JPH01126321A - マレイミド樹脂組成物 - Google Patents
マレイミド樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、マレイミド樹脂組成物特に半導体素子封止に
用いた場合、耐熱性、耐湿性に優れた樹脂封止型半導体
装置を得るためのマレイミド樹脂組成物に関するもので
ある。
用いた場合、耐熱性、耐湿性に優れた樹脂封止型半導体
装置を得るためのマレイミド樹脂組成物に関するもので
ある。
(従来の技術)
近年、半導体装置の樹脂封止に関する分野においては、
半導体素子の高集積度化に伴って、素子上の各種機能単
位の細密化、素子自体の大型化が急速に進んでいる。ま
た、実装面においても、260℃半田浴に浸せき処理し
、実装する方法が採用されており、封止樹脂も従来のエ
ポキシ樹脂では、高温における機械的特性及び信頼性の
要求が満足できなくなってきた。
半導体素子の高集積度化に伴って、素子上の各種機能単
位の細密化、素子自体の大型化が急速に進んでいる。ま
た、実装面においても、260℃半田浴に浸せき処理し
、実装する方法が採用されており、封止樹脂も従来のエ
ポキシ樹脂では、高温における機械的特性及び信頼性の
要求が満足できなくなってきた。
すなわち、従来のエポキシ樹脂系を用いて大型でかつ微
細な表面構造を有する素子と封止すると、アルミニウム
などの配線層の保護膜として用いられているPSG (
りんけい酸ガラス)や5iN(窒化けい素)にクラック
を生じたり、素子にクラックを生じたり、また、表面実
装工程で、260生してぎた。
細な表面構造を有する素子と封止すると、アルミニウム
などの配線層の保護膜として用いられているPSG (
りんけい酸ガラス)や5iN(窒化けい素)にクラック
を生じたり、素子にクラックを生じたり、また、表面実
装工程で、260生してぎた。
これらの対策として、封止樹脂の内部封入物に対する応
力を小さくし、かつ封止樹脂と素−APSGやseN、
ポリイミド膜などのパッシベーション膜との密着性を上
げ、耐熱性を向上させる必要が生じた。
力を小さくし、かつ封止樹脂と素−APSGやseN、
ポリイミド膜などのパッシベーション膜との密着性を上
げ、耐熱性を向上させる必要が生じた。
この観点から、封止樹脂として、例えばマレイミド樹脂
系をはじめ、PPS (ポリフェニレンサルファイド)
系、ポリヒドロキシフェニレンニーデル系、液晶ポリマ
ーの実用化検討中性なわれている。さらに、近時、マレ
イミド樹脂とエポキシ樹脂を組合せた系、又は、マレイ
ミド樹脂と4゜4−ジアミノジフェニルメタンを組合°
せた系の封止樹脂が提案されている。しかしながら、こ
の樹脂は、従来の封止用エポキシ樹脂に比較して封止物
の耐熱性は優れているが、耐湿性が低く、ざらに成形温
度が高く成形に長時間を要する上、素子だ。
系をはじめ、PPS (ポリフェニレンサルファイド)
系、ポリヒドロキシフェニレンニーデル系、液晶ポリマ
ーの実用化検討中性なわれている。さらに、近時、マレ
イミド樹脂とエポキシ樹脂を組合せた系、又は、マレイ
ミド樹脂と4゜4−ジアミノジフェニルメタンを組合°
せた系の封止樹脂が提案されている。しかしながら、こ
の樹脂は、従来の封止用エポキシ樹脂に比較して封止物
の耐熱性は優れているが、耐湿性が低く、ざらに成形温
度が高く成形に長時間を要する上、素子だ。
(発明が解決しようとする問題点)
上述のように、従来提案されている樹脂組成物は、封止
物の耐熱性において優れているが、耐湿性及び成形性が
劣るという欠点があった。本発明は半導体用月1し樹脂
に要求される封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のすべ
てにおいて優れた半導体封止用樹脂組成物を提供するこ
とを目的とするものである。
物の耐熱性において優れているが、耐湿性及び成形性が
劣るという欠点があった。本発明は半導体用月1し樹脂
に要求される封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のすべ
てにおいて優れた半導体封止用樹脂組成物を提供するこ
とを目的とするものである。
本発明者らは、マレイミド樹脂とエポキシ樹脂の組合せ
た系について、上記問題点を解決するため鋭意研究を重
ねた結果、有機ホスフィン化合物を加えることにより、
封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のバランスのとれた
マレイミド樹脂組成物が得られることを発見し本発明を
完成するに至った。
た系について、上記問題点を解決するため鋭意研究を重
ねた結果、有機ホスフィン化合物を加えることにより、
