JPH01150862A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
- Publication number
- JPH01150862A JPH01150862A JP31041187A JP31041187A JPH01150862A JP H01150862 A JPH01150862 A JP H01150862A JP 31041187 A JP31041187 A JP 31041187A JP 31041187 A JP31041187 A JP 31041187A JP H01150862 A JPH01150862 A JP H01150862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe card
- contact
- conductive
- insulating layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の電極パッドに徽触子を接触し
、信号の入出力を行い、電気特性を倹盆するためのプロ
ーブカードに関する。
、信号の入出力を行い、電気特性を倹盆するためのプロ
ーブカードに関する。
第５図は例えばゝゝＣｅｒａｍｉｃ Ｂｌａｄｅ Ｐｒ
ｏｂｅ Ｃａｒｄ（カタログ）“株式会社イーエスジエ
ー社発行に示された、従来のプローブカードを示す斜視
図である。図において、１はプローブカード基板で、表
面に複数の導電性幅＃！２が形成されている。３はプロ
ーブカード基板１に取付けられ、後端が対応する導電性
配線２に接触しているプローグ針、４は検査される半導
体ウェーハ（以下「ウェーハ」と称する）で、多数の半
導体装ｒｉｔ５が四角状に形成されている。
ｏｂｅ Ｃａｒｄ（カタログ）“株式会社イーエスジエ
ー社発行に示された、従来のプローブカードを示す斜視
図である。図において、１はプローブカード基板で、表
面に複数の導電性幅＃！２が形成されている。３はプロ
ーブカード基板１に取付けられ、後端が対応する導電性
配線２に接触しているプローグ針、４は検査される半導
体ウェーハ（以下「ウェーハ」と称する）で、多数の半
導体装ｒｉｔ５が四角状に形成されている。
上記プローブカードのグローブ針３による半導体装Ｉｆ
５の検査状態を、Ｎ６図に示す。各グローブ針６を、ウ
ェーハ４の半導体装置５上の各１ｊＬ極パツド６にそれ
ぞれ圧接し、電気信号を入出力し電気特性を検査する。
５の検査状態を、Ｎ６図に示す。各グローブ針６を、ウ
ェーハ４の半導体装置５上の各１ｊＬ極パツド６にそれ
ぞれ圧接し、電気信号を入出力し電気特性を検査する。
一般的に、半導体装置は同一性能であれば、小形になる
ほど１枚のウェーハ４上に形成できる半導体装置５の故
が多くなり、安価にできる。半導体装置５の大きさを決
定する要因の一つに、上部の電極パッド６の大きさ１間
隔がある。゛成極パッド６＆が多くなると、その大き埒
１間隔が半導体装置の寸法に大きく影響し、高価になっ
てしまう。
ほど１枚のウェーハ４上に形成できる半導体装置５の故
が多くなり、安価にできる。半導体装置５の大きさを決
定する要因の一つに、上部の電極パッド６の大きさ１間
隔がある。゛成極パッド６＆が多くなると、その大き埒
１間隔が半導体装置の寸法に大きく影響し、高価になっ
てしまう。
￥／ｌＦＭパッドの大きさ１間隔を小はくできない原因
に、プローブカードがある。上記のような従来のプロー
ブカードでは、プローブ針３先端を余り小さく加工する
ことは困難であり、プローブカード基板１にプローブ針
３を微少間隔で高精度に取付けることが困難であった。
に、プローブカードがある。上記のような従来のプロー
ブカードでは、プローブ針３先端を余り小さく加工する
ことは困難であり、プローブカード基板１にプローブ針
３を微少間隔で高精度に取付けることが困難であった。
このため、電極パッド６とグローブ針３の位置合わせを
行うのに、現状の電極パッド６の大きさ１間隔より小さ
くできにくいという問題点があった。
行うのに、現状の電極パッド６の大きさ１間隔より小さ
くできにくいという問題点があった。
また、従来のプローグカードでは、半導体装置５の各電
極パッド６の高さのばらつき、グローブ針３の高さのば
らつきを吸収して接触するようにするため、長めのグロ
ーブ針３を斜めにプローブカード基板１に取付け、高さ
方向に弾性をもたせている。検査作業能率を向上のため
、ウェーハ４の複数の半導体装置５を同時に検査しよう
とする場合、プローブ針３の取付けを多段にし、プロー
グカード基板を多層化することが考えられるが、プロー
ブカードが複雑、かつ、大形になってしまうという問題
点があった。
極パッド６の高さのばらつき、グローブ針３の高さのば
らつきを吸収して接触するようにするため、長めのグロ
ーブ針３を斜めにプローブカード基板１に取付け、高さ
方向に弾性をもたせている。検査作業能率を向上のため
、ウェーハ４の複数の半導体装置５を同時に検査しよう
とする場合、プローブ針３の取付けを多段にし、プロー
グカード基板を多層化することが考えられるが、プロー
