JPH01141343A - X線分析装置及びx線分析方法 - Google Patents
X線分析装置及びx線分析方法Info
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- JPH01141343A JPH01141343A JP62297754A JP29775487A JPH01141343A JP H01141343 A JPH01141343 A JP H01141343A JP 62297754 A JP62297754 A JP 62297754A JP 29775487 A JP29775487 A JP 29775487A JP H01141343 A JPH01141343 A JP H01141343A
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- G—PHYSICS
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- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線分析装置に係り、特に蛍光X線分祈及びX
線回折を行なうX線分析装置に関する。
線回折を行なうX線分析装置に関する。
従来、微細結晶のX線回折を行なうためには。
ピンホール型コリメータのピンホールを微細化する方法
か、又はガラス細管内壁でのX線全反射を利用したX線
導管による方法が提案されていた(日本金属学会会報、
第24巻、第11号、939〜945頁(1985))
。後者の方法は、ガラス細管によってX線を遠方に導く
もので、X線の微細化及び集光による高輝度化を目的と
する。そして計算機シミュレーションにより、回転放物
面集光型X線導管又は回転楕円体型X線導管等が提案さ
れている。
か、又はガラス細管内壁でのX線全反射を利用したX線
導管による方法が提案されていた(日本金属学会会報、
第24巻、第11号、939〜945頁(1985))
。後者の方法は、ガラス細管によってX線を遠方に導く
もので、X線の微細化及び集光による高輝度化を目的と
する。そして計算機シミュレーションにより、回転放物
面集光型X線導管又は回転楕円体型X線導管等が提案さ
れている。
一方、蛍光X線分析装置では、微小結晶を分析できる装
置は提案されていなかった。
置は提案されていなかった。
(発明が解決しようとする問題点)
上記ピンホール型コリメータを用いたX線回折装置では
、試料に到達するX線の輝度が低くなる点については配
慮されていなかった。これは、X線発生源であるターゲ
ットの焦点に近接してコリメータのX線入射側端部を設
置すことが困難であす、X線ターゲットより放射状に放
出するX線の一部しかコリメータに入射せず、又そのピ
ンホールから放射されるX線は放射状に発散し、試料へ
の照射領域を絞ることができないためである。従って微
小結晶や微小領域のX線回折を行なうことが困難である
という問題があった。
、試料に到達するX線の輝度が低くなる点については配
慮されていなかった。これは、X線発生源であるターゲ
ットの焦点に近接してコリメータのX線入射側端部を設
置すことが困難であす、X線ターゲットより放射状に放
出するX線の一部しかコリメータに入射せず、又そのピ
ンホールから放射されるX線は放射状に発散し、試料へ
の照射領域を絞ることができないためである。従って微
小結晶や微小領域のX線回折を行なうことが困難である
という問題があった。
又、ガラス細管を用いる場合は、前記シミュレーション
に基づいてガラス製X線導管を作製し、X線の集光性を
評価しても、シミュレーションのようにX線が集光され
ないという問題があることが明らかになった。
に基づいてガラス製X線導管を作製し、X線の集光性を
評価しても、シミュレーションのようにX線が集光され
ないという問題があることが明らかになった。
さらに上記いずれの場合も、測定は大気中で行なわれて
おり、蛍光X線分析に関しては配慮がされておらず、X
線回折と蛍光X線分析とを同一装置で行なうことができ
ないという問題があった。
