JPH01141897A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents

ダイヤモンドの合成方法

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JPH01141897A
JPH01141897A JP62301035A JP30103587A JPH01141897A JP H01141897 A JPH01141897 A JP H01141897A JP 62301035 A JP62301035 A JP 62301035A JP 30103587 A JP30103587 A JP 30103587A JP H01141897 A JPH01141897 A JP H01141897A
Authority
JP
Japan
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diamond
carbon dioxide
hydrogen
gas
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP62301035A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimichi Ito
伊藤 利通
Ikuo Hosoya
郁雄 細谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Petrochemical Co Ltd filed Critical Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Priority to US07/184,561 priority patent/US4985227A/en
Priority to NO881723A priority patent/NO881723L/no
Priority to DE88106419T priority patent/DE3884658T2/de
Priority to EP88106419A priority patent/EP0288065B1/en
Priority to CA000564794A priority patent/CA1327772C/en
Priority to KR1019880004591A priority patent/KR910008728B1/ko
Priority to US07/308,087 priority patent/US4984534A/en
Publication of JPH01141897A publication Critical patent/JPH01141897A/ja
Priority to KR1019910008772A priority patent/KR910008729B1/ko
Priority to NO940494A priority patent/NO940494D0/no
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1・ この発明はダイヤモンドの合成方法に関し、さらに詳し
く言うと、たとえば各種保護膜、光学用材料、電子材料
、化学工業材料などに広く利用することができるダイヤ
モンドを速い速度で効率よく堆積させるダイヤモンドの
合成方法に関する。
[従来の技術およびその問題点1 近年、ダイヤモンドの合成技術が著しい発展を遂げつつ
あり、これまでに、炭化水素をプラズマ分解して基板表
面に硬質炭素を得るプラズマCVD法、不均等化学反応
を利用して基板表面に硬?I炭!膜を得る化学輸送法な
どのCVD法、熱陰極PIGガン、冷陰極PIGガンあ
るいはスパッターガンを用いたイオン化TAH法などの
種々の合成技術が知られるに至っている。
ところで、従来、提案されてきた方法は、原料に炭化水
素または炭化水素と水素との混合ガスを用いるものであ
るが(特開昭58−91100号公報、特開昭58−1
10494号公報、特開昭58−135117号公報、
特開昭59−63732号公報、特開昭60−1030
99号公報等参照)、これらの方法は、いずれも可燃性
、爆発性のガスを用いるため、取扱いに危険を伴い、安
全面での問題があり、若干高価であるという経済上の問
題もあった。
また、ダイヤモンドの堆積速度の向上を図ることを目的
として、炭化水素と水素とからなる混合ガスに一酸化炭
素を含有させた原料ガスを用いる方法が提案されている
(特開昭6O−191f197号公報参照)。
しかしながら、前記公報に記載された方法は従来の方法
において用いられてきた原料ガスに新たに一酸化炭素を
含有させる必要があるので、R料ガスの調製が複雑化す
るとともに、その操作が煩雑であるという新たな問題を
有している。さらに、前記公報によると、炭化水素に配
合する一酸化炭素の配合含有量を10容量%よりも多く
