
して余剰なエポキシ樹脂を除去する。そして遠心分離
後、温度120℃で3Hr熱して仮硬化し、さらに、温
度170℃で16Hr熱して本硬化する。このエポキシ
樹脂の真空加圧含浸から本硬化の作業を2〜3回繰り返
す。この作業後、第2のメタリコン層3の表面をエンド
ミルの刃を用いて切削し、研磨する。研磨後、Ni又は
Cuを電気メッキ法により、厚さ50μm程度の第1の
メッキ層4を形成する。第1のメッキ層4を形成後、そ
の表面に半田をメッキし、第2のメッキ層5を形成す
る。
に、Pb・Sn合金、Pb・Sn・Ag合金、Pb・S
n・Zn・Ag・Sb合金及びSn・Sb・Cu合金を
用いてもよい。ただし、Pb・Sn・Zn・Ag・Sb
合金は融点以下でも拡散反応により溶解してしまうの
で、第1のメッキ層により充分にカバーする必要があ
る。また、第2のメタリコン層を省略し、第1のメタリ
コン層だけにしてもよい。
面にアルミニウムを80%以上でシリコンを3%以上含
むメタリコン層を直接積層しているため、断線不良を防
止でき、tan δ特性や耐電流を向上できる金属化フィル
ムコンデンサが得られる。
タリコン層。
Claims (1)
- 【請求項1】 プラスチックフィルムにアルミニウムか
らなる金属薄膜を積層した金属化フィルムを重ね巻回し
て素子とし、この素子の端面にメタリコン層を設けた金
属化フィルムコンデンサにおいて、アルミニウムを80
%以上、シリコンを3%以上含むメタリコン層を設ける
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13203291A JP2671640B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 金属化フィルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13203291A JP2671640B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 金属化フィルムコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04333209A JPH04333209A (ja) | 1992-11-20 |
JP2671640B2 true JP2671640B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=15071906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13203291A Expired - Lifetime JP2671640B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | 金属化フィルムコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2671640B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4596992B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-12-15 | 日立エーアイシー株式会社 | 金属化フィルムコンデンサ |
-
1991
- 1991-05-08 JP JP13203291A patent/JP2671640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04333209A (ja) | 1992-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5057900A (en) | Electronic device and a manufacturing method for the same | |
US3663184A (en) | Solder bump metallization system using a titanium-nickel barrier layer | |
US5038996A (en) | Bonding of metallic surfaces | |
KR100482721B1 (ko) | 배선 기판 및 그 제조 방법, 반도체 장치 및 그 제조방법, 및 전자 기기 | |
JPS60257160A (ja) | 半導体装置 | |
US7215014B2 (en) | Solderable metal finish for integrated circuit package leads and method for forming | |
JP3456454B2 (ja) | ワイヤを有する電子部品 | |
JP2671640B2 (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
JPS59193036A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06168845A (ja) | チップ形積層フィルムコンデンサ | |
US6060771A (en) | Connecting lead for semiconductor devices and method for fabricating the lead | |
US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
JP2526434B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4596992B2 (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
JPS60224237A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US4759829A (en) | Device header and method of making same | |
JPH08288176A (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
JP3018507B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
KR970000089Y1 (ko) | 탄탈 전해 콘덴서용 (-)리드 와이어 | |
JPH11135533A (ja) | 電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法 | |
JP3033647B2 (ja) | ヒューズ入り固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3414226B2 (ja) | 薄形フィルムチップコンデンサ | |
JPH0757614A (ja) | 超小型薄膜回路保護用電子部品 | |
JP2001015666A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN115740673A (zh) | 一种用于管壳内镀金引脚的去金方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 13 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 13 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |