JPH01149543A - Fifoメモリ制御方法 - Google Patents

Fifoメモリ制御方法

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JPH01149543A
JPH01149543A JP30792687A JP30792687A JPH01149543A JP H01149543 A JPH01149543 A JP H01149543A JP 30792687 A JP30792687 A JP 30792687A JP 30792687 A JP30792687 A JP 30792687A JP H01149543 A JPH01149543 A JP H01149543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test pattern
data
fifo memory
time
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP30792687A
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English (en)
Inventor
Tatsuo Fujiwara
龍雄 藤原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH01149543A publication Critical patent/JPH01149543A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔1既  要〕 マルチメディア多重化装置等において端末装置との一イ
ンタフェース部に使用されるFIFO(FirstIn
 First 0ut)メモリを用いた速度変換回路に
係り、特にデータ遅延時間を一定レベル以下に保つFI
FOメモリ制御方法に関し、 データ遅延時間の監視を確実に行い、データ遅延時間を
一定レベル以下に保つFIFOメモリ制御方法を提供す
ることを口約とし、 信号データ及びテストパターン発生/チェック回路の出
力のテストパターンを入力して蓄え、所定の時間毎に所
定の速度で順次出力するFIFOメモリと、テストパタ
ーンを発生し、FIFOメモリの出力のテストパターン
を入力してFIFOメモリにおけるデータの遅延時間を
求め、遅延時間が所定の値を越えた時FIFOメモリに
蓄えたデータを消去するための制御信号を出力するテス
トパターン発生/チェック回路とを有するFIFOメモ
リ制御回路において、FIFOメモリの入力とテストパ
ターン発生/チェック回路の出力の間に挿入され、信号
データとテストパターンを信号データの速度の2倍の速
度のクロックにより多重化を行う多重化手段と、FIF
Oメモリの出力とテストパターン発生/チェック回路の
入力の間に挿入され、多重化した信号データとテストパ
ターンとを分離する多重化分離手段とをFIFOメモリ
制御回路に付加し、FIFOメモリにおける信号データ
の入力と出力の間の遅延時間を制御するように構成する
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マルチメディア多重化装置等において端末装
置とのインタフェース部に使用されるPIFOメモリを
用いた速度変換回路に係り、特にデータ遅延時間を一定
レベル以下に保つFIFOメモリ制御方法の改良に関す
るものである。
この際、データ遅延時間の監視を確実に行い、データ遅
延時間を一定レベル以下に保つことのできるFIFOメ
モリ制御方法が要望されている。
〔従来の技術〕
第4図は一例のデータ伝送システムの構成ブロック図で
ある。
第5図は一例のFIFOメモリの動作を説明する図であ
る。
第6図は従来例の回路構成ブロック図である。
第7図は従来例の動作を説明するタイムチャートである
第4図において、マルチメディア多重化装置においては
、入力のインタフェース部において端末装置からの信号
データの時分割多重化を行い、例えば1.5 Mb八又
は 6.3 Mb/sの速度に変換しディジタル回線を
介して相手側のマルチメディア多重化装置に転送する。
相手側のマルチメディア多重化装置においては、時分割
多重化したデータを分離し元の低速のデータに変換し、
希望する相手側の端末装置に転送する。
上記の送信側のマルチメディア多重化装置の入力のイン
タフェース部において、入力の低速のデータを高速の出
力データに変換するために、インタフェース部の速度変
換回路にFIFOメモリを用いている。そして、例えば
第5図(a)に示すように通常は、例えば6個単位のデ
ータ(■〜■)をFIFOメモリに蓄え順次出力してい
た。しかし、一定量以上のデータが蓄えられるとその分
だけデータ遅延時間が増大して、データの伝送に時間が
かかることになる。このため、第5図(b)に示すよう
にFIFOメモリにマスクリセットをかけて、内部に蓄
