JPH01145392A - イリジウムるつぼ及びその製造方法 - Google Patents
イリジウムるつぼ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH01145392A JPH01145392A JP30256987A JP30256987A JPH01145392A JP H01145392 A JPH01145392 A JP H01145392A JP 30256987 A JP30256987 A JP 30256987A JP 30256987 A JP30256987 A JP 30256987A JP H01145392 A JPH01145392 A JP H01145392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- diameter
- iridium
- melting
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 43
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気バブルメモリー素子、ＹＡＧレーザ−、
表面弾性波素子などの単結晶を、引上げ法により製造す
る際、高周波誘導加熱炉で酸化物を溶融する為に使用す
るイリジウムるつぼ及びその製造方法に関する。
表面弾性波素子などの単結晶を、引上げ法により製造す
る際、高周波誘導加熱炉で酸化物を溶融する為に使用す
るイリジウムるつぼ及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、イリジウムるつぼを製造するには、第２図ａに示
すイリジウムより成る圧延板材１を切り出して、第２図
すに示す如く底板用円板２と周壁用矩形板３を作り、次
に周壁用矩形板３を第２図Ｃに示す如く円筒形に成形し
て両端を溶接し、次いでこの円筒体４に第２図ｄに示す
如く底板周円Ｆ１ｉ２を溶接し、然る後溶接部５を仕上
げ研削して、第２図ｅに示す如くイリジウムるつぼ６を
得ている。
すイリジウムより成る圧延板材１を切り出して、第２図
すに示す如く底板用円板２と周壁用矩形板３を作り、次
に周壁用矩形板３を第２図Ｃに示す如く円筒形に成形し
て両端を溶接し、次いでこの円筒体４に第２図ｄに示す
如く底板周円Ｆ１ｉ２を溶接し、然る後溶接部５を仕上
げ研削して、第２図ｅに示す如くイリジウムるつぼ６を
得ている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで上記の製造方法で得たイリジウムるつぼ６は、
溶接部５に欠陥の存在するものがあり、欠陥の存在する
イリジウムるつぼ６を高周波誘導加熱炉にセットし、酸
化物をイリジウムるつぼ６に入れて高周波誘導加熱炉の
運転により溶解すると、溶解中に溶接部５から液洩れを
発生することが多い。またイリジウムるつぼ６の内面の
溶接部 ゛は研削が困難である為、肉厚が不均一で
あることから、加熱も不均一になり易く、良質の単結晶
が得られにくいとう問題点があった。
溶接部５に欠陥の存在するものがあり、欠陥の存在する
イリジウムるつぼ６を高周波誘導加熱炉にセットし、酸
化物をイリジウムるつぼ６に入れて高周波誘導加熱炉の
運転により溶解すると、溶解中に溶接部５から液洩れを
発生することが多い。またイリジウムるつぼ６の内面の
溶接部 ゛は研削が困難である為、肉厚が不均一で
あることから、加熱も不均一になり易く、良質の単結晶
が得られにくいとう問題点があった。
（発明の目的）
本発明は上記問題点を解決すべくなされたもので、酸化
物゛が溶解中に液洩れを発生することがなく、加熱を均
一にできて、良質の単結晶を得ることのできるイリジウ
ムるつぼ及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
物゛が溶解中に液洩れを発生することがなく、加熱を均
一にできて、良質の単結晶を得ることのできるイリジウ
ムるつぼ及びその製造方法を提供することを目的とする
ものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のイリジウムるつぼ
は、溶接部分を有しない庭付円筒形で、高さと直径の比
が最大２倍になされていることを特徴とするものである
。
は、溶接部分を有しない庭付円筒形で、高さと直径の比
が最大２倍になされていることを特徴とするものである
。
上記イリジウムるつぼを作る本発明の製造方法は、るつ
ぼ径の最大５倍の径を有する厚さ０．１〜３、５ｎｍの
イリジウム円板を、円柱状金型に押付けて回転し、８０
０°Ｃ以上の温度に加熱し乍ら絞り加工を施して庇付円
筒体を作り、然る後これの上端周縁を仕上げ切削加工し
て、高さと直径の比が最大２倍のるつぼを作ることを特
徴とするものである。
ぼ径の最大５倍の径を有する厚さ０．１〜３、５ｎｍの
イリジウム円板を、円柱状金型に押付けて回転し、８０
０°Ｃ以上の温度に加熱し乍ら絞り加工を施して庇付円
筒体を作り、然る後これの上端周縁を仕上げ切削加工し
て、高さと直径の比が最大２倍のるつぼを作ることを特
徴とするものである。
上記本発明のイリジウムるつぼに於いて、高さと直径の
比が最大２倍になされている理由は、２倍を超えると製
作上溶接部分を有しないイリジウムるつぼを絞り加工に
より製作することが困難となるからである。
比が最大２倍になされている理由は、２倍を超えると製
作上溶接部分を有しないイリジウムるつぼを絞り加工に
