JPH0114920B2 - - Google Patents
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- Steroid Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、下垂体性ゴナドトロピン(FSH、
LH)の産生と放出を抑制し、子宮内膜症の治療
薬として有用な新規ゴナトリエン誘導体およびそ
の製造法に関する。
LH)の産生と放出を抑制し、子宮内膜症の治療
薬として有用な新規ゴナトリエン誘導体およびそ
の製造法に関する。
従来、下垂体性ゴナドトロピンの産生と放出を
抑制する薬剤としてはダナゾール(Danazol)が
挙げられ、子宮内膜症の治療薬として極めて有効
であることが示されているが、更に活性の高い子
宮内膜症治療薬について鋭意研究した結果、ダナ
ゾールより更に強力にゴナドトロピンの産生と放
出を抑制し、従つてより少用量で子宮内膜症を治
療することのできる化合物を見い出し本発明に到
達した。
抑制する薬剤としてはダナゾール(Danazol)が
挙げられ、子宮内膜症の治療薬として極めて有効
であることが示されているが、更に活性の高い子
宮内膜症治療薬について鋭意研究した結果、ダナ
ゾールより更に強力にゴナドトロピンの産生と放
出を抑制し、従つてより少用量で子宮内膜症を治
療することのできる化合物を見い出し本発明に到
達した。
本発明の要旨は、下記一般式()
〔式中、RはC1〜C3のアルキル基、Xは−OR1
または−SR2を表わし、R1及びR2はともにC1〜
C3のアルキル基を表わす。〕で示されるゴナトリ
エン誘導体およびその製造法に存する。
または−SR2を表わし、R1及びR2はともにC1〜
C3のアルキル基を表わす。〕で示されるゴナトリ
エン誘導体およびその製造法に存する。
上記一般式()において、Rは、メチル、エ
チル、ブロピルおよびイソプロピル基の炭素数1
〜3のアルキル基を示すが、メチル基およびエチ
ル基が好ましい。Xは、−OR1または−SR2を示
し、R1及びR2はともにC1〜C3のアルキル基を示
すが、−OCH3および−SCH3が好ましい。
チル、ブロピルおよびイソプロピル基の炭素数1
〜3のアルキル基を示すが、メチル基およびエチ
ル基が好ましい。Xは、−OR1または−SR2を示
し、R1及びR2はともにC1〜C3のアルキル基を示
すが、−OCH3および−SCH3が好ましい。
本発明化合物の具体例としては、例えば、次の
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
17α−メトキシメチル−17β−ヒドロキシ−13β
−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ン 17α−メトキシメチル−17β−ヒドロキシ−13β
−エチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ン 17α−メトキシメチル−17β−ヒドロキシ−13β
−プロピル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−
オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−エチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−プロピル−ゴナ−4,9,11−トリエン−
3−オン 次に、本発明化合物の製造法について説明す
る。
−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ン 17α−メトキシメチル−17β−ヒドロキシ−13β
−エチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ン 17α−メトキシメチル−17β−ヒドロキシ−13β
−プロピル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−
オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−エチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 17α−メチルチオメチル−17β−ヒドロキシ−
13β−プロピル−ゴナ−4,9,11−トリエン−
3−オン 次に、本発明化合物の製造法について説明す
る。
本発明の一般式()で示されるゴナトリエン
誘導体は下記一般式()で示されるそれ自体公
知(フランス特許第1526962号(1968年)および
フランス特許第1526961号(1968年))のジケトン
類から次のルートに従つて製造される。
誘導体は下記一般式()で示されるそれ自体公
知(フランス特許第1526962号(1968年)および
フランス特許第1526961号(1968年))のジケトン
類から次のルートに従つて製造される。
〔式中、RおよびXは一般式()で定義したと
おりであり、Yはエチレン基、トリメチレン基ま
たは2,2−ジメチルトリメチレン基を表わす。〕 一般式()のジケトンは3位カルボニル基が
選択的に保護される。通常、一般式()のジケ
トンにエチレングリコール、トリメチレングリコ
ール、2,2−ジメチルトリメチレングリコール
を酸性条件下に作用させて一般式()のアセタ
ールを得る。この際、脱水剤としてオルトギ酸メ
チル、オルトギ酸エチルなどのオルトエステル類
を共存させると良い。又、オルトエステル類を使
用しない場合には、ベンゼン、トルエンなどの水
と共沸する溶媒を使用して生成する水を共沸脱水
しながら行うこともできる。
おりであり、Yはエチレン基、トリメチレン基ま
たは2,2−ジメチルトリメチレン基を表わす。〕 一般式()のジケトンは3位カルボニル基が
選択的に保護される。通常、一般式()のジケ
トンにエチレングリコール、トリメチレングリコ
ール、2,2−ジメチルトリメチレングリコール
を酸性条件下に作用させて一般式()のアセタ
ールを得る。この際、脱水剤としてオルトギ酸メ
チル、オルトギ酸エチルなどのオルトエステル類
を共存させると良い。又、オルトエステル類を使
用しない場合には、ベンゼン、トルエンなどの水
