JPH0831696B2 - 絶縁層の構造 - Google Patents
絶縁層の構造Info
- Publication number
- JPH0831696B2 JPH0831696B2 JP231793A JP231793A JPH0831696B2 JP H0831696 B2 JPH0831696 B2 JP H0831696B2 JP 231793 A JP231793 A JP 231793A JP 231793 A JP231793 A JP 231793A JP H0831696 B2 JPH0831696 B2 JP H0831696B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide film
- insulating layer
- filler
- photosensitive
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータ等の電子機
器に使用される大規模集積回路（ＬＳＩ）実装用多層配
線基板の層間絶縁層の構造に関する。
器に使用される大規模集積回路（ＬＳＩ）実装用多層配
線基板の層間絶縁層の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の多層配線基板の層間絶縁
層には、図２又は図３に示されるように、通常のポリイ
ミド膜のみ又はフィラーポリイミド膜のみから成る有機
絶縁層が使用されており、電気的絶縁性および表面凹凸
の平坦化のために２層以上繰返し形成されていた。
層には、図２又は図３に示されるように、通常のポリイ
ミド膜のみ又はフィラーポリイミド膜のみから成る有機
絶縁層が使用されており、電気的絶縁性および表面凹凸
の平坦化のために２層以上繰返し形成されていた。
【０００３】図２を参照すると、基板１と下層配線パタ
ーン２の表面に通常のポリイミド膜３が２層形成されて
いる。このポリイミド膜３の厚さは１層当り５〜１０μ
である。この場合、２層形成すると、膜厚は１０〜２０
μとなるが、透明度が大きいため、表面からポリイミド
膜３を通して下層配線パターンが透過して見え、検査、
チェックが容易である。
ーン２の表面に通常のポリイミド膜３が２層形成されて
いる。このポリイミド膜３の厚さは１層当り５〜１０μ
である。この場合、２層形成すると、膜厚は１０〜２０
μとなるが、透明度が大きいため、表面からポリイミド
膜３を通して下層配線パターンが透過して見え、検査、
チェックが容易である。
【０００４】図３を参照すると、基板１と下層配線パタ
ーン２の表面にＳｉＯ2 などが含まれる耐クラック性に
すぐれているフィラーポリイミド膜４が２層形成されて
いる。フィラーポリイミド膜４は機械的強度が強いた
め、クラック不良が激減する。
ーン２の表面にＳｉＯ2 などが含まれる耐クラック性に
すぐれているフィラーポリイミド膜４が２層形成されて
いる。フィラーポリイミド膜４は機械的強度が強いた
め、クラック不良が激減する。
【０００５】図５（ａ）〜（ｅ）を参照すると、図２の
絶縁層の構造の従来の製造方法が示されている。先ず、
基板１上に下層配線パターン２が形成される（図５
（ａ））。この表面に、通常のポリイミド膜３を２層、
スピンコート等により全面塗布し、乾燥、キュアさせる
（図５（ｂ））。次に、キュアしたポリイミド膜３表面
にフォトレジスト５を塗布し、図示しないガラスマスク
を通して紫外線露光し、フォトレジスト５をパターン化
する（図５（ｃ））。次に、ヒドラジンヒドラート系溶
剤によるウェットエッチングかあるいはＣＦ4 ガス等に
よるドライエッチングにより、フォトレジスト５をマス
クにしてポリイミド膜３をエッチングする（図５
（ｄ））。最後に、フォトレジスト５を剥離する（図５
（ｅ））。
絶縁層の構造の従来の製造方法が示されている。先ず、
基板１上に下層配線パターン２が形成される（図５
（ａ））。この表面に、通常のポリイミド膜３を２層、
スピンコート等により全面塗布し、乾燥、キュアさせる
（図５（ｂ））。次に、キュアしたポリイミド膜３表面
にフォトレジスト５を塗布し、図示しないガラスマスク
を通して紫外線露光し、フォトレジスト５をパターン化
する（図５（ｃ））。次に、ヒドラジンヒドラート系溶
剤によるウェットエッチングかあるいはＣＦ4 ガス等に
よるドライエッチングにより、フォトレジスト５をマス
クにしてポリイミド膜３をエッチングする（図５
（ｄ））。最後に、フォトレジスト５を剥離する（図５
（ｅ））。
【０００６】又、図５（ａ）〜（ｅ）中のポリイミド膜
３の代わりにフィラーポリイミド膜４を使用することに
より、図３の絶縁層の構造が製造できる。
３の代わりにフィラーポリイミド膜４を使用することに
より、図３の絶縁層の構造が製造できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ように、通常のポリイミド膜３のみで２層以上形成した
ものでは、熱ストレスや吸湿のために内部にクラックが
生じやすく、図３のようにＳｉＯ2 などが含まれたフィ
ラーポリイミド膜４のみで２層以上形成すると、フィラ
ーＳｉＯ2 のために膜の透明度が著しく悪くなり、表面
からフィラーポリイミド膜４を通して下層配線パターン
２が見えなくなってしまい、検査、チェックが不可能と
なる欠点がある。又、図５（ａ）〜（ｅ）に示したよう
な、従来の製造方法では、製造工程が複雑となる欠点が
ある。
ように、通常のポリイミド膜３のみで２層以上形成した
ものでは、熱ストレスや吸湿のために内部にクラックが
生じやすく、図３のようにＳｉＯ2 などが含まれたフィ
ラーポリイミド膜４のみで２層以上形成すると、フィラ
ーＳｉＯ2 のために膜の透明度が著しく悪くなり、表面
からフィラーポリイミド膜４を通して下層配線パターン
２が見えなくなってしまい、検査、チェックが不可能と
なる欠点がある。又、図５（ａ）〜（ｅ）に示したよう
な、従来の製造方法では、製造工程が複雑となる欠点が
ある。
【０００８】また、ポリイミドとガラス系の２層からな
る絶縁層の構造も知られている（例えば、特開昭５５−
１０５３９９号公報参照）。しかしながら、このような
ガラス系（無機材料）とポリイミド（有機材料）とを併
用した構造では、２つの材料間の物理的特性の違いに起
因する歪あるいは層間剥離が生じやすいなど、多層基板
の品質、信頼性に劣るという欠点がある。
る絶縁層の構造も知られている（例えば、特開昭５５−
