JPH01130959A - サーマルヘッド作製方法 - Google Patents
サーマルヘッド作製方法Info
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- JPH01130959A JPH01130959A JP62291417A JP29141787A JPH01130959A JP H01130959 A JPH01130959 A JP H01130959A JP 62291417 A JP62291417 A JP 62291417A JP 29141787 A JP29141787 A JP 29141787A JP H01130959 A JPH01130959 A JP H01130959A
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- laser beam
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Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はファクシミリ、プリンター等に使用される感熱
記録用サーマルヘッドの作製方法に関するものである。
記録用サーマルヘッドの作製方法に関するものである。
従来、サーマルヘッドの作製方法として第１図（Ａ）に
示すように基板上（１）に発熱体（２）、電気導電体（
３）と順次積層したのち、フォトリソグラフィー技術を
用いて（Ｂ）に示すようにパターニングして、分離され
た発熱体（４）、電気導電体（５）を形成した。
示すように基板上（１）に発熱体（２）、電気導電体（
３）と順次積層したのち、フォトリソグラフィー技術を
用いて（Ｂ）に示すようにパターニングして、分離され
た発熱体（４）、電気導電体（５）を形成した。
この従来の方法では、最小単位の素子にパターニングす
るためには、ウェットエツチング工程を必ず採用してお
り、フォトマスクを２枚必要とする。又、エッチャント
も２種類必要であり製造コストがかかる。又エツチング
工程においてウェット処理をすることにより、処理工程
にて使用する薬品および水のために素子の信頬性が低下
した。
るためには、ウェットエツチング工程を必ず採用してお
り、フォトマスクを２枚必要とする。又、エッチャント
も２種類必要であり製造コストがかかる。又エツチング
工程においてウェット処理をすることにより、処理工程
にて使用する薬品および水のために素子の信頬性が低下
した。
又発熱部の抵抗値を変更する場合発熱体の膜厚を変化さ
せるかフォトマスクを変更しなければならなかった。
せるかフォトマスクを変更しなければならなかった。
本発明は、サーマルヘッド素子のパターニングをレーザ
光を用いたレーザ加工によって行うことを特徴とする。
光を用いたレーザ加工によって行うことを特徴とする。
第２図に示す（Ａ）のように基板上（１）に発熱体（２
）、電気導電体（３）を積層したのちに、（Ｂ）のよう
に電気導電体（３）の絶縁化パターニングによって電気
導電体にはさまれた発熱体の抵抗値を決定するために電
気導電体のみ、あるいは電気導電体と発熱体の一部をレ
ーザ光をもちいて除去して、抵抗部（６）を形成する。
）、電気導電体（３）を積層したのちに、（Ｂ）のよう
に電気導電体（３）の絶縁化パターニングによって電気
導電体にはさまれた発熱体の抵抗値を決定するために電
気導電体のみ、あるいは電気導電体と発熱体の一部をレ
ーザ光をもちいて除去して、抵抗部（６）を形成する。
その後（Ｃ）のように前記除去されて形成された溝（６
）と垂直方向に素子の分離のために、電気導電体（３）
と発熱体（２）を除去して溝（７）を形成して素子を分
離する。
）と垂直方向に素子の分離のために、電気導電体（３）
と発熱体（２）を除去して溝（７）を形成して素子を分
離する。
上記の工程でレーザ光の出力又はレーザ光の照射回数等
を任意に変化させることで除去部の深さを調整できるも
のであります。
を任意に変化させることで除去部の深さを調整できるも
のであります。
又、抵抗部（６）を形成する際に第３図に示すように、
レンズ０２）を通って集光されるレーザ光０３）を（Ａ
）のようにフォーカスＱｌｌ）させてレーザビームを集
光させているが（Ｂ）のようにレンズθりと基板（１）
との間隔を変化させてフォーカスを０５）のように意図
的にずらして、レーザビームを広げる。
レンズ０２）を通って集光されるレーザ光０３）を（Ａ
）のようにフォーカスＱｌｌ）させてレーザビームを集
光させているが（Ｂ）のようにレンズθりと基板（１）
との間隔を変化させてフォーカスを０５）のように意図
的にずらして、レーザビームを広げる。
または（Ｃ）のようにフォーカス０４）させて基板（１
）あるいはレーザ面を００のように移動させて（Ｄ）の
ように溝０′７）の巾を変化させて発熱部の抵抗値を任
意に変更することができる。
）あるいはレーザ面を００のように移動させて（Ｄ）の
ように溝０′７）の巾を変化させて発熱部の抵抗値を任
意に変更することができる。
〔実施例１〕
第４図に本発明の実施例を示す。
グレードアルミナ基板０８）上に発熱体として窒化タン
タル膜０９）を公知のスパッタリング法によって０．１
μｍ成膜した。次に公知のスパッタリング法によって
ＮｉＣｒ電極ＱΦを１μｍ成膜した。
タル膜０９）を公知のスパッタリング法によって０．１
μｍ成膜した。次に公知のスパッタリング法によって
ＮｉＣｒ電極ＱΦを１μｍ成膜した。
次に電極ＱＩの絶縁と発熱抵抗部を形成するため巾１０
μｍ長さ３０ ｃ’ ｍのビーム形状に集光したＫｒＦ
エキシマレーザ（２１）を照射しながら基板０８）を移
動させ（巾方向に移動）溝（２３）を形成した。
μｍ長さ３０ ｃ’ ｍのビーム形状に集光したＫｒＦ
エキシマレーザ（２１）を照射しながら基板０８）を移
動させ（巾方向に移動）溝（２３）を形成した。
次に同じエキシマレーザ（２１）を用いて溝（２３）と
垂直方向に１２５μｍピッチで基板面の上または基板０
［１）の途中まで発熱抵抗体及び電気伝導体を除去して
溝（２４）を形成して素子を分離して８木／ミワのサー
マルヘッド部を製造した。
垂直方向に１２５μｍピッチで基板面の上または基板０
［１）の途中まで発熱抵抗体及び電気伝導体を除去して
溝（２４）を形成して素子を分離して８木／ミワのサー
マルヘッド部を製造した。
〔実施例２〕
第５図に本実施例の作製工程図を示す。
同図（Ａ）のようにグレードアルミナ基板（２５）上に
電気導電体としてＮｉＣｒ電極（２６）を公知のスパッ
タリング法にて約１μｍの厚さに成膜した。