と共沸する溶媒を使用して生成する水を共沸脱水
しながら行うこともできる。
一般式()のアセタールは、沃化トリメチル
スルホニウム、沃化トリメチルスルホキソニウ
ム、塩化トリメチルスルホキソニウムなどのトリ
メチルスルホニウム、トリメチルスルホキソニウ
ム類にカリウムt−ブトキシド、水素化ナトリウ
ムなどの塩基性物質を作用させて発生させたジメ
チルスルホニウムメチリドあるいはジメチルオキ
ソスルホニウムメチリドを反応させて一般式
()のエポキシトリエンにすることができる。
この場合、トリメチルスルホニウム、トリメチル
スルホキソニウム類はアセタール()の等モル
以上、好ましくは1.2〜5倍モル、カリウムt−
ブトキシド、水素化ナトリウムはトリメチルスル
ホニウムあるいはトリメチルスルホキソニウム類
の等モル以上、好ましくは1.1〜1.5倍モル使用さ
れる。溶媒はジメチルスルホキシド、ジメチルホ
ルムアルデヒド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドンなどの極性の高い非プロトン性溶
媒が好適に使用される。反応温度は−10℃〜50
℃、好ましくは0℃〜30℃である。
スルホニウム、沃化トリメチルスルホキソニウ
ム、塩化トリメチルスルホキソニウムなどのトリ
メチルスルホニウム、トリメチルスルホキソニウ
ム類にカリウムt−ブトキシド、水素化ナトリウ
ムなどの塩基性物質を作用させて発生させたジメ
チルスルホニウムメチリドあるいはジメチルオキ
ソスルホニウムメチリドを反応させて一般式
()のエポキシトリエンにすることができる。
この場合、トリメチルスルホニウム、トリメチル
スルホキソニウム類はアセタール()の等モル
以上、好ましくは1.2〜5倍モル、カリウムt−
ブトキシド、水素化ナトリウムはトリメチルスル
ホニウムあるいはトリメチルスルホキソニウム類
の等モル以上、好ましくは1.1〜1.5倍モル使用さ
れる。溶媒はジメチルスルホキシド、ジメチルホ
ルムアルデヒド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドンなどの極性の高い非プロトン性溶
媒が好適に使用される。反応温度は−10℃〜50
℃、好ましくは0℃〜30℃である。
一般式()のアルコキシメチルトリエンは一
般式()のエポキシトリエンにナトリウムある
いはカリウムのメトキシド、エトキシド、プロプ
キシドを反応させることによつて得られる。この
場合、金属アルコキシドはエポキシトリエン
()の等モル以上、好ましくは10〜20倍モル使
用される。溶媒は用いる金属アルコキシドに相応
し、メタノール、エタノール、プロパノールが使
用される。反応温度は室温以上、通常加熱還流下
に行なわれるのが好ましい。
般式()のエポキシトリエンにナトリウムある
いはカリウムのメトキシド、エトキシド、プロプ
キシドを反応させることによつて得られる。この
場合、金属アルコキシドはエポキシトリエン
()の等モル以上、好ましくは10〜20倍モル使
用される。溶媒は用いる金属アルコキシドに相応
し、メタノール、エタノール、プロパノールが使
用される。反応温度は室温以上、通常加熱還流下
に行なわれるのが好ましい。
一方、一般式()のアルキルチオメチルトリ
エンは一般式()のエポキシトリエンにメチル
メルカプタン、エチルメルカプタン、プロピルメ
ルカプタンのナトリウム塩を反応させることによ
つて得られる。この場合、アルキルメルカプタン
のナトリウム塩はエポキシトリエン()の等モ
ル以上、好ましくは2〜3倍モル使用される。溶
媒はエチレングリコール、メタノール、エタノー
ル、プロパノールなどのアルコール類が好まし
い。反応温度は室温以上30〜70℃が好ましい。
エンは一般式()のエポキシトリエンにメチル
メルカプタン、エチルメルカプタン、プロピルメ
ルカプタンのナトリウム塩を反応させることによ
つて得られる。この場合、アルキルメルカプタン
のナトリウム塩はエポキシトリエン()の等モ
ル以上、好ましくは2〜3倍モル使用される。溶
媒はエチレングリコール、メタノール、エタノー
ル、プロパノールなどのアルコール類が好まし
い。反応温度は室温以上30〜70℃が好ましい。
一般式()のアルコキシメチルトリエンある
いはアルキルチオメチルトリエンは、酸性条件下
でアセタール基を分解して、3位カルボニル基を
再生させると所望の一般式()のゴナトリエン
を得ることができる。この工程は公知のアセター
ル脱保護法ならどの様な方法も採用できるが、ア
セトン、メチルエチルケトンなどのケトン類を溶
媒とし、触媒量のp−トルエンスルホン酸、硫
酸、硝酸などの酸性化合物を添加して行うのが好
ましい。
いはアルキルチオメチルトリエンは、酸性条件下
でアセタール基を分解して、3位カルボニル基を
再生させると所望の一般式()のゴナトリエン
を得ることができる。この工程は公知のアセター
ル脱保護法ならどの様な方法も採用できるが、ア
セトン、メチルエチルケトンなどのケトン類を溶
媒とし、触媒量のp−トルエンスルホン酸、硫
酸、硝酸などの酸性化合物を添加して行うのが好
ましい。
本発明の一般式()のゴナトリエン誘導体
は、次のルートに従つて一般式()のゴナジエ
ン類からも製造できる。
は、次のルートに従つて一般式()のゴナジエ
ン類からも製造できる。
〔式中、RおよびXは一般式()で定義したと
おりであり、R1およびR2はC1〜C4のアルキル基
を示し、R1とR2が一緒になつて−(CH2)o−(n
は2〜4の整数)を表わしてもよい。〕 一般式()のゴナジエン類の製造法は
Arzneimittelforschung/Drug Res.24(1974)
896−900頁に記述された方法で製造できる。
おりであり、R1およびR2はC1〜C4のアルキル基
を示し、R1とR2が一緒になつて−(CH2)o−(n
は2〜4の整数)を表わしてもよい。〕 一般式()のゴナジエン類の製造法は
Arzneimittelforschung/Drug Res.24(1974)
896−900頁に記述された方法で製造できる。
一般式()のゴナジエンはジメチルアミン、
ジエチルアミン、ピロリジンなどのアミン類
()を反応させ一般式()のエナミンを製造
する。一般式()中、R1およびR2は炭素数1
〜4のアルキル基であり、R1とR2が一緒になつ