ブカードが複雑、かつ、大形になってしまうという問題
点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、電極パッドの寸法が小さく、その間隔が狭い
半導体装置であっても、接触子が精度よく電極パッドに
接触され、検査することができるプローブカードを得る
ことを目的としている０ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明にかかるプローグカードは、プローブカード基
板面に複数の導電性配線を形成し、これらの配線の先端
部を基板面から離した片持は９状の接触子に形成したも
のである。
たもので、電極パッドの寸法が小さく、その間隔が狭い
半導体装置であっても、接触子が精度よく電極パッドに
接触され、検査することができるプローブカードを得る
ことを目的としている０ 〔問題点を解決するための手段〕 この発明にかかるプローグカードは、プローブカード基
板面に複数の導電性配線を形成し、これらの配線の先端
部を基板面から離した片持は９状の接触子に形成したも
のである。
この発明においては、プローグカード基板に形成された
各接触子は、接触端の太き式９間隔が半導体装置の電極
パッドの太き場１間隔に対応するように形成されており
、配線により形成された各接触子は幅及び間隔が微細に
高精度にでき、半導体装置の＊極バッドの大きさ１間隔
が狭くても対応できて検査が行える。また、各接触子は
片持はり状であり、各を極パッドの高さに不同があって
も、支障なく弾性接触する。
各接触子は、接触端の太き式９間隔が半導体装置の電極
パッドの太き場１間隔に対応するように形成されており
、配線により形成された各接触子は幅及び間隔が微細に
高精度にでき、半導体装置の＊極バッドの大きさ１間隔
が狭くても対応できて検査が行える。また、各接触子は
片持はり状であり、各を極パッドの高さに不同があって
も、支障なく弾性接触する。
第１図はこの発明によるプローブカードの一実施例を示
す要部断面図である。１１はプローブカード基板、１２
はこの基板面に形成された複数の導電性配線、１３は各
導電性配線１２の先端部による接触子で、プローブカー
ド基板１１面から浮かされ片持はシ状となっており、最
先端に下方に突出する接点部１３ａが形成され、半導体
装ｔｉｔ５上の電極パッド６に対応子るようにしている
。
す要部断面図である。１１はプローブカード基板、１２
はこの基板面に形成された複数の導電性配線、１３は各
導電性配線１２の先端部による接触子で、プローブカー
ド基板１１面から浮かされ片持はシ状となっており、最
先端に下方に突出する接点部１３ａが形成され、半導体
装ｔｉｔ５上の電極パッド６に対応子るようにしている
。
上記接触子１３を含む各導電性幅ｍ１２は、プローブカ
ード基板上上に、薄膜形成、リングラフィ。
ード基板上上に、薄膜形成、リングラフィ。
エツチング処理などの工程により、高精度で微細に形成
することができる。
することができる。
上記一実施例のプローブカードは、第２図のように、ウ
ェーハ４に形成された半導体装置５の各電極パッド６上
に、対応する各接触子１３を弾性度触し、電気信号が入
出力され検査が行われる。
ェーハ４に形成された半導体装置５の各電極パッド６上
に、対応する各接触子１３を弾性度触し、電気信号が入
出力され検査が行われる。
第３図はこの発明の他の実施例を示すプローブカードの
要部断面図である。プローブカード基板１１の表面に複
数の導電性配線１４が形成され、その先端部は基板１面
が浮上らせ片持はり状の接触子１５が形成されていて、
最先端には突出する接点部１５ａが設けられている。導
電性配線部４は線膨張係数の大きい材料の下層部１４ａ
と、これよυ線膨張係数の小さい材料の上層部１４ｂと
の２層構造にしている。導電性配線１４の材料には、例
えば下層部１４ａにはアルミ材を、上層部１４ｂにはタ
ングステン材を用いている。
要部断面図である。プローブカード基板１１の表面に複
数の導電性配線１４が形成され、その先端部は基板１面
が浮上らせ片持はり状の接触子１５が形成されていて、
最先端には突出する接点部１５ａが設けられている。導
電性配線部４は線膨張係数の大きい材料の下層部１４ａ
と、これよυ線膨張係数の小さい材料の上層部１４ｂと
の２層構造にしている。導電性配線１４の材料には、例
えば下層部１４ａにはアルミ材を、上層部１４ｂにはタ
ングステン材を用いている。
なお、上層部１４ｂは、第３図では下層部１４ａと全長
にわたって重ねて形成しているが、接触子１５側のみに
上層部１４ｂを重ねた２／！＃構造にしてもよい０ 第４図はこの発明の異なる他の実施例を示す。
にわたって重ねて形成しているが、接触子１５側のみに
上層部１４ｂを重ねた２／！＃構造にしてもよい０ 第４図はこの発明の異なる他の実施例を示す。
プローブカード基板１１上に多数の導電性配線部６が形
成されている０１７１はプローブカード基板１１上に形
成てれた下層の絶縁層で、上面に多数の導電性配線１８
が形成されている。１９は下層の絶縁層１フ上に形成さ
れた上層の絶縁層で、多数の導電性配線２０による接触