１０５３９９号公報参照）。しかしながら、このような
ガラス系（無機材料）とポリイミド（有機材料）とを併
用した構造では、２つの材料間の物理的特性の違いに起
因する歪あるいは層間剥離が生じやすいなど、多層基板
の品質、信頼性に劣るという欠点がある。
【０００９】したがって、本発明の目的は、絶縁性、検
査、チェック性および耐クラック性に優れた、絶縁層の
構造を提供することにある。
査、チェック性および耐クラック性に優れた、絶縁層の
構造を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、製造工程が簡単な、
絶縁層の構造を提供することにある。
絶縁層の構造を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、層間の物理的
特性の相違が緩和され、歪、層間剥離等が生じにくい、
絶縁層の構造を提供することにある。
特性の相違が緩和され、歪、層間剥離等が生じにくい、
絶縁層の構造を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による絶縁層の構
造は、多層配線基板の層間絶縁層が、ポリイミド膜とフ
ィラーポリイミド膜との組合せ構造を有し、上記ポリイ
ミド膜および上記フィラーポリイミド膜が、それぞれ、
感光性ポリイミド膜および感光性フィラーポリイミド膜
であることを特徴とする。
造は、多層配線基板の層間絶縁層が、ポリイミド膜とフ
ィラーポリイミド膜との組合せ構造を有し、上記ポリイ
ミド膜および上記フィラーポリイミド膜が、それぞれ、
感光性ポリイミド膜および感光性フィラーポリイミド膜
であることを特徴とする。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１を参照すると、基板１と下層配線パタ
ーン２の表面に、第１層目として通常のポリイミド膜３
が、そして第２層目にＳｉＯ2 を含むフィラーポリイミ
ド膜４が重ねて形成されている。このような構造による
と、絶縁性、検査、チェックおよび耐クラック性にすぐ
れた層間絶縁層が形成可能となる。
ーン２の表面に、第１層目として通常のポリイミド膜３
が、そして第２層目にＳｉＯ2 を含むフィラーポリイミ
ド膜４が重ねて形成されている。このような構造による
と、絶縁性、検査、チェックおよび耐クラック性にすぐ
れた層間絶縁層が形成可能となる。
【００１５】なお、上記実施例では、第１層目に通常の
ポリイミド膜３を、第２層目にフィラーポリイミド膜４
を形成しているが、第１層目にフィラーポリイミド膜４
を、第２層目に通常のポリイミド膜３を形成しても良
い。但し、この方が上記実施例に比べ耐クラック性が若
干悪くなる。
ポリイミド膜３を、第２層目にフィラーポリイミド膜４
を形成しているが、第１層目にフィラーポリイミド膜４
を、第２層目に通常のポリイミド膜３を形成しても良
い。但し、この方が上記実施例に比べ耐クラック性が若
干悪くなる。
【００１６】図４（ａ）〜（ｅ）を参照すると、図１の
絶縁層の構造の一製造方法が示されている。先ず、図５
（ａ）と同様に、基板１上に下層配線パターン２が形成
される（図４（ａ））。この表面全面に、感光性ポリイ
ミド膜３´及び感光性フィラーポリイミド膜４´をコー
ティング、低温乾燥する（図４（ｂ））。従って、この
状態では、感光性ポリイミド膜３´及び感光性フィラー
ポリイミド膜４´はイミド化していない。次に、ガラス
マスク１０を通して紫外線露光する（図４（ｃ））。次
に、現像すると、紫外線が照射されなかった部分が除去
される（図４（ｄ））。最後に、上記乾燥状態のイミド
化されていないポリイミド膜３及びフィラーポリイミド
膜４をキュアしてイミド化させる（図４（ｅ））。
絶縁層の構造の一製造方法が示されている。先ず、図５
（ａ）と同様に、基板１上に下層配線パターン２が形成
される（図４（ａ））。この表面全面に、感光性ポリイ
ミド膜３´及び感光性フィラーポリイミド膜４´をコー
ティング、低温乾燥する（図４（ｂ））。従って、この
状態では、感光性ポリイミド膜３´及び感光性フィラー
ポリイミド膜４´はイミド化していない。次に、ガラス
マスク１０を通して紫外線露光する（図４（ｃ））。次
に、現像すると、紫外線が照射されなかった部分が除去
される（図４（ｄ））。最後に、上記乾燥状態のイミド
化されていないポリイミド膜３及びフィラーポリイミド
膜４をキュアしてイミド化させる（図４（ｅ））。
【００１７】このように、本実施例の製造方法（図４
（ａ）〜（ｅ））は、従来の製造方法（図５（ａ）〜
（ｅ））に比較して、製造工程が簡単となる。
（ａ）〜（ｅ））は、従来の製造方法（図５（ａ）〜
（ｅ））に比較して、製造工程が簡単となる。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、多層配線基板の層間絶縁層の構造を、通常のポ
リイミド膜とフィラーポリイミド膜との組合せ構造とす
ることにより、絶縁性、検査、チェック性および耐クラ
ック性に優れた層間絶縁層を形成できる。また、ポリイ
ミド膜およびフィラーポリイミド膜として、それぞれ、
感光性ポリイミド膜および感光性フィラーポリイミド膜
を使用することにより、製造工程が簡単となるという利
点もある。さらに、層間絶縁層に通常のポリイミド膜と
フィラーポリイミド膜とから成る同じポリイミド系樹脂
を使用しているので、層間の物理的特性の相違が緩和さ
れ、歪、層間剥離等が生じにくいという利点もある。
よれば、多層配線基板の層間絶縁層の構造を、通常のポ
リイミド膜とフィラーポリイミド膜との組合せ構造とす
ることにより、絶縁性、検査、チェック性および耐クラ
ック性に優れた層間絶縁層を形成できる。また、ポリイ
ミド膜およびフィラーポリイミド膜として、それぞれ、
感光性ポリイミド膜および感光性フィラーポリイミド膜
を使用することにより、製造工程が簡単となるという利
点もある。さらに、層間絶縁層に通常のポリイミド膜と
フィラーポリイミド膜とから成る同じポリイミド系樹脂
を使用しているので、層間の物理的特性の相違が緩和さ
れ、歪、層間剥離等が生じにくいという利点もある。
【図１】本発明の一実施例による絶縁層の構造を示した
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の絶縁層の構造の一例を示した断面図であ
る。
る。
【図３】従来の絶縁層の構造の他の一例を示した断面図