て−(CH2)o−(nは2〜4の整数)を形成してい
ても良い。通常、ピロリジンが好適に使用でき
る。アミン類()の使用量はゴナジエン()
の等モル以上、通常1.5〜3倍モルが使用される。
溶媒はメタノール、エタノール、プロパノールな
どの低級アルコール類が使用される。反応温度は
−10〜70℃、通常10〜40℃で実施される。
ジエチルアミン、ピロリジンなどのアミン類
()を反応させ一般式()のエナミンを製造
する。一般式()中、R1およびR2は炭素数1
〜4のアルキル基であり、R1とR2が一緒になつ
て−(CH2)o−(nは2〜4の整数)を形成してい
ても良い。通常、ピロリジンが好適に使用でき
る。アミン類()の使用量はゴナジエン()
の等モル以上、通常1.5〜3倍モルが使用される。
溶媒はメタノール、エタノール、プロパノールな
どの低級アルコール類が使用される。反応温度は
−10〜70℃、通常10〜40℃で実施される。
一般式()のエナミンは酢酸、プロピオン
酸、酪酸などの低級脂肪酸と処理すると一般式
()のジエンを与える。この際、低級脂肪酸類
は溶媒量使用してよく、また水が共存してもよ
い。低級脂肪酸に対する水の量は0.1〜0.5倍容量
が好適である。反応温度は−10〜50℃、好ましく
は−2〜10℃である。
酸、酪酸などの低級脂肪酸と処理すると一般式
()のジエンを与える。この際、低級脂肪酸類
は溶媒量使用してよく、また水が共存してもよ
い。低級脂肪酸に対する水の量は0.1〜0.5倍容量
が好適である。反応温度は−10〜50℃、好ましく
は−2〜10℃である。
一般式()のジエンをDDQ(ジシアノジクロ
ロベンゾキノン)で脱水素すると所望のゴナトリ
エン()が得られる。DDQの使用量はジエン
()の等モル以上、好ましくは1.5〜3倍モル使
用される。溶媒は非プロトン性溶媒が好ましく、
通常ジオキサン、テトラヒドロフランなど環状エ
ーテル類が使用される。反応温度は10〜50℃、通
常室温である。
ロベンゾキノン)で脱水素すると所望のゴナトリ
エン()が得られる。DDQの使用量はジエン
()の等モル以上、好ましくは1.5〜3倍モル使
用される。溶媒は非プロトン性溶媒が好ましく、
通常ジオキサン、テトラヒドロフランなど環状エ
ーテル類が使用される。反応温度は10〜50℃、通
常室温である。
本発明化合物()は、強い抗ゴナドトロピン
を作用し、子宮内膜症の治療薬として有用であ
る。
を作用し、子宮内膜症の治療薬として有用であ
る。
以下、実施例により、本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下
の実施例に限定されない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下
の実施例に限定されない。
実施例 1
17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチル−13β
−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−
オン 工程A:3−エチレンジオキシ−13β−メチル−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17−オン 8.83g(32.90mmol)の13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−3,17−ジオンを420ml
のテトラヒドロフランに溶解し、22mlのエチレン
グリコール、次いで触媒量(800mg)のp−トル
エンスルホン酸を加え、全体を氷浴中で0℃に冷
却した。43.8mlのオルトギ酸エチルを加え、窒素
気流下、0℃にて3時間撹拌した後に5mlのトリ
エチルアミンを加え反応を中止した。反応液を
300mlの酢酸エチルで希釈し、炭酸水素ナトリウ
ム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を200mlの塩化メチレンで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸留乾固
した後14.37gの粗生成物を黄色の油状物として
得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エ
チルの混合溶媒にて溶出し、7.09g(収率69.0
%)の3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン−17−オンを黄白色の
結晶として得た。
−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−
オン 工程A:3−エチレンジオキシ−13β−メチル−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17−オン 8.83g(32.90mmol)の13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−3,17−ジオンを420ml
のテトラヒドロフランに溶解し、22mlのエチレン
グリコール、次いで触媒量(800mg)のp−トル
エンスルホン酸を加え、全体を氷浴中で0℃に冷
却した。43.8mlのオルトギ酸エチルを加え、窒素
気流下、0℃にて3時間撹拌した後に5mlのトリ
エチルアミンを加え反応を中止した。反応液を
300mlの酢酸エチルで希釈し、炭酸水素ナトリウ
ム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を200mlの塩化メチレンで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸留乾固
した後14.37gの粗生成物を黄色の油状物として
得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エ
チルの混合溶媒にて溶出し、7.09g(収率69.0
%)の3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン−17−オンを黄白色の
結晶として得た。
工程B:3−エチレンジオキシ−13β−メチル−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−スピロ−