封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のバランスのとれた
マレイミド樹脂組成物が得られることを発見し本発明を
完成するに至った。
すなわち、本発明のマレイミド樹脂組成物は、(2)−
数式 のいずれか)で示されるN、N−一置換ビスマレイミド
化合物。
数式 のいずれか)で示されるN、N−一置換ビスマレイミド
化合物。
0 工、ポキシ樹脂
(C) 有機ホスフィン化合物
からなることを特徴とするものである。
本発明における一般式
の5l−Kか)で玉6れう
N、N”−置換ビス了レイミド化合物は、以下に示す
ジアミン化合物と無水マレイン酸を反応させることによ
り)qられる。
り)qられる。
特に本化合物中の残存有機酸量を0.1%以下とした場
合には後述す実施例6に示すように封止物耐湿性及び耐
熱性の向上が顕著なマレイミド樹脂組成物が得られる。
合には後述す実施例6に示すように封止物耐湿性及び耐
熱性の向上が顕著なマレイミド樹脂組成物が得られる。
反応方法としては、特に限定するものではないが、反応
溶媒中でマレイン)アミック酸を合成し、次いで、マレ
インアミック酸を無水酢酸を用いて脱水閉環し、ビスマ
レイミド化合物としてから精製する方法、反応溶媒中で
、マレインアミック酸から直接脱水閉環後、精製する方
法があり、残存有機酸量を極力減らす反応としては後者
が好ましい。
溶媒中でマレイン)アミック酸を合成し、次いで、マレ
インアミック酸を無水酢酸を用いて脱水閉環し、ビスマ
レイミド化合物としてから精製する方法、反応溶媒中で
、マレインアミック酸から直接脱水閉環後、精製する方
法があり、残存有機酸量を極力減らす反応としては後者
が好ましい。
有機酸の含有足は、封止物の耐湿性を大きく左右し、精
製が不十分で、有機酸が天吊に残存する場合には、半導
体チップ上のA1配線層の腐食を進行させ、封止物の耐
湿性の低下を招く。
製が不十分で、有機酸が天吊に残存する場合には、半導
体チップ上のA1配線層の腐食を進行させ、封止物の耐
湿性の低下を招く。
本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂は、
例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック
型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂があり、これらを組合せて用いても
よい。
例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック
型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂があり、これらを組合せて用いても
よい。
これらエポキシ樹脂の具体例としては、室温(25℃)
で液状のものから、軟化温度90℃を有するものが好ま
しく、特に軟化点50℃ないし80℃のタレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂であって、加水分解性塩素濃度が
低いものがさらに好ましい。
で液状のものから、軟化温度90℃を有するものが好ま
しく、特に軟化点50℃ないし80℃のタレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂であって、加水分解性塩素濃度が
低いものがさらに好ましい。
エポキシ樹脂の配合割合は、N、N”−置換ビスマレイ
ミド化合物100重量部に対して、5ないし100重量
部の範囲でめり、好ましくは10ないし70重足部の範
囲である。
ミド化合物100重量部に対して、5ないし100重量
部の範囲でめり、好ましくは10ないし70重足部の範
囲である。
エポキシ樹脂の配合割合が、N、N=−置換ビスマレイ
ミド100重量部に対し、5重量部未満の場合はマレイ
ミド樹脂組成物による封止物の成形性の低下を来たした
り、あるいは、100重囲部を越えると耐熱性及び硬化
性が低下する場合がある。
ミド100重量部に対し、5重量部未満の場合はマレイ
ミド樹脂組成物による封止物の成形性の低下を来たした
り、あるいは、100重囲部を越えると耐熱性及び硬化
性が低下する場合がある。
本発明に係る有機ホスフィン化合物は、主として硬化触
媒として作用するもので、例えば、トリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、メ・チルジフェニルホスフィン、ブチルフェニ
ルボスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフ
ィン、オクチルホスフィン、1.2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン、及びビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンが挙げられる。また、これらの有機ホスフィン
化合物は、1種又ま2種以上の混合系で用いてもよい。
媒として作用するもので、例えば、トリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、メ・チルジフェニルホスフィン、ブチルフェニ
ルボスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフ
ィン、オクチルホスフィン、1.2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン、及びビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンが挙げられる。また、これらの有機ホスフィン
化合物は、1種又ま2種以上の混合系で用いてもよい。
上記した有機ホスフィン化合物の添加量はN、N=−置
換ビスマレイミド樹脂100重足部に一対して、0.0
1ないし20重量部が適当であり、0.1ないし5重量
部がざらによい結果をもたらす。
換ビスマレイミド樹脂100重足部に一対して、0.0
1ないし20重量部が適当であり、0.1ないし5重量
部がざらによい結果をもたらす。
N、N−一置換ビスマレイミド樹脂100重足部に対し
有機ホスフィン化合物の配合量がo、 oi重量部未満
ではマレイミド樹脂組成物の硬化速度が上記範囲内のも
のに比へて低下して封止物の成形性が劣ったり、また2
0重足部を越えると封止物の耐熱性、耐湿性、電気特性
が上記範囲内のものに比べて低下するからである。
有機ホスフィン化合物の配合量がo、 oi重量部未満
ではマレイミド樹脂組成物の硬化速度が上記範囲内のも
のに比へて低下して封止物の成形性が劣ったり、また2
0重足部を越えると封止物の耐熱性、耐湿性、電気特性
が上記範囲内のものに比べて低下するからである。
ざらに成形性を向上させる目的でフェノールノボラック
樹脂、第一級アミン化合物、ビニル基含有化合物を配合
してもよい。
樹脂、第一級アミン化合物、ビニル基含有化合物を配合
してもよい。
本発明は、必要に応じて、無機質充填剤、離型ワックス
、カップリング剤、難燃剤、着色剤などが添加配合され
ていてもよい。
、カップリング剤、難燃剤、着色剤などが添加配合され
ていてもよい。
無機質充填剤の具体例としては、石英ガラス粉末、結晶
性シリカ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉、ケイ
酸カルシウム粉、炭酸カルシウム粉、硫酸バリウム粉、
マグネシア粉などであるが、これらの中で石英ガラス粉
や、結晶性シリカ粉が最も好ましい。
性シリカ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉、ケイ
酸カルシウム粉、炭酸カルシウム粉、硫酸バリウム粉、
マグネシア粉などであるが、これらの中で石英ガラス粉
や、結晶性シリカ粉が最も好ましい。
本発明のマレイミド樹脂組成物の製造方法としては、加
熱ロールによる溶融混練、ニーダ−による溶融混練、押
出機による溶融混線、粉砕後の特殊混合機による混合及
びこれらの各方法の適宜な組合せによって容易に製造す
ることができる。
熱ロールによる溶融混練、ニーダ−による溶融混練、押
出機による溶融混線、粉砕後の特殊混合機による混合及
びこれらの各方法の適宜な組合せによって容易に製造す
ることができる。
用いて容易に製造することができる。この封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成型法がある
が、インジェクション成型、圧搾成形、注型などによる
封止も可能である。
般的な方法としては、低圧トランスファー成型法がある
が、インジェクション成型、圧搾成形、注型などによる
封止も可能である。
本発明のマレイミド樹脂組成物 は、封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬
化に際しては、175°C以上に加熱することが望まし
い。
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬
化に際しては、175°C以上に加熱することが望まし
い。
(実施例)
次に、実施例及び比較例を掲げ、本発明をざらに詳しく
説明する。
説明する。
なお、以下の実施例及び比較例中の配合割合はすべて重
旦%を示す。