子２１が片持はジ状に形成され、導電性配線１６ 、１
８にそれぞれ一体に接続されている。
成されている０１７１はプローブカード基板１１上に形
成てれた下層の絶縁層で、上面に多数の導電性配線１８
が形成されている。１９は下層の絶縁層１フ上に形成さ
れた上層の絶縁層で、多数の導電性配線２０による接触
子２１が片持はジ状に形成され、導電性配線１６ 、１
８にそれぞれ一体に接続されている。
こうして、半導体装置５の電極パッド６故が多いか、又
はウェーハ４の半導体装置５を複数個同時に検査する場
合Ｋｄ用され、プローブカードを小形化できる。
はウェーハ４の半導体装置５を複数個同時に検査する場
合Ｋｄ用され、プローブカードを小形化できる。
なお、上記実施例ではプローブカード基板１１には接触
子１６部に窓穴が設けられていない場合を示したが、点
検用窓穴を設けてもよい。
子１６部に窓穴が設けられていない場合を示したが、点
検用窓穴を設けてもよい。
また、プローブカード基板１−１’ｉガラス材など透明
材料で構造し、接触子、導電性配線以外の箇所で上方か
ら光学的手段によシ位置横出し、位置合わせするように
してもよい。
材料で構造し、接触子、導電性配線以外の箇所で上方か
ら光学的手段によシ位置横出し、位置合わせするように
してもよい。
さらに、露出する導電性配線部を外部接続部及び接触子
部を除き絶縁膜で横って保護し、異物付着による配線間
の短ｉ事故を防ぐようにしてもよい０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、プローブカード基板
面に複数の導電性配線を形成し、この導電性配線の先端
部をプローブカード基板面から浮かし片持はり状の接触
子に形成したので、電極パッドの高さに不同があっても
各接触子は弾性接触して良好な接融ができ、各接触子は
配線形成により形成され高精度に微細にでき、相互の間
隔が狭くされ、各電極パッドの寸法が小きく、間隔が狭
い場合でも、精度よく接触でれ検査が支障なく行える。
部を除き絶縁膜で横って保護し、異物付着による配線間
の短ｉ事故を防ぐようにしてもよい０ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、プローブカード基板
面に複数の導電性配線を形成し、この導電性配線の先端
部をプローブカード基板面から浮かし片持はり状の接触
子に形成したので、電極パッドの高さに不同があっても
各接触子は弾性接触して良好な接融ができ、各接触子は
配線形成により形成され高精度に微細にでき、相互の間
隔が狭くされ、各電極パッドの寸法が小きく、間隔が狭
い場合でも、精度よく接触でれ検査が支障なく行える。
第１図はこの発明によるプローブカードの一実施例を示
す要部断面図、第２図は第１図のプローブカードをウエ
ーノ１０半専一体装直に接触している状態の＠面図、第
３図はこの発明の第２の実施例を示すプローグカードの
要部断面図、第４図はこの発明の第３の実施例を示すプ
ローブカードの概要斜視図、第５図は従来のプローブカ
ードを示す概ＪＳ斜視図、第６図は第５図のプローブカ
ードをウェーハの半導体装置に接触している状態の断面
図である。 ４・・・半導体ウェーハ、５・・・半導体装置、６・・
・電極パッド、１１・・・プロー１カード基板、１２・
・・導電性配線、１３・・・接触子、１４・・・導電性
配線、１４ａ・・・下Ｍ＠！１１１４ｂ・・・上層部、
１５・・・接触子、１６ 、１８ 。 ２０・・・導電性配線、１７・・・下層の絶縁層、１９
・・・上層の絶縁層、２１・・・接触子。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す要部断面図、第２図は第１図のプローブカードをウエ
ーノ１０半専一体装直に接触している状態の＠面図、第
３図はこの発明の第２の実施例を示すプローグカードの
要部断面図、第４図はこの発明の第３の実施例を示すプ
ローブカードの概要斜視図、第５図は従来のプローブカ
ードを示す概ＪＳ斜視図、第６図は第５図のプローブカ
ードをウェーハの半導体装置に接触している状態の断面
図である。 ４・・・半導体ウェーハ、５・・・半導体装置、６・・
・電極パッド、１１・・・プロー１カード基板、１２・
・・導電性配線、１３・・・接触子、１４・・・導電性
配線、１４ａ・・・下Ｍ＠！１１１４ｂ・・・上層部、
１５・・・接触子、１６ 、１８ 。 ２０・・・導電性配線、１７・・・下層の絶縁層、１９
・・・上層の絶縁層、２１・・・接触子。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）プローブカード基板に設けられた複数の接触子を
半導体装置の各電極パッドに接触し、電気信号を入出力
して検査するプローブカードにおいて、上記プローブカ
ード基板面に複数の導電性配線を形成し、これらの導電
性配線の先端部を上記プローブカード基板面から浮かせ
、片持はり状の接触子を形成したことを特徴とするプロ
ーブカード。 - （２）導電性配線の全長のうち、少なくとも接触子部を
２層配線にし、下層部を上層部より線膨張係数の大きい