である。
である。
【図４】図１の絶縁層の構造の製造方法を示した断面図
である。
である。
【図５】図２の絶縁層の構造の従来の製造方法を示した
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ 配線パターン ３ 通常のポリイミド膜 ４ フィラーポリイミド膜
Claims (1)
- 【請求項１】 多層配線基板の層間絶縁層が、ポリイミ
ド膜とフィラーポリイミド膜との組合せ構造を有し、上
記ポリイミド膜および上記フィラーポリイミド膜が、そ
れぞれ、感光性ポリイミド膜および感光性フィラーポリ
イミド膜であることを特徴とする絶縁層の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP231793A JPH0831696B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 絶縁層の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP231793A JPH0831696B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 絶縁層の構造 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8921986A Division JPS62247597A (ja) | 1986-04-19 | 1986-04-19 | 絶縁層の構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176870A JPH07176870A (ja) | 1995-07-14 |
| JPH0831696B2 true JPH0831696B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=11525957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP231793A Expired - Lifetime JPH0831696B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 絶縁層の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831696B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6885800B2 (ja) | 2017-06-26 | 2021-06-16 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP231793A patent/JPH0831696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176870A (ja) | 1995-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5776662A (en) | Method for fabricating a chip carrier with migration barrier, and resulating chip carrier | |
| US6362433B1 (en) | Flexible printed circuit board | |
| JPS59197139A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| US5626774A (en) | Solder mask for manufacture of printed circuit boards | |
| TWI384915B (zh) | 雙接達型撓性電路板的製造方法 | |
| JP2003060332A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH0831696B2 (ja) | 絶縁層の構造 | |
| JPH0546998B2 (ja) | ||
| JP3398557B2 (ja) | 表層配線プリント基板の製造方法 | |
| US6274291B1 (en) | Method of reducing defects in I/C card and resulting card | |
| JPH061795B2 (ja) | 多層配線構造体 | |
| JPH038581B2 (ja) | ||
| TWI767839B (zh) | 印刷電路板的雙層防焊結構、其製法及雙層防焊乾膜 | |
| JPH01129495A (ja) | 高密度多層配線基板の絶縁形成方法 | |
| JPH06224477A (ja) | 回路基板 | |
| JPH01248597A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH01152644A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2644847B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPH01218095A (ja) | 高密度多層配線基板 | |
| JPH04186894A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| KR100341481B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| US5908529A (en) | Multi-layer film substrate and process for production thereof | |
| JP2894997B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| KR100235954B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPH02197193A (ja) | ビィアホール形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960917 |