旦%を示す。
実施例1〜3
2.2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパンN、
N−−ビスマレイミド、タレゾールノボラックエポキシ
樹脂(エポキシ当量196、軟化点70℃)及びトリノ
ェニルホスフィン、離型剤としてポリエチレンワックス
(三井石油化学株式会社製11W−4252E) 、溶
融シリカ粉(Gll−80T東芝セラミツクス社製〉、
充填剤と樹脂のカップリング剤(株式会社日本ユニチカ
WAA−187) 、着色剤としてのカーボンブラック
を第1表の配合表に従って添加配合した。
N−−ビスマレイミド、タレゾールノボラックエポキシ
樹脂(エポキシ当量196、軟化点70℃)及びトリノ
ェニルホスフィン、離型剤としてポリエチレンワックス
(三井石油化学株式会社製11W−4252E) 、溶
融シリカ粉(Gll−80T東芝セラミツクス社製〉、
充填剤と樹脂のカップリング剤(株式会社日本ユニチカ
WAA−187) 、着色剤としてのカーボンブラック
を第1表の配合表に従って添加配合した。
次いで、80℃〜140℃の軸ロールで混練りし、冷却
後粉砕し、タブレット化して本発明のマレイミド樹脂組
成物を調製した。
後粉砕し、タブレット化して本発明のマレイミド樹脂組
成物を調製した。
実施例4〜6
4.4′ジアミノジフエニルメタンを2,2−ビス(4
−フェノキシフェニル)プロパンN、N=−ビスマレイ
ミドと140℃、15分間万能混合機で反応させ、プレ
ポリマーとして粉砕後、配合した以外は実施例1〜3と
同様にしてマレイミド樹脂組成物を調製した。
−フェノキシフェニル)プロパンN、N=−ビスマレイ
ミドと140℃、15分間万能混合機で反応させ、プレ
ポリマーとして粉砕後、配合した以外は実施例1〜3と
同様にしてマレイミド樹脂組成物を調製した。
比較例1
第1表の配合表に従って、トリフ゛エニルホスフィンの
代りに硬化触媒として2エチル4メチルイミダゾールを
加えた以外は実施例1〜3と同様にしてマレイミド樹脂
組成物を調製した。
代りに硬化触媒として2エチル4メチルイミダゾールを
加えた以外は実施例1〜3と同様にしてマレイミド樹脂
組成物を調製した。
比較例2
2.2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパンN、
N=−ビスマレイミド及びタレゾールノボラックエポキ
シ樹脂の代りに、N、N”〜ジフェニルメタンビスマレ
イミドと4,4′ジアミノジフエニルメタンとを140
℃、15分間万能混合機で予備反応を行ないプレポリマ
ーとして粉砕後、配合した以外は比較例1と同様にして
マレイミド樹脂組成物を調製した。N、N−−ジフェニ
ルメタンビスマレイミドと4,4′ジアミノジフエニル
メタンのプレポリマーの軟化点は90’Cであった。
N=−ビスマレイミド及びタレゾールノボラックエポキ
シ樹脂の代りに、N、N”〜ジフェニルメタンビスマレ
イミドと4,4′ジアミノジフエニルメタンとを140
℃、15分間万能混合機で予備反応を行ないプレポリマ
ーとして粉砕後、配合した以外は比較例1と同様にして
マレイミド樹脂組成物を調製した。N、N−−ジフェニ
ルメタンビスマレイミドと4,4′ジアミノジフエニル
メタンのプレポリマーの軟化点は90’Cであった。
また、実施例6の2,2−ビス(4−フェノキシフェニ
ル)プロパンN、N−−ビスマレイミドは、精製を十分
に行なったものを用い、残存有機酸♀$2.2−ビス(
4−フェノキシフェニル)プロパンN、N−−ビスマレ
イミドに対し0.05%であった。
ル)プロパンN、N−−ビスマレイミドは、精製を十分
に行なったものを用い、残存有機酸♀$2.2−ビス(
4−フェノキシフェニル)プロパンN、N−−ビスマレ
イミドに対し0.05%であった。
これらを、以下に示す第1表にまとめて示す。
さらに、その最下段に実施例及び比較例に用いたN、N
′置換ビスマレイミド化合物中の残存有機酸量をあわせ
て示した。
′置換ビスマレイミド化合物中の残存有機酸量をあわせ
て示した。
(以下余白)
次いで、上述した実施例及び比較例で調製したマレイミ
ド樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機を使用し成
形温度175°C1第2表に示す成形時間で成形し、実
施例1〜6ならびに比較例1及び2の試験片を試作し、
175℃で8時間アフターキュアー後各物性測定に供し
た。
ド樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機を使用し成
形温度175°C1第2表に示す成形時間で成形し、実
施例1〜6ならびに比較例1及び2の試験片を試作し、
