JPH01144641A - チップキャリア - Google Patents
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- JPH01144641A JPH01144641A JP30412587A JP30412587A JPH01144641A JP H01144641 A JPH01144641 A JP H01144641A JP 30412587 A JP30412587 A JP 30412587A JP 30412587 A JP30412587 A JP 30412587A JP H01144641 A JPH01144641 A JP H01144641A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子、特に半導体集積回路素子を収容す
る半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には外
部電気配線基板の配線導体に外部リード端子を介するこ
となく直接ロウ付けし、これによって内部に収容する半
導体素子を外部電気回路と電気的に接続するように成し
たチップキャリア（リードレスパッケージ）の改良に関
するものである。
る半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には外
部電気配線基板の配線導体に外部リード端子を介するこ
となく直接ロウ付けし、これによって内部に収容する半
導体素子を外部電気回路と電気的に接続するように成し
たチップキャリア（リードレスパッケージ）の改良に関
するものである。
従来、半導体集積回路素子（以下、半導体素子という）
を収容するためのチップキャリアは第２図に示すように
セラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成り、その外
周部、即ち側面及び底面に半導体素子を外部電気回路に
接続するためのタングステン（Ｋ）、モリブデン（Ｍｏ
）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層２３を
形成した絶縁基体２１と蓋体２２とから構成されており
、絶縁基体２１と蓋体２２から成る絶縁容器内部に半導
体素子２６が収容され気密封止されて半導体装置となる
。
を収容するためのチップキャリアは第２図に示すように
セラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成り、その外
周部、即ち側面及び底面に半導体素子を外部電気回路に
接続するためのタングステン（Ｋ）、モリブデン（Ｍｏ
）等の高融点金属粉末から成るメタライズ金属層２３を
形成した絶縁基体２１と蓋体２２とから構成されており
、絶縁基体２１と蓋体２２から成る絶縁容器内部に半導
体素子２６が収容され気密封止されて半導体装置となる
。
この従来のチップキャリアは内部に収容した半導体素子
２６を外部電気回路に接続するためにメタライズ金属層
２３の絶縁基体２１底面部が外部電気配線基板２８の配
線導体２９にロウ材３０を介しロウ付けされ、メタライ
ズ金属層２３の絶縁基体２１底面部にはその表面にロウ
付は強度を強固とするためのニッケル等の金属層２４が
めっきにより被着されている。
２６を外部電気回路に接続するためにメタライズ金属層
２３の絶縁基体２１底面部が外部電気配線基板２８の配
線導体２９にロウ材３０を介しロウ付けされ、メタライ
ズ金属層２３の絶縁基体２１底面部にはその表面にロウ
付は強度を強固とするためのニッケル等の金属層２４が
めっきにより被着されている。
しかし乍ら、絶縁基体２１には直接めっきができないこ
と及びめっき液の循環が悪いこと等からメタライズ金属
層２３の側面で絶縁基体２１表面近傍部分にはニッケル
めっき層２４を被着させることができず、ニッケルめっ
き層２４と絶縁基体２１との間にわずかな間隙が形成さ
れる。そのためこの間隙の一部に大気中に含まれる水分
等が付着するとニッケルめっき層２４に酸素濃度の相違
によるすきま腐蝕作用を発生し、ニッケルめっき層２４
に酸化物（錆）を形成して変色させることがある。また
この酸化物は導電性で、かつ拡散しやすいという性質を
有していることから多数のメタライズ金属層２３が近接
して形成されているチップキャリアにおいては前記錆の
拡散により隣接するメタライズ金属層２３間が短絡し、
その結果、半導体装置としての機能に支障を来たすとい
う重大な欠点を誘発する。
と及びめっき液の循環が悪いこと等からメタライズ金属
層２３の側面で絶縁基体２１表面近傍部分にはニッケル
めっき層２４を被着させることができず、ニッケルめっ
き層２４と絶縁基体２１との間にわずかな間隙が形成さ
れる。そのためこの間隙の一部に大気中に含まれる水分
等が付着するとニッケルめっき層２４に酸素濃度の相違
によるすきま腐蝕作用を発生し、ニッケルめっき層２４
に酸化物（錆）を形成して変色させることがある。また
この酸化物は導電性で、かつ拡散しやすいという性質を
有していることから多数のメタライズ金属層２３が近接
して形成されているチップキャリアにおいては前記錆の
拡散により隣接するメタライズ金属層２３間が短絡し、