おり、蛍光X線分析に関しては配慮がされておらず、X
線回折と蛍光X線分析とを同一装置で行なうことができ
ないという問題があった。
本発明の目的は、微小部分のX線回折と蛍光X線分析を
行なうX線分析装置を提供することにある。
行なうX線分析装置を提供することにある。
C問題点を解決するための手段〕
上記目的は、X線源、該X線源からのX線を集束するた
めのX線導管、該X線導管の端部に近接し、上記X線に
よって照射される試料を載置するための試料台及びX線
検出器を有し、蛍光X線及びX線回折を行なうことを特
徴とするX線分析装置によって達成される。
めのX線導管、該X線導管の端部に近接し、上記X線に
よって照射される試料を載置するための試料台及びX線
検出器を有し、蛍光X線及びX線回折を行なうことを特
徴とするX線分析装置によって達成される。
本発明のX線分析装置は、−台の装置でエネルギ分散型
X線回折、波長分散型X線回折及び蛍光X線分析が可能
である。低エネルギの蛍光X線を検出する必要がある場
合は、試料台及びX線検出器を同一真空槽内に設置し、
またX線導管内部が真空に保たれることが必要である。
X線回折、波長分散型X線回折及び蛍光X線分析が可能
である。低エネルギの蛍光X線を検出する必要がある場
合は、試料台及びX線検出器を同一真空槽内に設置し、
またX線導管内部が真空に保たれることが必要である。
さらに上記真空槽とX線導管内部との真空状態が連続し
ていることが好ましい、大気中では低エネルギの蛍光X
線は減衰し、検出器に到達しない。
ていることが好ましい、大気中では低エネルギの蛍光X
線は減衰し、検出器に到達しない。
又、試料台とX線検出器は、同軸で、かつそれぞれ独立
に回転し得る構造とすることが好ましい。
に回転し得る構造とすることが好ましい。
蛍光X線分析では、微弱な蛍光X線を効率良く検出する
ために、X線検出器は、可能な限り試料に接近させるこ
とが好ましく、一方、X線回折、特に波長分散型X線回
折では、X線波長を固定し、試料と検出器を回転し、ブ
ラッグの回折条件を満足する条件でピークが現われる回
折角を測定するものであり1回折角の分離が容易なよう
に、X線検出器を試料から離して設置することが好まし
い。
ために、X線検出器は、可能な限り試料に接近させるこ
とが好ましく、一方、X線回折、特に波長分散型X線回
折では、X線波長を固定し、試料と検出器を回転し、ブ
ラッグの回折条件を満足する条件でピークが現われる回
折角を測定するものであり1回折角の分離が容易なよう
に、X線検出器を試料から離して設置することが好まし
い。
それ故、X線検出器を上記回転の半径方向に移動可能と
することが好ましい。
することが好ましい。
試料台は、直角座標系の少なくとも2軸方向に独立に移
動可能であること、また試料面を傾斜せしめ得るように
、試料台を回転させる回転軸に直角方向を軸として、試
料台を回転可能とすることが好ましい。このような回転
機構は、X線回折による内部応力測定における応力の異
方性評価に用いることができる。
動可能であること、また試料面を傾斜せしめ得るように
、試料台を回転させる回転軸に直角方向を軸として、試
料台を回転可能とすることが好ましい。このような回転
機構は、X線回折による内部応力測定における応力の異
方性評価に用いることができる。
又、試料を加熱する手段を有することが好ましい。この
ような手段は、例えば試料台に抵抗型ヒータを備えれば
よい。このような加熱手段は、応力や反応過程の′IA
察に用いることができる。
ような手段は、例えば試料台に抵抗型ヒータを備えれば
よい。このような加熱手段は、応力や反応過程の′IA
察に用いることができる。
本発明のX線分析装置は、同一装置内で蛍光X線分析と
エネルギ分散型XRIA回折を行なうことが可能である
ので、例えば、所望試料からの回折ピ−クのエネルギ値
を蛍光X線のエネルギ値から決定することができる。又
、さらに弾性散乱により検出されるX線源材料の特性X
線のエネルギ値より、又はこれに蛍光X線エネルギ値の
エネルギ値を併せ用いることにより、回折ピークエネル
ギ値を決定することができる。
エネルギ分散型XRIA回折を行なうことが可能である