より製作することが困難となるからである。
また本発明のイリジウムるつぼの製造方法に於いて、る
つぼ径の最大５倍の径を有する厚さ０．１〜３．５ｍｍ
のイリジウム円板を用いる理由は、高さと直径の比が最
大２倍となるイリジウムるつぼを作る為で、その場合厚
さが０．１１未満では絞り加工の際、底板周縁の曲げ部
分が破れる恐れがあり、３．５ｍｍを超えると絞り加工
が困難となるからである。また絞り加工の際、８００°
Ｃ以上の温度に加熱する理由は、絞り加工し易いように
イリジウムを軟らかくする為で、８００°Ｃ未満では絞
り加工が困難となるからである。
つぼ径の最大５倍の径を有する厚さ０．１〜３．５ｍｍ
のイリジウム円板を用いる理由は、高さと直径の比が最
大２倍となるイリジウムるつぼを作る為で、その場合厚
さが０．１１未満では絞り加工の際、底板周縁の曲げ部
分が破れる恐れがあり、３．５ｍｍを超えると絞り加工
が困難となるからである。また絞り加工の際、８００°
Ｃ以上の温度に加熱する理由は、絞り加工し易いように
イリジウムを軟らかくする為で、８００°Ｃ未満では絞
り加工が困難となるからである。
（作用）
上述の如く本発明のイリジウムるつぼの製造方法では、
イリジウム円板を８００°Ｃ以上の温度に加熱し乍ら絞
り加工するので、従来室温では脆くて加工できなかった
イリジウムを容易に加工できて、溶接部の無いるつぼを
得ることができる。
イリジウム円板を８００°Ｃ以上の温度に加熱し乍ら絞
り加工するので、従来室温では脆くて加工できなかった
イリジウムを容易に加工できて、溶接部の無いるつぼを
得ることができる。
またこうして得たイリジウムるつぼは、溶接部を有しな
いので、高周波誘導加熱炉にセットし、イリジウムるつ
ぼ内に酸化物を入れて、高周波誘導加熱炉の運転により
溶解した際、液洩れすることがない。さらに溶接部を有
しないので、肉厚を均一にでき、従って加熱も均一にな
り、良質の単結晶を得ることができる。
いので、高周波誘導加熱炉にセットし、イリジウムるつ
ぼ内に酸化物を入れて、高周波誘導加熱炉の運転により
溶解した際、液洩れすることがない。さらに溶接部を有
しないので、肉厚を均一にでき、従って加熱も均一にな
り、良質の単結晶を得ることができる。
（実施例）
本発明のイリジウムるつぼ及びその製造方法の一実施例
を図によって説明する。第１図ａに示す如く一辺２００
ｍで厚さ２Ｍの方形のイリジウムより成る圧延板材１′
を切り出して、第１図すに示す如く直径１７０ｎｎのイ
リジウム円板７を作り、次にこのイリジウム円板７を第
１図Ｃに示す如く旋盤の主軸に取り付けた直径４６ｔｍ
の円柱状金型８に押付けて回転し、Ｈｚ＋Ｏｚガスバー
ナ９で直線イリジウム円板７を約１０００°Ｃに加熱し
乍らへら絞り加工を施して、第１図ｄに示す如く庇付円
筒体１０を作り、然る後この庇付円筒体１０の上端周縁
を仕上げ切削加工して高さ５０ｍｍ、内径４６腸、厚さ
１．９鵬のイリジウムるつぼ１１を作った。
を図によって説明する。第１図ａに示す如く一辺２００
ｍで厚さ２Ｍの方形のイリジウムより成る圧延板材１′
を切り出して、第１図すに示す如く直径１７０ｎｎのイ
リジウム円板７を作り、次にこのイリジウム円板７を第
１図Ｃに示す如く旋盤の主軸に取り付けた直径４６ｔｍ
の円柱状金型８に押付けて回転し、Ｈｚ＋Ｏｚガスバー
ナ９で直線イリジウム円板７を約１０００°Ｃに加熱し
乍らへら絞り加工を施して、第１図ｄに示す如く庇付円
筒体１０を作り、然る後この庇付円筒体１０の上端周縁
を仕上げ切削加工して高さ５０ｍｍ、内径４６腸、厚さ
１．９鵬のイリジウムるつぼ１１を作った。
こうして作った本発明のイリジウムるつぼ１１は、溶接
部が無い物であるため、従来のような溶接部の欠陥が無
く、従って高周波誘導加熱炉にセットし、イリジウムる
つぼ１１内に酸化物例えばＹＡＧを入れて、高周波誘導
加熱炉の運転により溶解した際、液洩れすることが無か
った。また本発明のイリジウムるつぼ１１は溶接部が無
く、肉厚が均一であるので、ＹＡＧの溶解時加熱が均一
になって、良質の単結晶が得られた。
部が無い物であるため、従来のような溶接部の欠陥が無
く、従って高周波誘導加熱炉にセットし、イリジウムる
つぼ１１内に酸化物例えばＹＡＧを入れて、高周波誘導
加熱炉の運転により溶解した際、液洩れすることが無か
った。また本発明のイリジウムるつぼ１１は溶接部が無
く、肉厚が均一であるので、ＹＡＧの溶解時加熱が均一
になって、良質の単結晶が得られた。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のイリジウムるつぼは、
溶接部が無くて、酸化物の溶解中液洩れすることが無く
、また加熱を均一にできて、良質の単結晶を得ることが
できる。
溶接部が無くて、酸化物の溶解中液洩れすることが無く
、また加熱を均一にできて、良質の単結晶を得ることが
できる。
また本発明のイリジウムるつぼの製造方法によれば、上
記の優れたイリジウムるつぼを容易に製造できる。
記の優れたイリジウムるつぼを容易に製造できる。
第１図ａ乃至ｅは本発明によるイリジウムるつぼの製造
方法の工程を示す図、第２図ａ乃至ｅは従来のイリジウ
ムるつぼの製造方法の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
方法の工程を示す図、第２図ａ乃至ｅは従来のイリジウ
ムるつぼの製造方法の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (2)
- （１）溶接部分を有しない底付円筒形で、高さと直径の
