JPH01133062A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式による複写機あるいは光プリン
タに使用される電子写真感光体に関するものである。

従来の技術 近年、複写機におけるディジタル化と同時に、プリンタ
分野においても高速、高印字品質が要求され、電子写真
方式を用いた半導体レーザー、あるいは赤色Ｌ　Ｅ　Ｄ
を光源とした光プリンタの需要が増加している。

このような、要求に応えるべく電子写真感光体において
も、可視光から近赤外にわたって高い光感度を持ち、長
寿命な、安価な感光体が要求されている。

一方、上記の可視光から近赤外にわたって高い感度を持
つ電子写真感光体としては、以下のような試みがなされ
ている。

無機光導電層を単層で用いる例として、ホウ素添加およ
び酸素添加した水素化非晶質シリコンゲルマニウム（以
下ａ−５ｉＧｅ：Ｈと記する）の単層構造（特開昭５７
−１７２３４４号公報）、あるいは無機光導電層を用い
た機能分離型感光体の例としては、水素化非晶質シリコ
ン（以下ａ−５ｉ：Ｈと記する）および水素化ゲルマニ
ウム（以下ａ−Ｇｅ：Ｈと記する）の積層構造（特開昭
５６−１５０７５３号公報）、ａ−５ｉ：Ｈおよびａ−
５ｉＧｅ：Ｈの積層構造（特開昭５７−１１５５５２号
公報）、あるいは５ｅ−ＴｅとＳｅの積層構造等の電子
写真感光体が提案されている。

また、有機材料を用いた例では、機能分離型感光体がそ
のほとんどを占め、フタロシアニン系の有機光半導体を
光導電層としたものが多い。

発明が解決しようとする問題点 第１に、ａ−５ｉ：Ｈ，ａ−５ｉＧｅ：Ｈあるいはａ−
Ｇｅ：Ｈから構成される電子写真感光体は、これらの材
料の比誘電率が１０〜１５と大きく、感光体の静電容量
が大きいため、帯電時に大きなコロナ電流が必要である
。また表面電荷密度が多いため、この電荷を消滅させる
ために多くの露光量が必要になり、使用される光源の制
約および消費電力の増加、あるいは露光時閏の増加によ
る動作速度の低下を生じる問題があった。

第２に、ａ−５ｉ：Ｈおよびａ−Ｇｅ：Ｈの製膜に最も
一般的なプラズマ法を使用する場合、原料ガスとして５
ｉＨ４およびＧｅＨａが用いられるが、これらのガスは
高価であり、製造コストの低減が困難であった。

第３に、有機材料あるいはＳｅ系を用いた機能分離型感
光体でも表面硬度も十分でなく、印字速度の高いプリン
タ等では耐刷性に問題があり、十分な寿命とは言えない
問題があった。

問題点を解決するための手段 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型
電子写真感光体において、電荷輸送層を、Ｐ−フェニレ
ンを有し、且つパラ位にｖｔｂ族元素を有する直鎖状化
合物を主成分とし、更に０原子を含有する高分子層とし
、光導電層としてゲルマニウム原子を含有する非単結晶
層を含む層を積層する。

作用 ＰＰＳに代表される、Ｐ−フェニレンを有し、且つパラ
位にＶｌｂ族元素を有する直鎖状化合物を主成分とした
高分子層は、特開昭５５−９０９５４号公報、および特
開昭６０−５９３５３号公報には、電荷輸送層としてＰ
ＰＳ　（ポリーＰ−フェニレンスルフィド）が高いキャ
リア移動度を持ち、あるいは、フィルムとして電荷輸送
層として用いることにより、安価に製造できる優れた材
料として提案されているが、キャリア移動度、キャリア
寿命ともに十分でなく、現在の実用レベルには至ってい
ない。

このようなＰＰＳフィルムの、キャリア移動度およびキ
ャリア寿命が小さいと言う欠点を克服するため種々検討
を行った結果、ＰＰＳを代表とする、Ｐ−フェニレンを
有し、且つパラ位にカルコゲン元素を有する直鎖状化合
物を主成分とする高分子層を、酸素原子を含む雰囲気中
で２５０〜３２０℃の温度で、０．２〜５０時間の、好
ましくは、２６０〜２９０℃１〜１２時間の処理を行う
ことによって、電荷輸送能力が飛躍的に向、トすること
を見いだした。