ので、例えば、所望試料からの回折ピ−クのエネルギ値
を蛍光X線のエネルギ値から決定することができる。又
、さらに弾性散乱により検出されるX線源材料の特性X
線のエネルギ値より、又はこれに蛍光X線エネルギ値の
エネルギ値を併せ用いることにより、回折ピークエネル
ギ値を決定することができる。
又、例えば、上記方法で得られたエネルギ値より入射X
線束に対する試料台及び検出器の回転角度を定め、装置
の回転系の角度を補正すること、又この補正回転角度を
試料台及び検出器の相対回転角度とし、波長分散型X線
回折を可能ならしめることができる。
線束に対する試料台及び検出器の回転角度を定め、装置
の回転系の角度を補正すること、又この補正回転角度を
試料台及び検出器の相対回転角度とし、波長分散型X線
回折を可能ならしめることができる。
本発明のX線分析装置は、X線ビームの平行性が高いた
め、試料に対する入射ビームの全反射条件の設定が容易
になり、例えば、いわゆる全反射蛍光X線分析が可能と
なる。この条件では試料面に対し、はぼ直角方向に設置
された検出器への入射X線の到達はほとんどなくなり、
蛍光X線検出におけるS/N比が飛躇的に向上する。
め、試料に対する入射ビームの全反射条件の設定が容易
になり、例えば、いわゆる全反射蛍光X線分析が可能と
なる。この条件では試料面に対し、はぼ直角方向に設置
された検出器への入射X線の到達はほとんどなくなり、
蛍光X線検出におけるS/N比が飛躇的に向上する。
つぎに本発明に用いるX線導管の好ましい一例について
説明する。
説明する。
前記シミュレーションにより提案されている従来のX線
導管は、第4図(a)、(b)に示す如く。
導管は、第4図(a)、(b)に示す如く。
X線導管2に入射したX線26をその内壁による全反射
を利用し、各焦点22に集光することにより、照射X線
ビームの微細化と高輝度化を計っている。
を利用し、各焦点22に集光することにより、照射X線
ビームの微細化と高輝度化を計っている。
しかし、出射端の内径15.、外径IIIII11のガ
ラス製回転放物面集光型X線導管の出射端に直接写真フ
ィルムを接触させ、管の入射端からX線を照射し。
ラス製回転放物面集光型X線導管の出射端に直接写真フ
ィルムを接触させ、管の入射端からX線を照射し。
フィルム上の感光スポット径を測定すると、実際の開口
径より約5倍大きい73−にビームが拡がっている。ま
た管の焦点位置である出射端から20+n+++の位置
ではX線ビームは41〇−径に拡大している。
径より約5倍大きい73−にビームが拡がっている。ま
た管の焦点位置である出射端から20+n+++の位置
ではX線ビームは41〇−径に拡大している。
上記のように出射端の内径と端部でのX線ビーム径が大
幅に異なるのは、第4図(c)のように。
幅に異なるのは、第4図(c)のように。
出射端部の拡大図に示す如く、出射端部近傍内壁に全反
射臨界角以上の高角度で照射されたX線が管壁の内部を
透過し外部に放射されるため、実効的にX線ビーム径が
端部の内径より拡がるものと考えられる。
射臨界角以上の高角度で照射されたX線が管壁の内部を
透過し外部に放射されるため、実効的にX線ビーム径が
端部の内径より拡がるものと考えられる。
それ故、X線導管のX線出射側端部領域において、全反
射の臨界角以上の高角度で管内壁に入射したX線が、出
射方向に対し実質的に漏えいしない構造とすることが好
ましい。例えば、端部領域の管の肉厚を他より厚くする
か若しくは端部領域の内径変化を第5図(a)、(b)
に示す如く他の領域よりも緩和するか又は平行とするこ
とが好ましい。この場合、第5図(b)に示す如く、端
部領域にX線透過領域24が小部分残っていても差し支
えない。
射の臨界角以上の高角度で管内壁に入射したX線が、出
射方向に対し実質的に漏えいしない構造とすることが好
ましい。例えば、端部領域の管の肉厚を他より厚くする
か若しくは端部領域の内径変化を第5図(a)、(b)
に示す如く他の領域よりも緩和するか又は平行とするこ
とが好ましい。この場合、第5図(b)に示す如く、端
部領域にX線透過領域24が小部分残っていても差し支