比が最大２倍になされていることを特徴とするイリジウ
ムるつぼ。 - （２）るつぼ径の最大５倍の径を有する厚さ０．１〜３
．５ｍｍのイリジウム円板を、円柱状金型に押付けて回
転し、８００℃以上の温度に加熱し乍ら絞り加工を施し
て底付円筒体を作り、然る後これの上端周縁を仕上げ切
削加工して、高さと直径の比が最大２倍のるつぼを作る
ことを特徴とするイリジウムるつぼの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30256987A JPH01145392A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | イリジウムるつぼ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30256987A JPH01145392A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | イリジウムるつぼ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145392A true JPH01145392A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17910559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30256987A Pending JPH01145392A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | イリジウムるつぼ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01145392A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006205200A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | イリジウム又はイリジウム合金るつぼの製造方法 |
| JP2007240037A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Ulvac Materials Inc | 金属坩堝 |
| WO2022140807A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Fametec Gmbh | Verfahren zur herstellung eines einkristallinen kristalls, insbesondere eines saphirs |
| WO2022140806A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Fametec Gmbh | Vorrichtung zum züchten eines künstlich hergestellten einkristalls, insbesondere eines saphir-einkristalls |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57127527A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-07 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Method and apparatus for drawing of difficultly weldable metallic plate |
| JPS57156400A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-27 | Hitachi Metals Ltd | Crucible for preparing single crystal |
| JPS5832099A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-24 | Hitachi Metals Ltd | 単結晶の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30256987A patent/JPH01145392A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57127527A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-07 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Method and apparatus for drawing of difficultly weldable metallic plate |
| JPS57156400A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-27 | Hitachi Metals Ltd | Crucible for preparing single crystal |