その結果、半導体装置としての機能に支障を来たすとい
う重大な欠点を誘発する。
そこで、上記欠点を解消するためにタングステン（−）
、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金
属から成るメタライズ金属層の外表面全面にロウ材（特
に半田）と極めて反応性（濡れ性）の高い、化学的に安
定な白金（Ｐｔ） 、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれ
らの合金を主成分とする被覆層を形成したチップキャリ
アを本出願人は先に提案した。
、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金
属から成るメタライズ金属層の外表面全面にロウ材（特
に半田）と極めて反応性（濡れ性）の高い、化学的に安
定な白金（Ｐｔ） 、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれ
らの合金を主成分とする被覆層を形成したチップキャリ
アを本出願人は先に提案した。
しかし乍ら、この半導体素子を収容する容器に半導体素
子と外部電気回路とを接続するためのメタライズ金属層
を形成するとともに該メタライズ金属層表面に白金やパ
ラジウム等の被覆層を層着させたチップギヤリアにおい
ては、前記メタライズ金属層表面に白金やパラジウムも
しくはそれらの合金を主成分とする被覆層を設けたこと
から変色や半導体装置としての機能に支障を来すような
導電性の錆の発生を皆無とし、かつ外部電気配線基板の
配線導体に強固にロウ材は取着することができるものの
、半導体素子の電極をアルミニウムや金等のワイヤを介
して電気的に接続する際、前記白金、パラジウムもしく
はそれらの合金はそのヌープ硬度が３００〜５００と高
いため、超音波ボンディング法によりワイヤを前記被覆
層に接合させる場合、ワイヤが被覆層表面を滑って強固
に溶着接合させることができず、その結果、内部に収容
する半導体素子を外部電気回路に確実に接続することが
できないという欠点を誘発する。
子と外部電気回路とを接続するためのメタライズ金属層
を形成するとともに該メタライズ金属層表面に白金やパ
ラジウム等の被覆層を層着させたチップギヤリアにおい
ては、前記メタライズ金属層表面に白金やパラジウムも
しくはそれらの合金を主成分とする被覆層を設けたこと
から変色や半導体装置としての機能に支障を来すような
導電性の錆の発生を皆無とし、かつ外部電気配線基板の
配線導体に強固にロウ材は取着することができるものの
、半導体素子の電極をアルミニウムや金等のワイヤを介
して電気的に接続する際、前記白金、パラジウムもしく
はそれらの合金はそのヌープ硬度が３００〜５００と高
いため、超音波ボンディング法によりワイヤを前記被覆
層に接合させる場合、ワイヤが被覆層表面を滑って強固
に溶着接合させることができず、その結果、内部に収容
する半導体素子を外部電気回路に確実に接続することが
できないという欠点を誘発する。
本発明者は上記欠点に鑑み種々の実験の結果、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等
の高融点金属から成るメタライズ金属層表面にロウ材（
特に半田）と極めて反応性（濡れ性）の高い、化学的に
安定な白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれ
らの合金を主成分とする金属から成る被覆層を設け、か
つ半導体素子の電極がワイヤを介して接続されるボンデ
ィングバソド部の前記被覆層上に金（Ａｕ）を主成分と
する金属から成る金属層を層着させると導電性の錆の発
生を皆無とし、かつメタライズ金属層とロウ材との濡れ
性が著しく改善されて、チップキャリアの絶縁基体底面
のメタライズ金属層を外部電気配線基板の配線導体に強
固にロウ材は取着することができ、更にはアルミニウム
や金等から成るワイヤと被覆層との接合を強固として半
導体素子の各電極をメタライズ金属層に確実に接続し得
ることを知見した。
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等
の高融点金属から成るメタライズ金属層表面にロウ材（
特に半田）と極めて反応性（濡れ性）の高い、化学的に
安定な白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれ
らの合金を主成分とする金属から成る被覆層を設け、か
つ半導体素子の電極がワイヤを介して接続されるボンデ
ィングバソド部の前記被覆層上に金（Ａｕ）を主成分と
する金属から成る金属層を層着させると導電性の錆の発
生を皆無とし、かつメタライズ金属層とロウ材との濡れ
性が著しく改善されて、チップキャリアの絶縁基体底面
のメタライズ金属層を外部電気配線基板の配線導体に強
固にロウ材は取着することができ、更にはアルミニウム
や金等から成るワイヤと被覆層との接合を強固として半
導体素子の各電極をメタライズ金属層に確実に接続し得
ることを知見した。
本発明は」二記知見に基づき、変色や半導体装置として
の機能に支障を来すような導電性の錆の発生が皆無で、
かつ外部電気配線基板の配線導体とのロウ材は強度を極
