JPH01141068A - 光プリンタ用発光ダイオードアレイ - Google Patents
光プリンタ用発光ダイオードアレイInfo
- Publication number
- JPH01141068A JPH01141068A JP62300519A JP30051987A JPH01141068A JP H01141068 A JPH01141068 A JP H01141068A JP 62300519 A JP62300519 A JP 62300519A JP 30051987 A JP30051987 A JP 30051987A JP H01141068 A JPH01141068 A JP H01141068A
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- Japan
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- light emitting
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- diode array
- emitting diode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明はフィン１リンタ等に好適な光プリンタ用発光ダ
イオードアレイに関する。
イオードアレイに関する。
口） 従来の技術
近年発光ダイオードアレイを光１りンタヘクドに用いて
いるが、特開昭６２−２４２５５８号公報等に示される
様に、複数の発光ダイオードアレイを１列に整列させて
用いている。この様な発光ダイオードアレイは、光プリ
ンタの主走査長である２００〜７００ｆｆにわたって必
要と嘔れるが、発光ダイオードウエノ・の大きさ、発光
特性の均一性、生産性などの理由から通常４〜ｔｏ１ｗ
の長さのものが複数個接続して用いられ、また光１りン
タの解（ｅｌｆと１対１に対応する発光領域が必要とさ
れるり ところが発光ダイオードアレイは、ウェハから）切す出
し部（例えばスクライプされる箇所］の近傍にある発光
領域において著しい輝度低下が生するりこれは解儂度に
対応するため発光領域が基板端縁から１０〜１００ｎｎ
ｌという近い位置に配置され、切断やへき開用加圧とい
った加工時に加わる応力やそれに工って生じる結晶歪に
工ってもれ電流路が形成されたり発光中心（再結合レベ
ルをつくる不純物）が減少するためと考えられ私いずれ
にせよ、この様な輝度低下は印写において露光不足と１
にり白線となった９画儂欠けとなって印写品質を著しく
低下させるので不都合である。
いるが、特開昭６２−２４２５５８号公報等に示される
様に、複数の発光ダイオードアレイを１列に整列させて
用いている。この様な発光ダイオードアレイは、光プリ
ンタの主走査長である２００〜７００ｆｆにわたって必
要と嘔れるが、発光ダイオードウエノ・の大きさ、発光
特性の均一性、生産性などの理由から通常４〜ｔｏ１ｗ
の長さのものが複数個接続して用いられ、また光１りン
タの解（ｅｌｆと１対１に対応する発光領域が必要とさ
れるり ところが発光ダイオードアレイは、ウェハから）切す出
し部（例えばスクライプされる箇所］の近傍にある発光
領域において著しい輝度低下が生するりこれは解儂度に
対応するため発光領域が基板端縁から１０〜１００ｎｎ
ｌという近い位置に配置され、切断やへき開用加圧とい
った加工時に加わる応力やそれに工って生じる結晶歪に
工ってもれ電流路が形成されたり発光中心（再結合レベ
ルをつくる不純物）が減少するためと考えられ私いずれ
にせよ、この様な輝度低下は印写において露光不足と１
にり白線となった９画儂欠けとなって印写品質を著しく
低下させるので不都合である。
ハ）発明が解決し二つとする問題点
本発明は上述の点を改めるｔめになされたもので、印写
品質を高く維持で角る光プリンタ用発光ダイオードアレ
イを提供するものである。
品質を高く維持で角る光プリンタ用発光ダイオードアレ
イを提供するものである。
二） 間１点を解決するための手段
本発明は上述し北端部発光領域において印写ドツトに対
応する光放出部のなかに広いオーミｑり接触をもたせる
ものであり、更に、光を基板の側面からも放出させると
ともにその端縁近傍に細帯状電極を設けるものである。
応する光放出部のなかに広いオーミｑり接触をもたせる
ものであり、更に、光を基板の側面からも放出させると
ともにその端縁近傍に細帯状電極を設けるものである。
ホ）作 用