上記の高分子フィルムには２〜３５ａ　ｔｍＸの、好ま
しくは、１〜２０ａ　ｔｍＸの酸素原子を含んでいるこ
とが確認できた。

また、加熱処理にともない、高分子フィルムに硬化が生
じる。実際、２軸延伸によってフィルム化されたＰＰＳ
の硬度はマイクロビッカース硬度計では正確に測定でき
ないほど柔らかい。一方、上記の処理を施したフィルム
はビッカース硬度でＩＯ〜８０と上昇し、電荷輸送能力
を向上させる酸素原子が安定にフィルム中に取り込まれ
、光導電層を形成する際の基板加熱、あるいはプラズマ
を用いた製膜プロセスにも安定で、高い感度と、低い残
留電位の電子写真感光体を可能とすることができた。

上記の高分子層の比誘電率は〜３と、ａ−５ｉ：Ｈおよ
びａ−５ｉＧｅ：Ｈの比誘電率〜１１に比へてかなり小
さく、このような材料を電荷輸送層として用いれば、ａ
−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉＧｅ：Ｈの単層感光体ある
いはａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉＧｅ：ｔｌの積層感
光体の誘電率より小さくすることができる。従って、帯
電時のコロナ電流が減少し、また表面電荷量が少ないた
め光感度が高くなり、動作速度を向上させることが可能
になる。

また、ＰＰＳに代表される高分子フィルムは、直接に電
子写真感光体の導電性支持体上に加熱融着することによ
って製膜できるため、安価な感光体が製造できる。

また、上記のようにＰＰＳ自体の硬度も高く、あるいは
、硬度の高い光導電層を表面に′ｆｒｉ層することによ
って耐刷性が向トし、長寿命な感光体が得られる。

実施例 図は、本発明における最も基本的な電子写真感光体の１
実施例の断面を模式的に示したものである。

図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体１上に、少なくとも主鎖方向にＰ−フェニレンを有
し、パラ位にカルコゲン元素を有する構造の高分子層を
、酸素を含む雰囲気で加熱処理を行なった高分子層から
なる電荷輸送Ｎ２とゲルマニウムを含む無機光導電層３
とを有し、前記無機光導電Ｎ３は自由表面４を一方の端
面に有している。

また、図に示す構造とは逆に、支持体１上にゲルマニウ
ムを含有する光導電Ｎ３を形成し、上記の高分子層から
なる電荷移動層２の順に積層しても、高分子層は可視光
の赤色波長域から近赤外に対してほとんど透明であるた
め、自由表面４から入射した光の大部分は光導電Ｆ’３
に到達することができ、図の構成と同様な特性を得ろこ
とができる。

本発明において、ゲルマニウムを含有する光導電Ｎ３を
形成する材料としては、ａ−Ｇｅ（：）ｌ：Ｘ）単層、
ａ−５ｉＧｅ（：旧Ｘ）単層、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）と
ａ−５ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−５ｉ（：ｔｌ：
Ｘ）とａ−５ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−ＧｅＣ（
：旧Ｘ）単層、ａ−ＧｅＣ（：Ｈ：Ｘ）とａ−５ｉＧｅ
（二Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）とａ−５ｉ
Ｃ（：Ｈ：Ｘ）の積層、ａ−５ｉＧｅ（：Ｈ：Ｘ）とａ
−５ｉＣ（二Ｈ：Ｘ）の積層、またはａ−ＧｅＣ（：Ｈ
：Ｘ）とａ−５ｉＣ（：Ｈ：Ｘ）の積層などが選択して
使用される。