めて強固なものとなし、内部に収容する半導体素子を外
部電気配線基板の配線導体に確実に接続することができ
るチップキャリアを（是供することをその目的とするも
のである。
の機能に支障を来すような導電性の錆の発生が皆無で、
かつ外部電気配線基板の配線導体とのロウ材は強度を極
めて強固なものとなし、内部に収容する半導体素子を外
部電気配線基板の配線導体に確実に接続することができ
るチップキャリアを（是供することをその目的とするも
のである。
な接続することができるチップキャリアを提供すること
にある。
にある。
本発明は半導体素子を収容する容器に、半導体素子と外
部電気回路とを接続するためのメタライズ金属層を設＆
−するとともに該メタライズ金属層上に白金、パラジウ
ムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆層を層着し
て成るチップキャリアにおいて、半導体素子の電極が接
続されるボンディングバソド部の前記被覆層上に金を主
成分とする金属層を層着させたことを特徴とするもので
ある。
部電気回路とを接続するためのメタライズ金属層を設＆
−するとともに該メタライズ金属層上に白金、パラジウ
ムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆層を層着し
て成るチップキャリアにおいて、半導体素子の電極が接
続されるボンディングバソド部の前記被覆層上に金を主
成分とする金属層を層着させたことを特徴とするもので
ある。
次に本発明を第１図に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明のチップキャリアの一実施例を示し、１
はセラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成る絶縁基
体、２は金等を被着させたコバール等の金属材料から成
る蓋体である。
はセラミック、ガラス等の電気絶縁材料から成る絶縁基
体、２は金等を被着させたコバール等の金属材料から成
る蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２で半導体素子を収納する容器を
構成する。
構成する。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子を収容す
るための空所を形成する段状の凹部を有しており、凹部
底面には半導体素子６が接着材を介し取着されている。
るための空所を形成する段状の凹部を有しており、凹部
底面には半導体素子６が接着材を介し取着されている。
また前記絶縁基体１には凹部段状上面から側面を介し底
面にかけて導出しているメタライズ金属層３が形成され
ており、メタライズ金属層３の凹部段状上面には半導体
素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接続され、また
メタライズ金属層３の基体１底面部は外部電気配線基板
８の配線導体９に半田等のロウ材１０を介しロウ付けさ
れる。
面にかけて導出しているメタライズ金属層３が形成され
ており、メタライズ金属層３の凹部段状上面には半導体
素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接続され、また
メタライズ金属層３の基体１底面部は外部電気配線基板
８の配線導体９に半田等のロウ材１０を介しロウ付けさ
れる。
前記メタライズ金属層３はタングステン（−）、モリブ
デン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末から成り、従来周知の
スクリーン印刷等の厚膜手法を採用することにより絶縁
基体１の外周部に形成される。
デン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末から成り、従来周知の
スクリーン印刷等の厚膜手法を採用することにより絶縁
基体１の外周部に形成される。
また、前記メタライズ金属層３の露出外表面には白金（
Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれらの合金を主
成分とする被覆層４がめつき等により被着形成されてお
り、被覆層４は化学的に安定であることからメタライズ
金属層３の側面で、絶縁基体１の表面近傍部分に間隙を
形成し、該間隙内に大気中に含まれる水分等が付着した
としてもすきま腐蝕作用を受けることはなく導電性の錆
を発生することは一切ない、またこの被覆層４は半田等
のロウ材と極めて反応性（濡れ性）が良（、メタライズ
金属層３を外部電気配線基板８の配線導体９に強めて強
固にロウ付けすることも可能となる。
Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれらの合金を主
成分とする被覆層４がめつき等により被着形成されてお
り、被覆層４は化学的に安定であることからメタライズ
金属層３の側面で、絶縁基体１の表面近傍部分に間隙を
形成し、該間隙内に大気中に含まれる水分等が付着した
としてもすきま腐蝕作用を受けることはなく導電性の錆
を発生することは一切ない、またこの被覆層４は半田等
のロウ材と極めて反応性（濡れ性）が良（、メタライズ