すると、基体表面に析出する人工ダイヤモンド中の酸素
含有量が多くなりすぎて、ダイヤモンドの結晶構造が損
なわれるようになると言う重大な欠点があり、さらには
、取扱い上の安全性にも問題があった。
そこで、取扱いが安全で、経済上有利で、しかも操作が
簡単で、生産効率に優れた。結晶構造の損なわれていな
いダイヤモンドの合成方法への要請は依然として強いの
が現状である。
[発明の目的] この発明の目的は、前記要請に応え、高周波プラズマC
VD法、マイクロ波プラズマCvD法、熱フイラメント
CVD法、化学輸送法、イオン化蒸着法、イオンビーム
蒸着法等のいずれの方法による場合であっても、取扱い
が安全で、経済上有利で、しかも原料ガスの調製に要す
る操作がきわめて簡単で生産効率に優れた。結晶構造に
乱れのないダイヤモンドの合成方法を提供することであ
る。
[前記目的を達成するための手段] 前記目的を達成するために、この発明者が鋭意検討を重
ねた結果、二酸化炭素ガスと水素ガスとの混合ガスを原
料に用いた場合には、驚くべきことに、従来、必須の原
料とされていた炭化水素を用いなくてもダイヤモンドを
製造することができ、しかも、炭化水素を用いた場合に
比較して取扱いが安全で、経済上有利で、しかも効率よ
くダイヤモンドが合成できることを見い出してこの発明
に到達した。
すなわち、この発明の概要は、水素に対する二酸化炭素
が0.1〜20モル%となる割合で混合された二酸化炭
素と水素とを励起して得られるガスを、基板に接触させ
ることを特徴とするダイヤモンドの合成方法である。
使用に供する前記二酸化炭素としては特に制限がなく、
たとえば石灰石を強熱するかまたは石炭などを燃焼させ
、生ずるガスを炭酸塩溶液に吸収させて炭酸水素塩をつ
くり、これを加熱して精製したものを用いることができ
る。
使用に供する前記水素について特に制限がなく、たとえ
ば石油類のガス化、天然ガス、水性ガスなどの変成、水
の電解、鉄と水蒸気との反応。
石炭の完全ガス化などにより得られるものを充分に精製
したものを用いることができる。
この発明の方法においては、原料ガスとして二酸化炭素
と前記水素とを、水素に対して二酸化炭素が0.1〜2
0モル%、好ましくは、0.1〜lOモル%となる割合
で、含有する混合ガスを励起して得られるガスを、基板
に接触させることにより基板上にダイヤモンドを堆積さ
せる。
前記混合ガス中の二酸化炭素の含有量が0.1モル%よ
りも少ないとダイヤモンドが生成しなかったり、ダイヤ
モンドがたとえ生成してもその堆積速度が著しく小さい
、また、二酸化炭素の含有量が20モル%よりも多いと
グラファイトを生じる。
前記基板には、特に制限がなく、たとえばシリコン、ア
ルミニウム、チタン、タングステン、モリブデン、コバ
ルトおよびクロムなどの金属、これらの酸化物、窒化物
および炭化物、これらの合金、 A120x−Fe系、
Tic−Xi系、Tie−CO系およびB4C−Fe系
等のサーメットならびに各種セラミックスからなるもの
のいずれをも使用することができる。
前記原料ガスを励起して励起状態の炭素を含有する前記
原料ガスを得る手段としては、たとえばプラズマCVD
法、スパッタ法、イオン化蒸着法、イオンビーム蒸着法
、熱フイラメント法、化学輸送法などの従来より公知の
方法を用いることができる。
前記プラズマCVD法を用いる場合には、前記水素は高
周波またはマイクロ波の照射によってプラズマを形成し
、前記化学輸送法および熱フイラメント法などのCVD
法を用いる場合には、前記水素は熱または放電により原
子状水素を形成する。
この原子状水素は、ダイヤモンドの析出と同時に析出す
る黒鉛構造の炭素を除去する作用を有する。
この発明の方法においては、前記原料ガスのキャリヤー
として、不活性ガスを用いることもできる。
不活性ガスの具体例としては、アルゴンガス、ネオンガ
ス、ヘリウムガス、キセノンガス、窒素ガスなどが挙げ
られる。
これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組合
わせて用いてもよい。
この発明の方法においては、以下の条件下に反応が進行
して、基板上にダイヤモンドが析出する。
すなわち、前記基板の表面の温度は、前記原料ガスの励
起手段によって異なるので、−概に決定することはでき
ないが、たとえばプラズマCVD法を用いる場合には、
通常、400℃〜1400℃、好ましくは450℃〜1
200℃である。この温度が400℃より低い場合には
、ダイヤモンドの堆積速度が遅くなったり、励起状態の
炭素が生成しないことがある。一方、1400℃より高
い場合には、基板上に堆積したダイヤモンドがエツチン
グにより削られてしまい、堆積速度の向上が見られない
ことがある。
反応圧力は1通常、 10−”1G3 torr、好ま
しくは1〜800 torrテある0反応圧力が1O−
3torrよりも低い場合には、ダイヤモンドの堆積速
度が遅くなったり、ダイヤモンドが析出しなくなったり
