JPH01142731A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体およびその製造方法に関するもの
である。

従来の技術 電子写真感光体において、光励起によりキャリア生成を
行う光導電層と、キャリア輸送を行う電荷輸送層を別々
の材料で構成する機能分離型電子写真感光体が広く用い
られている。この様に機能によって材料を選ぶことによ
って、高感度な電子写真特性を持つ優れた感光体を提供
できるのみでなく、機械的強度、熱的安定性、耐刷性、
耐環境性、製造コストといったさまざまな面に渡って幅
広い材料の中から最適の糾合せを検討することができる
。

また、複写機におけるディジタル化と同時に、プリンタ
分野においても高速、高印字品質が要求され、電子写真
方式を用いた半導体レーザー、あるいは赤色ＬＥＤを光
源とした光プリンタの需要が増加している。

このような材料の組合せの代表例として、有機材料を用
いた安価な電子写真感光体の例として、スクエアリック
酸メチルとトリアリールピラゾリン、ダイアンブルーと
オキサジアゾール、ペリレンＲＲＮとオキサジアゾール
、ビスアゾ顔料とスチリアアンスラセン　等がある。あ
るいは、近赤外光域まで高い感度を有する感光体には、
フタロシアニン系の顔料を光導電層としたものが多い。

また、無機材料を光導電層とする例としては、無定型セ
レンとポリビニルカルバゾール、特開昭５４−１４３６
４５号公報には非晶質層シリコン系光導電層と有機半導
体材料を電荷輸送層に用いた機能分離型の感光体が、ま
た特開昭５６−２４３５５号公報には無機半導体材料を
電荷輸送層に用いた機能分離型感光体が提案されている
。

発明が解決しようとする問題点 前記の有機材料を用いた機能分離型感光体は、安価に製
造できる反面、耐刷性に乏しく寿命、信頼性といった点
では解決すべき課題も多い。

また、無機材料を用いた後者では硬度の高い無機光導電
層を表面に用い耐刷性を向上させろ試みがなされている
が、耐刷性に優れた光導電層の多くは、十分な特性を維
持するためには基板加熱を必要とし、あるいはプラズマ
等の実効的には表面温度が高温となるプロセスを必要と
するため、従来の耐熱性に劣る有機電荷輸送層では十分
な特性の感光体が得られていないのが現状である。

この様な中で特開昭５５−９０９５４号公報、および特
開昭６０−５９３５３号公報には、電荷輸送層としてＰ
Ｐ５（ポリーＰ−フェニレンスルフィド）が高い正孔移
動度を持ち、あるいは、フィルムとして電荷輸送層とし
て用いることにより安価に製造できる優れた（オ科とし
て提案されている。

機能分離型電子写真感光体において、より高感度の実現
するには、より小さな誘電率を持ち、より大きな移動度
とキャリア寿命を有する電荷輸送層と、高い電荷発生能
力を持つ光導電層の紺合せが望ましい。しかしそれぞれ
の要求される所の条件を満足しても両者の間のキャリア
注入が効率良く行われなければならない。また電子写真
プロセスに於て要求される電荷受容能力、耐摩耗性、耐
環境性、等に十分満足するものでなければならな特開昭
６０−５９３５３号公報においては、ＰＰＳを真空蒸着
法によって薄膜化と電荷輸送能力を向上し電荷輸送層と
して形成することを述べているが、一般にこの状態では
電荷受容能力は小さく、感度、残留電位ともに十分では
ない。また、真空蒸着法を用いるため、製膜速度も十分
でなく有機材料を用いた感光体としては高価である。

また、特開昭５５−９０９５４号公報においては、ＰＰ
Ｓフィルムを電荷輸送層に用いることで、安価な感光体
が提案されている。しかし、電荷輸送能力が十分ではな
いことから、光感度は全く今日の電子写真感光体の実用
レベルには至っていない。

以上のように、表面硬度が高く長寿命な、高い感度で低
い残留電位の電子写真感光体が、しかも安価で製造でき
ることが困難であった。

問題点を解決するための手段 機能分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がＰ−
フェニレンを有し、且つバラ位にｖｔｂ族元素を有する
直鎖状化合物を主成分とし、更に酸素原子を含有する高
分子層を有し、光導電層としてカルコゲン原子を含有す
る非単結晶層を用いる。

