JPH01134739A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPH01134739A JPH01134739A JP62294322A JP29432287A JPH01134739A JP H01134739 A JPH01134739 A JP H01134739A JP 62294322 A JP62294322 A JP 62294322A JP 29432287 A JP29432287 A JP 29432287A JP H01134739 A JPH01134739 A JP H01134739A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- -1 for example Substances 0.000 abstract 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 4-Methylbiphenyl Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1咀ム技血光皿
本発明は、光や熱等のエネルギービームの照射により基
板上の記録膜に穴もしくは四部等の物理的変化部もしく
は光学特性変化部を形成し、この変形部の配列に対応し
て情報を記録するようにした光記録媒体を製造する方法
に係り、特に長寿命化及び感度の向上を図った光記録媒
体を製造する方法に関する。
板上の記録膜に穴もしくは四部等の物理的変化部もしく
は光学特性変化部を形成し、この変形部の配列に対応し
て情報を記録するようにした光記録媒体を製造する方法
に係り、特に長寿命化及び感度の向上を図った光記録媒
体を製造する方法に関する。
口の′、1!I−1腔t にのuy占
先光記録媒体は、エネルギービームの照射により、記録
膜の一部に穴もしくは四部等の物理的変化部を形成する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性(屈折率、反
射率)を変化させた光学特性変化部を形成する方式のも
のとがある。
膜の一部に穴もしくは四部等の物理的変化部を形成する
方式のものと、記録膜の一部に光学的特性(屈折率、反
射率)を変化させた光学特性変化部を形成する方式のも
のとがある。
いずれの方式の光記録媒体における記録膜としても、テ
ルル(Te )等の低融点金属を主成分とする記録膜が
従来から知られている(特開昭58−71.195号公
報、特開昭58−9234号公報)。低融点金属膜とし
て代表的なTe膜は、非常に低いエネルギーで所望の物
理的変化部もしくは光学特性変化部(以下、総称して、
「ピット」と称す)を形成でき、高感度材料として極め
て有望である。ここで感度とは単位面積当りのピット形
成に要するエネルギー(mJ/、ff1)で定義される
。
ルル(Te )等の低融点金属を主成分とする記録膜が
従来から知られている(特開昭58−71.195号公
報、特開昭58−9234号公報)。低融点金属膜とし
て代表的なTe膜は、非常に低いエネルギーで所望の物
理的変化部もしくは光学特性変化部(以下、総称して、
「ピット」と称す)を形成でき、高感度材料として極め
て有望である。ここで感度とは単位面積当りのピット形
成に要するエネルギー(mJ/、ff1)で定義される
。
しかしながら、Teは大気中に放置された場合、酸素あ
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう。このようなTeを記録膜として使用する
場合、膜厚は数百人程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う。すなわち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇
するとともに、透明化により光等のエネルギーの吸収が
少なくなるため、ピット形成に要するエネルギーが大き
くなり、感度の著しい低下を来たす。たとえば’reP
Aを温度70℃、相対湿度85%の雰囲気に放置した場
合、約5時間で感度が約20%低下し、約15時間で約
50%低下してしまう。
るいは水分により酸化され、光透過率が上昇して透明に
なってしまう。このようなTeを記録膜として使用する
場合、膜厚は数百人程度と極めて薄いため、膜の酸化に
よって光透過率が上昇すると感度が著しく低下してしま
う。すなわち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上昇
するとともに、透明化により光等のエネルギーの吸収が
少なくなるため、ピット形成に要するエネルギーが大き
くなり、感度の著しい低下を来たす。たとえば’reP
Aを温度70℃、相対湿度85%の雰囲気に放置した場
合、約5時間で感度が約20%低下し、約15時間で約