これに；９発光領域内の印写に直接関与する部分の電流
分布が工くなり輝度が高くなって発光ダイｔ−Ｆ７Ｌ／
イの全体にわた１て輝度バランスがよくなり、ま比軸帯
電極を基板端縁近傍に配置することで加ニストレスを緩
和できる。
分布が工くなり輝度が高くなって発光ダイｔ−Ｆ７Ｌ／
イの全体にわた１て輝度バランスがよくなり、ま比軸帯
電極を基板端縁近傍に配置することで加ニストレスを緩
和できる。
へ）実施例
第１図は本発明実施例の光プリンタ用発光ダイオードア
レイの要部斜ｆｊ１図で、（Ｉｔは化合物半導体からな
る基板で、例えばＧａＡＳベース（ｌｌｌＪ：［ＧａＡ
ｓＰｆ成層（１２１ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐ １ｌｆ
７［１３１カｚビタキシヤル成長されており、その表面
には亜鉛等の選択拡散に二り発光領域１２＋１２：が１
列に整タルで設けられているりそして１３＋ １３：は
発光領域＋２１１：、４＋にオーミック接触がとられた
個別電極で、基板山上に絶縁膜ＩＪを介して設けられた
アルミニウム蒸着層などからなるり発光領域１２１１２
１は印写ド、フトに対応した例えば四角形の光放出部（
２ルｉを基板１１＋の表面に有しており、必要に応じて
遮光性マスクで縁取りされていても工いり１５＋は基板
中の裏面に設けられた共通電極である。
レイの要部斜ｆｊ１図で、（Ｉｔは化合物半導体からな
る基板で、例えばＧａＡＳベース（ｌｌｌＪ：［ＧａＡ
ｓＰｆ成層（１２１ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｐ １ｌｆ
７［１３１カｚビタキシヤル成長されており、その表面
には亜鉛等の選択拡散に二り発光領域１２＋１２：が１
列に整タルで設けられているりそして１３＋ １３：は
発光領域＋２１１：、４＋にオーミック接触がとられた
個別電極で、基板山上に絶縁膜ＩＪを介して設けられた
アルミニウム蒸着層などからなるり発光領域１２１１２
１は印写ド、フトに対応した例えば四角形の光放出部（
２ルｉを基板１１＋の表面に有しており、必要に応じて
遮光性マスクで縁取りされていても工いり１５＋は基板
中の裏面に設けられた共通電極である。
上述した発光領域１２＋１２１は、例えば基板中の長さ
が６ｇ、光７”リンクの解ｇ１１１ｊが１２ドツト／１
であると、８４．５ｇｍピッチで７２個整列されており
、各々の光放出部ａｘ＋ｒ？ｉは１辺５０ａｍの四角形
をしている。そして基板１１＋の略中夫に位置する発光
領域１２＋においては光放出部のの外側で個別電極１３
＋とオーミック接触がとられているが一発光領域の列の
端に位置する発光領域＋２１におりては、光放出部（２
「の外側および、光放出部ｅｆｆの中に延在する１１５
Ｊｌ ｍ和変の舌片状部’３１１において叫別電［１
３＋とオーミック接触がとられている。これ！ＩＣ工り
略中央部にある発光領域＋２１においては四角形の一辺
方向から電流が供給されるが端部に位置する発光領域１
２１においては発光領域を縦連する中心ｔｓＩ／Ｃ七っ
た電流供給路も追加され、切断加工による輝度低下を補
うことかで角るり さらに第２図に示すＬうに、発光領域■の光放出部（２
１０）における各々の８度分布が均一化するＬうに全て
の光放出部（２１０）において個別電極■の舌片部（３
１０）を設け、この舌片部（３１０）の下方、もしくは
下方の一部でのみオーミック接触をとることもあるが、
この場合、列の端部に位置する発光領域■の光放出部（
２１６＋においてそのオーミブクＷ！＠面攬を大きくし
、エリ好ましくは舌片部＜ ３１６ ）から発光領域に
最も近い基板１１１−の端縁（１４０）に向うヒゲ状電
極（３２６）を設けＣのヒゲ状電極（３２０）において
もオーミック接触を行えば工い。
が６ｇ、光７”リンクの解ｇ１１１ｊが１２ドツト／１
であると、８４．５ｇｍピッチで７２個整列されており
、各々の光放出部ａｘ＋ｒ？ｉは１辺５０ａｍの四角形
をしている。そして基板１１＋の略中夫に位置する発光
領域１２＋においては光放出部のの外側で個別電極１３
＋とオーミック接触がとられているが一発光領域の列の
端に位置する発光領域＋２１におりては、光放出部（２
「の外側および、光放出部ｅｆｆの中に延在する１１５
Ｊｌ ｍ和変の舌片状部’３１１において叫別電［１
３＋とオーミック接触がとられている。これ！ＩＣ工り
略中央部にある発光領域＋２１においては四角形の一辺
方向から電流が供給されるが端部に位置する発光領域１
２１においては発光領域を縦連する中心ｔｓＩ／Ｃ七っ