金属層３を外部電気配線基板８の配線導体９に強めて強
固にロウ付けすることも可能となる。
尚、前記白金（Ｐ ｔ）等から成る被覆層４はその層厚
を０．３〜３．０ μｍとすると安価にして、かつチッ
プキャリア底面のメタライズ金属層を外部電気−７＝ 回路基板の配線導体に強固にロウ付けすることができる
ことがら層厚を０．３〜３．０μｍの範囲とすることが
好ましい。
を０．３〜３．０ μｍとすると安価にして、かつチッ
プキャリア底面のメタライズ金属層を外部電気−７＝ 回路基板の配線導体に強固にロウ付けすることができる
ことがら層厚を０．３〜３．０μｍの範囲とすることが
好ましい。
また、前記メタライズ金属層３上に設けた被覆層４の上
部で半導体素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接続
されるポンディングパッド部１２には金を主成分とする
金属、例えば金（八〇）に微量のコバルト（Ｃｏ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）等を添加した金
属から成る金属層５が層着されており、該金属層５ばめ
っき等により被覆層４の半導体素子６の電極が接続され
るポンディングパッド部の上部に層着形成される。
部で半導体素子６の電極がワイヤ７を介し電気的に接続
されるポンディングパッド部１２には金を主成分とする
金属、例えば金（八〇）に微量のコバルト（Ｃｏ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）等を添加した金
属から成る金属層５が層着されており、該金属層５ばめ
っき等により被覆層４の半導体素子６の電極が接続され
るポンディングパッド部の上部に層着形成される。
前記金属層５は金を主成分とする金属により成っている
ことから、その硬度は低く、かつ化学的に安定あてるこ
とから半導体素子６の電極をアルミニウム（ＡＩ）や金
（Ａｕ）等のワイヤ７を介し接続する際、ワイヤ７と金
属層５とを確実に溶着させて強固な接合を可能とすると
ともに金属層５自体に酸化による変色等が発生すること
もない。
ことから、その硬度は低く、かつ化学的に安定あてるこ
とから半導体素子６の電極をアルミニウム（ＡＩ）や金
（Ａｕ）等のワイヤ７を介し接続する際、ワイヤ７と金
属層５とを確実に溶着させて強固な接合を可能とすると
ともに金属層５自体に酸化による変色等が発生すること
もない。
尚、前記金を主成分とする金属層５はその硬度（ヌープ
硬度）を９０以下、層厚を０．３〜３．０μｍとすると
安価にして、かつワイヤ７をメタライズ金属層３表面に
設けた被覆層４上に確実に接続することができ、金属層
５は硬度（ヌープ硬度）を９０以下、層厚を０．３〜３
．０μｍの範囲とすることが好ましい。
硬度）を９０以下、層厚を０．３〜３．０μｍとすると
安価にして、かつワイヤ７をメタライズ金属層３表面に
設けた被覆層４上に確実に接続することができ、金属層
５は硬度（ヌープ硬度）を９０以下、層厚を０．３〜３
．０μｍの範囲とすることが好ましい。
尚、前記金を主成分とする金属層５は半導体素子６の電
極がワイヤ７を介して接続される被覆層４のポンディン
グパッド部上にのみ設ける必要はなく、被覆層４の露出
するそと表面全面に設けてもよい。
極がワイヤ７を介して接続される被覆層４のポンディン
グパッド部上にのみ設ける必要はなく、被覆層４の露出
するそと表面全面に設けてもよい。
また、前記絶縁基体１の最上面にはメタライズ金属層３
が、更にその上部には被覆層４及び金属層５が夫々めっ
きにより被着されており、その上にコパール等の金属材
料から成る蓋体２を載置するとともに金−錫合金等の封
止部材１１を介し取着することによりチップキャリア内
部の空所は外気から完全に気密に封止され最終製品であ
る半導体装置となる。
が、更にその上部には被覆層４及び金属層５が夫々めっ
きにより被着されており、その上にコパール等の金属材
料から成る蓋体２を載置するとともに金−錫合金等の封
止部材１１を介し取着することによりチップキャリア内
部の空所は外気から完全に気密に封止され最終製品であ
る半導体装置となる。
かくして、本発明のチップキャリアによれば、容器に半
導体素子と外部電気回路とを接続するためのメタライズ
金属層を設けるとともに該メタライズ金属層上に白金、
パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆層
を層着し、かつ半導体素子の電極が接続されるポンディ
ングパッド部の前記被覆層上に金を主成分とする金属層
を設けたことからアルミニウム（Ａ」）や金（Ａｕ）等
から成るワイヤを前記ポンディングパッド部に強固に接
合させることが可能となり、半導体素子の各電極を外部
電気回路に確実に接続することができる。
導体素子と外部電気回路とを接続するためのメタライズ
金属層を設けるとともに該メタライズ金属層上に白金、
パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆層
を層着し、かつ半導体素子の電極が接続されるポンディ
ングパッド部の前記被覆層上に金を主成分とする金属層
を設けたことからアルミニウム（Ａ」）や金（Ａｕ）等