えない。
このようなX線導管を用いることにより、X線源から効
率良くX線を管端部まで導くことができ、かつX線出射
側端部では管壁からのXtIA漏えいを防止できる構造
となっているため、高輝度で微細なX線ビームが得られ
る。また、シンクロトロン放射光と同程度の平行X線ビ
ームを得ることもできる。
率良くX線を管端部まで導くことができ、かつX線出射
側端部では管壁からのXtIA漏えいを防止できる構造
となっているため、高輝度で微細なX線ビームが得られ
る。また、シンクロトロン放射光と同程度の平行X線ビ
ームを得ることもできる。
なお、このような導管は、通常のX線分−新装置に用い
ることができる。
ることができる。
X線を導くX線導管の入射端は、X線源ターゲット近傍
に設置されるため、ターゲット焦点から発散して放射さ
れるX線を効率良くX線導管内に取り込める。またX線
導管の出射側端部は、試料に接近して設置でき、かつ導
管から放射されたX線は、管内を全反射して通過してき
たものであり、発散が少ない。このため高輝度で平行性
の高い又は微細に絞った微細X線ビームを試料の微小部
分に照射できる。
に設置されるため、ターゲット焦点から発散して放射さ
れるX線を効率良くX線導管内に取り込める。またX線
導管の出射側端部は、試料に接近して設置でき、かつ導
管から放射されたX線は、管内を全反射して通過してき
たものであり、発散が少ない。このため高輝度で平行性
の高い又は微細に絞った微細X線ビームを試料の微小部
分に照射できる。
以下、本発明の実施例を第1図により説明する。
実施例1
本実施例では高輝度のX線を得るため、周知のファイン
フォーカスの回転対陰極型X線発生装置(60kV、
300mA) 1を用いた。X線源から試料へX線束を
導くX線導管2として、入射端内径が100、で試料側
の出射端内径が3−長さが60cmのガラス細管を用い
た。X線ターゲット焦点から約1c+n1IIれた距離
にXa導管2の開放端を取り付け、X線導管の他端はゴ
ニオメータ3上に取り付けられた試料台4から約1cm
fiれた距離に設置した。
フォーカスの回転対陰極型X線発生装置(60kV、
300mA) 1を用いた。X線源から試料へX線束を
導くX線導管2として、入射端内径が100、で試料側
の出射端内径が3−長さが60cmのガラス細管を用い
た。X線ターゲット焦点から約1c+n1IIれた距離
にXa導管2の開放端を取り付け、X線導管の他端はゴ
ニオメータ3上に取り付けられた試料台4から約1cm
fiれた距離に設置した。
X線源、X線導管そして試料室5を連結し、これらの内
部を真空状態にした。回折X線及び蛍光X線は約100
mm2の大面積LiドープSi半導体検出器6を作製し
適用した。試料上のX線照射位置は、レーザ光源7より
放射されたレーザ光をX線導管2に平行し、同軸になる
ように導き、試料に照射されたレーザ・スポットをテレ
ビ・カメラ8により撮り、モニタ9によりM察した。試
料台4と検出器6は同軸で互いに独立して回転せしめる
ようにした。試料台移動用のゴニオメータ3は上記回転
以外に、直角座標系xyz軸、試料台傾斜(チルト)及
び試料の面内回転を可能ならしめる構造とした。また検
出器6はその回転半径方向にも移動できるようにした(
第2図)。これは、蛍光X線分析では検出器を可能な限
り試料に接近させ、微弱蛍光X線を効率良く検出し、一
方、X線回折では、エネルギ分散型X線回折測定ばかり
でなく。
部を真空状態にした。回折X線及び蛍光X線は約100
mm2の大面積LiドープSi半導体検出器6を作製し
適用した。試料上のX線照射位置は、レーザ光源7より
放射されたレーザ光をX線導管2に平行し、同軸になる
ように導き、試料に照射されたレーザ・スポットをテレ
ビ・カメラ8により撮り、モニタ9によりM察した。試
料台4と検出器6は同軸で互いに独立して回転せしめる
ようにした。試料台移動用のゴニオメータ3は上記回転
以外に、直角座標系xyz軸、試料台傾斜(チルト)及
び試料の面内回転を可能ならしめる構造とした。また検
出器6はその回転半径方向にも移動できるようにした(