材料にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のプローブカード。 - （３）プローブカード基板面に多数の導電性配線を形成
し、このプローブカード基板上に下層絶縁層を形成し、
この絶縁層上に多数の導電性配線を形成し、この下層絶
縁層上に上層絶縁層を形成し、上記プローブカード基板
及び下層絶縁層の対応する各導電性配線にそれぞれ接続
した多数の導電性配線を上記上層絶縁層上に形成し、こ
の導電性配線の先端部を接触子に形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプローブカ
ード。 - （４）プローブカード基板は透明材料からなる特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいづれかに記載のプローブ
カード。 - （５）表面に露出する導電性配線を、外部接続部及び接
触子部を除き絶縁膜で覆つた特許請求の範囲第１項ない
し第４項のいづれかに記載のプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041187A JPH01150862A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041187A JPH01150862A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150862A true JPH01150862A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=18004938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31041187A Pending JPH01150862A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01150862A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326259A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Advantest Corp | プローブカードおよびその製造方法 |
| WO2002097453A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Carte sonde, sonde, procede de fabrication de sondes et procede de fabrication de cartes sondes |
| WO2002097452A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Procede de fabrication de broche d'essai et procede de fabrication de carte d'essai |
| US6727580B1 (en) | 1993-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
| JP2008275646A (ja) * | 1996-05-17 | 2008-11-13 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
| US7579269B2 (en) | 1993-11-16 | 2009-08-25 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
| US7714235B1 (en) | 1997-05-06 | 2010-05-11 | Formfactor, Inc. | Lithographically defined microelectronic contact structures |
| JP4527267B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタの製造方法 |
| JP2013127408A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Micronics Japan Co Ltd | プローブ構造体ユニットの配線及び製造方法 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP31041187A patent/JPH01150862A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6727580B1 (en) | 1993-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
| US7579269B2 (en) | 1993-11-16 | 2009-08-25 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