また、上記高分子層を酸素原子を含む雰囲気中で加熱処
理を行うことによって得られる。

作用 ＰＰＳフィルムの、キャリア移動度およびキャリア寿命
が小さいと言う欠点を克服するため種々検討を行った結
果、ＰＰＳを代表とする、Ｐ−フェニレンを有し、且つ
パラ位にカルコゲン元素を有する直鎖状化合物を主成分
とする高分子層を、酸素原子を含む雰囲気中で２６０〜
３００℃の温度で、０．２〜５０時間の、好ましくは、
２６０〜２９０℃１〜ｌＯ時間の処理を行うことによっ
て、電荷輸送能力が飛躍的に向上することを見いだした
。

北記の高分子フィルムには１〜２５ａｔｍＸの、好まし
くは、１〜１０ａｔｍ％の酸素原子を含んでいることが
確認できた。

このようなＰＰＳに代表される主鎖方向にＰ−フェニレ
ンを有し、パラ位にカルコゲン元素を有する構造の高分
子において、酸素を含む雰囲気で加熱処理を行うことに
より電荷輸送能力が著しく向上することは現在では十分
に解析が行われていない。しかし、現時点では以下のよ
うに考えることができる。

一般には高分子におけるキャリアの移動は、高分子の主
鎖方向に沿っての電子軌道間のホッピング伝導で行われ
るが、そのキャリアの移動度は、隣合う軌道の重なりの
大きいほどホッピング確率が増し、増加する。Ｐ−フェ
ニレンのパラ位にあるカルコゲン元素が中性の状態であ
ると、隣合うＰ−フェニレンは、空間的にπ電子軌道が
、直交する配位状態にあり、移動度は小さい。しかしカ
ルコゲン元素が、添加させた酸素原子により正に荷電し
、イオン化した場合Ｐ−フェニレンの空間的ねじれは解
消し、π電子軌道は同一平面内に配置され、ホッピング
確率の増加とともに移動度の向上が図られると考えられ
る。

また、加熱処理にともない、高分子フィルムに硬化が生
じる。実際、２軸延伸によってフィルム化されたＰＰＳ
の硬度は、未処理ではマイクロビッカース硬度計では正
確に測定できないほど柔らかい。一方、上記の処理を施
したフィルムはビッカース硬度で１０〜８０と上昇し、
電荷輸送能力を向上させる酸素原子が安定にフィルム中
に取り込まれ、あるいはＰ−フェニレンの空間的ねじれ
は解消した状態で安定化し、光導電層を形成する際の基
板加熱、あるいはプラズマを用いた製膜プロセスにも安
定で、高い感度と、低い残留電位の電子写真感光体を可
能とすることができたと考えられる。

このようにして得られた電Ｕ軸送層上に、光導電層とし
て蒸着等で容易に製膜できる、可視光から近赤外光域ま
で高い光感度を有し、イオン化ポテンシャルが大きく、
電荷輸送層へのキャリア注入効率の高い、カルコゲン原
子を含有する非単結晶層を用いることで、電子写真プロ
セスにおいて要求される、電荷受容能力、耐摩耗性、耐
環境性、可視光から近赤外光域までの高い光感度、特に
低い残留電位等を十分満足する電子写真感光体を安価に
、得ることができる。

また、ＰＰＳに代表される高分子フィルムは、直接に電
子写真感光体の導電性支持体上に加熱融着することによ
って製膜できるため、安価な感光体が製造できる。

また、硬化によって硬度が増すことにより、耐熱性、あ
るいは耐刷性においても向上する。

実施例 図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体の１
実施例の断面を模式的に示したものである。

図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体ｌ上に、少なくとも主鎖方向にＰ−フェニレンを有
し、パラ位にカルコゲン元素を有する構造の高分子層を
、酸素を含む雰囲気で加熱処理を行なった高分子層から
なる電荷輸送Ｎ２とカルコヘン元素を含む光導電層３と
を有し、前記光導電Ｎ３は口内表面４を一方の端面に有
している。また、図に示す構造とは逆に、支持体ｌ上に
カルコゲンを含有する光導電層３を形成し、上記の高分
子層からなる電荷移！ＪＪ層２の順に積層しても、高分
子層は可視光の赤色波長域から近赤外に対してほとんど
透明であるため、自由表面４から入射した赤色波長域か
ら近赤外光の大部分は光導電Ｎ３に到達することができ
、図の構成と同様な特性を得ることができる。

