JPH01129495A - 高密度多層配線基板の絶縁形成方法 - Google Patents
高密度多層配線基板の絶縁形成方法Info
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- JPH01129495A JPH01129495A JP28992587A JP28992587A JPH01129495A JP H01129495 A JPH01129495 A JP H01129495A JP 28992587 A JP28992587 A JP 28992587A JP 28992587 A JP28992587 A JP 28992587A JP H01129495 A JPH01129495 A JP H01129495A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高密度多層配線基板の製造方法、特にコンピュ
ータ等電子機器に使用されるＬＳＩ実装用高密度多層配
線基板の層間絶縁層の形成方法に関する。
ータ等電子機器に使用されるＬＳＩ実装用高密度多層配
線基板の層間絶縁層の形成方法に関する。
従来、この種の高密度多層配線基板の層間絶縁層は第２
図又は第３図に示されるように通常のポリイミド膜のみ
又はフィラーポリイミド膜のみからなる有機絶縁層が使
用されており、電気的絶縁性のために２層以上繰返し形
成されていた。
図又は第３図に示されるように通常のポリイミド膜のみ
又はフィラーポリイミド膜のみからなる有機絶縁層が使
用されており、電気的絶縁性のために２層以上繰返し形
成されていた。
第２図を参照すると基板１と下層配線パターン２の表面
に通常のポリイミド膜６が２層形成されている。このポ
リイミド膜６の厚さは２層形成すると２０〜３０μとな
るが、透明度が大きいため表面からポリイミド膜６を通
して下層配線パターン２が透過して見えチエツクが容易
となっていた。
に通常のポリイミド膜６が２層形成されている。このポ
リイミド膜６の厚さは２層形成すると２０〜３０μとな
るが、透明度が大きいため表面からポリイミド膜６を通
して下層配線パターン２が透過して見えチエツクが容易
となっていた。
第３図を参照すると基板１と下層配線パターン２の゛表
面にＳｉＯ□などが含まれ耐クラツク性にすぐれている
フィラーポリイミド膜７が２層形成されている。フィラ
ーポリイミド膜７はクラック不良に特に効果的であるが
、ビィアホール部の底にフィラーが残りフッ酸処理が必
要となっていた。
面にＳｉＯ□などが含まれ耐クラツク性にすぐれている
フィラーポリイミド膜７が２層形成されている。フィラ
ーポリイミド膜７はクラック不良に特に効果的であるが
、ビィアホール部の底にフィラーが残りフッ酸処理が必
要となっていた。
ところが第２図のように通常のポリイミド膜６のみで２
層以上形成したものでは、熱ストレスや吸湿のために内
部にクラックが生じやすく、第３図のようにＳｉＯ□な
どが含まれたフィラーポリイミド７のみで２層以上形成
すると下層配線バター７ （Ｖｉａ Ｈｏ１ｌ）部にフ
ィラーが付着して、ビィアホールの導通が著しく悪くな
りパターンオープンの発生原因となるためフッ酸処理を
必要とする欠点がある。
層以上形成したものでは、熱ストレスや吸湿のために内
部にクラックが生じやすく、第３図のようにＳｉＯ□な
どが含まれたフィラーポリイミド７のみで２層以上形成
すると下層配線バター７ （Ｖｉａ Ｈｏ１ｌ）部にフ
ィラーが付着して、ビィアホールの導通が著しく悪くな
りパターンオープンの発生原因となるためフッ酸処理を
必要とする欠点がある。
本発明による絶縁層の形成は多層配線基板の層間絶縁層
が、第１層目に薄塗りポリイミド膜、第２層目にフィラ
ーポリイミド膜との組合せ構造で、ビィアホール部の底
にフィラーが残らなく現像でき耐クラツク性絶縁性に優
れていることを特徴としている。
が、第１層目に薄塗りポリイミド膜、第２層目にフィラ
ーポリイミド膜との組合せ構造で、ビィアホール部の底
にフィラーが残らなく現像でき耐クラツク性絶縁性に優
れていることを特徴としている。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図を参照すると基板１と下層配線パターン２の表面
に第１層目に薄塗りのポリイミド膜３が、そして第２層
目にｓ＋０２を含む厚塗りのフィラーポリイミド膜４の
眉間絶縁層が形成されている。
に第１層目に薄塗りのポリイミド膜３が、そして第２層
目にｓ＋０２を含む厚塗りのフィラーポリイミド膜４の
眉間絶縁層が形成されている。
このような形成によると絶縁性、耐クラツク性に優れた
層間絶縁層が可能となる。
層間絶縁層が可能となる。
第４図（ａ）〜（ｅ）を参照すると、第１図の絶縁層の
構造の一製造方法が示されている。まず、基板１上に下
層配線パターン２が形成される。（第４図（ａ））。こ
の表面全面に第１層目に薄塗りの感光性ポリイミド膜３
′、第２層目に厚塗りの感光性フィラーポリイミド膜４
′をコーティングし、低温乾燥する（第４図（ｂ））。
構造の一製造方法が示されている。まず、基板１上に下
層配線パターン２が形成される。（第４図（ａ））。こ
の表面全面に第１層目に薄塗りの感光性ポリイミド膜３
′、第２層目に厚塗りの感光性フィラーポリイミド膜４
′をコーティングし、低温乾燥する（第４図（ｂ））。
従って、この状態では薄塗りの感光性ポリイミド膜３′
及び厚塗りの感光性フィラーポリイミド膜４′はイミド
化していない。次に、ガラスマスク５を通して紫外線露
光し、低温乾燥する（第４図（ｃ））、次に現像すると
（先に薄塗りの感光性ポリイミド膜３′次に厚塗りの感