1′,2′−オキシラン 上記工程Aで得られた7.09g(22.69mmol)の
3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17−オンを70mlのジメチ
ルホルムアミドに溶解し、9.26gの沃化トリメチ
ルスルホニウムを加え、窒素気流下、室温にて5
分間撹拌した。次いで6.37gのカリウムt−ブト
キシドを加え、窒素気流下、室温にてさらに45分
間撹拌した。反応液を500mlの酢酸エチルで希釈
し、塩化アンモニウム飽和水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。洗浄した水層を300mlの酢酸エチルで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し
減圧下に蒸留乾固した後、9.86gの粗生成物を褐
色の油状物として得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて溶出し、
6.04g(収率81.1%)の3−エチレンジオキシ−
13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−
17β−スピロ−1′,2′−オキシランをアモルフア
ス状の固形物として得た。
ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−スピロ−
1′,2′−オキシラン 上記工程Aで得られた7.09g(22.69mmol)の
3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17−オンを70mlのジメチ
ルホルムアミドに溶解し、9.26gの沃化トリメチ
ルスルホニウムを加え、窒素気流下、室温にて5
分間撹拌した。次いで6.37gのカリウムt−ブト
キシドを加え、窒素気流下、室温にてさらに45分
間撹拌した。反応液を500mlの酢酸エチルで希釈
し、塩化アンモニウム飽和水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。洗浄した水層を300mlの酢酸エチルで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し
減圧下に蒸留乾固した後、9.86gの粗生成物を褐
色の油状物として得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて溶出し、
6.04g(収率81.1%)の3−エチレンジオキシ−
13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−
17β−スピロ−1′,2′−オキシランをアモルフア
ス状の固形物として得た。
工程C:3−エチレンジオキシ−17β−ヒドロキ
シ−17α−メトキシメチル−13β−メチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン 上記工程Bで得られた500mg(1.53mmol)の
3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17β−スピロ−1′,2′−
オキシランを15mlのメタノールに溶解した。次い
で1.14gのナトリウムメトキシドを加え、窒素気
流下、溶媒還流温度にて2時間撹拌した。反応液
を室温に冷却し、100mlの酢酸エチルで希釈し、
飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、洗浄した水層を50mlの酢酸エチルで抽出し
た。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、0.57gの粗生成
物を黄褐色の油状物として得、このものを精製す
ることなく次の工程で使用した。
シ−17α−メトキシメチル−13β−メチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン 上記工程Bで得られた500mg(1.53mmol)の
3−エチレンジオキシ−13β−メチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17β−スピロ−1′,2′−
オキシランを15mlのメタノールに溶解した。次い
で1.14gのナトリウムメトキシドを加え、窒素気
流下、溶媒還流温度にて2時間撹拌した。反応液
を室温に冷却し、100mlの酢酸エチルで希釈し、
飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、洗浄した水層を50mlの酢酸エチルで抽出し
た。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、0.57gの粗生成
物を黄褐色の油状物として得、このものを精製す
ることなく次の工程で使用した。
工程D:17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチ
ル−13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ン−3−オン 上記工程Cで得られた0.57gの3−エチレンジ
オキシ−17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチ
ル−13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
の粗生成物を10mlのアセトンに溶解し、1mlの水
を加え、次いで触媒量(20mg)のp−トルエンス
ルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌した後、
3mlの炭素水素ナトリウム水溶液を加え、反応を
中止した。反応液を50mlの酢酸エチルで希釈し、
水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を25mlの
酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した