50%低下してしまう。
このような問題点を解決するため、TepAの酸化防止
のために種々の対策がとられている。その1つとして安
定無機物質でTeJI!をコーティングする方法が知ら
れているが、この方法は、”r”eHの酸化防止には有
効であるが、感度を低下させてしまい、また高価である
ため、実用化されていない。一方、Te膜をプラスチッ
クコーティングする方法も知られているが、この方法は
プラスチックの熱伝導率が小さいことから感度を損なう
度合が小さく有利であるが、酸素や水を比較的容易に透
過させるため、TeWAの酸化防止にはあまり役立たな
い。
のために種々の対策がとられている。その1つとして安
定無機物質でTeJI!をコーティングする方法が知ら
れているが、この方法は、”r”eHの酸化防止には有
効であるが、感度を低下させてしまい、また高価である
ため、実用化されていない。一方、Te膜をプラスチッ
クコーティングする方法も知られているが、この方法は
プラスチックの熱伝導率が小さいことから感度を損なう
度合が小さく有利であるが、酸素や水を比較的容易に透
過させるため、TeWAの酸化防止にはあまり役立たな
い。
また、]゛e等の低融点金属から成る記録膜の感度が高
いといっても、未だ十分でなく、記録膜の感度を高める
ための方法の開発が希求されていた。
いといっても、未だ十分でなく、記録膜の感度を高める
ための方法の開発が希求されていた。
光叫凶旦伯
本発明はこのような問題点を鑑みなされたもので、長寿
命で、しかも小さいエネルギーで情報の記録が可能であ
る高感度の光記録媒体を製造することができる光記録媒
体の製造方法を提供することを目自勺とする。
命で、しかも小さいエネルギーで情報の記録が可能であ
る高感度の光記録媒体を製造することができる光記録媒
体の製造方法を提供することを目自勺とする。
完肌ム概要
かかる目的を達成するために、本発明は、基板上に記録
膜を形成し、この記録膜にエネル′ギービームを照射す
ることによって記録膜の一部を物理的もしくは光学特性
的に変化させ、この変化部の配列に対応して情報を記録
するようにした光記録媒体を製造する光記録媒体の製造
方法において、前記記録膜を、低融点金属、炭素及び水
素を少なくとも含む薄膜で構成し、 この記録膜を基板上に被着した後に、 この基板上の記録膜を70〜300℃の温度で5秒以上
熱処理することを特徴としている。
膜を形成し、この記録膜にエネル′ギービームを照射す
ることによって記録膜の一部を物理的もしくは光学特性
的に変化させ、この変化部の配列に対応して情報を記録
するようにした光記録媒体を製造する光記録媒体の製造
方法において、前記記録膜を、低融点金属、炭素及び水
素を少なくとも含む薄膜で構成し、 この記録膜を基板上に被着した後に、 この基板上の記録膜を70〜300℃の温度で5秒以上
熱処理することを特徴としている。
このような本発明に係る光記録媒体によれば、基板上に
、炭素及び水素を含む低融点金属からなる記録膜を形成
した後、この記録膜を所定の温度で所定時間以上熱処理
したので、得られる光記録媒体の記録膜自身の耐久性が
向上して長寿命化を図れると共に、単位面積当りのピッ
ト形成に要するエネルギーが減少し、記録感度の高い光
記録媒体を得ることが可能になる。
、炭素及び水素を含む低融点金属からなる記録膜を形成
した後、この記録膜を所定の温度で所定時間以上熱処理
したので、得られる光記録媒体の記録膜自身の耐久性が
向上して長寿命化を図れると共に、単位面積当りのピッ
ト形成に要するエネルギーが減少し、記録感度の高い光
記録媒体を得ることが可能になる。
光哩Ω且体迫韮朋
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。
図である。
[記録膜被着工程]
第1図に示すように、本発明方法では、まず、基板11
の片側表面に記録)PA12を被着し、光記録媒体10
を構成する。
の片側表面に記録)PA12を被着し、光記録媒体10
を構成する。
基板11としては、たとえばガラスやアルミニウム等の
無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマー
アロイ、米国特許第4、614778号明細書に示され
るよう、な非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−1
−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルホフオン
、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド等の有機材料を
用いることができる。この基板11の厚みは、記録媒体
10全体に適度な剛性を付与するのに十分な厚さであれ
ば良く、好ましくは0.5〜2,5胴、特に好ましくは
1〜1.5mmが良い。