から成るワイヤを前記ポンディングパッド部に強固に接
合させることが可能となり、半導体素子の各電極を外部
電気回路に確実に接続することができる。
また、すきま腐蝕作用による変色や半導体装置としての
機能に支障を来すような導電性の錆の発生を皆無として
、メタライズ金属層と外部電気回路基板の配線導体との
ロウ付は強度も極めて強固となすことも可能となる。
機能に支障を来すような導電性の錆の発生を皆無として
、メタライズ金属層と外部電気回路基板の配線導体との
ロウ付は強度も極めて強固となすことも可能となる。
（実験例）
次に本発明の作用効果を下記に示す実験例に基づいて説
明する。
明する。
まず、２０ｍｍ角のアルミナから成る生セラミツク体あ
るいはセラミック焼結体５０個の一主面にタングステン
、モリブデン、マンガン等から成るメタライズ用ペース
トを使用して長さ１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み２０μｍ
のパターンを印刷するとともにこれを還元雰囲気（窒素
−水素雰囲気）中、約１４００〜１６００℃の温度で焼
成し、セラミック体表面にメタライズ金属層を被着させ
る。次に前記メタライズ金属層表面に被覆層として白金
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれらの合金を
めっきにより層着させ、その後、金を主成分とする金属
から成る金属層をめっきにより層着させる。そして次に
直径３０μｍのアルミニウムワイヤを超音波ボンディン
グ法により前記金属層上にループ状に２点接合する。
るいはセラミック焼結体５０個の一主面にタングステン
、モリブデン、マンガン等から成るメタライズ用ペース
トを使用して長さ１０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み２０μｍ
のパターンを印刷するとともにこれを還元雰囲気（窒素
−水素雰囲気）中、約１４００〜１６００℃の温度で焼
成し、セラミック体表面にメタライズ金属層を被着させ
る。次に前記メタライズ金属層表面に被覆層として白金
（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）もしくはそれらの合金を
めっきにより層着させ、その後、金を主成分とする金属
から成る金属層をめっきにより層着させる。そして次に
直径３０μｍのアルミニウムワイヤを超音波ボンディン
グ法により前記金属層上にループ状に２点接合する。
しかる後、前記ループ状ワイヤの中央部に金属層面に対
して垂直方向の外力を加えて引張り、該引張り荷重が３
ｇ以下でワイヤが接合部より剥離した個数を調べた。
して垂直方向の外力を加えて引張り、該引張り荷重が３
ｇ以下でワイヤが接合部より剥離した個数を調べた。
また同時に、試料を空気中４５０°Ｃの温度で１５分間
加熱処理した後、該試料を水蒸気中に曝しメタライズ金
属層、被覆層及び金属層の腐蝕を加速させるスチームエ
ージングを１６時間実施し、その後メタライズ金属層等
の表面を顕微鏡により観察して、変色しているものの数
を調べた。
加熱処理した後、該試料を水蒸気中に曝しメタライズ金
属層、被覆層及び金属層の腐蝕を加速させるスチームエ
ージングを１６時間実施し、その後メタライズ金属層等
の表面を顕微鏡により観察して、変色しているものの数
を調べた。
なお、試料番号１７〜２１は本発明品に対する比較例で
あり、試料番号１７〜１９はメタライズ金属層の全面に
白金、パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする
金属層を被着させるとともに該金属層にワイヤを接合さ
せたもの、また試料番号２０．２１はメタライズ金属層
全面に従来使用されているニッケルと金を順次層着させ
たものである。
あり、試料番号１７〜１９はメタライズ金属層の全面に
白金、パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする
金属層を被着させるとともに該金属層にワイヤを接合さ
せたもの、また試料番号２０．２１はメタライズ金属層
全面に従来使用されているニッケルと金を順次層着させ
たものである。
以上の結果を第１表に示す。
（以下、余白）
＝１２−
第１表から明らかなように、メタライズ金属層上に白金
、パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆
層のみを層着させた試料番号１７．１８．１９では３ｇ
以下の引張り荷重においてワイヤの剥離するものが５０
％以上もあり、またメタライズ金属層上に従来のニッケ
ルと金を層着させた試料番号２０．２１は錆の発生によ
る変色率が６０％もあるのに対し、本発明品は３ｇの引
張りテストでもワイヤの剥がれがほとんどなく、変色率
も２％以下である。
、パラジウムもしくはそれらの合金を主成分とする被覆
層のみを層着させた試料番号１７．１８．１９では３ｇ
以下の引張り荷重においてワイヤの剥離するものが５０
％以上もあり、またメタライズ金属層上に従来のニッケ
ルと金を層着させた試料番号２０．２１は錆の発生によ
る変色率が６０％もあるのに対し、本発明品は３ｇの引
張りテストでもワイヤの剥がれがほとんどなく、変色率