後、0.48gの粗生成物を黄褐色の油状物として得
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチ
ルの混合溶媒で溶出し、332mg(収率69%)の
17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチル−13β−
メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オン
をアモルフアス状の固形物として得た。
ル−13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ン−3−オン 上記工程Cで得られた0.57gの3−エチレンジ
オキシ−17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチ
ル−13β−メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
の粗生成物を10mlのアセトンに溶解し、1mlの水
を加え、次いで触媒量(20mg)のp−トルエンス
ルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌した後、
3mlの炭素水素ナトリウム水溶液を加え、反応を
中止した。反応液を50mlの酢酸エチルで希釈し、
水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を25mlの
酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した
後、0.48gの粗生成物を黄褐色の油状物として得
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチ
ルの混合溶媒で溶出し、332mg(収率69%)の
17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチル−13β−
メチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オン
をアモルフアス状の固形物として得た。
NMR(CDCl3、90MHz)
δ:1.03(3H、s)
3.18(1H、d、J=9Hz)
3.40(3H、S)
3.45(1H、d、J=9Hz)
5.78(1H、brs)
6.55(2H、brs)
IR(KBr)3450、1640cm-1
実施例 2
13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−メトキ
シメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−オン 工程A:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17−オン 6.00g(21.25mmol)の13β−エチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−3,17−ジオンを315ml
のテトラヒドロフランに溶解し、14.2mlのエチレ
ングリコール、次いで触媒量(500mg)のp−ト
ルエンスルホン酸を加え、全体を氷浴中で0℃に
冷却した。28.3mlのオルトギ酸エチルを加え、窒
素気流下、0℃にて3時間撹拌した後、5mlのト
リエチルアミンを加え反応を中止した。反応液を
300mlの酢酸エチルで希釈し、炭酸水素ナトリウ
ム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を400mlの塩化メチレンで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾固
した後、9.58gの粗生成物を黄色の油状物として
得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エ
チルの混合溶媒にて溶出し、6.29g(収率90.6
%)の13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン−17−オンを黄白色の
結晶として得た。
シメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−オン 工程A:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17−オン 6.00g(21.25mmol)の13β−エチル−ゴナ−
4,9,11−トリエン−3,17−ジオンを315ml
のテトラヒドロフランに溶解し、14.2mlのエチレ
ングリコール、次いで触媒量(500mg)のp−ト
ルエンスルホン酸を加え、全体を氷浴中で0℃に
冷却した。28.3mlのオルトギ酸エチルを加え、窒
素気流下、0℃にて3時間撹拌した後、5mlのト
リエチルアミンを加え反応を中止した。反応液を
300mlの酢酸エチルで希釈し、炭酸水素ナトリウ
ム飽和水溶液、飽和食塩水で洗浄した。洗浄した
水層を400mlの塩化メチレンで抽出し、有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下に蒸発乾固
した後、9.58gの粗生成物を黄色の油状物として
得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エ
チルの混合溶媒にて溶出し、6.29g(収率90.6
%)の13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン−17−オンを黄白色の
結晶として得た。
工程B:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−スピロ−
1′,2′−オキシラン 上記工程Aで得られた6.29g(19.27mmol)の
13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17−オンを60mlのジメチ
ルホルムアミドに溶解し、7.86gの沃化トリメチ
ルスルホニウムを加え、窒素気流下、室温にて5
分間撹拌した。次いで5.41gのカリウムt−ブト
キシドを加え、窒素気流下、室温にてさらに45分