光導電層３として有効な材料としては、少なくともＳｅ
、　Ｔｅ、　　Ｓ、　　Ａｓ−５ｅ、　Ａｓ−５，Ａｓ
−Ｔｅあるいはこれらを含む材料にＧｅを含有させたカ
ルコゲナイドガラス、例えばＧｅ−５，Ｇｅ−５ｅ、　
Ｇｅ−Ｔｅ、　Ｇｅ−Ｐ−５，Ｇｅ−Ｐ−Ｓｅ、　Ｇｅ
−Ｐ−Ｔｅ、　Ｇｅ−Ａｓ−５，Ｇｅ−Ａｓ−５ｅ、　
Ｇｅ−Ａｓ−Ｔｅ、　Ｇｅ−５ｔｒＳ、　Ｇｅ−５ｂ−
５ｅ、　Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅ、　Ｇｅ−Ａｓ−Ｔｅ−５ｅ
、　Ｇｅ−Ａｓ−５−Ｔｅ、　　Ｋ−Ｃａ−Ｇｅ−５，
Ｇｅ−Ｔｅ−５ｂ−５等、あるいはＧｅ０代わりにＳｉ
を含有させたカルコゲナイドガラス、また、Ｇｅ−５ｉ
−Ａｓ−５ｅ、　　Ｇｅ−５ｉ−Ａｓ−Ｔｅのカルコゲ
ナイドガラスがあげられる。

これらの材料は、単独で、あるいは複数の化合物として
、積層することによって所望の特性を得ることができる
。

また、この他にも、ＣｄＳ、　ＣｄＳｅ、　ＣｄＴｅに
代表される、Ｚｎ、　Ｃｄ、　　ＨｇとＳ、　Ｓｅ、　
Ｔｅの化合物であるｎ−ｖｔ族結晶粉体を樹脂により結
着した層を、あるいは蒸着膜を少なくともＩＮあるいは
多層に形成してもよい。

本発明において、さらに電子写真特性を向上させるため
に、図において、支持体ｌと電荷輸送Ｐ！２の間に、支
持体ｌから電荷輸送Ｈ２の電荷注入を阻止するため障壁
層を設けても良い。障壁層を形成する材料としては、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＢａＯ１Ｂａ０２、Ｂｅ０１Ｂｉ２０３、Ｃ
ａｂ、　ＣｅＯ２、Ｃｅ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｄ）１２
０１、Ｌｕ＋０３、Ｃ「２０３、Ｃｕ０ｇ、Ｆｅ０１Ｐ
ｂＯ１ｌ’１ｇ０１ＳｒＯ，Ｔａ２０５、Ｔ　ｂＯ１Ｚ
ｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｍ２Ｏ・Ａｌ
２Ｏ３，５ｉ０２・Ｍｇｆｌすどの金属酸化物、または
Ｔ　ｉＮ、　　Ａ　ＩＮ、　ＳｎＮ、　　ＮｂＮ、　　
ＴａＮ、　ＧａＮなどの金属窒化物、またはに、ＳｎＣ
，ＴｉＣなどの金属炭化物、またはＳＩ＋−ｘｏｘ、５
ｉｔ−ｘＮｘｓ　ＳＩ＋−ｙＣｘ−Ｇｅ＋−ｘＱｘ、Ｇ
ｅ＋−ｘＮｘ、Ｇｅ　Ｉ　−ｘ　Ｃｙ、Ｂ＋−Ｎ、、８
ドアＣケ（Ｏくｘく１）などの絶縁物またはネ°すＩｆ
ドシ、　ネ０リカー本−ネート、　本°リウ１タシ、　
本°す」ピラキシしシなどの絶縁性有機化合物が使用で
きる。また、自由表面４側に正電荷を帯電させる場合に
は障壁層としてＰ型半導体例えばＢ、ＡＩ、　Ｇａ等の
周期表第■族元素を添加したａ−５ｉ（：）Ｉ：×）、
ａ−５＋＋−ｘＧｅｘｃｆｌ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：
Ｘ＞、ａ−Ｃ（：）ｌ：Ｘ）、ａ−５ｉｔ−ｘｃｘ（：
）Ｉ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ＋−ｘｃｘ（二Ｈ：Ｘ）を使用し
ても良い。また、自由表面５に負電荷を帯電させる場合
、障壁層としてのｎ型半導体、例えば周期表第■族元素
のＮ、Ｐ、Ａｓを添加したａ−５ｉ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−
５ｉｔ−ｘＧｅｘ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（：ＩＩ：Ｘ
）、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−５ｉｔ−ｘｃｘ（：Ｈ：
×）、ａ−Ｇｅ＋　−ｙｃｘ（：）Ｉ：Ｘ）を使用して
もよい。