少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有し、ゲル
マニウムを含む無機光導電層の構成材料であるａ−５ｉ
ＣＨ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ＋−ｘｃ
ｘ（：Ｈ：Ｘ）及びａ−５ｉ＋−ｘＧｅｘｃＨ：Ｘ）の
作成には、先ず、ａ−５ｉ（：）Ｉ：Ｘ）の場合、５ｌ
Ｈ４、Ｓ　ｉ　２１１６、Ｓ　ｉ　３１１８、ＳｉＦ４
．５ｉＣＬ４、ＳｉＨＦ３．５ｉｔｂＦ＋、Ｓ　ｉ　Ｈ
Ｃ１３，５ｉ）１２Ｃ１２，５ｉＨ３ＣＩなどの５１原
子の原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、または多結晶
シリコンをターゲットとし、Ａ「とＩ２　（更にＦ２ま
たはＣＩ２を混合しても良い）の混合ガス中での反応性
スパッタ法が用いられ、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）も場合、
ＧｅＨａ、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３■ｓ、ＧｅＦｎ、ＧｅＨ
Ｆ３、ＧｅＩ２Ｆ２、Ｇｅ旧Ｆ、　　ＧｅＣＩａ、Ｇｅ
ＨＣｌ３、ＧｅＨ２ＣＩ２、Ｇｅｌ　３　Ｃ１、Ｇｅ１
４、Ｇｅ）１３１、ＧｅＩ２１２、Ｇｅ１１３１、Ｇｅ
Ｂｒａ、Ｇｅ）ＩＢｒ３、Ｇｅ１２Ｂ「２、ＧｅＨｌ３
Ｂｒ、　ＧｅＦ２等のＧｅ原子の原料ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法、または多結晶ゲルマニウムをターゲット
とし、Ａｒと８２　（更に、Ｆ２またはＣＩ２を混合し
ても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いら
れる。ａ−５ｉ＋−ｘＧｅｘｃＨ：Ｘ）の作成の場合も
同様に、上記のＳｉ原子の原料ガス及びＧｅ原子の原料
ガスの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法、あるいはＳ
ｉとＧｅの混合されたターゲットまたはＳｉとＧｅの２
枚のターゲットを用いたＡ「と８２　（更にＦ２または
ＣＩ２を混合しても良い）の混合ガス中での反応性スパ
ッタにより形成される。

また、光導電Ｎ３として上記以外の有効な材料としては
、少なくとも（、Ｔｅ、　Ｓあるいはこれらの中の２種
以上からなる材料にＧｅを含有させたカルコゲナイドガ
ラス、例えばＧｅ−５，Ｇｅ−５ｅ、　Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｐ−５，Ｇｅ−Ｐ−５ｅ、　Ｇｅ−Ｐ−Ｔｅ、　Ｇ
ｅ−Ａｓ−５，Ｇｅ−Ａｓ−５ｅ。

Ｇｅ−Ａｓ−Ｔｅ、　Ｇｅ−５ｂ−５，Ｇｅ−５ｂ−５
ｅ、　Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅ、　Ｇｅ−５ｉ−Ａｓ−５ｅ、
　　　Ｇｅ−５ｉ　−Ａｓ−Ｔｅ、　　　Ｇｅ−Ａｓ−
Ｔｅ−５ｅ、　　　Ｇｅ−へ５−５−Ｔｅ。

に−Ｃａ−Ｇｅ−５，Ｇｅ−Ｔｅ−５ｂ−５等があげら
れる。

本発明において、ざらに電子写真特性を向上させるため
に、図面において、支持体１と電荷輸送層２の間に、支
持体Ｉから電荷輸送層２の電荷注入を阻止するため障壁
層を設けても良い。障壁層を形成する材料としては、Ａ
ｌ２Ｏ３，８ａＯ１ＢａＯ２、Ｂｅ０１８ｉ２０３、Ｃ
ａＯ１ＣｅＯｐ、（ｅ２０：＋、Ｌａ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ
３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｕ１３、Ｆｅ０５Ｐｂ
Ｏ，ＭｇＯ１ＳｒＯ，Ｔａ２０５、Ｔｈ０１ｚ「０２、
）ｌｆ０２、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｍｇｆ）Ａｌ２Ｏ３
、Ｓ　ｉ　０２　・ＭｇＯなどの金属酸化物またはＴ　
ｉＮ、　Ａ　ＩＮ、　ＳｎＮ、　ＮｂＮ、　　ＴａＮ、
ＧａＮなどの金属窒化物または「、ＳｎＣ，ＴｉＣなと
の金属炭化物またはＳｉ＋−ｘＯｘ、Ｓ！＋−ｘＮｘｓ
　Ｓｉ＋−ｙｃｘ、Ｇｅ＋−８０８、Ｇｅ＋−ｘＮｘ、
　　Ｇｅ＋　−ｘＣｗ、　　Ｂ＋−ｘＮｘ、　　Ｂ＋　
−ｘｃｘ（ｏ＜ｘ＜ｔ）などの絶縁物または本°リエチ
Ｌン、　本９リカー本゛ネート、　本０リウトタシ、本
°すバラキシトンなどの絶縁性有機化合物が使用できる
。また、自由表面４側に正電荷を帯電させる場合には障
壁層としてＰ型半導体例えばＢ、　ＡＩ、Ｇａ等の周期
表第■族元素を添加したａ−５ｉ（：旧Ｘ）、ａ−５ｉ
＋　−ｘＧｅｘ（”、Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（Ｊ：Ｘ）、
ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−５ｉｔ−ｘＣ，（：）ｌ：Ｘ
）、ａ−Ｇｅ＋−ＸＣＸ（＝ＩＩ：Ｘ）を使用しても良
い。また、自由表面５に負電荷を帯電させる場合、障壁
層としてのｎ型半導体、例えば周期表第Ｖ族元素のＮ、
　　Ｐ、　Ａｓを添加したａ−５ｉＣＨ：Ｘ）、ａ−５
ｉ＋−ｘＧｅｘ（：１１：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（：ｌ−１：
Ｘ）、ａ−Ｃ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−５ｉｔ−ｘｃｘ（：）
Ｉ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ＋−ｘｃｘ（：Ｈ：Ｘ）を使用して
もよい。