無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマー
アロイ、米国特許第4、614778号明細書に示され
るよう、な非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−1
−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルホフオン
、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド等の有機材料を
用いることができる。この基板11の厚みは、記録媒体
10全体に適度な剛性を付与するのに十分な厚さであれ
ば良く、好ましくは0.5〜2,5胴、特に好ましくは
1〜1.5mmが良い。
本発明に係る記録JIIi12は、低融点金属、炭素(
C)及び水素(H)を少なくとも含む薄膜から成り、記
録すべき情報に応じて変調(オン・オフ)されたレーザ
ビーム等のエネルギービームが照射されることにより、
その照射部分にビットが形成されるようになっている。
C)及び水素(H)を少なくとも含む薄膜から成り、記
録すべき情報に応じて変調(オン・オフ)されたレーザ
ビーム等のエネルギービームが照射されることにより、
その照射部分にビットが形成されるようになっている。
このピットは、穴や凹部等のような物理的変化部であっ
ても良いし、屈折率や反射率等の光学的特性を変化させ
た光学特性変化部であっても良い。このような記録膜1
2の膜厚は、十分な光反射率を得る程度に厚く、かつ感
度を損なわない程度に薄いことが必要で、具体的には、
200人〜1μm程度が適当である。
ても良いし、屈折率や反射率等の光学的特性を変化させ
た光学特性変化部であっても良い。このような記録膜1
2の膜厚は、十分な光反射率を得る程度に厚く、かつ感
度を損なわない程度に薄いことが必要で、具体的には、
200人〜1μm程度が適当である。
記録膜12中に含まれる低融点金属としては、テルル(
Te)、ビスマス(Bi)、亜i、1(Zn)、カドミ
ウム(Cd)、インジウム、鉛(Pb)、錫(Si)な
どもしくはこれらの合金が用いられる。
Te)、ビスマス(Bi)、亜i、1(Zn)、カドミ
ウム(Cd)、インジウム、鉛(Pb)、錫(Si)な
どもしくはこれらの合金が用いられる。
このうち特にテルルが好ましく用いられる。
このような記録膜12中のCの含有量は、記録膜全体に
対して5〜40原子%であることが好ましい。Cの含有
量が5原子%以下であると寿命の点で低融点金属単体で
形成した記録膜との有意差がみられなくなるなめ好まし
くなく、また40原子%以上になると記録感度の点で不
十分なものになるため好ましくない。
対して5〜40原子%であることが好ましい。Cの含有
量が5原子%以下であると寿命の点で低融点金属単体で
形成した記録膜との有意差がみられなくなるなめ好まし
くなく、また40原子%以上になると記録感度の点で不
十分なものになるため好ましくない。
また、記録膜12中の■(の含有量は、寿命等の点から
全体に対して5〜40原子%であることが好ましい。な
お、記録膜12中に含まれる各元素の含有量は、たとえ
ば金属元素についてはICP発光分析法(誘導結合型プ
ラズマ発光分析法)によって、また炭素、水素について
は有機元素分析法によって測定される。
全体に対して5〜40原子%であることが好ましい。な
お、記録膜12中に含まれる各元素の含有量は、たとえ
ば金属元素についてはICP発光分析法(誘導結合型プ
ラズマ発光分析法)によって、また炭素、水素について
は有機元素分析法によって測定される。
このような記録膜12を基板11の片側表面に設けるに
は、たとえば次のようにして行うことができる。
は、たとえば次のようにして行うことができる。
まず、低融点金属として代表的なToを例として説明す
れば、このTeをターゲットとし、CおよびI(を含む
有機ガス、たとえばCH4やC2■−12ガスと、Ar
ガスとの混合ガス中で、基板11上に、スパッタリング
する。これにより、C及びト1を含むTe合金薄膜から
成る記録膜12が被着させる。また、スパッタリング法
を用いることなく、CH4とTeの蒸気とをプラズマ状
にして基板にC及びHを含むTe膜からなる記録膜12
を被着することも可能である。また、気相成長またはプ
ラズマ気相成長によっても、同様の記録膜12を形成す
ることが可能である。さらに他の方法としてTe、C,
H原子の一部または全部をイオン化してビーム状として
基板上に積もらせるようにしてもよい。なお、Cおよび
Hを含むTe以外の低融点金属もしくはこれらの合金か
ら成る記録膜12を形成する場合にも上述と同様にして
行うことができる。
れば、このTeをターゲットとし、CおよびI(を含む
有機ガス、たとえばCH4やC2■−12ガスと、Ar
ガスとの混合ガス中で、基板11上に、スパッタリング