えたデータを消去する。
従来例の回路構成を第6図に示すが、2つの入力を有す
るr’TFoメモリ1の一方の入力DIIに入力データ
を加え、他方の入力012にテストパターン発生/チェ
ック回路2の出力のテストパターンを加える。そして、
入力CKIにクロック発生源(図示しない)から入力デ
ータと同速度のクロックを加え、上記の入力データ及び
テストパターンを順次FIFOメモリlに蓄える。これ
を第7図の(1)、(2)及び(5)にタイムチャート
で示す。
一方、第7図(3)、(4)及び(6)に示すようにF
TFOメモリ1のクロック端子CKOに、入カクロソク
の数倍程度の速度のクロックをクロック源(図示しない
)から加えることにより、出力クロックに同期して入力
データが高速のデータに変換され、テストパターンも同
様に対応してせまいパルス幅のパルスに変換されて、そ
れぞれr)Of及び002から出力される。テストパタ
ーンはテストパターン発生/チェック回路2にフィード
バックして加えられる。そして、第7図(5)及び(6
)に示すように、テストパターンの出力開始時とフィー
ドバック後の入力時の差としてのデータの遅延時間が求
められる。
このようにして、データ遅延時間を常時監視して、それ
がある値以上増大した場合にはFIFOメモI71にマ
スクリセット(MR)をかけて、蓄えたデータを消去し
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上述のFIFOメモリ制御方法においては
、実際のデータ遅延時間を直接監視しているわけではな
く、各入力(Dll、DI2、−−−)毎の遅延時間が
異なれば正常に機能しないという問題点があった。
したがって本発明の目的は、データ遅延時間の監視を確
実に行い、データ遅延時間を一定レベル以下に保つFI
FOメモリ制御方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は第1図に示す回路構成によって解決される
即ち第1図において、信号データ及びテストパターン発
生/チェック回路の出力のテストパターンを入力して蓄
え、所定の時間毎に所定の速度で111次出力するFI
FOメモIJ100と、テストパターンを発生し、FI
FOメモリの出力のテストパターンを入力してFIFO
メモリにおけるデータの遅延時間を求め、遅延時間が所
定の値を越えた時FIFOメモリに蓄えたデータを消去
するための制御信号を出力するテストパターン発生/チ
ェック回路200とを有するFIFOメモリ制御回路に
おいて、300はFIFOメモリ100の入力とテスト
パターン発生/チェック回路200の出力の間に挿入さ
れ、信号データとテストパターンを信号データの速度の
2倍の速度のクロックにより多重化を行う多重化手段で
ある。
400はFIFOメモリ100の出力とテストパターン
発生/チェック回路200の入力の間に挿入され、多重
化した信号データどテストパターンとを分離する多重化
分離手段である。
上記の300と400をFTFOメモリ制御回路に付加
することにより、FIFOメモリにおける信号データの
入力と出力の間の遅延時間を制御する。
〔作 用〕
第1図において、多重化手段300に信号データ及びテ
ストパターン発生/チェック回路の出力のテストパター
ンを入力し、信号データの速度の2倍の速度のクロック
により時分割多重化を行う。
この多重化した出力をFIFOメモリ100に入力して
所定の時間蓄えた後、所定の伝送速度で順次出力する。
FIFOメモリの出力を多重化分離手段400に加えて
、信号データとテストパターンに分離する。
テストパターンをテストパターン発生/チェック回路に
フィードバックして加えて、前述のテストパターン出力
開始時とフィードバック入力した時点との差としてのデ
ータ遅延時間を求める。そして、データ遅延時間が一定
のレベルを越えた時制御信号を出力してFIFOメモリ
に蓄えたデータを消去する。
〔実施例〕
第2図は本発明の実施例のFIFOメモリ制御方法を用
いた回路構成ブロック図である。
第3図は実施例の動作を説明するタイムチャートである
全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第2図において、FIFOメモリlOの前段に設けた多
重化回路(以下MtlXと称する)30に、入力データ
及びテストパターン発生/チy−ツタ回路20の出力の
テストパターンを加える。そして、第3図の(11に示
すような入力データの2倍の速度のクロックを加えるこ
とにより、入力データ(同図(2))及びテストパター
ン(同図(3))を同図(4)に示すフォーマントで時
分割多重化を行う。時分割多重化したMLIX 30の
出力は、入力データの速度の2倍の速度でFTFOメモ
リ刊に入力し一定時間蓄えられる。
ptpoメモリ10のCKOに第3図(5)に示すよう
な入力クロックの数倍程度のクロック(従来例の場合の
2倍の速度)を加えることにより、第3図(6)に示す