電気導電体としてＮｉＣｒ電極（２６）を公知のスパッ
タリング法にて約１μｍの厚さに成膜した。
次に（Ｂ）に示すように巾１０μｍ長さ３０ｃｍのビー
ム形状に集光したＫｒＦエキシマレーザ（２１）を照射
しながら基板０８）を移動させ（巾方向に移動）溝（２
９）を形成した。
ム形状に集光したＫｒＦエキシマレーザ（２１）を照射
しながら基板０８）を移動させ（巾方向に移動）溝（２
９）を形成した。
次に（Ｃ）に示すように、発熱体として窒化タンタル膜
（３０）を公知のスパッタリング法にて約０．１μｍの
厚さに成膜した。
（３０）を公知のスパッタリング法にて約０．１μｍの
厚さに成膜した。
次に（Ｄ）に示すように、前記エキシマレーザ光を用い
て窒化タンタル膜（３０）のみあるいはＮｉＣｒ膜の一
部を除去することで溝（３１ａ） （３１ｂ）を溝（２
９）を挟む位置に形成する。更に、同様のエキシマレ−
ザ光を用いて溝（３１ａ） （３１ｂ） （２９）と垂
直方向に１２５μｍピッチで基板（２５）の上または基
板（２５）の途中まで発熱抵抗体及び電気伝導体を除去
して溝（３２）を形成して素子を分離して８本／４すの
サーマルヘッド部を製造した。
て窒化タンタル膜（３０）のみあるいはＮｉＣｒ膜の一
部を除去することで溝（３１ａ） （３１ｂ）を溝（２
９）を挟む位置に形成する。更に、同様のエキシマレ−
ザ光を用いて溝（３１ａ） （３１ｂ） （２９）と垂
直方向に１２５μｍピッチで基板（２５）の上または基
板（２５）の途中まで発熱抵抗体及び電気伝導体を除去
して溝（３２）を形成して素子を分離して８本／４すの
サーマルヘッド部を製造した。
本発明による製造方法をもちいることで、従来方法に比
較して工程数の減少およびフォトマスク化が不必要とな
る等サーマルヘッドの製造コストを下げることが可能と
なった。
較して工程数の減少およびフォトマスク化が不必要とな
る等サーマルヘッドの製造コストを下げることが可能と
なった。
又レーザ加工を用いることで発熱抵抗部の抵抗値を任意
に可変できる自由度をもった。
に可変できる自由度をもった。
さらに、サーマルヘッド製造工程において、ウェット処
理工程が不要となった為、素子の信頼性が向上した。
理工程が不要となった為、素子の信頼性が向上した。
第１図は従来のサーマルヘッドの製作方法を示す。
第２図、第４図及び第５図は本発明のサーマルヘッドの
製作方法を示す。 第３図は本発明で用いるレーザビームと被加工面の関係
とその加工結果を示す。 １・・・基板 ２・・・発熱体 ３・・・電気導電体 ６・・・発熱部 ７・・・素子分離溝
製作方法を示す。 第３図は本発明で用いるレーザビームと被加工面の関係
とその加工結果を示す。 １・・・基板 ２・・・発熱体 ３・・・電気導電体 ６・・・発熱部 ７・・・素子分離溝
Claims (3)
- １．基板上の発熱体、電気導電体に対して、レーザ光を
照射することにより、前記発熱体または電気導電体の一
部あるいは全てを除去して溝を設け機能単位の素子に分
離形成することを特徴とするサーマルヘッド作製方法 - ２．特許請求の範囲第１項において前記発熱体または電
気導電体に照射するレーザ光のビーム形状はＸ軸、Ｙ軸
何れか一方は他方に比べて、著しく狭いまたは著しく広
いことを特徴とするサーマルヘッド作製方法 - ３．特許請求の範囲第１項において電気導電体を除去す
ることにより形成される溝の巾を変化させる時には、照
射するレーザ光ビームの巾を変える、あるいは、同一巾
のレーザ光と被加工面との相対的位置を変化させること
を特徴とするサーマルヘッド作製方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291417A JPH01130959A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | サーマルヘッド作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291417A JPH01130959A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | サーマルヘッド作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130959A true JPH01130959A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17768611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291417A Pending JPH01130959A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | サーマルヘッド作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892577A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS59162064A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 厚膜サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS62122764A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Toshiba Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62291417A patent/JPH01130959A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892577A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS59162064A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 厚膜サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS62122764A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Toshiba Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
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