する。一方、103 torrより高くしてもそれに相
当する効果は得られない。
この発明の方法により得ることのできるダイヤモンドは
、たとえば切削工具の表面保:a膜などの各種保護膜、
光学用材料、電子材料、化学工業材料などに好適に利用
することができる。
[実施例] 次いで、この発明の実施例を示し、この発明についてさ
らに具体的に説明する。
(実施例1) 周波数2.45GHzのマイクロ波電源を使用し、基板
温度900℃、圧力50torrの条件下に出力を60
0Wに設定した。
次に、この反応室内に二酸化炭素を流量0.3SCC層
、水素を流量100gcc腸で導入して、マイクロ波プ
ラズマCVD法によりダイヤモンドの合成を6時間行っ
て、前記温度に制御した基板上に厚みIgmの堆積物を
得た。なお、基板にはシリコンウェハを用いた。
得られた堆積物について、ラマン分光分析を行なったと
ころ、ラマン散乱スペクトルの1333cm−1付近に
ダイヤモンドに起因するピークが見られ。
不純物のないダイヤモンドであることを確認した。
(実施例2) 前記実施例1において、基板にWC−Co(Co量12
%)を用いるとともに、基板温度930℃、圧力50t
orr、二酸化炭素の流量5.0sccm 、水素の流
量95sccmの条件下に5時間反応を行なってダイヤ
モンドを合成したところ、基板上に厚み2ILmの堆積
物を得た。
得られた堆積物について、ラマン分光分析を行なったと
ころ、ラマン散乱スペクトルの1333c■−1付近に
ダイヤモンドに起因するピークが見られ、不純物のない
ダイヤモンドであることを確認した。
[発明の効果] この発明によると、高周波プラズマCVD法。
マイクロ波プラズマCVD法、熱フイラメントCVD法
、化学輸送法、イオン化蒸着法、イオンビーム蒸着法等
のいずれの方法による場合であっても、二酸化炭素と水
素との混合ガスを原料として、ダイヤモンドを合成する
ことができるので、(1)  取扱いが極めて安全で。
(2)  二酸化炭素が安価なため経済上有利で、(3
)炭化水素を用いる場合のように、原料ガスの調製が複
雑化したり、操作が煩雑になったりすることがなく。
(4)シかも、生産効率に優れる、 (5)  ダイヤモンドの結晶構造に乱れがない等の効
果を有する工業的に有利なダイヤモンドの合成方法を提
供することができる。
特許出願人  出光石油化学株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)水素に対して二酸化炭素が0.1〜20モル%と
    なる割合で混合された二酸化炭素と水素とを励起して得
    られるガスを、基板に接触させることを特徴とするダイ
    ヤモンドの合成方法。
JP62301035A 1987-04-22 1987-11-28 ダイヤモンドの合成方法 Pending JPH01141897A (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62301035A JPH01141897A (ja) 1987-11-28 1987-11-28 ダイヤモンドの合成方法
US07/184,561 US4985227A (en) 1987-04-22 1988-04-21 Method for synthesis or diamond
NO881723A NO881723L (no) 1987-04-22 1988-04-21 Fremgangsmaate og innretning for fremstilling av diamanter.
DE88106419T DE3884658T2 (de) 1987-04-22 1988-04-21 Verfahren zur Diamantsynthese.
EP88106419A EP0288065B1 (en) 1987-04-22 1988-04-21 Method for synthesis of diamond
CA000564794A CA1327772C (en) 1987-04-22 1988-04-22 Method for synthesis of diamond
KR1019880004591A KR910008728B1 (ko) 1987-04-22 1988-04-22 다이어몬드의 합성방법 및 합성장치
US07/308,087 US4984534A (en) 1987-04-22 1989-02-09 Method for synthesis of diamond
KR1019910008772A KR910008729B1 (ko) 1987-04-22 1991-05-29 다이어몬드의 합성방법
NO940494A NO940494D0 (no) 1987-04-22 1994-02-14 Fremgangsmåte og apparat for diamantsyntese

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