ような高速化され、時分割多重化したデータ(同図(6
)の■〜■)及びテストパターン(■゛〜■゛)が出力
される。上記データ及びテストパタ−ンが多重化分離回
路(以下DMUXと称する)40に加えられ、同図(7
)及び(8)に示すように出力データとテストパターン
に分離される。テストパタ−ンはテストパターン発生/
チェック回路20に加えられる。そして、第3図に示す
ように、テストパターン出力開始時とテストパターン入
力時との間の差の時間としてのデータ遅延時間が求めら
れる。
そして、遅延時間が一定のレベルを越えた時FTFOメ
モリ10にマスクリセットをかける。
〔発明の効果〕
以上説明のように本発明によれば、データ遅延時間の監
視を確実に行うことができる。その結果、データ遅延時
間を一定レベル以下に保つことができ、回路の信頼性を
高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、 第2図は本発明の実施例のFIFOメモリ制御方法を用
いた回路構成ブロック図、 第3図は実施例の動作を説明するタイムチャート、 第4図は一例のデータ伝送システムの構成ブロック図、 第5図は一例のFIFOメモリの動作を説明する図、第
6図は従来例の回路構成ブロック図、第7図は従来例の
動作を説明するタイムチャートである。 図において 100 はFIFOメモリ、 200はテストパターン発生/チェック回路、300は
多重化手段、 400は多重化分離手段 を示す。 小発碩の原理図 茅 I Q 従来りJの匣p各騰ベフ゛ロツフ図 事 乙 口 6し釆イクυの喀で(14言1月するタイムケで一ト牛
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Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 信号データ及びテストパターン発生/チェック回路の出
    力のテストパターンを入力して蓄え、所定の時間毎に所
    定の速度で順次出力するFIFOメモリ(100)と、
    該テストパターンを発生し、該FIFOメモリの出力の
    テストパターンを入力して該FIFOメモリにおけるデ
    ータの遅延時間を求め、該遅延時間が所定の値を越えた
    時該FIFOメモリに蓄えたデータを消去するための制
    御信号を出力するテストパターン発生/チェック回路(
    200)とを有するFIFOメモリ制御回路において、 該FIFOメモリ(100)の入力と該テストパターン
    発生/チェック回路(200)の出力の間に挿入され、
    該信号データと該テストパターンを該信号データの速度
    の2倍の速度のクロックにより多重化を行う多重化手段
    (300)と、 該FIFOメモリ(100)の出力と該テストパターン
    発生/チェック回路(200)の入力の間に挿入され、
    多重化した該信号データと該テストパターンとを分離す
    る多重化分離手段(400)とを該FIFOメモリ制御
    回路に付加し、該FIFOメモリにおける信号データの
    入力と出力の間の遅延時間を制御するようにしたことを
    特徴とするFIFOメモリ制御方法。
JP30792687A 1987-12-04 1987-12-04 Fifoメモリ制御方法 Pending JPH01149543A (ja)

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JP30792687A JPH01149543A (ja) 1987-12-04 1987-12-04 Fifoメモリ制御方法

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JP30792687A Pending JPH01149543A (ja) 1987-12-04 1987-12-04 Fifoメモリ制御方法

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JP (1) JPH01149543A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007024884A (ja) * 2005-07-11 2007-02-01 Samsung Electronics Co Ltd 半導体装置、テスト基板、半導体装置のテストシステム及び半導体装置のテスト方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007024884A (ja) * 2005-07-11 2007-02-01 Samsung Electronics Co Ltd 半導体装置、テスト基板、半導体装置のテストシステム及び半導体装置のテスト方法

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