間撹拌した。反応液を500mlの酢酸エチルで希釈
し、塩化アンモニウム飽和水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。洗浄した水層を300mlの酢酸エチルで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し
減圧下に蒸発乾固した後、8.17gの粗生成物を褐
色の油状物として得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて溶出し、
5.63g(85.8%)の13β−エチル−3−エチレン
ジオキシ−ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−
スピロ−1′,2′−オキシランをアモルフアス状の
固形物として得た。
ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−スピロ−
1′,2′−オキシラン 上記工程Aで得られた6.29g(19.27mmol)の
13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17−オンを60mlのジメチ
ルホルムアミドに溶解し、7.86gの沃化トリメチ
ルスルホニウムを加え、窒素気流下、室温にて5
分間撹拌した。次いで5.41gのカリウムt−ブト
キシドを加え、窒素気流下、室温にてさらに45分
間撹拌した。反応液を500mlの酢酸エチルで希釈
し、塩化アンモニウム飽和水溶液、飽和食塩水で
洗浄した。洗浄した水層を300mlの酢酸エチルで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し
減圧下に蒸発乾固した後、8.17gの粗生成物を褐
色の油状物として得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイーで処理し、n−
ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒にて溶出し、
5.63g(85.8%)の13β−エチル−3−エチレン
ジオキシ−ゴナ−4,9,11−トリエン−17β−
スピロ−1′,2′−オキシランをアモルフアス状の
固形物として得た。
工程C:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン 上記工程Bで得られた3.26g(9.57mmol)の
13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17β−スピロ−1′,2′−
オキシランを100mlのメタノールに溶解した。次
いで7.28gのナトリウムメトキシドを加え、窒素
気流下、溶媒加熱温度にて8時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、400mlの酢酸エチルで希釈し、
飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、洗浄した水層を200mlの酢酸エチルで抽出し
た。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、3.41gの粗生成
物を黄褐色の油状物として得、このものを精製す
ることなく次の工程で使用した。
17β−ヒドロキシ−17α−メトキシメチル−ゴ
ナ−4,9,11−トリエン 上記工程Bで得られた3.26g(9.57mmol)の
13β−エチル−3−エチレンジオキシ−ゴナ−
4,9,11−トリエン−17β−スピロ−1′,2′−
オキシランを100mlのメタノールに溶解した。次
いで7.28gのナトリウムメトキシドを加え、窒素
気流下、溶媒加熱温度にて8時間撹拌した。反応
液を室温に冷却し、400mlの酢酸エチルで希釈し、
飽和塩化アンモニウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、洗浄した水層を200mlの酢酸エチルで抽出し
た。有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下に蒸留乾固した後、3.41gの粗生成
物を黄褐色の油状物として得、このものを精製す
ることなく次の工程で使用した。
工程D:13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−
メトキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
−3−オン 上記工程Cで得られた3.41gの13β−エチル−
3−エチレンジオキシ−17β−ヒドロキシ−17α
−メトキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
の粗生成物を150mlのアセトンに溶解し、30mlの
水を加え、次いで触媒量(100mg)のp−トルエ
ンスルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌した
後、10mlの炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、反
応を中止した。反応液を400mlの酢酸エチルで希
釈し、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を
200mlの酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸発乾
固した後、3.00gの粗生成物を黄褐色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢
酸エチルの混合溶媒で溶出し、2.30g(収率76
%)の13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−メ
トキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オンをアモルフアス状の固形物として得た。
メトキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