光性フィラーポリイミド膜４′の絶縁層の構成でビィア
ホール部の底にフィラーが残らなく）紫外線が照射され
ない部分が除去される（第４図（ｄ））。最後に、上記
乾燥状態のイミド化されていない薄塗りのポリイミド膜
３及び厚塗りのフィラーポリイミド膜４をキュアしてイ
ミド化させる（第４図（ｅ））。
及び厚塗りの感光性フィラーポリイミド膜４′はイミド
化していない。次に、ガラスマスク５を通して紫外線露
光し、低温乾燥する（第４図（ｃ））、次に現像すると
（先に薄塗りの感光性ポリイミド膜３′次に厚塗りの感
光性フィラーポリイミド膜４′の絶縁層の構成でビィア
ホール部の底にフィラーが残らなく）紫外線が照射され
ない部分が除去される（第４図（ｄ））。最後に、上記
乾燥状態のイミド化されていない薄塗りのポリイミド膜
３及び厚塗りのフィラーポリイミド膜４をキュアしてイ
ミド化させる（第４図（ｅ））。
以上説明したように本発明は、多層配線基板の層間絶縁
層の構造を第１層目に薄塗りのポリイミド膜、第２層目
に厚塗りのフィラーポリイミド膜との組合せをすること
によりビィアホール部にフィラーが残らなく現像でき、
耐クラツク性絶縁性に優れた層間絶縁層を形成できる効
果がある。
層の構造を第１層目に薄塗りのポリイミド膜、第２層目
に厚塗りのフィラーポリイミド膜との組合せをすること
によりビィアホール部にフィラーが残らなく現像でき、
耐クラツク性絶縁性に優れた層間絶縁層を形成できる効
果がある。
第１図は本発明による絶縁層の構造の一実施例を示した
断面図、第２図は従来の絶縁層の構造の一例を示した断
面図、第３図は従来の絶縁層の構造の他の一例を示した
断面図および第４図（ａ）〜（ｅ）は第１図の絶縁層の
構造の一製造方法を示した断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・配線パターン、３
・・・・・・薄塗りのポリイミド膜、３′・・・・・・
イミド化してない薄塗りのポリイミド膜、４・・・・・
・厚塗りのフィラーポリイミド膜、４′・・・・−・イ
ミド化してない厚塗りのフィラーポリイミド膜、５・・
・・・・ガラスマスク、６・・・・・・ポリイミド膜、
７ ・−−−−−フィラーポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２ 図 篇５図 第４図
断面図、第２図は従来の絶縁層の構造の一例を示した断
面図、第３図は従来の絶縁層の構造の他の一例を示した
断面図および第４図（ａ）〜（ｅ）は第１図の絶縁層の
構造の一製造方法を示した断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・配線パターン、３
・・・・・・薄塗りのポリイミド膜、３′・・・・・・
イミド化してない薄塗りのポリイミド膜、４・・・・・
・厚塗りのフィラーポリイミド膜、４′・・・・−・イ
ミド化してない厚塗りのフィラーポリイミド膜、５・・
・・・・ガラスマスク、６・・・・・・ポリイミド膜、
７ ・−−−−−フィラーポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２ 図 篇５図 第４図
Claims (3)
- １．層間絶縁層が第１層目に薄塗りのポリイミド膜、第
２層目に厚塗りのフィラーポリイミド膜との組合せを有
することを特徴とする絶縁形成方法。 - ２．上記フィラーポリイミド膜のフィラー成分がＳｉＯ
＿２である特許請求の範囲第１項記載の絶縁形成方法。 - ３．上記薄塗りのポリイミド膜および厚塗りのフィラー
ポリイミド膜が感光性ポリイミド膜および感光性フィラ
ーポリイミド膜である特許請求の範囲第１項記載の絶縁
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28992587A JPH01129495A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高密度多層配線基板の絶縁形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28992587A JPH01129495A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高密度多層配線基板の絶縁形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129495A true JPH01129495A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17749535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28992587A Pending JPH01129495A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 高密度多層配線基板の絶縁形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067217A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28992587A patent/JPH01129495A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067217A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
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