JP2671640B2 - 金属化フィルムコンデンサ - Google Patents

金属化フィルムコンデンサ

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JP2671640B2
JP2671640B2 JP13203291A JP13203291A JP2671640B2 JP 2671640 B2 JP2671640 B2 JP 2671640B2 JP 13203291 A JP13203291 A JP 13203291A JP 13203291 A JP13203291 A JP 13203291A JP 2671640 B2 JP2671640 B2 JP 2671640B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は無外装のフィルムコンデ
ンサに関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小形化や高機能化のために、
各種の電子部品がチップ化されている。フィルムコンデ
ンサも、誘電体として用いるプラスチックフィルムの融
点が低いことがチップ化の妨げとなっていたが、最近、
利用できるようになった。
【0003】フィルムコンデンサは、一般的に、プラス
チックフィルムにアルミニウム等の金属を蒸着して金属
薄膜を形成し、この金属薄膜を電極とした金属化フィル
ムを用いる。そしてこの金属化フィルムを巻回し、巻回
したものの端面にメタリコンを吹き付けて引き出し用電
極とした構造のコンデンサ素子を形成している。プラス
チックフィルムとしては主としてポリエチレンテレフタ
レート(融点264℃)等を用いている。また、メタリ
コンは、プラスチックフィルムの融点に合わせて、融点
が160〜260℃の合金やZn、Pb等の単一金属を
用いている。なお、フィルムコンデンサをさらに小形化
するために一般的な外装を省くことがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フィルムコン
デンサは無外装になると、例えばメタリコンに融点が1
60〜260℃の合金を用いた場合には、フローやリフ
ローにより基板等に半田付けした際に、溶融したり、融
点以下でも拡散反応により溶解して周囲の半田に溶け出
し、断線不良を生じる欠点がある。
【0005】また、Znをメタリコンに用いた場合に
は、周囲の湿気によって溶け易く、フィルムの表面に形
成した金属薄膜との接続が不良となり、tan δが上昇し
たり、IR特性が劣化したり、断線したりする欠点があ
る。
【0006】さらに、Pbをメタリコンに用いると、ア
ルミニウム等の金属薄膜に対して接続性が悪く、初期に
正常なtan δ特性が得られず、耐電流が極めて低い欠点
がある。
【0007】本発明の目的は、以上の欠点を改良し、断
線不良を防止し、tan δ特性等を向上できるフィルムコ
ンデンサを提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、プラスチックフィルムにアルミニウム
からなる金属薄膜を積層した金属化フィルムを重ね巻回
して素子とし、この素子の端面にメタリコン層を設けた
金属化フィルムコンデンサにおいて、アルミニウム80
%以上、シリコンを3%以上含むメタリコン層を設ける
ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサを提供する
ものである。
【0009】
【作用】アルミニウムを80%以上で、シリコンを3%
以上含む合金は、アルミニウムの金属薄膜との接続が良
い。また、この合金は、固相線が380℃以上であるた
め、通常の半田付けの際にも溶融等したりすることがな
い。さらに、この合金は湿気にも安定していて、溶出す
ることもない。
【0010】なお、アルミニウムが80%未満になる
と、硬度が上がり線材にならず、メタリコン層を形成し
難くなる。
【0011】また、シリコンが3%未満になると、融点
が最高659.8℃まで上がり、金属薄膜を損傷し、ta
n δ不良や耐電流が不良となる欠点がある。
【0012】さらにアルミニウムが80%未満でシリコ
ンが3%未満になると、各物質が足りない場合の欠点が
生じるとともに、一般的に付着強度が低下する。
【0013】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図1において、1は、ポリフェニレンサルファイドフィ
ルムやポリパラフェニレンテレフタルアミド等の高耐熱
フィルムにアルミニウムを蒸着して金属薄膜を形成した
金属化フィルムを2枚、互いにずらして積層して巻回
し、最外周にシール用フィルムを巻き付けた素子であ
る。2は、この素子1の端面に積層し、金属薄膜に直接
接続した第1のメタリコン層であり、アルミニウムを8
0%以上、シリコンを3%以上含む金属からなる。3
は、この第1のメタリコン層2に積層したPbからなる
第2のメタリコン層であり、表面を研磨している。4は
第2のメタリコン層3に積層した、Ni又はCuからな
る第1のメッキ層である。5は第1のメッキ層4に積層
した半田からなる第2のメッキ層である。
【0014】次に上記実施例の製造方法を説明する。先
ず、金属化フィルム2を巻回し最外周にシール用フィル
ムを巻き付けて素子1を形成する。素子1を形成後、ア
ルミニウムを80%以上、シリコンを3%以上含む合金
からなる1.2φの金属線を用い、電気アーク溶射方法
によって、素子1の端面に第1のメタリコン層2を形成
する。電気アーク溶射条件は、印加電圧が20V、D
C、吹付エアーは圧力が5kg/cm2、流量が1.6m3
分で、金属線の送りを50mm/秒、溶射距離を200m
m、溶射速度を50mm/秒とする。なお、溶射距離と
は、エアーを吹き付けるノズルの先端と素子の端面との
間の距離をいう。また、溶射速度とは、複数個の素子2
を一体化してその端にメタリコン処理する際に、ノズル
を端面に沿って動かす速さをいう。溶射後、Pbからな
る1.6φの金属線を用い、上記と同じ条件により、第
1のメタリコン層2の表面に第2のメタリコン層3を形
成する。第2のメタリコン層3を形成後、余剰のメタリ
コンを回転バレルで取り除く。次に、素子1に金属化フ
ィルム2のフィルムの厚さ1μmに対して80V、DC
の電圧を1秒間印加して処理する。この電圧処理後、素
子1にエポキシ樹脂を3Hr真空加圧含浸し、遠心分離
して余剰なエポキシ樹脂を除去する。そして遠心分離
後、温度120℃で3Hr熱して仮硬化し、さらに、温
度170℃で16Hr熱して本硬化する。このエポキシ
樹脂の真空加圧含浸から本硬化の作業を2〜3回繰り返
す。この作業後、第2のメタリコン層3の表面をエンド
ミルの刃を用いて切削し、研磨する。研磨後、Ni又は
Cuを電気メッキ法により、厚さ50μm程度の第1の
メッキ層4を形成する。第1のメッキ層4を形成後、そ
の表面に半田をメッキし、第2のメッキ層5を形成す
る。
【0015】なお、第2のメタリコン層は、Pbの他
に、Pb・Sn合金、Pb・Sn・Ag合金、Pb・S
n・Zn・Ag・Sb合金及びSn・Sb・Cu合金を
用いてもよい。ただし、Pb・Sn・Zn・Ag・Sb
合金は融点以下でも拡散反応により溶解してしまうの
で、第1のメッキ層により充分にカバーする必要があ
る。また、第2のメタリコン層を省略し、第1のメタリ
コン層だけにしてもよい。
【0016】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、素子の端
面にアルミニウムを80%以上でシリコンを3%以上含
むメタリコン層を直接積層しているため、断線不良を防
止でき、tan δ特性や耐電流を向上できる金属化フィル
ムコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の断面図を示す。
【符号の説明】
1…素子、 2…第1のメタリコン層、 3…第2のメ
タリコン層。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラスチックフィルムにアルミニウムか
    らなる金属薄膜を積層した金属化フィルムを重ね巻回し
    て素子とし、この素子の端面にメタリコン層を設けた金
    属化フィルムコンデンサにおいて、アルミニウムを80
    %以上、シリコンを3%以上含むメタリコン層を設ける
    ことを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
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