また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合、Ｂ２Ｈ６，８４）１１１１．８５）１９、Ｂ
ｓＨｎ、Ｂ６Ｈ１１１，８６）＋１２、Ｂ６旧４、ＢＦ
３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、ＡｌＣｌ３、（Ｃ１１３）３
Ａｌ、（Ｃ３１１５）３ＡＩ、（ＩＣ４Ｈ９）３Ａ１、
（ＣＨ３）３Ｇａ、　（Ｃ２１１５）３Ｇａ、１ｎｃＩ
３、（Ｃ２Ｈ５）３　Ｉｎ、　　ｎ型不純物の場合、Ｐ
Ｈ３、Ｆ２　ｔｌａ、Ｐ）Ｉａｌ、ＰＦＩ、ＰＦ５、Ｐ
Ｃ＋３、ＰＣＩｓ、ＰＢｒ３、Ｆ１３、ＡＳＨ３、ＡＳ
Ｆ３、ＡｓＣ＋３、ＡｓＢｒ３、＾ＳＦ５、　　ＳｂＨ
３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＣ１３，５ｂＣ１５のガ
スあるいはこれらのガスを１２、Ｈｅ、　Ａｒで希釈し
たガスを、プラズマＣＶＤ法ではそれぞれの材料形成時
において使用する上記のＣ原子、Ｓ１原子またはＧｅ原
子の原料ガスに混合して用いれば良く、反応性スパッタ
法ではＡｒまたはＨｅに混合して用いれば良い（Ｆ２ま
たはＣＩ２に混合しても良い）。

更に本発明において光導電層を構成する上記のａ−５ｉ
（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−５ｉｔ−ｒ
ｃｘ（：Ｈ：Ｘ）、ａ−Ｇｅ＋−ｘｃｘ（：Ｈ：Ｘ）及
びａ−５＋＋−ｘＧｅｘ（：Ｈ”、Ｘ）に不純物を添加
することにより、キャリアの伝導性を制弾し、所望の電
子写真感光体特性を得ることができる。

また、図とはことなり、光導電Ｎ３を基板側に配置し、
電荷輸送層２を表面に積層した構造において、電荷輸送
層２が自由表面４を有する場合においても、支持体１と
光導電層３との間に、上記の金属酸化物、金属窒化物、
金属炭化物、絶縁物または絶縁性有機化合物からなる障
壁層を形成しても良く、また特に自由表面４に正電荷を
帯電させる場合は、上記のｐ型半導体で障壁層を形成し
、自由表面４に負電荷を帯電させる場合は、上記のｎ型
半導体で形成するのが好適である。

本発明において、感光体の耐摩耗性、耐湿性及びクリー
ニング性を向上させるために図面において、あるいは図
面とは異なる光導電層を基板側に配置し、電荷輸送層を
表面に積層した構造において、自由表面４上に表面層を
形成しても良い。表面層形成材料として有効なものとし
て、Ｓ！＋−ｘＯｘ、Ｓ１＋−ｘＮｔ、Ｓ　Ｉ　＋　−
Ｘ　Ｃｗ、Ｇｅ＋−ｘＯｘ、Ｇｅ＋−ｘＮｘ、Ｇｅ＋−
ＸＣＸ、Ｂ＋−ｘＮｘ、Ｂ＋−ｘＣｘ（０＜ｘ＜１）な
どの無機絶縁物あるいは本０リエチしシｉ［フタレート
、　本０リカー本゛ネート、　ネ０リフ’Ｕヒ″１ン、
　　本６り塩化ヒーニ１１．　　本″０塩化ヒーニリテ
ーン、　ネ０リヒー二８フル］−ル、　参〇リスチドン
、！０す７ミトー、　ポジ四弗化エチ［ン、　本０す三
弗化塩化エチ［ン、本６り弗化ヒーニリテーン、　六弗
化γ０ヒ０トンー四弗化エチしシ］本０リマ、　三弗化
■チしンー弗化ヒ゛ニリテ゛ン］本０リマ、　本０リフ
ーテーン、　ホ０リヒーニルフーチラール、ネ０リウし
タンなどの合成樹脂などが上げられる。