第2図)。これは、蛍光X線分析では検出器を可能な限
り試料に接近させ、微弱蛍光X線を効率良く検出し、一
方、X線回折では、エネルギ分散型X線回折測定ばかり
でなく。
波長分散型X線回折測定(X線波長を固定し、試料と検
出器を回転し、ブラッグの回折条件を満足する条件でピ
ークが現われる回折角を測定する)を可能とするため、
検出器を試料より離して設置し、回折角の分離を容易に
するためである。試料台4は抵抗型ヒータにより100
0℃まで加熱可能とした。本発明による装置性能を確認
するため、X線発生源としてMoターゲットを用いたと
きの写真乾板によりX線導管出射側端部からのX線ビー
ムの拡がりを測定した。出射側端部では約4〜5p、試
料台上では7〜8−径のスポットが観察され、その発散
角は1O−3ラジアン以下であり、シンクロトロン放射
光で得られるX線と同等の極めて、平行性の良いX線ビ
ームが得られることを確認した。
出器を回転し、ブラッグの回折条件を満足する条件でピ
ークが現われる回折角を測定する)を可能とするため、
検出器を試料より離して設置し、回折角の分離を容易に
するためである。試料台4は抵抗型ヒータにより100
0℃まで加熱可能とした。本発明による装置性能を確認
するため、X線発生源としてMoターゲットを用いたと
きの写真乾板によりX線導管出射側端部からのX線ビー
ムの拡がりを測定した。出射側端部では約4〜5p、試
料台上では7〜8−径のスポットが観察され、その発散
角は1O−3ラジアン以下であり、シンクロトロン放射
光で得られるX線と同等の極めて、平行性の良いX線ビ
ームが得られることを確認した。
また試料台上でのX線ビームの輝度は3I!m径のピン
ホール型のコリメータを利用したとき得られる値(計算
機シミユレーション値)より約3桁高い値が得られた。
ホール型のコリメータを利用したとき得られる値(計算
機シミユレーション値)より約3桁高い値が得られた。
第3図は本発明の装置により、5i(111)単結晶の
室温における約7〜8/Irn径領域からの蛍光X線と
エネルギ分散型回折ピークを測定した結果である。図に
示されているように、Siの蛍光X線以外にX線源のM
oターゲットから弾性散乱により検出器に入射したMo
のにα線も同時にamされていた。そして、Siの蛍光
X線だけを用いてX線回折ピークエネルギ値を決定した
場合より、Siの蛍光X線とMOのにα線の両者を用い
て回折ピークエネルギを求めた場合のほうが、高エネル
ギ領域の回折ピークまで高精度で決定できた。なお、エ
ネルギ値決定にあたっては、エネルギ・スペクトルのガ
ウシアン・フィッティングを適用した。
室温における約7〜8/Irn径領域からの蛍光X線と
エネルギ分散型回折ピークを測定した結果である。図に
示されているように、Siの蛍光X線以外にX線源のM
oターゲットから弾性散乱により検出器に入射したMo
のにα線も同時にamされていた。そして、Siの蛍光
X線だけを用いてX線回折ピークエネルギ値を決定した
場合より、Siの蛍光X線とMOのにα線の両者を用い
て回折ピークエネルギを求めた場合のほうが、高エネル
ギ領域の回折ピークまで高精度で決定できた。なお、エ
ネルギ値決定にあたっては、エネルギ・スペクトルのガ
ウシアン・フィッティングを適用した。
実施例2
実施例1において、X線を通すためのX線導管2の入射
側端部にBe薄板を接着することにより、X線発生装置
1とX線導管2及び試料室5の系を独立させ、それぞれ
別の排気装置により真空にした。実施例1では、X線導
管とX線源が接続されているため、回転対陰極の回転時
の振動がX線導管に伝わり、その結果、X線導管出射側
端部も振動し、試料上照射領域が拡がる傾向にあった。
側端部にBe薄板を接着することにより、X線発生装置
1とX線導管2及び試料室5の系を独立させ、それぞれ
別の排気装置により真空にした。実施例1では、X線導
管とX線源が接続されているため、回転対陰極の回転時
の振動がX線導管に伝わり、その結果、X線導管出射側
端部も振動し、試料上照射領域が拡がる傾向にあった。
本実施例では、X線導管はX線源系と接触していないた
め、回転陰極部の振動の影響が無く、試料上でのX線照