また、これらの周Ｉｔｎ表第ｍ族元素あるいは周期表第
Ｖ族元素を不純物として添加する方法として、ｎ型不純
物の場合、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４旧θ、Ｂｓｈ、ＢｓＨｕ、Ｂ
６旧日、Ｂ６ＨＩ２．８６＋１１４．　８Ｆ３、ＢＣｌ
３、ＢＢｒ３、ＡｌＣｌ３、（Ｃｔｈ）３ＡＩ、（Ｃ３
Ｈ５）３Ａｌ、（ｌｃＪｑｈＡｌ、（ＣＨ３）３Ｇａ、
（Ｃ２ｔｌｓ）３Ｇａ、　　１ｎｃＩ３、（Ｃ２Ｈｓ）
３１ｎ、　　ｎ型不純物の場合、ＰＩ１３、Ｐ２Ｈ４、
ＰＨ４１、ＰＦ３、ＰＦｓ、ＰＣＩ３、ＰＣｌ５、Ｐｅ
ｒ：ｑ、ＰＩ３、ＡＳＨ３、ＡＳＦ３、ＡｓＣ１３、Ａ
ｓＢｒａ、Ａｓｌ’５．５ｂＴｏ、５ｈＦ３．５ｂＦｓ
、５ｂＣ１３，５ｂＣＩ５のガスあるいはこれらのガス
をＨ２、ｌｌｅ、　　Ａｒで希釈したガスを、プラズマ
ＣＶＤ法ではそれぞれの材料形成時において使用するＳ
１原子またはＧｅ原子の原料ガスに混合して用いれば良
く、反応性スパッタ法ではＡ「ガスに１１２と同時に混
合して、ＳｉあるいはＧｅターゲット用いスパッタ膜を
形成すれば良い（Ｆ２またはＣＩ２に混合しても良い）
。

また、図とはことなり、光導電Ｎ３を基板側に配置し、
電荷輸送Ｎ２を表面に積層した構造において、電荷輸送
層２が自由表面４を有する場合においても、支持体１と
光導電層３との間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物、！＠縁物または絶縁性有機化合物からなる
障壁層を形成しても良く、また特に自由表面４に正電荷
を帯電させる場合は、上記のｎ型半導体で障壁層を形成
し、自由表面４に負電荷を帯電させる場合は、上記のｎ
型半導体で形成するのが好適である。

本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性及びクリー
ニング性を向上させるために図面において、あるいは図
面とは異なる光導電層を基板側に配置し、電荷輸送層を
表面に積層した構造において、自由表面４上に表面層を
形成しても良い。表面層形成材料として有効なものとし
て、Ｓ！＋　−ｘＯい５Ｉｔ−ｘＮｘ、Ｓ！＋−ｘＣｘ
−Ｇｅ＋−ｘＯｘ、Ｇｅ１−ｘＮｙ、Ｇｅ＋　−ＸＣＸ
、Ｂ＋−−Ｎ−１Ｂ＋−ｘＣＰ（０＜Ｘ＜Ｉ）、ａ−Ｃ
などの無機！＠縫物、および、これらに水素あるいはハ
ロゲン原子を含む層が上げられる。あるいは有機材料と
してはホ。

リエチレンテｂフタｂ−ト、　よ０すｈ−Ｃネート、　
よ°リフ６ａビムノ、　＃０す塩化ヒ“ニル、　本０ロ
塩化ヒ゛ニリテーン、　ホ０リヒーニル７ｎ］−ル、　
ネ０リスチトン、ネ０すＹミド、　本０シ四弗化エチし
ン、　本０り三弗化塩化ＩＢン、　木０り弗化じニリｉ
“ン、　六弗化フ０ロヒ０Ｌ、シー四弗化エチトシ］ホ
０リマ、三弗化１子しンー弗化ヒーニリテーン］ネ０リ
マ、　ボリフ゛テーン、　ネ０リヒーニルフーヂラール
、ホ０リウ１９シなどの合成樹脂などが上げられる。

実施例１ 石英ガラス基板上に、１２μｍの膜厚を持つＰＰＳフィ
ルムを重ね、更に均一性の向上を図るため、上から離型
剤としてテフロンをコートしたステンレス基板を蓚重と
して重ね、酸素中にて２８０℃１時間処理を行ないＰＰ
Ｓを融着した。このフィルムをマイクロビッカース硬度
計を用いて硬度の測定を行ったところ、２５±５であっ
た。