以下、実施例について述べる。

実施例１ アルミニウム基板上に、１２μｍの膜厚を持つＰＰＳフ
ィルムを重ね、更に均一性の向上を図るため、上から離
型剤としてテフロンをコートしたステンレス基板を荷重
として重ね、酸素中にて２８０℃３時閏処理を行ないＰ
ＰＳを融着した。このフィルムをマイクロビッカース硬
度計を用いて硬度の測定を行ったところ、１２μｍの膜
厚では５５±５と融着前のフィルムでは正確に測定でき
なかった硬度も、測定できる硬度に上昇した。

このようなアルミニウム基板を容量結合方式プラズマＣ
ＶＤ装置内に配置し、反応容器内を５ＸＩＯ−６Ｔｏｒ
ｒ以下に排気した後、基板を１５０〜２５０℃に加熱し
た。次ぎにＧｅＦ４：０．５〜５ｓｅｃｍ、　ＳｉＨ４
：１０〜４０ｓｅｃｍ、　　８２Ｈ６を５〜２０ｐｐＷ
Ｒ導入し、圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力２
０〜１ＯＯＷでａ−５ｉｔ−ｘＧｅｘ：Ｈ：Ｆ層を０．
５〜２μｍ形成し、その後、Ｃ２Ｈ’　：　１０〜４０
ｓｅｃｍ及び５ｉ）Ｉ’：２０〜４０ｓｅｃｍを導入し
、圧力０．２〜１．０Ｔｏｒｒ、高周波電力５０〜１５
０Ｗでａ−５ｉ＋−ＸＣＸ：Ｈ層を表面層として０゜１
〜０．２μｍ形成して電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体を＋６．３に■のコロナ帯電させた
ところ、＋１０００〜１５００Ｖの表面電位を得、６７
０ｎｍ単色光で露光したところ、残留電位は＋ｔｏｏｖ
以下であった。次ぎにこれらの感光体を表面電位が＋４
００Ｖとなるように帯電させたところ、同一膜厚のａ−
５ｉ＋−アＧｅｘ　：　）Ｉ　”、　ＦＦ’のみで作成
された感光体よりも帯電時のコロナ電流は減少しており
、また光感度も増大しているのが確認できた。

また、上記の感光体において、０．２〜２μｍのＢ添加
したａ−５ｉｔ−ｘＧｅｘ：）ｌ：Ｆ光導電層の代わり
に、基板側から、同じくＢ添加のａ−Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）
ｊｉｉ’を０．１−１μｒｎとａ−５ｉ：ｆｌ（：Ｆ）
層帆１−１７１ｍ積層した場合、同じくＢ添加のａ−Ｇ
ｅ：）Ｉ（：Ｘ）ＮＯ，１−１，ｃｚ　ｍとａ−５ｉｔ
−ｘＧｅＸ：１ＩｃＦ）層０．１−１μｍ積層した場合
、あるいは同じくＢ添加のａ−５ｉｔ　−ｘＧｅＸ　：
）Ｉ（：Ｆ）層０．１〜１μｍとａ−５ｉ：Ｉｌ（：Ｆ
）層０．１〜Ｉｔｉｍを積層した場合でも、上記と同じ
結果を得た。

上記のように、酸素中の加熱処理によって製膜したＰＰ
Ｓは、光導電層として用いたａ−５ｉ＋−ｘＧｅｘ：Ｈ
：Ｆ膜の形成時のプラズマプロセスにも劣化することな
る電荷輸送層として使用することができた。

実施例２ 実施例１において、表面層として用いた０、１〜０．２
７ｔｍのａ−５ｉｔ−ｘｃｘ：）ＩＰ！の代わりに、ａ
−５ｉｔ−ｘ隅二■層を用いた場合、残留電位が６０Ｖ
以下と臓少し良好な電子写真感光体が得られた。