−3−オン 上記工程Cで得られた3.41gの13β−エチル−
3−エチレンジオキシ−17β−ヒドロキシ−17α
−メトキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン
の粗生成物を150mlのアセトンに溶解し、30mlの
水を加え、次いで触媒量(100mg)のp−トルエ
ンスルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌した
後、10mlの炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、反
応を中止した。反応液を400mlの酢酸エチルで希
釈し、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を
200mlの酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸発乾
固した後、3.00gの粗生成物を黄褐色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢
酸エチルの混合溶媒で溶出し、2.30g(収率76
%)の13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−メ
トキシメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オンをアモルフアス状の固形物として得た。
NMR(CDCl3、90MHz)
δ:1.03(3H、t、J=7.5Hz)
3.18(1H、t、J=8Hz)
3.40(3H、S)
3.45(1H、d、J=9Hz)
5.78(1H、brs)
6.55(2H、brs)
IR(KBr)3450、1640cm-1
実施例 3
13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−メチル
チオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 工程A:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
17β−ヒドロキシ−17α−メチルチオメチル−
ゴナ−4,9,11−トリエン 実施例2の工程A、Bと同様の操作で得られた
3.58g(10.3mmol)の13β−エチル−3−エチレ
ンジオキシ−ゴナ−4,9,11−トリエン−17β
−スピロ−1′,2′−オキシランを150mlのエチレ
ングリコールに溶解した。次いで12mlの15%メチ
ルメルカプタンナトリウム水溶液を加え、窒素気
流下、60℃において3時間撹拌した。反応液を室
温に冷却し、500mlの酢酸エチルで希釈し、水、
飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を200mlの酢
酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した
後、9.70gの粗生成物を褐色の油状物として得、
このものを精製することなく次の工程で使用し
た。
チオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3
−オン 工程A:13β−エチル−3−エチレンジオキシ−
17β−ヒドロキシ−17α−メチルチオメチル−
ゴナ−4,9,11−トリエン 実施例2の工程A、Bと同様の操作で得られた
3.58g(10.3mmol)の13β−エチル−3−エチレ
ンジオキシ−ゴナ−4,9,11−トリエン−17β
−スピロ−1′,2′−オキシランを150mlのエチレ
ングリコールに溶解した。次いで12mlの15%メチ
ルメルカプタンナトリウム水溶液を加え、窒素気
流下、60℃において3時間撹拌した。反応液を室
温に冷却し、500mlの酢酸エチルで希釈し、水、
飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層を200mlの酢
酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留乾固した
後、9.70gの粗生成物を褐色の油状物として得、
このものを精製することなく次の工程で使用し
た。
工程B:13β−エチル−17β−ヒドロキシ−17α−
メチルチオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ン−3−オン 上記工程Aで得られた9.70gの13β−エチル−
3−エチレンジオキシ−17β−ヒドロキシ−17α
−メチルチオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ンの粗生成物を150mlのアセトンに溶解し、30ml
の水を加え、次いで触媒量(100mg)のp−トル
エンスルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌し
た後に10mlの炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて
反応を中止した。反応液を300mlの酢酸エチルで
希釈し、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層
を150mlの酢酸エチルで抽出した。有機層を合わ
せ無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留
乾固した後、5.44gの粗生成物を褐色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマ
トグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチ
ルの混合溶媒で溶出し、2.29g(収率42%)の
13β−エチル−17α−ヒドロキシ−17β−メチルチ
オメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ンをアモルフアス状の固形物として得た。
メチルチオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ン−3−オン 上記工程Aで得られた9.70gの13β−エチル−