| JP2008275646A (ja) * | 1996-05-17 | 2008-11-13 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
| US7714235B1 (en) | 1997-05-06 | 2010-05-11 | Formfactor, Inc. | Lithographically defined microelectronic contact structures |
| JP2001326259A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Advantest Corp | プローブカードおよびその製造方法 |
| US6809539B2 (en) | 2000-05-18 | 2004-10-26 | Advantest Corporation | Probe card for testing an integrated circuit |
| JP4527267B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタの製造方法 |
| WO2002097453A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Carte sonde, sonde, procede de fabrication de sondes et procede de fabrication de cartes sondes |
| WO2002097452A1 (fr) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | Advantest Corporation | Procede de fabrication de broche d'essai et procede de fabrication de carte d'essai |
| JP2013127408A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Micronics Japan Co Ltd | プローブ構造体ユニットの配線及び製造方法 |
| TWI564566B (zh) * | 2011-12-19 | 2017-01-01 | 日本麥克隆尼股份有限公司 | 探針構造體單元之配線及製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0166405B1 (ko) | 아이씨 콘택터 | |
| WO2005069018A1 (ja) | 電気的接続装置及び接触子 | |
| JPH01150862A (ja) | プローブカード | |
| JP2799973B2 (ja) | 垂直作動式プローブカード | |
| JPH01147374A (ja) | マイクロプローバ | |
| JPS61186846A (ja) | 導電性塵埃センサ | |
| US3525937A (en) | Matched impedance test probe fixture | |
| JPS6292334A (ja) | 半導体材料製基板ウエハの品質検査パタ−ン | |
| JPH1151970A (ja) | プローブカード | |
| JPH01150863A (ja) | プローブカード | |
| JPS63206671A (ja) | 検査装置 | |
| KR920006749A (ko) | 프로우브 장치 | |
| JPH0926436A (ja) | 電子素子評価装置 | |
| TW201250261A (en) | Electrical connecting apparatus and testing apparatus using the same | |
| JP2531043Y2 (ja) | プローブヘッドの先端構造 | |
| JP3047361B2 (ja) | プローブニードルの位置検出方法 | |
| KR20230157455A (ko) | 프로브 | |
| JPH0469947A (ja) | プロービング装置 | |
| JPH0669054B2 (ja) | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 | |
| JP2826400B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| TW202143588A (zh) | 具有斜向導線式導電膠片的電連接組件 | |
| JPS5942583A (ja) | 液晶表示器用検査装置 | |
| JPH0621242Y2 (ja) | 集積回路試験装置 | |
| CN112285394A (zh) | 适用于具有倾斜导电接点的多待测单元的探针模块 | |
| JPH062266Y2 (ja) | エッジセンサー |