た電流供給路も追加され、切断加工による輝度低下を補
うことかで角るり さらに第２図に示すＬうに、発光領域■の光放出部（２
１０）における各々の８度分布が均一化するＬうに全て
の光放出部（２１０）において個別電極■の舌片部（３
１０）を設け、この舌片部（３１０）の下方、もしくは
下方の一部でのみオーミック接触をとることもあるが、
この場合、列の端部に位置する発光領域■の光放出部（
２１６＋においてそのオーミブクＷ！＠面攬を大きくし
、エリ好ましくは舌片部＜ ３１６ ）から発光領域に
最も近い基板１１１−の端縁（１４０）に向うヒゲ状電
極（３２６）を設けＣのヒゲ状電極（３２０）において
もオーミック接触を行えば工い。
第３図（ａ ）（１））ばさらに他の実施例を示してお
り、基板（１００）の略中央部に位置する発光領域（２
００）と個別電極（３００）は第２（３）に示したもの
と同じである。特＾窺釣−ｂ台は列の端部に位置する発
光領域（６００７が基板（１００）の側面（１５００）
にも露出し、個別電極（７００）は、その発光領域（６
ｔｌＯ）の光放出部（６１０）と略等しい長さを有し基
板（１００）の端Ｉｉ＆（１４００）近傍に前記（１１
面（１５００）に沿って設けられた細帯状部（７３０）
を有していることである。そしてオーミック接触は個別
電極（７００）の舌片部（７１０）の１部と細帯状部（
７３０）全面でとられている。
り、基板（１００）の略中央部に位置する発光領域（２
００）と個別電極（３００）は第２（３）に示したもの
と同じである。特＾窺釣−ｂ台は列の端部に位置する発
光領域（６００７が基板（１００）の側面（１５００）
にも露出し、個別電極（７００）は、その発光領域（６
ｔｌＯ）の光放出部（６１０）と略等しい長さを有し基
板（１００）の端Ｉｉ＆（１４００）近傍に前記（１１
面（１５００）に沿って設けられた細帯状部（７３０）
を有していることである。そしてオーミック接触は個別
電極（７００）の舌片部（７１０）の１部と細帯状部（
７３０）全面でとられている。
この細帯状部（７３０）は例えば巾３〜１０ａｍ長さ５
５μｍで、充分のオーミック接触面積が得られる場合に
は舌片部（７１０）をなくしても工いりこの二つな光放
出部（６１０１における発光輝度特性にャパターン）は
第３図（Ｃ＋に示す様に基板（１００）の端縁（１４０
０）側の輝度が充分に補償はれている。これは上述し定
電流分布の改良のほか、加工時、（特にスクライブ、へ
き開］の応力が細帯状部（７３０）によって緩和され結
晶歪の発生が少なくなっていることにも因る１この様な
細帯状部（７３０）はウェハの切断部にま友がって設け
られ、従って基板（１００）の端縁（１４００）に位置
するのが好ましいが、数μｍａＩｆならば端縁（１４０
０）から離れて平行に設けられていても工いり ト）発明の効果 以上の如くにエリ発光ダイオードアレイの全体にわたっ
て、即ち端部発光領域も含めて、発光領域の輝度特性を
高く略均−にそろえることができるので、この発光ダイ
オードアレイを用い友光１リングにおいては良好な印写
品質を得ることができる。
５μｍで、充分のオーミック接触面積が得られる場合に
は舌片部（７１０）をなくしても工いりこの二つな光放
出部（６１０１における発光輝度特性にャパターン）は
第３図（Ｃ＋に示す様に基板（１００）の端縁（１４０
０）側の輝度が充分に補償はれている。これは上述し定
電流分布の改良のほか、加工時、（特にスクライブ、へ
き開］の応力が細帯状部（７３０）によって緩和され結
晶歪の発生が少なくなっていることにも因る１この様な
細帯状部（７３０）はウェハの切断部にま友がって設け
られ、従って基板（１００）の端縁（１４００）に位置
するのが好ましいが、数μｍａＩｆならば端縁（１４０
０）から離れて平行に設けられていても工いり ト）発明の効果 以上の如くにエリ発光ダイオードアレイの全体にわたっ
て、即ち端部発光領域も含めて、発光領域の輝度特性を
高く略均−にそろえることができるので、この発光ダイ
オードアレイを用い友光１リングにおいては良好な印写
品質を得ることができる。
第１図は本発明実施例の光プリンタ中発光ダイオードア
レイの要部斜視図、第２図は他の実施例に係る発光ダイ
オードアレイの平面図、第３図はさらに他の実施例に係
る発光ダイオードアレイの要部平面図（ａ）とその側面
断面（８）（ｂ）と端部発光領域の輝度特性１ｋ（Ｃ）
である□１１１１１１ｋ （１００）・・・（化合物半
導体の）基板、１２；（支）（２００）・・・発光領域
、＋３１■（３００）・・・イ固別電極、（５１（５０