| JPS5832099A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-24 | Hitachi Metals Ltd | 単結晶の製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006205200A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | イリジウム又はイリジウム合金るつぼの製造方法 |
| JP2007240037A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Ulvac Materials Inc | 金属坩堝 |
| WO2022140807A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Fametec Gmbh | Verfahren zur herstellung eines einkristallinen kristalls, insbesondere eines saphirs |
| WO2022140806A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Fametec Gmbh | Vorrichtung zum züchten eines künstlich hergestellten einkristalls, insbesondere eines saphir-einkristalls |
| AT524601A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-15 | Fametec Gmbh | Vorrichtung zum Züchten eines künstlich hergestellten Einkristalls, insbesondere eines Saphir-Einkristalls |
| AT524600A1 (de) * | 2020-12-29 | 2022-07-15 | Fametec Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Kristalls, insbesondere eines Saphirs |
| AT524601B1 (de) * | 2020-12-29 | 2023-04-15 | Fametec Gmbh | Vorrichtung zum Züchten eines künstlich hergestellten Einkristalls, insbesondere eines Saphir-Einkristalls |
| AT524600B1 (de) * | 2020-12-29 | 2023-05-15 | Fametec Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Kristalls, insbesondere eines Saphirs |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63233092A (ja) | 石英製二重ルツボの製造方法 | |
| JPH01145392A (ja) | イリジウムるつぼ及びその製造方法 | |
| JP2849602B2 (ja) | 単結晶サファイアの接合方法 | |
| JP3985144B2 (ja) | 酸化物イオン伝導性結晶体の製造方法 | |
| JP2019147698A (ja) | 結晶育成装置及び結晶育成方法 | |
| KR20190034578A (ko) | 전극용 링 | |
| JPS5849290B2 (ja) | 石英反応管 | |
| JPS62153191A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JPS60155594A (ja) | 単結晶引上げ方法及びその装置 | |
| JP3242520B2 (ja) | 多結晶シリコン製造方法および多結晶シリコン製造用坩堝 | |
| KR20190034604A (ko) | 전극판 | |
| JP2739196B2 (ja) | ダイヤモンドダイス及びその製造方法 | |
| JP6842056B2 (ja) | 棒状種結晶保持具 | |
| JP2002075924A (ja) | シリコン単結晶インゴットの加工方法 | |
| JPH04259269A (ja) | 固体レーザーロッドの製造方法 | |
| JPH11288881A (ja) | 矩形状ウエハの製造方法 | |
| JPS59167015A (ja) | 石英器具製造方法 | |
| JP2686662B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造装置 | |
| JPH02254285A (ja) | モリブデンルツボとそのモリブデンルツボ用素材の製造方法 | |
| JPH06135800A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS5829617B2 (ja) | 石英器具 | |
| JPS58145699A (ja) | リチウムニオベ−ト単結晶の単一分域化方法 | |
| JPS6149280B2 (ja) | ||
| CN114570819A (zh) | 一种钼坩埚及其旋压工艺 | |
| JPS6033216A (ja) | 針状チタン酸鉛焼成粉体の製造法 |