する。これにより、C及びト1を含むTe合金薄膜から
成る記録膜12が被着させる。また、スパッタリング法
を用いることなく、CH4とTeの蒸気とをプラズマ状
にして基板にC及びHを含むTe膜からなる記録膜12
を被着することも可能である。また、気相成長またはプ
ラズマ気相成長によっても、同様の記録膜12を形成す
ることが可能である。さらに他の方法としてTe、C,
H原子の一部または全部をイオン化してビーム状として
基板上に積もらせるようにしてもよい。なお、Cおよび
Hを含むTe以外の低融点金属もしくはこれらの合金か
ら成る記録膜12を形成する場合にも上述と同様にして
行うことができる。
このようなC及びI−Iを含む低融点金属薄膜から成る
記録膜12中のC及びI−Iの含有量は、CI−I 4
とArとの混合比および印加高周波電力により自由に制
御でき、たとえばCH4/Ar=1の混合比で約0.3
W/−の高周波(13,56MHz >電力をTc等の
ターゲットと基板11との間に印加するとTe等に対し
て原子数比で0.2のCを含有した膜を形成することが
できる。この場合、膜が化学的に最も安定するHの含有
量はCの含有量によって決まる。ここでは膜中に水素ガ
ス(ト■2)が発生するほど多量に含有させない限り、
H含有量は任意に選ぶことができる。さらに膜厚はスパ
ッタリング時間に比例するので、自由に制御できる。
記録膜12中のC及びI−Iの含有量は、CI−I 4
とArとの混合比および印加高周波電力により自由に制
御でき、たとえばCH4/Ar=1の混合比で約0.3
W/−の高周波(13,56MHz >電力をTc等の
ターゲットと基板11との間に印加するとTe等に対し
て原子数比で0.2のCを含有した膜を形成することが
できる。この場合、膜が化学的に最も安定するHの含有
量はCの含有量によって決まる。ここでは膜中に水素ガ
ス(ト■2)が発生するほど多量に含有させない限り、
H含有量は任意に選ぶことができる。さらに膜厚はスパ
ッタリング時間に比例するので、自由に制御できる。
このようにして形成されるC及びHを含有する低融点金
属から成る記録膜12における反射率あるいは減衰係数
などの光学特性は、CとHとの含有量によって異なり、
情報記録用として利用するには、上記のような光学特性
に応じて膜厚が決定される。実験の結果、記録膜12の
膜厚は、前述のように100人〜1μmの範囲、好まし
くは200〜500人の範囲が適当であることが判った
。そして上記条件で形成した膜は非晶質であり、この記
録膜を物理豹変化部形成方式の光記録媒体として用いた
場合に、低融点金属単体で形成した膜に比べて、情報記
録時に形成される物理的変化部周辺のエッヂ部がなめら
かとなり、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえ
得ることができる。また、このような記録膜を光学特性
変化部形成方式の光記録媒体として用いた場合にも、情
報読み出し時のノイズレベルを低くおさえることができ
る。すなわち、このような方式の記録媒体として用いた
場合には、原理的にTe膜膜体体記録膜におけるピット
周囲の盛り上りによるノイズレベルの増加という問題が
なく、低ノイズ化も可能である。
属から成る記録膜12における反射率あるいは減衰係数
などの光学特性は、CとHとの含有量によって異なり、
情報記録用として利用するには、上記のような光学特性
に応じて膜厚が決定される。実験の結果、記録膜12の
膜厚は、前述のように100人〜1μmの範囲、好まし
くは200〜500人の範囲が適当であることが判った
。そして上記条件で形成した膜は非晶質であり、この記
録膜を物理豹変化部形成方式の光記録媒体として用いた
場合に、低融点金属単体で形成した膜に比べて、情報記
録時に形成される物理的変化部周辺のエッヂ部がなめら
かとなり、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさえ
得ることができる。また、このような記録膜を光学特性
変化部形成方式の光記録媒体として用いた場合にも、情
報読み出し時のノイズレベルを低くおさえることができ
る。すなわち、このような方式の記録媒体として用いた
場合には、原理的にTe膜膜体体記録膜におけるピット
周囲の盛り上りによるノイズレベルの増加という問題が
なく、低ノイズ化も可能である。
[熱処理工程]
次に、このようにして基板11上に記録plA12を形
成した後、この記録膜12を、不活性ガス、還元性ガス
、もしくは多少の酸素を含んだ不活性ガス雰囲気中で、
熱処理する。熱処理温度は、記録膜中に含まれる低融点
金属の融点以下であることが必要であり、好ましくは7
0〜300℃特に90〜150℃の温度範囲が良い。ま
た熱処理時間は5秒〜1000分特に5分〜100分間
であることが好ましい。
成した後、この記録膜12を、不活性ガス、還元性ガス
、もしくは多少の酸素を含んだ不活性ガス雰囲気中で、