実施例３ 鏡面研暦した外径８８φのアルミニウムドラムを容量結
合方式プラズマＣＶＤ装置内に配置し、反応容器内を５
Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気後、上記ドラムを１５
０〜２５０℃に加熱した。次ぎに、ＧｅＨ４：１０〜５
０ｓｃｃｍ、■２希釈した４００ｐｐｎ＋濃度の８２　
Ｈａ　：　１０〜５０ｓｅｃｍ導入し、圧力０．２〜１
．０Ｔｏｒｒ、高周波電力１００〜３００Ｗで障壁層と
してｐ型ａ−Ｇｅ：ＨＦｊを０．１−１μｍ形成し、続
いて、ＧｅＨａ　：　１０〜５０ｓｅｃｍ、圧カニ０．
２〜ｌ　、０Ｔｏｒｒ。

高周波型カニ１００〜３００Ｗでアンド−プロ−Ｇｅ：
１１層０．５〜１μｍ形成し、次ぎにＧｅＨａに加えて
ＣＨ４：　１０〜８０ｓｃｃｍ導入し、アンド−プロ−
Ｇｅｔ−ｘｃｘ：Ｈｊｉ’０−５〜Ｉμｍ形成した。次
ぎに、インフレーション法によって１５μｍ膜厚の円筒
状のＰＰＳフィルムを作成する。

この時の延伸倍率を円筒軸上の倍率を２０〜３０倍、円
筒軸と直角方向の倍率を１０−１５倍とした。また円筒
フィルムの直径は９２φとした。上記の光導電層を製膜
したドラムを円筒ａｐｐｓフィルムに挿入し、２００℃
に加熱し熱収縮によってドラム上にＰＰＳを積層した。

更に、上記のドラムを酸素中の加熱処理装置に設置し、
２８５℃６時閏の処理を行い電子写真感光体を作成した
。これらの感光体を発振波長８００ｎｍの半導体レーザ
を光源とするレーザビームプリンタに実装し、負帯電に
おいて鮮明な印字を確認した。

また、光導電層のアンド−プロ−Ｇｅ：ＨＦＦとアンド
ープ（ｕｎ−ｄｏｐｅｄ）ａ−５ｉ＋−＊Ｇｅｘ：）ｌ
：ＦＮＯ代わりに、ａ−Ｇｅ：ＨＣＦ）単層、ａ−Ｇｅ
ｔ　−＊ｃＸ　：）Ｉ（：Ｆ）単層、ａ−５Ｉ＋−、ｔ
Ｇｅｘ：）Ｉ（：Ｆ）単層、またはＡＩドラム側からａ
−Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）とａ−５ｉ：）ＩｃＦ）の積層、ａ
−Ｇｅ：１１（：Ｆ）とａ−Ｇｅｔ−ｘｃｘ　：Ｈ（二
Ｆ）の積層、ａ−Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）とａ−５ｉ：Ｈ（二
Ｆ）の積層、ａ−Ｇｅｔ−、Ｃ，：）１（：Ｆ）とａ−
５ｉｔ−ｘｃｘ”、ｌＩ（：Ｆ）の積層、ａ−Ｇｅｔ−
ｘｃ。

：Ｉｌ（：Ｆ）とａ−５ｉ：）ＩｃＦ）の積層、ａ−Ｇ
ｅ：Ｈ（：Ｆ）と　ａ−Ｇｅｔ−Ｃｘ：Ｈ（：Ｆ）の積
層、ａ−Ｇｅｔ−ｙｃｘ：Ｈ（：Ｆ）とａ−５ｉ＋−ｘ
Ｇｅ、：Ｈ（：Ｆ）の積層を使用した場合においても、
上記と同様な特性を示す電子写真感光体を形成げきた。

実施例４ 実施例３で製作した電子写真感光体に、表面層としてＧ
ｅｔ−ｘＣＰ：）Ｉ（二Ｆ）！帆１〜０．５μｍをプラ
ズマＣＶＤ法で形成味　レーザビームプリンタに実装し
たところ、この構成の電子写真感光体が耐熱性、耐湿性
に優れ、８０万枚の耐刷性を有することを確認した。