3−エチレンジオキシ−17β−ヒドロキシ−17α
−メチルチオメチル−ゴナ−4,9,11−トリエ
ンの粗生成物を150mlのアセトンに溶解し、30ml
の水を加え、次いで触媒量(100mg)のp−トル
エンスルホン酸を加えた。室温にて10分間撹拌し
た後に10mlの炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて
反応を中止した。反応液を300mlの酢酸エチルで
希釈し、水、飽和食塩水で洗浄し、洗浄した水層
を150mlの酢酸エチルで抽出した。有機層を合わ
せ無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に蒸留
乾固した後、5.44gの粗生成物を褐色の油状物と
して得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマ
トグラフイーで処理し、n−ヘキサン−酢酸エチ
ルの混合溶媒で溶出し、2.29g(収率42%)の
13β−エチル−17α−ヒドロキシ−17β−メチルチ
オメチル−ゴナ−4,9,11−トリエン−3−オ
ンをアモルフアス状の固形物として得た。
NMR(CDCl3、90MHz)
δ:1.03(3H、t、J=7.5Hz)
2.20(3H、S)
5.78(1H、brs)
6.40(1H、d、J=10.5Hz)
6.62(1H、d、J=10.5Hz)
IR(KBr)3450、1640cm-1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式(): 〔式中、RはC1〜C3のアルキル基、xは−OR1
または−SR2を表わし、R1及びR2はともにC1〜
C3のアルキル基を示す。〕 で示されるゴナトリエン誘導体。 2 下記一般式(): 〔式中、RはC1〜C3のアルキル基、xは−OR1
または−SR2を表わし、R1及びR2はともにC1〜
C3のアルキル基を表わす。〕 で示されるゴナトリエン誘導体を製造する方法に
おいて、下記一般式(): 〔式中、RはC1〜C3のアルキル基を表わす。〕 の化合物にエチレングリコール、トリメチレング
リコールまたは2,2−ジメチルトリメチレング
リコールを酸性条件下に反応させて下記一般式
(): 〔式中、Rは一般式()で定義したとおりであ
り、Yはエチレン基、トリメチレン基、2,2−
ジメチルトリメチレン基を表わす。〕 の中間生成物を生成させ、次いで生成した一般式
()の化合物にジメチルスルホニウムメチリド
またはジメチルオキソスルホニウムメチリドを反
応させて下記一般式(): 〔式中、RおよびYは一般式()および()
で定義したとおりである。〕 の中間生成物を生成させ、この一般式()の化
合物に金属アルコキシドまたは金属アルキルスル
フイドを反応させて下記一般式(): 〔式中、R、XおよびYは一般式()および
()で定義したとおりである。〕 の中間生成物を生成させ、さらに酸で処理して3
−アセタール保護基を脱離することにより一般式
()のゴナトリエン誘導体を製造するか、ある
いは、中間生成物()に金属アルコキシドまた
は金属アルキルスルフイドを作用させて直接一般
式()のゴナトリエン誘導体を製造することを
特徴とする一般式()のゴナトリエン誘導体の
製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29613585A JPS62153297A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 新規なゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
HU393486A HU201091B (en) | 1985-12-26 | 1986-09-15 | Process for producing gonatriene derivatives and pharmaceutical compositions comprising same |
DE8686402039T DE3673515D1 (de) | 1985-12-26 | 1986-09-17 | Gonatrien-derivate und verfahren zu ihrer herstellung. |
EP19860402039 EP0231671B1 (en) | 1985-12-26 | 1986-09-17 | Gonatriene derivatives and process for preparing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29613585A JPS62153297A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 新規なゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62153297A JPS62153297A (ja) | 1987-07-08 |
JPH0114920B2 true JPH0114920B2 (ja) | 1989-03-14 |
Family
ID=17829601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29613585A Granted JPS62153297A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 新規なゴナトリエン誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62153297A (ja) |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29613585A patent/JPS62153297A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62153297A (ja) | 1987-07-08 |
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