射領域は6〜7−径に改善された。
め、回転陰極部の振動の影響が無く、試料上でのX線照
射領域は6〜7−径に改善された。
実施例3
本実施例は実施例1と同一装置構成で蛍光X線分析の高
感度化を行なったものである。前記のとおり、X線導管
から出射されるX線ビームはきわめて平行性が高い。こ
の平行性を利用した高感度蛍光X線分析の例である。S
i基板上に1tm2゜0.64//11” 、 0.2
5I1m”のタングステン(W)からなるパターンを形
成した。W厚さが500.100.そして50nmの試
料を作製した。Wの密度を19.3g/cm’とすると
、1−2で厚さ500rvのWパターンは約9.7pg
の重さになり、0.25/7m+”で厚さが50nmの
場合の1パターンの重さは0.24pgになる。今、回
転対陰極型のMoターゲットX線源を用い、60kVで
300mAの条件でX線を発生させ、X線導管から出射
され、試料へ入射されるXIIA角度を60°に設定し
た。この場合、2.4pgのパターンまでWの蛍光X線
が検出できた。それ以下の重さのパターンになると、入
射xiによる雑音のため検出不可能となった、一方、入
射Xmが試料に対し、全反射条件になるよう、第1図の
シンチレーションカウンタ10により位置決めし、半導
体検出器をSL基板面に対し垂直方向で、できるだけ近
接して設置し。
感度化を行なったものである。前記のとおり、X線導管
から出射されるX線ビームはきわめて平行性が高い。こ
の平行性を利用した高感度蛍光X線分析の例である。S
i基板上に1tm2゜0.64//11” 、 0.2
5I1m”のタングステン(W)からなるパターンを形
成した。W厚さが500.100.そして50nmの試
料を作製した。Wの密度を19.3g/cm’とすると
、1−2で厚さ500rvのWパターンは約9.7pg
の重さになり、0.25/7m+”で厚さが50nmの
場合の1パターンの重さは0.24pgになる。今、回
転対陰極型のMoターゲットX線源を用い、60kVで
300mAの条件でX線を発生させ、X線導管から出射
され、試料へ入射されるXIIA角度を60°に設定し
た。この場合、2.4pgのパターンまでWの蛍光X線
が検出できた。それ以下の重さのパターンになると、入
射xiによる雑音のため検出不可能となった、一方、入
射Xmが試料に対し、全反射条件になるよう、第1図の
シンチレーションカウンタ10により位置決めし、半導
体検出器をSL基板面に対し垂直方向で、できるだけ近
接して設置し。
同様に蛍光X線分析を行なった。この場合は、入射X線
によるバックグラウンド雑音が少なくなり、かつ検出器
を試料に近接した効果により、0.48pgの極微量タ
ングステンの蛍光X線を検出できた。
によるバックグラウンド雑音が少なくなり、かつ検出器
を試料に近接した効果により、0.48pgの極微量タ
ングステンの蛍光X線を検出できた。
実施例4
X線導管の構造について検討した例を示す、まず内径1
mm、外径10amのソーダ・ガラス管を局部的に加熱
する温度と引張り速度を制御しながら管を伸ばし、X線
入射側の内径が90ミクロンメータ。
mm、外径10amのソーダ・ガラス管を局部的に加熱
する温度と引張り速度を制御しながら管を伸ばし、X線
入射側の内径が90ミクロンメータ。
出射側端部の内径が5ミクロンメータ、そして焦点距離
がその端部から20ミリメータの位置になるような回転
放物面集光型X線導管を製作し、これを基本構造とした
。このX線導管は第4図(a)に示した構造である。次
に上記と同一条件でガラス管を伸ばした後、端部が5ミ
クロンメータになった段階で引張り速度を急速に速め、
第5図(a)に示すごとく1回転放物面端部に平行管部
23を約2ミリメータ付加した。この平行管状のX線出
射側端部内径を約5ミクロンメータとした。これら2本
のX線導管のX線ビームの拡がりを写真フィルムにより
測定した。前者の構造では出射側端部で23ミクロンメ
ータ、焦点部で120ミクロンメータにビーム径が発散
した。これに対し、後者の構造では導管端部で7ミクロ
ンメータ、焦点部で8ミクロンメータであり、X線の分