この条件で、アルミニウム基板上にもＰＰＳを融着し電
荷輸送層として形成した。次に、光導電層としてＡｓ２
Ｓｅ３を、基板加熱温度１００’Ｃにて、約０．８μｍ
の膜厚に真空蒸着法によって形成し、電子写真感光体と
した。

この時、１２μｍの膜厚のＰＰＳを電荷輸送層とした電
子写真感光体を表面電位＋６００　Ｖに帯電処理を行い
、５００ｎｍの光で露光を行ったところ照度換算で、半
減電位露光量は０．５１ｕｘ−ｓｅｃと非常に高い感度
を示した。また、残留電位も十分低く、６０Ｖ以下と優
れた特性を示した。

実施例２ 実施例１と同様に作成した電荷輸送層上に、光導電層と
して、０．８７１ｍの１５ａｔｍ＄のＴｅを添加した層
をＡｓ２Ｓｅ３上に積層し電子写真感光体とした。

この時、表面電位を＋６００Ｖに帯電処理を行い６８０
ｎｍのＬＥＤ光で露光したところ、ＡＳ２　Ｓｅ３のみ
と比較し、５倍の感度増加が確認された。この場合の残
留電位も十分低く、９０Ｖ以下であった。

実施例３ インフレーション法によフて１５１１ｍ膜厚の円筒状の
ＰＰＳフィルムを作成する。この時の延伸倍率を円筒軸
上の倍率を２０〜３０倍、円筒軸と直角方向の倍率を１
０〜１５倍とした。また円筒フィルムの直径は９２φと
した。

電子写真感光体の作成には上記の円筒フィルムに８８φ
のアルミニウムドラムを挿入し、ドラム基板上に電荷輸
送層としてＰＰＳフィルムを加熱収縮によって積層する
際、処理雰囲気に電子受容体として、Ｔ　ＣＮ　Ｑ　（
７，７，３，８，−テトラシアノキノジメタン）を添加
した雰囲気で加熱処理をおこなった。更に、酸素中の加
熱処理装置に設置し、２６５℃６時間の処理を行った。

同じく、硬度測定用の試料としてフィルムを同時に処理
し、石英基板上に接着し硬度を測定した。

このときのフィルム硬度は２５±４であった。

また、上記ドラムをＣｄＳ光導電性粉体と、結着樹脂を
１００：　２０重量部加えた（結着樹脂はポリウレタン
樹脂）溶液中に浸漬し、１７０℃で３０分乾燥処理を行
い５７ｚｍの光導７４．Ｎを形成した。

このようにして得られた感光ドラムを、表面電位＋６０
０Ｖに帯電処理を行った後、白色光にて露光を行ったと
ころ、半減電位露光量は２．３１ｕｘ−ｓｅｃと高い感
度を示し、残留電位も９０Ｖ以下と十分小さい感光ドラ
ムが得られた。

このようにして得られた電子写真感光体は８万枚以上の
寿命を有し、長寿命で安価である。

ここでは、電子受容体としてＴＣＮＱを用いたが、ＳＯ
３、ＡｓＦ５等を用いても同様である。

また、ＰＰＳを主成分とするフィルムを電荷輸送層とし
て用いたが、主鎖方向にＰ−フェニレンを有し、バラ位
に他のカルコゲン元素を有する構造の高分子においても
、同様な効果が得られる。

実施例４ 表面にＡ１を蒸着したガラス基板を、マグネトロンスパ
ッタ装置内に配置し、基板温度を１５０〜３００℃とし
、Ｄｙ２Ｏ３焼結体をターゲットとし、Ａｒ：３〜２０
ｍＴｏｒｒ、０２　：　１０〜４０ｍＴｏｒｒ、高周波
電力１００〜３ｏｏｗの条件で障壁層として、Ｄｙ２（
ｈ層を０．１〜０．５μｍ形成した。次ぎに、２０μｍ
の膜厚を持つＰＰＳフィルムを重ね、更に均一性の向上
を図るため、上から雌型剤としてテフロンをコートした
ステンレス基板を荷重として重ね、酸素中にて２８０℃
３時間処理を行ないＰＰＳを上記基板上に電荷輸送層と
して加熱融着によって積層し、更に、酸素中の加熱処理
装置に設置し、２６５℃６時間の加熱処理を行い電荷輸
送層を形成した。続いて、蒸着法により、Ａｓ−５ｅ−
Ｇｅ層を１〜２μｍ形成し、さらにＡｓ−５ｅ−Ｇｅ層
上に表面層としてポリカーボネート樹脂を乾燥後１７１
ｍとなるよう均一に塗布し、電子写真感光体を製作した
。

