JPH01137401A - バイアス磁界発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子計算機の外部記憶装置、音楽及び映像信号
、その他情報の記録再生装置等に利用される光磁気記録
再生装置に用いられるバイアス磁界発生装置に関するも
のである。

従来の技術 近年電子計算機の発達及び情報の高速大量伝達の手段の
発達と共に、低価格、高密度かつ大容量。

高速転送能力のある不揮発性記憶装置が要求され、　　
　　多くは磁気ディスク装置が用いられているが、記録
密度が低く、１情報単位あたりの価格が高く、また特に
固定型磁気ディスク装置では媒体交換が困難である等の
問題がある。光学記録はそれらの問題点を解決する技術
として現在脚光を浴びておシ、特に書き換え可能な光磁
気記録は多くの方面で期待されている。

以下１図面を参照しながら、従来のバイアス磁界発生装
置について説明１行う。

第４図及び第６図は従来のバイアス磁界発生装置を示す
もので、第４図は光磁気記録装置内での配置、第６図は
構造及びバイアス磁界発生装置によって生じる磁束の流
れを示す。第４図で、１は光磁気記録媒体、２は光学ヘ
ッドで、矢印入方向にアクセスされるようになっており
、対物レンズ３から出た光スポットが光磁気記録媒体１
の記録面上で焦点を結ぶように制御する対物レンズアク
チュエータ及び前記光スポットを出すに必要なレーザ光
源及びこのレーザ光を対物レンズ３に導く光学系が内蔵
されている。

光磁気記録媒体１に情報の記録、消去に必要な！１ｌｌ
ｔ磁界を与えるためのバイアス磁界発生装置９は、純鉄
等の高透磁率材料からなるヨーク５と、絶縁材を被覆し
た銅線等の良導体からなる第１の外側コイ／１／１０　
、第２の外側コイル１１．内側コイＡ／１２から構成さ
れ、ヨーク５紘、光磁気記録媒体１を挾んで光学ヘッド
２と対向する位置に配置され光学ヘッド２のアクセス方
向に沿】て光学ヘッド２のアクセス領域をカバーするだ
けの長さで入方向を法線とする面による断面の形状が光
学ヘッド２のアクセス範囲内の任意の位置で長方形であ
る第１の外側ヨーク６ａと、４１１１１の外側ヨーク６
ａと略同−形状で第１の外側ヨーク６ａに対し略平行に
配置された第２の外側ヨーク６ｂと、第１の外側ヨーク
６ａと略同−形状で第１の外側ヨーク６ａと第２の外側
ヨーク６ｂの略中央で第１の外側ヨーク６ａに対し略平
行に配置された内側ヨーク６Ｃと、これら第１の外側ヨ
ーク５ａ。

第２の外側ヨーク６ｂと内側ヨーク６Ｃを媒体対向面の
反対側で互いに接続する接続部６ｄで構成され、第１の
外側ヨーク５ａ、第２の外側ヨークｓｂ、内側ヨーク６
Ｃの各々には第１の外側コイル１ｏ、第２の外側コイル
１１．内側コイ１ｖ１２が巻回されており、バイアス磁
界発生装置９は距離ｄを離して光磁気記録媒体１に対し
略平行に対向されている。このように各コイルを分離し
た形態、すなわち起磁力を分離して同一面内に配置した
形態をとるとバイアス磁界発生装置の薄型化が可能とな
る。

以上のように構成されたバイアス磁界発生装置について
、以下その動作について説明する。

まず、内側コイ／ｌ／１２に媒体対向面側がＮ極ｋ、第
１の外側コイ／Ｌ’１０と第２の外側コイル１１に媒体
対向面側がＳＷｉに成るよう通電すると、第６図に示す
ように内側ヨーク６ｃ及び第１の外側ヨーク５ａ、第２
の外側ヨーク６ｂからなる磁路に磁束φが流れ、光磁気
記録媒体１を図のように通る。この時距離ｄを十分小さ
くすると、光磁気記録媒体１に垂直な成分の磁界を与え
ることができる。この状態で光学ヘッド２から対物レン
ズ３を通して光磁気記録媒体１に情報に応じた光スポッ
トを与えれば情報の記録が行われる。消去の場合には磁
界の方向を逆にし、光スポットを与える。

バイアス磁界発生装置９の内側ヨーク６ｃは光学ヘッド
２のアクセス範囲をカバーするだけの長さを有している
ため光学ヘッド２がｔａ４図の矢印方向のどの位置にア
クセスしても記録、消去に十分な強さの磁界を得ること
ができる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記のような従来例の構成では、次のよ
うな問題点が生じていた。