熱処理する。熱処理温度は、記録膜中に含まれる低融点
金属の融点以下であることが必要であり、好ましくは7
0〜300℃特に90〜150℃の温度範囲が良い。ま
た熱処理時間は5秒〜1000分特に5分〜100分間
であることが好ましい。
このように、記録JIi12を基板11上に形成した後
に記録膜12を熱処理することで、記録膜における記録
感度が向−ヒすることが本発明者等によって発見された
。ここで記録感度が向上するとは、単位面積あたりの記
録時に要するレーザ光等のエネルギービームのエネルギ
ーが低下することを言う。
に記録膜12を熱処理することで、記録膜における記録
感度が向−ヒすることが本発明者等によって発見された
。ここで記録感度が向上するとは、単位面積あたりの記
録時に要するレーザ光等のエネルギービームのエネルギ
ーが低下することを言う。
[実施例]
以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
。
。
犬旌盟1
Teをターゲットとし、CH4ガスとArガスとのに4
の混合ガス中で、基板11上にスパッタリングして、T
eの含有量が60原子%、Cの含有量が15原子%、H
の含有量が25原子%で、厚さ250人の記録膜12を
得た。その後、この記録膜を窒素ガス雰囲気中で、10
0℃の温度で20分間放置して、物理豹変化部形成方式
の光記録媒体10を得た。
の混合ガス中で、基板11上にスパッタリングして、T
eの含有量が60原子%、Cの含有量が15原子%、H
の含有量が25原子%で、厚さ250人の記録膜12を
得た。その後、この記録膜を窒素ガス雰囲気中で、10
0℃の温度で20分間放置して、物理豹変化部形成方式
の光記録媒体10を得た。
丈施倒ユ
膜厚が350人である以外は実施例1と同様にして記録
膜12を得た。
膜12を得た。
比較泗ユ
熱処理をしない以外は、実施例1と同様にして、’T’
eの含有量が60原子%、Cの含有量が15原子%、I
]の含有量が25原子%で、膜厚250人の記録膜を得
た。
eの含有量が60原子%、Cの含有量が15原子%、I
]の含有量が25原子%で、膜厚250人の記録膜を得
た。
ル較■ス
熱処理しない以外は実施例2と同様にして、TOの含有
量が60原子%、Cの含有量が15原子%、Hの含有量
が25原子%で、厚さ350人の記録膜を得た。
量が60原子%、Cの含有量が15原子%、Hの含有量
が25原子%で、厚さ350人の記録膜を得た。
[実施例1.2と比較例1.2との比較]上述のように
して得た各記録膜における記録感度(nJ/μイ)を表
1に示す。なお、実施例1゜2及び比較例1.2におい
て用いたエネルギービームとしてのレーザ光の周波数は
IMHzであった。なお、記録感度とは、上述したよう
に、情報を記録するために、ピット形成に要するレーザ
光のエネルギーである。このエネルギーが低下する程記
録感度が向上する。
して得た各記録膜における記録感度(nJ/μイ)を表
1に示す。なお、実施例1゜2及び比較例1.2におい
て用いたエネルギービームとしてのレーザ光の周波数は
IMHzであった。なお、記録感度とは、上述したよう
に、情報を記録するために、ピット形成に要するレーザ
光のエネルギーである。このエネルギーが低下する程記
録感度が向上する。
表−」−
表1に示すように、本発明に係る実施例1.2では、同
じ膜厚の従来の記録膜に対して、記録感度が十数%以上
向上する。
じ膜厚の従来の記録膜に対して、記録感度が十数%以上
向上する。
凡呵例カ果
以上説明してきたように、本発明によれば、記録膜を、
低融点金属、炭素及び水素を少なくとも含む薄膜で構成
し、この記録膜を基板上に形成した後に、熱処理するよ
うにしたので、得られる光記録媒体の記録感度が大幅に
向上することになる。
低融点金属、炭素及び水素を少なくとも含む薄膜で構成
し、この記録膜を基板上に形成した後に、熱処理するよ
うにしたので、得られる光記録媒体の記録感度が大幅に
向上することになる。
また、このような記録膜には、C及びHを含ませている
ことから、記録膜自体の耐久性が向上し、得られる光記
録媒体の長寿命化を図ることができる。さらに、記録膜
自体の耐久性が向上することから、その結果、基板とし
て、水分や酸素を通しやすいアクリル基板、プラスチッ
ク基板等を用いることが可能になるため、安価でかつ量
産性に優れた光記録媒体を得ることができる。
ことから、記録膜自体の耐久性が向上し、得られる光記
録媒体の長寿命化を図ることができる。さらに、記録膜
自体の耐久性が向上することから、その結果、基板とし
て、水分や酸素を通しやすいアクリル基板、プラスチッ
ク基板等を用いることが可能になるため、安価でかつ量
産性に優れた光記録媒体を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の概略断面
図である。 10・・・光記録媒体 11・・・基板12・・・