０）・・・共通電極。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外ｌ′８）第２図 １０ Ｊ○ 第３図 ４ユ１
レイの要部斜視図、第２図は他の実施例に係る発光ダイ
オードアレイの平面図、第３図はさらに他の実施例に係
る発光ダイオードアレイの要部平面図（ａ）とその側面
断面（８）（ｂ）と端部発光領域の輝度特性１ｋ（Ｃ）
である□１１１１１１ｋ （１００）・・・（化合物半
導体の）基板、１２；（支）（２００）・・・発光領域
、＋３１■（３００）・・・イ固別電極、（５１（５０
０）・・・共通電極。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外ｌ′８）第２図 １０ Ｊ○ 第３図 ４ユ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）化合物半導体の基板の表面に整列して設けられ、印
写ドットに対応する光放出部を有した複数の発光領域と
、該発光領域の各々にオーミック接触された個別電極と
を具備した光プリンタ用発光ダイオードアレイにおいて
、前記発光領域のうち整列の端部に位置する発光領域の
光放出部には列の略中央に位置する発光領域の光放出部
におけるオーミック接触面積よりも広いオーミック接触
面積を有するように個別電極が設けられている事を特徴
とする光プリンタ用発光ダイオードアレイ。 ２）前記発光領域のうち列の端部に位置する発光領域は
基板の側面からも光放出を行い、前記個別電極はその発
光領域の光放出部と略等しい長さを有し基板の端縁近傍
に前記側面に沿って設けられた細帯状部を有している事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光プリンタ用
発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30051987A JP2527580B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光プリンタ用発光ダイオ―ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30051987A JP2527580B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光プリンタ用発光ダイオ―ドアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01141068A true JPH01141068A (ja) | 1989-06-02 |
| JP2527580B2 JP2527580B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=17885797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30051987A Expired - Lifetime JP2527580B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光プリンタ用発光ダイオ―ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527580B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242912A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 | Nec Corp | プリンタヘツド |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP30051987A patent/JP2527580B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242912A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 | Nec Corp | プリンタヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2527580B2 (ja) | 1996-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080614 Year of fee payment: 12 |