散を抑止し、集光効率が向上し、ビームの微細化効果が
あった。
がその端部から20ミリメータの位置になるような回転
放物面集光型X線導管を製作し、これを基本構造とした
。このX線導管は第4図(a)に示した構造である。次
に上記と同一条件でガラス管を伸ばした後、端部が5ミ
クロンメータになった段階で引張り速度を急速に速め、
第5図(a)に示すごとく1回転放物面端部に平行管部
23を約2ミリメータ付加した。この平行管状のX線出
射側端部内径を約5ミクロンメータとした。これら2本
のX線導管のX線ビームの拡がりを写真フィルムにより
測定した。前者の構造では出射側端部で23ミクロンメ
ータ、焦点部で120ミクロンメータにビーム径が発散
した。これに対し、後者の構造では導管端部で7ミクロ
ンメータ、焦点部で8ミクロンメータであり、X線の分
散を抑止し、集光効率が向上し、ビームの微細化効果が
あった。
又焦点部のX線ビームの輝度を測定した結果、後者の構
造のものが前者の構造のものより約1桁半輝度が高くな
ることを確認した。
造のものが前者の構造のものより約1桁半輝度が高くな
ることを確認した。
なお、本実施例ではX線導管として、ソーダ・ガラスを
用いたが、他の材質のガラス、たとえばパイレックスガ
ラス及び釦ガラス、さらにX線導管をモリブデンなどの
金属を用いた場合においても、X線の集光性の顕著な改
善がみられることが分かった。
用いたが、他の材質のガラス、たとえばパイレックスガ
ラス及び釦ガラス、さらにX線導管をモリブデンなどの
金属を用いた場合においても、X線の集光性の顕著な改
善がみられることが分かった。
本発明によれば、輝度及び平行性の高い又は微小に絞っ
た数−径の微細X線ビームが得られ、従来、困難と考え
られていた数p〜数十−レベルの微小領域X線回折及び
蛍光X線分析が可能となる。
た数−径の微細X線ビームが得られ、従来、困難と考え
られていた数p〜数十−レベルの微小領域X線回折及び
蛍光X線分析が可能となる。
又−台の装置で蛍光X線分析、エネルギ分散型X線回折
及び波長分散型X線回折が可能となる。
及び波長分散型X線回折が可能となる。
第1図は本発明の基本構成の一実施例を示す構成図、第
2図は本発明の一実施例の部品の配置を示す上面図、第
3図は実施例1における蛍光X線と回折線のエネルギス
ペクトルを示す図、第4図及び第5図はX線導管の一実
施例の部分断面図である。 1・・・X線発生装置 2・・・X線導管3・・・
ゴニオメータ 4・・・試料台5・・・試料室
6・・・検出器7・・・レーザ光源 8
・・・テレビ・カメラ9・・・モニタ 10・・・シンチレーションカウンタ 11・・・ミラー 12・・・真空排気系2
2・・・焦点 23・・・X線発散抑止領
域24・・・X線透過領域 25・・・焦点26・
・・X線 代理人弁理士 中 村 純之助 (“峯丑)Xド]てl<−1本乙
2図は本発明の一実施例の部品の配置を示す上面図、第
3図は実施例1における蛍光X線と回折線のエネルギス
ペクトルを示す図、第4図及び第5図はX線導管の一実
施例の部分断面図である。 1・・・X線発生装置 2・・・X線導管3・・・
ゴニオメータ 4・・・試料台5・・・試料室
6・・・検出器7・・・レーザ光源 8
・・・テレビ・カメラ9・・・モニタ 10・・・シンチレーションカウンタ 11・・・ミラー 12・・・真空排気系2
2・・・焦点 23・・・X線発散抑止領
域24・・・X線透過領域 25・・・焦点26・
・・X線 代理人弁理士 中 村 純之助 (“峯丑)Xド]てl<−1本乙
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、X線源、該X線源からのX線を集束するためのX線
導管、該X線導管の端部に近接し、上記X線によって照
射される試料を載置するための試料台及びX線検出器を
有し、蛍光X線及びX線回折を行なうことを特徴とする
X線分析装置。 2、上記試料台及び上記X線検出器が同一真空槽内に設
置され、かつ上記X線導管内部が上記真空槽内に開放さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