実施例５ 表面にＭｏを蒸着したガラス基板上に、プラズマＣＶＤ
法によりリンを５〜１００ａ　ｔｍ！含有するａ−５ｉ
＋−、Ｇｅ、：ＨＣＦ）ｊｉ！０．５〜２７１ｍを形成
し、上記基板上に電荷輸送層としてＰＰＳフィルムを加
熱融着によって積層する際、処理雰囲気に電子受容体と
して、Ｔ　ＣＮＱ　（７，７，８，８，−テトラシアノ
キノジメタン）を添加した雰囲気で加熱処理をおこなっ
た。その後、更に、酸素中の加熱処理装置に設置し、２
６５℃６時間の処理を行い電子写真感光体を製作した。

この感光体を−６，ＯＫＶでコロナ帯電させたところ、
表面電位−８００Ｖを得、波長４００〜７００ｎ＋？Ｉ
の光に対して高感度で残留電位も一１００Ｖ以下であっ
た。

実施例６ 表面にＡ１を蒸着したガラス基板を、マグネトロンスパ
ッタ装置内に配置し、基板温度を１５０〜３００℃とし
、Ｄｙ２０３ＶＥ結体をターゲットとし、Ａ「：３〜２
０ｍＴｏｒｒ、０２　：　１０〜４０ｍＴｏｒｒ、高周
波電力１００〜３００Ｗの条件で障壁層として、Ｄｙ２
０３層を０．１〜０．５μｍ形成した。次ぎに、実施例
１と同様に、上記基板上に電荷輸送層として２０μｍの
ＰＰＳフィルムを加熱融着によって積層し、更に、酸素
中の加熱処理装置に設置し、２６５℃６時間の加熱処理
を行い電荷輸送層を形成した。続いて、蒸着法により、
Ａｓ−５ｅ−にｅ層を１〜２μｍ形成し、さらにＡｓ−
５ｅ−ＧｅＦｊ七に表面層としてポリカーボネート樹脂
を乾燥後Ｉμｍとなるよう均一に塗布し、電子写真感光
体を製作した。

これらの感光体に＋６．３ＫＶのコロナ帯電を行い、白
色光で露光したところ、帯電電位が高く、しかも高感度
であった。

発明の効果 機能分離型電子写真感光体において、Ｐ−フェニレンを
有し、パラ位にカルコゲン元素を有する直鎮状化合物高
分子層を主成分とし、前記電荷輸送層が酸素を含む雰囲
気中で加熱処理を行うことにより耐刷性にも優れ長寿命
で、加熱処理にも安定な特性を維持するものである。

更に、硬度が向上することによってプラズマに対する耐
性も向上し、ゲルマニウムを含むプラズマを用いる光導
電層の形成プロセスにも、プラズマによるダメージもな
く膜堆積が可能となった。

以上により、本発明による電子写真感光体は、帯電時の
コラナ電流が小さく、可視光および近赤外線に対して高
感度で、高安定で、しかも低コストである。

【図面の簡単な説明】

図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断面図
である。 ｌ・・・支持体、２・・・電荷移動層、３・・・無機光
導電層、４・・・自由表面。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも導電性を有する支持体上に、光励起に
   よってキャリアを発生する光導電層と、そのキャリアを
   転送する電荷輸送層を積層してなる機能分離型電子写真
   感光体において、上記電荷輸送層を、Ｐ−フェニレンを
   有し、且つパラ位にVIｂ族元素を有する直鎖状化合物を
   主成分とし、更にＯ原子を含有する高分子層とし、上記
   光導電層がゲルマニウム原子を含有する非単結晶層を含
   むことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）電荷移動層中のＯ原子のＣ原子に対する原子数比
   率が、１〜３５ａｔｍ％である特許請求の範囲第１項記
   載の電子写真感光体。
3. （３）電荷移動層に電子受容体を添加することを特徴と
   する特許請求の範囲第２項記載の電子写真感光体。
4. （４）光導電層がシリコン原子を有し、電子スピン密度
   を減少せしめる修飾物質を含む特許請求の範囲第１項記
   載の電子写真感光体。
5. （５）自由表面に表面層を有する特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体。
6. （６）光導電層に少なくとも周期律表第IIIｂ族、ある
   いは第Ｖｂ族の元素を含有する特許請求の範囲第４項記
   載の電子写真感光体。
7. （７）光導電層が表面側に、その自由表面に表面層を有
   する特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
8. （８）表面層が少なくともシリコン原子を主成分とし、
   窒素原子を含む特許請求の範囲第７項記載の電子写真感
   光体。