これらの感光体に＋６．３ＫＶのコロナ帯電を行い、赤
色光で露光したところ、帯電電位が高く、しかも高感度
であった。また、残留電位も９０Ｖ以下で十分低いもの
であった。

実施例５ ステンレス基板上に、基板加熱温度２５０℃で０．５μ
ｍのＺｎ５ｅを形成し、光導電層として１μｍのＣｄ５
ｅＴｅＦ’を形成した。この基板を真空中にて３５０〜
４５０℃０．２〜２時間処理を行い光導電層とした。

次ぎに、実施例４と同様に、１２μｍの膜厚を持つＰＰ
Ｓフィルムを重ね、更に均一性の向上を図るため、上か
ら離型剤としてテフロンをコートしたステンレス基板を
荷重として重ね、酸素中にて２８０℃３時間処理を行な
いＰＰＳを上記基板上に電荷輸送層として加熱融着によ
って積層し、更に、酸素中の加熱処理装置に設置し、２
６５℃６時間の加熱処理を行い電荷輸送層を形成した。

この感光体を発振波長６７０ｒｏｗの半導体レーザを光
源とし露光し、液体現像をおこなったところ、負帯電に
おいて鮮明な印字を確認した。残留電位も低く８０ｖ以
下であった。

実施例６ 実施例５で作成した電子写真感光体の自由表面に、プラ
ズマＣＶＤ法により表面層としてＧｅｔ　−ｘＣ，：Ｈ
（：Ｆ）層０．１−０．５１ｔ　ｍをプラズマＣＶＤ法
で形成したところ、８ｅ万枚の耐刷性を有することを確
認した。

発明の効果 本発明によれば、カルコゲン原子を有する非単結晶層を
光導電層とし、電荷輸送層がＰ−フェニレンを有し、パ
ラ位にｖｔｂ族元素を有する直鎖状化合物高分子層を主
成分とし、ざらに酸素原子を含有することにより、可視
光から近赤外光域まで高感度で、特に安定して低残留電
位の電子写真感光体が得られる。

また、電荷輸送層フィルムを酸素原子を含む雰囲気中で
加熱処理を行い、酸素原子を含有させることにより、加
熱処理によって製膜された電荷輸送層は硬度がビッカー
ス硬度ｌＯ〜８０と増し、自らも耐刷性を著しく向上で
きると同時に、プラズマに対する耐性も向上し、基板加
熱を必要とする光導電層の形成プロセスにも、加熱ある
いはプラズマによるダメージもなく膜堆積が可能となる
。これらにより、長寿命化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

図は、本発明の一実施例における電子写真感光体の断面
図である。 ｌ・・・支持体、２・・・電荷輸送層、３・・・光導電
層、４・・・自由表面

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性を有する支持体上に、少なくとも、光励起
   によってキャリアを発生する光導電層と、そのキャリア
   を転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型電子写
   真感光体において、上記電荷輸送層がＰ−フェニレンを
   有し、且つパラ位にVIｂ族元素を有する直鎖状化合物を
   主成分とし、更に酸素原子を含有する高分子層を有し、
   光導電層がカルコゲン原子を含有する非単結晶層である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）電荷輸送層中のＯ原子のＣ原子に対する原子数比
   率が、１〜２５ａｔｍ％であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）電荷輸送層に電子受容体を添加したことを特徴と
   する特許請求の範囲第２項記載の電子写真感光体。
4. （４）光導電層が少なくともＡｓ原子を有する非晶質層
   を含む特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
5. （５）光導電層がＳｉあるいはＧｅ原子を含む非晶質層
   を含む特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
6. （６）導電性を有する支持体上に、少なくとも、光励起
   によってキャリアを発生する光導電層と、そのキャリア
   を転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型電子写
   真感光体の製造方法において、上記電荷輸送層を、Ｐ−
   フェニレンを有し、且つパラ位にVIｂ族元素を有する直
   鎖状化合物を主成分とし、更にＯ原子を含有する高分子
   層とし、上記高分子層を酸素を有する雰囲気中にて加熱
   処理を行う工程を有する電子写真感光体の製造方法。
7. （７）円筒形状フィルムを加熱により収縮密着する工程
   を含むことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の電
   子写真感光体の製造方法。