記録膜 第 1 図 手続補正書 昭和63年12715日 】、事件の表示 昭和62年 特 許 願 第294,322号2、発明
の名称 光記録媒体の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三井石油化学工業株式会社4、代 理 人
(郵便番号141) 東京部品用区西五反田二丁目19番2号荒久ビル3階 [電話東京(491)3161 ] 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 (1)明細書第8頁第3行目から第4行目におい「錫(
Sl)Jとあるのを、 「錫(Sn )Jと補正する。
図である。 10・・・光記録媒体 11・・・基板12・・・
記録膜 第 1 図 手続補正書 昭和63年12715日 】、事件の表示 昭和62年 特 許 願 第294,322号2、発明
の名称 光記録媒体の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三井石油化学工業株式会社4、代 理 人
(郵便番号141) 東京部品用区西五反田二丁目19番2号荒久ビル3階 [電話東京(491)3161 ] 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 (1)明細書第8頁第3行目から第4行目におい「錫(
Sl)Jとあるのを、 「錫(Sn )Jと補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネルギー
ビームを照射することによって記録膜の一部を物理的も
しくは光学特性的に変化させ、この変化部の配列に対応
して情報を記録するようにした光記録媒体を製造する光
記録媒体の製造方法において、 前記記録膜を、低融点金属、炭素及び水素を少なくとも
含む薄膜で構成し、 この記録膜を基板上に被着した後に、 この基板上の記録膜を70〜300℃の温度で5秒以上
熱処理することを特徴とする光記録媒体の製造方法。 2)前記低融点金属が、テルル、ビスマス、亜鉛、カド
ミウム、インジウム、鉛、錫のうちのいずれか、もしく
はこれらのうちの複数からなる合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体の製造方
法。 3)前記熱処理は不活性ガス雰囲気中で行われることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
光記録媒体の製造方法。 4)前記熱処理は還元性ガス雰囲気中で行われることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294322A JPH01134739A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体の製造方法 |
KR1019880015173A KR910006655B1 (ko) | 1987-11-20 | 1988-11-18 | 광학기록 매체 제조방법 |
US07/272,822 US4981777A (en) | 1987-11-20 | 1988-11-18 | Process for preparation of optical recording medium |
CN88108027A CN1019702B (zh) | 1987-11-20 | 1988-11-19 | 制备光记录体的方法 |
EP88310987A EP0317368A3 (en) | 1987-11-20 | 1988-11-21 | Process for preparation of optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294322A JPH01134739A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01134739A true JPH01134739A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17806198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62294322A Pending JPH01134739A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01134739A (ja) |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62294322A patent/JPH01134739A/ja active Pending
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