も２％以下である。
なお、本発明は上述の実施例、実験例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば他の
成分を添加すること等も可能であり、この場合、前述の
実験例と同等の結果が得られることを石室ａ忍している
。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば他の
成分を添加すること等も可能であり、この場合、前述の
実験例と同等の結果が得られることを石室ａ忍している
。
以上詳述した通り、本発明のチップキャリアは容器に設
けたメタライズ金属層上に白金、パラジウムもしくはそ
の合金を主成分とする被覆層を層着させるとともに半導
体素子の電極が接続されるボンディングパソド部の前記
被覆層上に金を主成分とする金属層を層着させたことが
ら、半導体装置としての機能に支障を来すような導電性
の錆や変色の発生を大幅に低減させることが可能となる
とともに半導体素子の各電極を外部電気配線基板の配線
導体に確実、かつ強固に接続させることができ、半導体
集積回路素子を収容するチップキャリアとして極めて有
用である。
けたメタライズ金属層上に白金、パラジウムもしくはそ
の合金を主成分とする被覆層を層着させるとともに半導
体素子の電極が接続されるボンディングパソド部の前記
被覆層上に金を主成分とする金属層を層着させたことが
ら、半導体装置としての機能に支障を来すような導電性
の錆や変色の発生を大幅に低減させることが可能となる
とともに半導体素子の各電極を外部電気配線基板の配線
導体に確実、かつ強固に接続させることができ、半導体
集積回路素子を収容するチップキャリアとして極めて有
用である。
第１図は本発明のチップキャリアの一実施例を示す断面
図、第２図は従来のチップキャリアの断面図である。 １・・・絶縁基体 ３・・・メタライズ金属層 ４・・・被覆層 ５・・・金属層 １２・・・ワイヤボンディング部
図、第２図は従来のチップキャリアの断面図である。 １・・・絶縁基体 ３・・・メタライズ金属層 ４・・・被覆層 ５・・・金属層 １２・・・ワイヤボンディング部
Claims (1)
- 半導体素子を収容する容器に、半導体素子と外部電気
回路とを接続するためのメタライズ金属層を設けるとと
もに該メタライズ金属層上に白金、パラジウムもしくは
それらの合金を主成分とする被覆層を層着して成るチッ
プキャリアにおいて、半導体素子の電極が接続されるボ
ンディングパッド部の前記被覆層上に金を主成分とする
金属層を層着させたことを特徴とするチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304125A JP2537064B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304125A JP2537064B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | チップキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144641A true JPH01144641A (ja) | 1989-06-06 |
| JP2537064B2 JP2537064B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=17929337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304125A Expired - Fee Related JP2537064B2 (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | チップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537064B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6519845B1 (en) * | 1998-02-02 | 2003-02-18 | International Business Machines Corporation | Wire bonding to dual metal covered pad surfaces |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62304125A patent/JP2537064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6519845B1 (en) * | 1998-02-02 | 2003-02-18 | International Business Machines Corporation | Wire bonding to dual metal covered pad surfaces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2537064B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |