JPH01133062A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01133062A JPH01133062A JP29105787A JP29105787A JPH01133062A JP H01133062 A JPH01133062 A JP H01133062A JP 29105787 A JP29105787 A JP 29105787A JP 29105787 A JP29105787 A JP 29105787A JP H01133062 A JPH01133062 A JP H01133062A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真方式による複写機あるいは光プリン
タに使用される電子写真感光体に関するものである。
タに使用される電子写真感光体に関するものである。
従来の技術
近年、複写機におけるディジタル化と同時に、プリンタ
分野においても高速、高印字品質が要求され、電子写真
方式を用いた半導体レーザー、あるいは赤色L E D
を光源とした光プリンタの需要が増加している。
分野においても高速、高印字品質が要求され、電子写真
方式を用いた半導体レーザー、あるいは赤色L E D
を光源とした光プリンタの需要が増加している。
このような、要求に応えるべく電子写真感光体において
も、可視光から近赤外にわたって高い光感度を持ち、長
寿命な、安価な感光体が要求されている。
も、可視光から近赤外にわたって高い光感度を持ち、長
寿命な、安価な感光体が要求されている。
一方、上記の可視光から近赤外にわたって高い感度を持
つ電子写真感光体としては、以下のような試みがなされ
ている。
つ電子写真感光体としては、以下のような試みがなされ
ている。
無機光導電層を単層で用いる例として、ホウ素添加およ
び酸素添加した水素化非晶質シリコンゲルマニウム(以
下a−5iGe:Hと記する)の単層構造(特開昭57
−172344号公報)、あるいは無機光導電層を用い
た機能分離型感光体の例としては、水素化非晶質シリコ
ン(以下a−5i:Hと記する)および水素化ゲルマニ
ウム(以下a−Ge:Hと記する)の積層構造(特開昭
56−150753号公報)、a−5i:Hおよびa−
5iGe:Hの積層構造(特開昭57−115552号
公報)、あるいは5e−TeとSeの積層構造等の電子
写真感光体が提案されている。
び酸素添加した水素化非晶質シリコンゲルマニウム(以
下a−5iGe:Hと記する)の単層構造(特開昭57
−172344号公報)、あるいは無機光導電層を用い
た機能分離型感光体の例としては、水素化非晶質シリコ
ン(以下a−5i:Hと記する)および水素化ゲルマニ
ウム(以下a−Ge:Hと記する)の積層構造(特開昭
56−150753号公報)、a−5i:Hおよびa−
5iGe:Hの積層構造(特開昭57−115552号
公報)、あるいは5e−TeとSeの積層構造等の電子
写真感光体が提案されている。
また、有機材料を用いた例では、機能分離型感光体がそ
のほとんどを占め、フタロシアニン系の有機光半導体を
光導電層としたものが多い。
のほとんどを占め、フタロシアニン系の有機光半導体を
光導電層としたものが多い。
発明が解決しようとする問題点
第1に、a−5i:H,a−5iGe:Hあるいはa−
Ge:Hから構成される電子写真感光体は、これらの材
料の比誘電率が10〜15と大きく、感光体の静電容量
が大きいため、帯電時に大きなコロナ電流が必要である
。また表面電荷密度が多いため、この電荷を消滅させる
ために多くの露光量が必要になり、使用される光源の制
約および消費電力の増加、あるいは露光時閏の増加によ
る動作速度の低下を生じる問題があった。
Ge:Hから構成される電子写真感光体は、これらの材
料の比誘電率が10〜15と大きく、感光体の静電容量
が大きいため、帯電時に大きなコロナ電流が必要である
。また表面電荷密度が多いため、この電荷を消滅させる
ために多くの露光量が必要になり、使用される光源の制
約および消費電力の増加、あるいは露光時閏の増加によ
る動作速度の低下を生じる問題があった。
第2に、a−5i:Hおよびa−Ge:Hの製膜に最も
一般的なプラズマ法を使用する場合、原料ガスとして5
iH4およびGeHaが用いられるが、これらのガスは
高価であり、製造コストの低減が困難であった。
一般的なプラズマ法を使用する場合、原料ガスとして5
iH4およびGeHaが用いられるが、これらのガスは
高価であり、製造コストの低減が困難であった。
第3に、有機材料あるいはSe系を用いた機能分離型感
光体でも表面硬度も十分でなく、印字速度の高いプリン
タ等では耐刷性に問題があり、十分な寿命とは言えない
問題があった。
光体でも表面硬度も十分でなく、印字速度の高いプリン
タ等では耐刷性に問題があり、十分な寿命とは言えない
問題があった。
問題点を解決するための手段
光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型
電子写真感光体において、電荷輸送層を、P−フェニレ
ンを有し、且つパラ位にvtb族元素を有する直鎖状化
合物を主成分とし、更に0原子を含有する高分子層とし
、光導電層としてゲルマニウム原子を含有する非単結晶
層を含む層を積層する。
ャリアを転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型
電子写真感光体において、電荷輸送層を、P−フェニレ
ンを有し、且つパラ位にvtb族元素を有する直鎖状化
合物を主成分とし、更に0原子を含有する高分子層とし
、光導電層としてゲルマニウム原子を含有する非単結晶
層を含む層を積層する。
作用
PPSに代表される、P−フェニレンを有し、且つパラ
位にVlb族元素を有する直鎖状化合物を主成分とした
高分子層は、特開昭55−90954号公報、および特
開昭60−59353号公報には、電荷輸送層としてP
PS (ポリーP−フェニレンスルフィド)が高いキャ
リア移動度を持ち、あるいは、フィルムとして電荷輸送
層として用いることにより、安価に製造できる優れた材
料として提案されているが、キャリア移動度、キャリア
寿命ともに十分でなく、現在の実用レベルには至ってい
ない。
位にVlb族元素を有する直鎖状化合物を主成分とした
高分子層は、特開昭55−90954号公報、および特
開昭60−59353号公報には、電荷輸送層としてP
PS (ポリーP−フェニレンスルフィド)が高いキャ
リア移動度を持ち、あるいは、フィルムとして電荷輸送
層として用いることにより、安価に製造できる優れた材
料として提案されているが、キャリア移動度、キャリア
寿命ともに十分でなく、現在の実用レベルには至ってい
ない。
このようなPPSフィルムの、キャリア移動度およびキ
ャリア寿命が小さいと言う欠点を克服するため種々検討
を行った結果、PPSを代表とする、P−フェニレンを
有し、且つパラ位にカルコゲン元素を有する直鎖状化合
物を主成分とする高分子層を、酸素原子を含む雰囲気中
で250〜320℃の温度で、0.2〜50時間の、好
ましくは、260〜290℃1〜12時間の処理を行う
ことによって、電荷輸送能力が飛躍的に向、トすること
を見いだした。
ャリア寿命が小さいと言う欠点を克服するため種々検討
を行った結果、PPSを代表とする、P−フェニレンを
有し、且つパラ位にカルコゲン元素を有する直鎖状化合
物を主成分とする高分子層を、酸素原子を含む雰囲気中
で250〜320℃の温度で、0.2〜50時間の、好
ましくは、260〜290℃1〜12時間の処理を行う
ことによって、電荷輸送能力が飛躍的に向、トすること
を見いだした。
上記の高分子フィルムには2〜35a tmXの、好ま
しくは、1〜20a tmXの酸素原子を含んでいるこ
とが確認できた。
しくは、1〜20a tmXの酸素原子を含んでいるこ
とが確認できた。
また、加熱処理にともない、高分子フィルムに硬化が生
じる。実際、2軸延伸によってフィルム化されたPPS
の硬度はマイクロビッカース硬度計では正確に測定でき
ないほど柔らかい。一方、上記の処理を施したフィルム
はビッカース硬度でIO〜80と上昇し、電荷輸送能力
を向上させる酸素原子が安定にフィルム中に取り込まれ
、光導電層を形成する際の基板加熱、あるいはプラズマ
を用いた製膜プロセスにも安定で、高い感度と、低い残
留電位の電子写真感光体を可能とすることができた。
じる。実際、2軸延伸によってフィルム化されたPPS
の硬度はマイクロビッカース硬度計では正確に測定でき
ないほど柔らかい。一方、上記の処理を施したフィルム
はビッカース硬度でIO〜80と上昇し、電荷輸送能力
を向上させる酸素原子が安定にフィルム中に取り込まれ
、光導電層を形成する際の基板加熱、あるいはプラズマ
を用いた製膜プロセスにも安定で、高い感度と、低い残
留電位の電子写真感光体を可能とすることができた。
上記の高分子層の比誘電率は〜3と、a−5i:Hおよ
びa−5iGe:Hの比誘電率〜11に比へてかなり小
さく、このような材料を電荷輸送層として用いれば、a
−5i:Hあるいはa−5iGe:Hの単層感光体ある
いはa−5i:Hあるいはa−5iGe:tlの積層感
光体の誘電率より小さくすることができる。従って、帯
電時のコロナ電流が減少し、また表面電荷量が少ないた
め光感度が高くなり、動作速度を向上させることが可能
になる。
びa−5iGe:Hの比誘電率〜11に比へてかなり小
さく、このような材料を電荷輸送層として用いれば、a
−5i:Hあるいはa−5iGe:Hの単層感光体ある
いはa−5i:Hあるいはa−5iGe:tlの積層感
光体の誘電率より小さくすることができる。従って、帯
電時のコロナ電流が減少し、また表面電荷量が少ないた
め光感度が高くなり、動作速度を向上させることが可能
になる。
また、PPSに代表される高分子フィルムは、直接に電
子写真感光体の導電性支持体上に加熱融着することによ
って製膜できるため、安価な感光体が製造できる。
子写真感光体の導電性支持体上に加熱融着することによ
って製膜できるため、安価な感光体が製造できる。
また、上記のようにPPS自体の硬度も高く、あるいは
、硬度の高い光導電層を表面に′fri層することによ
って耐刷性が向トし、長寿命な感光体が得られる。
、硬度の高い光導電層を表面に′fri層することによ
って耐刷性が向トし、長寿命な感光体が得られる。
実施例
図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体の1
実施例の断面を模式的に示したものである。
実施例の断面を模式的に示したものである。
図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体1上に、少なくとも主鎖方向にP−フェニレンを有
し、パラ位にカルコゲン元素を有する構造の高分子層を
、酸素を含む雰囲気で加熱処理を行なった高分子層から
なる電荷輸送N2とゲルマニウムを含む無機光導電層3
とを有し、前記無機光導電N3は自由表面4を一方の端
面に有している。
持体1上に、少なくとも主鎖方向にP−フェニレンを有
し、パラ位にカルコゲン元素を有する構造の高分子層を
、酸素を含む雰囲気で加熱処理を行なった高分子層から
なる電荷輸送N2とゲルマニウムを含む無機光導電層3
とを有し、前記無機光導電N3は自由表面4を一方の端
面に有している。
また、図に示す構造とは逆に、支持体1上にゲルマニウ
ムを含有する光導電N3を形成し、上記の高分子層から
なる電荷移動層2の順に積層しても、高分子層は可視光
の赤色波長域から近赤外に対してほとんど透明であるた
め、自由表面4から入射した光の大部分は光導電F’3
に到達することができ、図の構成と同様な特性を得ろこ
とができる。
ムを含有する光導電N3を形成し、上記の高分子層から
なる電荷移動層2の順に積層しても、高分子層は可視光
の赤色波長域から近赤外に対してほとんど透明であるた
め、自由表面4から入射した光の大部分は光導電F’3
に到達することができ、図の構成と同様な特性を得ろこ
とができる。
本発明において、ゲルマニウムを含有する光導電N3を
形成する材料としては、a−Ge(:)l:X)単層、
a−5iGe(:旧X)単層、a−Ge(:H:X)と
a−5iGe(:H:X)の積層、a−5i(:tl:
X)とa−5iGe(:H:X)の積層、a−GeC(
:旧X)単層、a−GeC(:H:X)とa−5iGe
(二H:X)の積層、a−Ge(:H:X)とa−5i
C(:H:X)の積層、a−5iGe(:H:X)とa
−5iC(二H:X)の積層、またはa−GeC(:H
:X)とa−5iC(:H:X)の積層などが選択して
使用される。
形成する材料としては、a−Ge(:)l:X)単層、
a−5iGe(:旧X)単層、a−Ge(:H:X)と
a−5iGe(:H:X)の積層、a−5i(:tl:
X)とa−5iGe(:H:X)の積層、a−GeC(
:旧X)単層、a−GeC(:H:X)とa−5iGe
(二H:X)の積層、a−Ge(:H:X)とa−5i
C(:H:X)の積層、a−5iGe(:H:X)とa
−5iC(二H:X)の積層、またはa−GeC(:H
:X)とa−5iC(:H:X)の積層などが選択して
使用される。
少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有し、ゲル
マニウムを含む無機光導電層の構成材料であるa−5i
CH:X)、a−Ge(:H:X)、a−Ge+−xc
x(:H:X)及びa−5i+−xGexcH:X)の
作成には、先ず、a−5i(:)I:X)の場合、5l
H4、S i 2116、S i 3118、SiF4
.5iCL4、SiHF3.5itbF+、S i H
C13,5i)12C12,5iH3CIなどの51原
子の原料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶
シリコンをターゲットとし、A「とI2 (更にF2ま
たはCI2を混合しても良い)の混合ガス中での反応性
スパッタ法が用いられ、a−Ge(:H:X)も場合、
GeHa、Ge2H6、Ge3■s、GeFn、GeH
F3、GeI2F2、Ge旧F、 GeCIa、Ge
HCl3、GeH2CI2、Gel 3 C1、Ge1
4、Ge)131、GeI212、Ge1131、Ge
Bra、Ge)IBr3、Ge12B「2、GeHl3
Br、 GeF2等のGe原子の原料ガスを用いたプラ
ズマCVD法、または多結晶ゲルマニウムをターゲット
とし、Arと82 (更に、F2またはCI2を混合し
ても良い)の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いら
れる。a−5i+−xGexcH:X)の作成の場合も
同様に、上記のSi原子の原料ガス及びGe原子の原料
ガスの混合ガスを用いたプラズマCVD法、あるいはS
iとGeの混合されたターゲットまたはSiとGeの2
枚のターゲットを用いたA「と82 (更にF2または
CI2を混合しても良い)の混合ガス中での反応性スパ
ッタにより形成される。
マニウムを含む無機光導電層の構成材料であるa−5i
CH:X)、a−Ge(:H:X)、a−Ge+−xc
x(:H:X)及びa−5i+−xGexcH:X)の
作成には、先ず、a−5i(:)I:X)の場合、5l
H4、S i 2116、S i 3118、SiF4
.5iCL4、SiHF3.5itbF+、S i H
C13,5i)12C12,5iH3CIなどの51原
子の原料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶
シリコンをターゲットとし、A「とI2 (更にF2ま
たはCI2を混合しても良い)の混合ガス中での反応性
スパッタ法が用いられ、a−Ge(:H:X)も場合、
GeHa、Ge2H6、Ge3■s、GeFn、GeH
F3、GeI2F2、Ge旧F、 GeCIa、Ge
HCl3、GeH2CI2、Gel 3 C1、Ge1
4、Ge)131、GeI212、Ge1131、Ge
Bra、Ge)IBr3、Ge12B「2、GeHl3
Br、 GeF2等のGe原子の原料ガスを用いたプラ
ズマCVD法、または多結晶ゲルマニウムをターゲット
とし、Arと82 (更に、F2またはCI2を混合し
ても良い)の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いら
れる。a−5i+−xGexcH:X)の作成の場合も
同様に、上記のSi原子の原料ガス及びGe原子の原料
ガスの混合ガスを用いたプラズマCVD法、あるいはS
iとGeの混合されたターゲットまたはSiとGeの2
枚のターゲットを用いたA「と82 (更にF2または
CI2を混合しても良い)の混合ガス中での反応性スパ
ッタにより形成される。
また、光導電N3として上記以外の有効な材料としては
、少なくとも(、Te、 Sあるいはこれらの中の2種
以上からなる材料にGeを含有させたカルコゲナイドガ
ラス、例えばGe−5,Ge−5e、 Ge−Te、G
e−P−5,Ge−P−5e、 Ge−P−Te、 G
e−As−5,Ge−As−5e。
、少なくとも(、Te、 Sあるいはこれらの中の2種
以上からなる材料にGeを含有させたカルコゲナイドガ
ラス、例えばGe−5,Ge−5e、 Ge−Te、G
e−P−5,Ge−P−5e、 Ge−P−Te、 G
e−As−5,Ge−As−5e。
Ge−As−Te、 Ge−5b−5,Ge−5b−5
e、 Ge−5b−Te、 Ge−5i−As−5e、
Ge−5i −As−Te、 Ge−As−
Te−5e、 Ge−へ5−5−Te。
e、 Ge−5b−Te、 Ge−5i−As−5e、
Ge−5i −As−Te、 Ge−As−
Te−5e、 Ge−へ5−5−Te。
に−Ca−Ge−5,Ge−Te−5b−5等があげら
れる。
れる。
本発明において、ざらに電子写真特性を向上させるため
に、図面において、支持体1と電荷輸送層2の間に、支
持体Iから電荷輸送層2の電荷注入を阻止するため障壁
層を設けても良い。障壁層を形成する材料としては、A
l2O3,8aO1BaO2、Be018i203、C
aO1CeOp、(e20:+、La2O3、Dy2O
3、Lu2O3、Cr2O3、Cu13、Fe05Pb
O,MgO1SrO,Ta205、Th01z「02、
)lf02、Y2O3、TiO2、Mgf)Al2O3
、S i 02 ・MgOなどの金属酸化物またはT
iN、 A IN、 SnN、 NbN、 TaN、
GaNなどの金属窒化物または「、SnC,TiCなと
の金属炭化物またはSi+−xOx、S!+−xNxs
Si+−ycx、Ge+−808、Ge+−xNx、
Ge+ −xCw、 B+−xNx、 B+
−xcx(o<x<t)などの絶縁物または本°リエチ
Lン、 本9リカー本゛ネート、 本0リウトタシ、本
°すバラキシトンなどの絶縁性有機化合物が使用できる
。また、自由表面4側に正電荷を帯電させる場合には障
壁層としてP型半導体例えばB、 AI、Ga等の周期
表第■族元素を添加したa−5i(:旧X)、a−5i
+ −xGex(”、H:X)、a−Ge(J:X)、
a−C(:H:X)、a−5it−xC,(:)l:X
)、a−Ge+−XCX(=II:X)を使用しても良
い。また、自由表面5に負電荷を帯電させる場合、障壁
層としてのn型半導体、例えば周期表第V族元素のN、
P、 Asを添加したa−5iCH:X)、a−5
i+−xGex(:11:X)、a−Ge(:l−1:
X)、a−C(:H:X)、a−5it−xcx(:)
I:X)、a−Ge+−xcx(:H:X)を使用して
もよい。
に、図面において、支持体1と電荷輸送層2の間に、支
持体Iから電荷輸送層2の電荷注入を阻止するため障壁
層を設けても良い。障壁層を形成する材料としては、A
l2O3,8aO1BaO2、Be018i203、C
aO1CeOp、(e20:+、La2O3、Dy2O
3、Lu2O3、Cr2O3、Cu13、Fe05Pb
O,MgO1SrO,Ta205、Th01z「02、
)lf02、Y2O3、TiO2、Mgf)Al2O3
、S i 02 ・MgOなどの金属酸化物またはT
iN、 A IN、 SnN、 NbN、 TaN、
GaNなどの金属窒化物または「、SnC,TiCなと
の金属炭化物またはSi+−xOx、S!+−xNxs
Si+−ycx、Ge+−808、Ge+−xNx、
Ge+ −xCw、 B+−xNx、 B+
−xcx(o<x<t)などの絶縁物または本°リエチ
Lン、 本9リカー本゛ネート、 本0リウトタシ、本
°すバラキシトンなどの絶縁性有機化合物が使用できる
。また、自由表面4側に正電荷を帯電させる場合には障
壁層としてP型半導体例えばB、 AI、Ga等の周期
表第■族元素を添加したa−5i(:旧X)、a−5i
+ −xGex(”、H:X)、a−Ge(J:X)、
a−C(:H:X)、a−5it−xC,(:)l:X
)、a−Ge+−XCX(=II:X)を使用しても良
い。また、自由表面5に負電荷を帯電させる場合、障壁
層としてのn型半導体、例えば周期表第V族元素のN、
P、 Asを添加したa−5iCH:X)、a−5
i+−xGex(:11:X)、a−Ge(:l−1:
X)、a−C(:H:X)、a−5it−xcx(:)
I:X)、a−Ge+−xcx(:H:X)を使用して
もよい。
また、これらの不純物を添加する方法として、p型不純
物の場合、B2H6,84)1111.85)19、B
sHn、B6H111,86)+12、B6旧4、BF
3、BCl3、BBr3、AlCl3、(C113)3
Al、(C3115)3AI、(IC4H9)3A1、
(CH3)3Ga、 (C2115)3Ga、1ncI
3、(C2H5)3 In、 n型不純物の場合、P
H3、F2 tla、P)Ial、PFI、PF5、P
C+3、PCIs、PBr3、F13、ASH3、AS
F3、AsC+3、AsBr3、^SF5、 SbH
3、SbF3、SbF5.5bC13,5bC15のガ
スあるいはこれらのガスを12、He、 Arで希釈し
たガスを、プラズマCVD法ではそれぞれの材料形成時
において使用する上記のC原子、S1原子またはGe原
子の原料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパッタ
法ではArまたはHeに混合して用いれば良い(F2ま
たはCI2に混合しても良い)。
物の場合、B2H6,84)1111.85)19、B
sHn、B6H111,86)+12、B6旧4、BF
3、BCl3、BBr3、AlCl3、(C113)3
Al、(C3115)3AI、(IC4H9)3A1、
(CH3)3Ga、 (C2115)3Ga、1ncI
3、(C2H5)3 In、 n型不純物の場合、P
H3、F2 tla、P)Ial、PFI、PF5、P
C+3、PCIs、PBr3、F13、ASH3、AS
F3、AsC+3、AsBr3、^SF5、 SbH
3、SbF3、SbF5.5bC13,5bC15のガ
スあるいはこれらのガスを12、He、 Arで希釈し
たガスを、プラズマCVD法ではそれぞれの材料形成時
において使用する上記のC原子、S1原子またはGe原
子の原料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパッタ
法ではArまたはHeに混合して用いれば良い(F2ま
たはCI2に混合しても良い)。
更に本発明において光導電層を構成する上記のa−5i
(:H:X)、a−Ge(:H:X)、a−5it−r
cx(:H:X)、a−Ge+−xcx(:H:X)及
びa−5++−xGex(:H”、X)に不純物を添加
することにより、キャリアの伝導性を制弾し、所望の電
子写真感光体特性を得ることができる。
(:H:X)、a−Ge(:H:X)、a−5it−r
cx(:H:X)、a−Ge+−xcx(:H:X)及
びa−5++−xGex(:H”、X)に不純物を添加
することにより、キャリアの伝導性を制弾し、所望の電
子写真感光体特性を得ることができる。
また、図とはことなり、光導電N3を基板側に配置し、
電荷輸送層2を表面に積層した構造において、電荷輸送
層2が自由表面4を有する場合においても、支持体1と
光導電層3との間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物、絶縁物または絶縁性有機化合物からなる障
壁層を形成しても良く、また特に自由表面4に正電荷を
帯電させる場合は、上記のp型半導体で障壁層を形成し
、自由表面4に負電荷を帯電させる場合は、上記のn型
半導体で形成するのが好適である。
電荷輸送層2を表面に積層した構造において、電荷輸送
層2が自由表面4を有する場合においても、支持体1と
光導電層3との間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物、絶縁物または絶縁性有機化合物からなる障
壁層を形成しても良く、また特に自由表面4に正電荷を
帯電させる場合は、上記のp型半導体で障壁層を形成し
、自由表面4に負電荷を帯電させる場合は、上記のn型
半導体で形成するのが好適である。
本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性及びクリー
ニング性を向上させるために図面において、あるいは図
面とは異なる光導電層を基板側に配置し、電荷輸送層を
表面に積層した構造において、自由表面4上に表面層を
形成しても良い。表面層形成材料として有効なものとし
て、S!+−xOx、S1+−xNt、S I + −
X Cw、Ge+−xOx、Ge+−xNx、Ge+−
XCX、B+−xNx、B+−xCx(0<x<1)な
どの無機絶縁物あるいは本0リエチしシi[フタレート
、 本0リカー本゛ネート、 ネ0リフ’Uヒ″1ン、
本6り塩化ヒーニ11. 本″0塩化ヒーニリテ
ーン、 ネ0リヒー二8フル]−ル、 参〇リスチドン
、!0す7ミトー、 ポジ四弗化エチ[ン、 本0す三
弗化塩化エチ[ン、本6り弗化ヒーニリテーン、 六弗
化γ0ヒ0トンー四弗化エチしシ]本0リマ、 三弗化
■チしンー弗化ヒ゛ニリテ゛ン]本0リマ、 本0リフ
ーテーン、 ホ0リヒーニルフーチラール、ネ0リウし
タンなどの合成樹脂などが上げられる。
ニング性を向上させるために図面において、あるいは図
面とは異なる光導電層を基板側に配置し、電荷輸送層を
表面に積層した構造において、自由表面4上に表面層を
形成しても良い。表面層形成材料として有効なものとし
て、S!+−xOx、S1+−xNt、S I + −
X Cw、Ge+−xOx、Ge+−xNx、Ge+−
XCX、B+−xNx、B+−xCx(0<x<1)な
どの無機絶縁物あるいは本0リエチしシi[フタレート
、 本0リカー本゛ネート、 ネ0リフ’Uヒ″1ン、
本6り塩化ヒーニ11. 本″0塩化ヒーニリテ
ーン、 ネ0リヒー二8フル]−ル、 参〇リスチドン
、!0す7ミトー、 ポジ四弗化エチ[ン、 本0す三
弗化塩化エチ[ン、本6り弗化ヒーニリテーン、 六弗
化γ0ヒ0トンー四弗化エチしシ]本0リマ、 三弗化
■チしンー弗化ヒ゛ニリテ゛ン]本0リマ、 本0リフ
ーテーン、 ホ0リヒーニルフーチラール、ネ0リウし
タンなどの合成樹脂などが上げられる。
以下、実施例について述べる。
実施例1
アルミニウム基板上に、12μmの膜厚を持つPPSフ
ィルムを重ね、更に均一性の向上を図るため、上から離
型剤としてテフロンをコートしたステンレス基板を荷重
として重ね、酸素中にて280℃3時閏処理を行ないP
PSを融着した。このフィルムをマイクロビッカース硬
度計を用いて硬度の測定を行ったところ、12μmの膜
厚では55±5と融着前のフィルムでは正確に測定でき
なかった硬度も、測定できる硬度に上昇した。
ィルムを重ね、更に均一性の向上を図るため、上から離
型剤としてテフロンをコートしたステンレス基板を荷重
として重ね、酸素中にて280℃3時閏処理を行ないP
PSを融着した。このフィルムをマイクロビッカース硬
度計を用いて硬度の測定を行ったところ、12μmの膜
厚では55±5と融着前のフィルムでは正確に測定でき
なかった硬度も、測定できる硬度に上昇した。
このようなアルミニウム基板を容量結合方式プラズマC
VD装置内に配置し、反応容器内を5XIO−6Tor
r以下に排気した後、基板を150〜250℃に加熱し
た。次ぎにGeF4:0.5〜5secm、 SiH4
:10〜40secm、 82H6を5〜20ppW
R導入し、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力2
0〜1OOWでa−5it−xGex:H:F層を0.
5〜2μm形成し、その後、C2H’ : 10〜40
secm及び5i)I’:20〜40secmを導入し
、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力50〜15
0Wでa−5i+−XCX:H層を表面層として0゜1
〜0.2μm形成して電子写真感光体を作成した。
VD装置内に配置し、反応容器内を5XIO−6Tor
r以下に排気した後、基板を150〜250℃に加熱し
た。次ぎにGeF4:0.5〜5secm、 SiH4
:10〜40secm、 82H6を5〜20ppW
R導入し、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力2
0〜1OOWでa−5it−xGex:H:F層を0.
5〜2μm形成し、その後、C2H’ : 10〜40
secm及び5i)I’:20〜40secmを導入し
、圧力0.2〜1.0Torr、高周波電力50〜15
0Wでa−5i+−XCX:H層を表面層として0゜1
〜0.2μm形成して電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体を+6.3に■のコロナ帯電させた
ところ、+1000〜1500Vの表面電位を得、67
0nm単色光で露光したところ、残留電位は+toov
以下であった。次ぎにこれらの感光体を表面電位が+4
00Vとなるように帯電させたところ、同一膜厚のa−
5i+−アGex : )I ”、 FF’のみで作成
された感光体よりも帯電時のコロナ電流は減少しており
、また光感度も増大しているのが確認できた。
ところ、+1000〜1500Vの表面電位を得、67
0nm単色光で露光したところ、残留電位は+toov
以下であった。次ぎにこれらの感光体を表面電位が+4
00Vとなるように帯電させたところ、同一膜厚のa−
5i+−アGex : )I ”、 FF’のみで作成
された感光体よりも帯電時のコロナ電流は減少しており
、また光感度も増大しているのが確認できた。
また、上記の感光体において、0.2〜2μmのB添加
したa−5it−xGex:)l:F光導電層の代わり
に、基板側から、同じくB添加のa−Ge:H(:F)
jii’を0.1−1μrnとa−5i:fl(:F)
層帆1−171m積層した場合、同じくB添加のa−G
e:)I(:X)NO,1−1,cz mとa−5it
−xGeX:1IcF)層0.1−1μm積層した場合
、あるいは同じくB添加のa−5it −xGeX :
)I(:F)層0.1〜1μmとa−5i:Il(:F
)層0.1〜Itimを積層した場合でも、上記と同じ
結果を得た。
したa−5it−xGex:)l:F光導電層の代わり
に、基板側から、同じくB添加のa−Ge:H(:F)
jii’を0.1−1μrnとa−5i:fl(:F)
層帆1−171m積層した場合、同じくB添加のa−G
e:)I(:X)NO,1−1,cz mとa−5it
−xGeX:1IcF)層0.1−1μm積層した場合
、あるいは同じくB添加のa−5it −xGeX :
)I(:F)層0.1〜1μmとa−5i:Il(:F
)層0.1〜Itimを積層した場合でも、上記と同じ
結果を得た。
上記のように、酸素中の加熱処理によって製膜したPP
Sは、光導電層として用いたa−5i+−xGex:H
:F膜の形成時のプラズマプロセスにも劣化することな
る電荷輸送層として使用することができた。
Sは、光導電層として用いたa−5i+−xGex:H
:F膜の形成時のプラズマプロセスにも劣化することな
る電荷輸送層として使用することができた。
実施例2
実施例1において、表面層として用いた0、1〜0.2
7tmのa−5it−xcx:)IP!の代わりに、a
−5it−x隅二■層を用いた場合、残留電位が60V
以下と臓少し良好な電子写真感光体が得られた。
7tmのa−5it−xcx:)IP!の代わりに、a
−5it−x隅二■層を用いた場合、残留電位が60V
以下と臓少し良好な電子写真感光体が得られた。
実施例3
鏡面研暦した外径88φのアルミニウムドラムを容量結
合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器内を5
X 1O−6Torr以下に排気後、上記ドラムを15
0〜250℃に加熱した。次ぎに、GeH4:10〜5
0sccm、■2希釈した400ppn+濃度の82
Ha : 10〜50secm導入し、圧力0.2〜1
.0Torr、高周波電力100〜300Wで障壁層と
してp型a−Ge:HFjを0.1−1μm形成し、続
いて、GeHa : 10〜50secm、圧カニ0.
2〜l 、0Torr。
合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器内を5
X 1O−6Torr以下に排気後、上記ドラムを15
0〜250℃に加熱した。次ぎに、GeH4:10〜5
0sccm、■2希釈した400ppn+濃度の82
Ha : 10〜50secm導入し、圧力0.2〜1
.0Torr、高周波電力100〜300Wで障壁層と
してp型a−Ge:HFjを0.1−1μm形成し、続
いて、GeHa : 10〜50secm、圧カニ0.
2〜l 、0Torr。
高周波型カニ100〜300Wでアンド−プロ−Ge:
11層0.5〜1μm形成し、次ぎにGeHaに加えて
CH4: 10〜80sccm導入し、アンド−プロ−
Get−xcx:Hji’0−5〜Iμm形成した。次
ぎに、インフレーション法によって15μm膜厚の円筒
状のPPSフィルムを作成する。
11層0.5〜1μm形成し、次ぎにGeHaに加えて
CH4: 10〜80sccm導入し、アンド−プロ−
Get−xcx:Hji’0−5〜Iμm形成した。次
ぎに、インフレーション法によって15μm膜厚の円筒
状のPPSフィルムを作成する。
この時の延伸倍率を円筒軸上の倍率を20〜30倍、円
筒軸と直角方向の倍率を10−15倍とした。また円筒
フィルムの直径は92φとした。上記の光導電層を製膜
したドラムを円筒appsフィルムに挿入し、200℃
に加熱し熱収縮によってドラム上にPPSを積層した。
筒軸と直角方向の倍率を10−15倍とした。また円筒
フィルムの直径は92φとした。上記の光導電層を製膜
したドラムを円筒appsフィルムに挿入し、200℃
に加熱し熱収縮によってドラム上にPPSを積層した。
更に、上記のドラムを酸素中の加熱処理装置に設置し、
285℃6時閏の処理を行い電子写真感光体を作成した
。これらの感光体を発振波長800nmの半導体レーザ
を光源とするレーザビームプリンタに実装し、負帯電に
おいて鮮明な印字を確認した。
285℃6時閏の処理を行い電子写真感光体を作成した
。これらの感光体を発振波長800nmの半導体レーザ
を光源とするレーザビームプリンタに実装し、負帯電に
おいて鮮明な印字を確認した。
また、光導電層のアンド−プロ−Ge:HFFとアンド
ープ(un−doped)a−5i+−*Gex:)l
:FNO代わりに、a−Ge:HCF)単層、a−Ge
t −*cX :)I(:F)単層、a−5I+−、t
Gex:)I(:F)単層、またはAIドラム側からa
−Ge:H(:F)とa−5i:)IcF)の積層、a
−Ge:11(:F)とa−Get−xcx :H(二
F)の積層、a−Ge:H(:F)とa−5i:H(二
F)の積層、a−Get−、C,:)1(:F)とa−
5it−xcx”、lI(:F)の積層、a−Get−
xc。
ープ(un−doped)a−5i+−*Gex:)l
:FNO代わりに、a−Ge:HCF)単層、a−Ge
t −*cX :)I(:F)単層、a−5I+−、t
Gex:)I(:F)単層、またはAIドラム側からa
−Ge:H(:F)とa−5i:)IcF)の積層、a
−Ge:11(:F)とa−Get−xcx :H(二
F)の積層、a−Ge:H(:F)とa−5i:H(二
F)の積層、a−Get−、C,:)1(:F)とa−
5it−xcx”、lI(:F)の積層、a−Get−
xc。
:Il(:F)とa−5i:)IcF)の積層、a−G
e:H(:F)と a−Get−Cx:H(:F)の積
層、a−Get−ycx:H(:F)とa−5i+−x
Ge、:H(:F)の積層を使用した場合においても、
上記と同様な特性を示す電子写真感光体を形成げきた。
e:H(:F)と a−Get−Cx:H(:F)の積
層、a−Get−ycx:H(:F)とa−5i+−x
Ge、:H(:F)の積層を使用した場合においても、
上記と同様な特性を示す電子写真感光体を形成げきた。
実施例4
実施例3で製作した電子写真感光体に、表面層としてG
et−xCP:)I(二F)!帆1〜0.5μmをプラ
ズマCVD法で形成味 レーザビームプリンタに実装し
たところ、この構成の電子写真感光体が耐熱性、耐湿性
に優れ、80万枚の耐刷性を有することを確認した。
et−xCP:)I(二F)!帆1〜0.5μmをプラ
ズマCVD法で形成味 レーザビームプリンタに実装し
たところ、この構成の電子写真感光体が耐熱性、耐湿性
に優れ、80万枚の耐刷性を有することを確認した。
実施例5
表面にMoを蒸着したガラス基板上に、プラズマCVD
法によりリンを5〜100a tm!含有するa−5i
+−、Ge、:HCF)ji!0.5〜271mを形成
し、上記基板上に電荷輸送層としてPPSフィルムを加
熱融着によって積層する際、処理雰囲気に電子受容体と
して、T CNQ (7,7,8,8,−テトラシアノ
キノジメタン)を添加した雰囲気で加熱処理をおこなっ
た。その後、更に、酸素中の加熱処理装置に設置し、2
65℃6時間の処理を行い電子写真感光体を製作した。
法によりリンを5〜100a tm!含有するa−5i
+−、Ge、:HCF)ji!0.5〜271mを形成
し、上記基板上に電荷輸送層としてPPSフィルムを加
熱融着によって積層する際、処理雰囲気に電子受容体と
して、T CNQ (7,7,8,8,−テトラシアノ
キノジメタン)を添加した雰囲気で加熱処理をおこなっ
た。その後、更に、酸素中の加熱処理装置に設置し、2
65℃6時間の処理を行い電子写真感光体を製作した。
この感光体を−6,OKVでコロナ帯電させたところ、
表面電位−800Vを得、波長400〜700n+?I
の光に対して高感度で残留電位も一100V以下であっ
た。
表面電位−800Vを得、波長400〜700n+?I
の光に対して高感度で残留電位も一100V以下であっ
た。
実施例6
表面にA1を蒸着したガラス基板を、マグネトロンスパ
ッタ装置内に配置し、基板温度を150〜300℃とし
、Dy203VE結体をターゲットとし、A「:3〜2
0mTorr、02 : 10〜40mTorr、高周
波電力100〜300Wの条件で障壁層として、Dy2
03層を0.1〜0.5μm形成した。次ぎに、実施例
1と同様に、上記基板上に電荷輸送層として20μmの
PPSフィルムを加熱融着によって積層し、更に、酸素
中の加熱処理装置に設置し、265℃6時間の加熱処理
を行い電荷輸送層を形成した。続いて、蒸着法により、
As−5e−にe層を1〜2μm形成し、さらにAs−
5e−GeFj七に表面層としてポリカーボネート樹脂
を乾燥後Iμmとなるよう均一に塗布し、電子写真感光
体を製作した。
ッタ装置内に配置し、基板温度を150〜300℃とし
、Dy203VE結体をターゲットとし、A「:3〜2
0mTorr、02 : 10〜40mTorr、高周
波電力100〜300Wの条件で障壁層として、Dy2
03層を0.1〜0.5μm形成した。次ぎに、実施例
1と同様に、上記基板上に電荷輸送層として20μmの
PPSフィルムを加熱融着によって積層し、更に、酸素
中の加熱処理装置に設置し、265℃6時間の加熱処理
を行い電荷輸送層を形成した。続いて、蒸着法により、
As−5e−にe層を1〜2μm形成し、さらにAs−
5e−GeFj七に表面層としてポリカーボネート樹脂
を乾燥後Iμmとなるよう均一に塗布し、電子写真感光
体を製作した。
これらの感光体に+6.3KVのコロナ帯電を行い、白
色光で露光したところ、帯電電位が高く、しかも高感度
であった。
色光で露光したところ、帯電電位が高く、しかも高感度
であった。
発明の効果
機能分離型電子写真感光体において、P−フェニレンを
有し、パラ位にカルコゲン元素を有する直鎮状化合物高
分子層を主成分とし、前記電荷輸送層が酸素を含む雰囲
気中で加熱処理を行うことにより耐刷性にも優れ長寿命
で、加熱処理にも安定な特性を維持するものである。
有し、パラ位にカルコゲン元素を有する直鎮状化合物高
分子層を主成分とし、前記電荷輸送層が酸素を含む雰囲
気中で加熱処理を行うことにより耐刷性にも優れ長寿命
で、加熱処理にも安定な特性を維持するものである。
更に、硬度が向上することによってプラズマに対する耐
性も向上し、ゲルマニウムを含むプラズマを用いる光導
電層の形成プロセスにも、プラズマによるダメージもな
く膜堆積が可能となった。
性も向上し、ゲルマニウムを含むプラズマを用いる光導
電層の形成プロセスにも、プラズマによるダメージもな
く膜堆積が可能となった。
以上により、本発明による電子写真感光体は、帯電時の
コラナ電流が小さく、可視光および近赤外線に対して高
感度で、高安定で、しかも低コストである。
コラナ電流が小さく、可視光および近赤外線に対して高
感度で、高安定で、しかも低コストである。
図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断面図
である。 l・・・支持体、2・・・電荷移動層、3・・・無機光
導電層、4・・・自由表面。
である。 l・・・支持体、2・・・電荷移動層、3・・・無機光
導電層、4・・・自由表面。
Claims (8)
- (1)少なくとも導電性を有する支持体上に、光励起に
よってキャリアを発生する光導電層と、そのキャリアを
転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型電子写真
感光体において、上記電荷輸送層を、P−フェニレンを
有し、且つパラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物を
主成分とし、更にO原子を含有する高分子層とし、上記
光導電層がゲルマニウム原子を含有する非単結晶層を含
むことを特徴とする電子写真感光体。 - (2)電荷移動層中のO原子のC原子に対する原子数比
率が、1〜35atm%である特許請求の範囲第1項記
載の電子写真感光体。 - (3)電荷移動層に電子受容体を添加することを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載の電子写真感光体。 - (4)光導電層がシリコン原子を有し、電子スピン密度
を減少せしめる修飾物質を含む特許請求の範囲第1項記
載の電子写真感光体。 - (5)自由表面に表面層を有する特許請求の範囲第1項
記載の電子写真感光体。 - (6)光導電層に少なくとも周期律表第IIIb族、ある
いは第Vb族の元素を含有する特許請求の範囲第4項記
載の電子写真感光体。 - (7)光導電層が表面側に、その自由表面に表面層を有
する特許請求の範囲第4項記載の電子写真感光体。 - (8)表面層が少なくともシリコン原子を主成分とし、
窒素原子を含む特許請求の範囲第7項記載の電子写真感
光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29105787A JPH01133062A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29105787A JPH01133062A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01133062A true JPH01133062A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17763873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29105787A Pending JPH01133062A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01133062A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7459923B2 (en) | 2006-04-07 | 2008-12-02 | Micron Technology, Inc. | Probe interposers and methods of fabricating probe interposers |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP29105787A patent/JPH01133062A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7459923B2 (en) | 2006-04-07 | 2008-12-02 | Micron Technology, Inc. | Probe interposers and methods of fabricating probe interposers |
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