第６図に示すように、バイアス磁界発生装置９のヨーク
６に巻回された導体に銅線のような常磁性体を用いた場
合は図に示すψのようなヨーク５以外のバイアス磁界発
生装置９の内部を通過する磁束が多量に発生し、媒体の
記録、消去に作用する磁束、即ち媒体上の光スポットが
当たっている点を通過する磁束は全磁束の内のごく一部
である。

従って効率が非常に悪く、記録、消去に必要な磁束を得
ようとすると電力消費量が大きく成らざるを得ない。一
般に高温での保磁力低下を利用して情報の記録を行う光
磁気記録媒体の近傍Ｋ、電力消費源等の発熱物体を置く
仁とは非常に危険であシ、データの信頼性を著しく損な
うという問題点を有していた。

本発明は前記問題点に鑑み、効率が良く、単体での消費
電力のないバイアス磁界発生装置を提供するものである
。

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のバイアス磁界発生装
置は、光磁気記録媒体に記録再生消去用の光スポットを
与える光学ヘッドと対向する位置に光磁気記録媒体を挾
んで配置され、光学ヘッドの記録領域をカバーする長さ
を持つ少なくとも２個の互いに平行な高透磁率材料から
なるコイル巻回部を有し、コイル巻回部が媒体対向面の
反対側で高透磁率材料で互いに接続され、前記コイル巻
回部の各々に超電導コイルが巻回された構成となってい
る。

作　　用 この構成によって、マイスナー効果により磁束が超電導
コイルを通過しなくなるため各々のコイル巻回部を通過
する磁束が超電導コイルの外に漏れることなくコイル巻
回部の媒体対向面に発生するため、光磁気記録媒体に与
えられる磁束の駆動電流に対する効率が大幅に向上し、
また超電導コイルを用いているため、バイアス磁界発生
装置単体での消費電力かなくなるため光磁気記録媒体に
熱を与えなくなり、さらに磁束の駆動電流に対する効率
が大幅に向上するためバイアス磁界発生装置の発生する
磁界の反転時間を短縮することができる。

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図及び第２図は本発明の一実施例における
バイアス磁界発生装置の要部を切欠いた状態を示すもの
である。第１図は光磁気記録装置内での配置を示し、第
２図は構造及びバイアス磁界発生装置によって生じる磁
束の流れを示す。第１図で、１は光磁気記録媒体、２は
光学ヘッド、３は対物レンズで従来例の構成と同じもの
である。４はバイアス磁界発生装置で、ヨーク６と光磁
気記録媒体１に対する配置は従来例と同じものである。

第１の外側ヨーク６ａ、第２の外側１−りｓｂ、内側ヨ
ーク６Ｃの各々には超電導材からなる第１の外側超電導
コイＡ／６．第２の外側超電導コイル７、内側超電導コ
イｌｖＢが巻回されている。

以上のように構成されたバイアス磁界発生装置について
、以下その動作について説明する。まず、内側超電導コ
イＡ／８に媒体対向面側がＮ極に、第１の外側超電導コ
イル６と第２の外側超電導コイ／Ｌ／７に媒体対向面側
がＳ極に成るよう通電すると、第２図に示すように内側
ヨーク６Ｃ及び第１の外側ヨーク５ａ、第２の外側ヨー
ク６ｂからなる磁路に磁束φが流れるが、超電導コイル
がマイスナー効果により磁束の進入を妨げ、第１の外側
超電導コイ）Ｖｉｅ第２の外側超電導コイｌｖ７．内側
超電導コイｌｖ８を磁束は通過しないため、従来例のよ
うにバイアス磁界発生装置４のヨーク６以外の内部を通
過する磁束はなくなり、駆動電流に対する記録、または
消去を行う点を通過する磁束の発生効率が高くなる。

また、超電導コイルを用いているため、バイアス磁界発
生装置４単体での消費電力はなくなる。

記録動作を行う場合、この状態で光学ヘッド２から対物
レンズ３を通して光磁気記録媒体１に情報に応じた光ス
ポットを与えれば情報の記録が行われる。消去の場合に
は磁界の方向を逆にし、光スポットを与える。