X線分析装置。 3、上記試料台及び上記X線検出器は、同軸でかつ独立
に回転することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のX線分析装置。 4、上記X線検出器は、上記回転の半径方向に移動し得
ることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のX線分
析装置。 5、上記試料台は、直角座標系の少なくとも2軸方向に
独立に移動し得ることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のX線分析装置。 6、上記X線導管は、出射側端部領域において、全反射
の臨界角以上の高角度で管内壁に入射したX線が、出射
方向に対し、実質的に漏えいすることを防止した構造で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のX線
分析装置。 7、上記X線導管の出射側端部領域の構造は、内径変化
を他の領域よりも緩和するか又は内径を実質的に変化さ
せないことにより、上記X線の漏えいを防止したことを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載のX線分析装置。 8、上記X線導管の出射側端部領域の構造は、管の肉厚
を他より厚くすることにより、上記X線の漏えいを防止
したことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載のX線
分析装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62297754A JP2742415B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | X線分析装置 |
US07/271,534 US4916720A (en) | 1987-11-27 | 1988-11-15 | X-ray analyzer |
DE3885575T DE3885575T2 (de) | 1987-11-27 | 1988-11-24 | Vorrichtung zur Analyse mittels Röntgenstrahlen. |
EP88119611A EP0318012B1 (en) | 1987-11-27 | 1988-11-24 | X-ray analyzer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62297754A JP2742415B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | X線分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01141343A true JPH01141343A (ja) | 1989-06-02 |
JP2742415B2 JP2742415B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17850741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62297754A Expired - Lifetime JP2742415B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | X線分析装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4916720A (ja) |
EP (1) | EP0318012B1 (ja) |
JP (1) | JP2742415B2 (ja) |
DE (1) | DE3885575T2 (ja) |
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1988
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