以上のように本実施例によれば、巻回するコイルに超電
導コイルを用いたことによシ７、マイスナー効果によっ
てコイルを横切る磁束がなくなシ、媒体対向面側に十分
な磁束が発生することで駆動電流の磁束に対する効率が
大幅に改善される。さらにコイルに超電導コイルを用い
たことによシ、バイアス磁界発生装置４単体での消費電
力がなくなり、光磁気記録媒体１が加熱されることはな
く、データの信頼性が向上する。また、駆動電流の磁束
に対する効率が大幅に改善されることにより、必要な磁
界を得るための駆動電流値が少なくなシ、バイアス磁界
の記録、消去動作のスイッチング時間である反転時間が
短縮される。

以下１本発明の他の実施列について、図面を参照しなか
ら゛説明する。

第３図は本発明のバイアス磁界発生装置の他の実施例の
断面を示すものである。図でヨーク６゜第１の外側超電
導コイルは６．第２の外側超電導コイμは７．内側超電
導コイｌｖ８は、形状や光磁気記録再生装置内での配置
等は第１の実施例と同じである。超電導体１３はヨーク
５の媒体対向面の反対側を全面に覆っている。使用法は
第１の実施例と同様である。

本実施例は第１の実施例に比べ超電導体１３がヨーク５
の媒体対向面の反対側を全面に覆っているため、第１の
実施例の第２図に示した接続部５ｄと第１の外側ヨーク
５ａ。

第２の外側ヨーク５ｂの間のヨーク６の外部への漏れ磁
束λも、超電導体１３のマイスナー効果によシなくなシ
、第１の実施例よシさらに効率が向上する。

発明の効果 本発明は、バイアス磁界発生装置を光磁気記録媒体に記
録再生消去用の光スポットを与える光学ヘッドと対向す
る位置に光磁気記録媒体を挟んで配置し、バイアス磁界
発生装置は光学ヘッドの記録領域をカバーする長さを持
つ少なくとも２個の互いに平行な高透磁率材料からなる
コイル巻回部を有し、コイル巻回部を媒体対向面の反対
側で高透磁率材料で互い忙接続し、コイル巻回部の各々
に超電導コイルを巻回したことによシ、マイスナー効果
により磁束が超電導コイルを通過しなくなるため各々の
コイル巻回部を通過する磁束が超電導コイルの外に漏れ
ることなくコイル巻回部の媒体対向面に発生するため、
光磁気記録媒体に与えられる磁束の駆動電流に対する効
率が大幅に向上し、また超電導コイルを用いているため
バイアス磁界発生装置単体での消費電力がなくなるため
光磁気記録媒体に熱を与えなくなって記録データの信頼
性が向上し、さらに磁束の駆動電流に対する効率が大幅
に向上するため、バイアス磁界発生装置の発生する磁界
の反転時間を短縮することができるという数々の優れた
効果を得ることができるバイアス磁界発生装置を実現で
きるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実ｋｆｉｌｌＪにおけるバイアス磁
界発生装置の光磁気記録再生装置内での配置図、第２図
は第１図のバイアス磁界発生装置の磁束の流れを示す断
面図、第３図は本発明の他の実施例におけるバイアス磁
界発生装置の断面図、第４図は従来（例、のバイアス磁
界発生装置の光磁気記録再生装置内での配置図、第６図
は第４図のバイアス磁界発生装置の磁束の流れを示す断
面図である。 １・・・・・・光磁気記録媒体、２・・・・・・光学ヘ
ッド、３・・・・・・対物レンズ、４・・・・・・バイ
アス磁界発生装置、６・・・・・・ヨーク、６・・・・
・・第１の外側超電導コイル、７・・・・・−第２の外
側超電導コイル、８・・・・・・内側超電導コイル。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名Ｉ−
−光磁り（言乙橿示謀イ事、 ２−　光学ヘッド ３−ｎ勾ルウユ ４−　バイアス郁光生ｉ、ｔ ６−　ヨーク ２°−゛箭ｌのクトイ戸すＨ電導コイル７゛−第２の ｒｒＩ、Ｉ／

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光磁気記録媒体に記録再生消去用の光スポットを
   与える光学ヘッドと対向する位置に前記光磁気記録媒体
   を挾んで配置され、前記光学ヘッドの記録領域をカバー
   する長さを持つ少なくとも２個の互いに平行な高透磁率
   材料からなるコイル巻回部を有し、前記コイル巻回部が
   媒体対向面の反対側で前記高透磁率材料で互いに接続さ
   れ、前記コイル巻回部の各々に超電導コイルが巻回され
   た事を特徴とするバイアス磁界発生装置。
2. （２）コイル巻回部が３個である事を特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載のバイアス磁界発生装置。
3. （３）媒体対向面と反対側でコイル巻回部を接続してい
   る高透磁率材料が、超電導材料で覆われている事を特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のバイアス磁界発生装
   置。