175℃で8時間アフターキュアー後各物性測定に供し
た。
また、半導体素子の封止樹脂として使用した場合におけ
る、封止半導体装置の耐湿性及び耐熱性を調べるため、
耐湿信頼性テスト及び冷熱サイクルテストを行なった。
る、封止半導体装置の耐湿性及び耐熱性を調べるため、
耐湿信頼性テスト及び冷熱サイクルテストを行なった。
これらのテストに供するため、実施例1〜6ならびに比
較例1及び2の樹脂組成物を用いて、DI PI3 p
infL型により、耐湿信頼性テスト用素子(り#O)
及び冷熱サイクルテスト用素子(480)の封止を行な
い、175℃で8時間アフターギュアーして、テスト用
封止半導体装置を調製した。
較例1及び2の樹脂組成物を用いて、DI PI3 p
infL型により、耐湿信頼性テスト用素子(り#O)
及び冷熱サイクルテスト用素子(480)の封止を行な
い、175℃で8時間アフターギュアーして、テスト用
封止半導体装置を調製した。
耐湿信頼性テストとしては、プレッシャークツカー法(
127°C12,5気圧)を用い、供試試料数に対する
A1配線腐食不良個数をもって耐湿性の判断規準とした
。
127°C12,5気圧)を用い、供試試料数に対する
A1配線腐食不良個数をもって耐湿性の判断規準とした
。
冷熱サイクルテストは、周囲温度を一65°Cに30分
間、次いで、25℃に5分間、次いで、200’Cに3
0分間、さらに25℃に5分間類次変化させることを1
サイクルとし、このサイクルを繰り返す周囲温度中に試
験体を曝し、供試試料数に対するワイヤーオープンによ
る不良個数をもって耐熱性の判断規準とした。
間、次いで、25℃に5分間、次いで、200’Cに3
0分間、さらに25℃に5分間類次変化させることを1
サイクルとし、このサイクルを繰り返す周囲温度中に試
験体を曝し、供試試料数に対するワイヤーオープンによ
る不良個数をもって耐熱性の判断規準とした。
各々の実施例及び比較例の物性値耐湿信頼性テスト及び
冷熱サイクルテストの結果を第2表にまとめて示す。
冷熱サイクルテストの結果を第2表にまとめて示す。
(以下余白)
第2表から明らかなように、本発明に係るマレイミド樹
脂組成物は、半導体素子封止に用いた場合において、従
来の封止用樹脂組成物に較べ、半導体装置の成形時間が
短かく、耐湿性が優れ、耐熱性においても同等以上の性
能を示している。
脂組成物は、半導体素子封止に用いた場合において、従
来の封止用樹脂組成物に較べ、半導体装置の成形時間が
短かく、耐湿性が優れ、耐熱性においても同等以上の性
能を示している。
なかんずく、実施例6で示すようにN、N”−置換ビス
マレイミド中の残存有機酸量を0.01%以下とした場
合は、半導体装置の耐湿性及び耐熱性をさらに著しく向
上することができる。
マレイミド中の残存有機酸量を0.01%以下とした場
合は、半導体装置の耐湿性及び耐熱性をさらに著しく向
上することができる。
(発明の効果)
本発明によれば、半導体素子の高集積化、実装工程の高
温化に対応し、耐湿性、耐熱性共に優れた樹脂組成物が
1qられる。
温化に対応し、耐湿性、耐熱性共に優れた樹脂組成物が
1qられる。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 松山光之
Claims (2)
- (1)(a)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ のいずれか)で示されるN,N′−置換ビ スマレイミド化合物 (b)エポキシ樹脂 (c)有機ホスフィン化合物 からなることを特徴とするマレイミド樹脂組成物。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ のいずれか)で示されるN,N′−置換ビスマレイミド
化合物中の残存有機酸が0.1%以下である特許請求の
範囲第1項記載のマレイミド樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62284222A JP2519266B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | マレイミド樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62284222A JP2519266B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | マレイミド樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01126321A true JPH01126321A (ja) | 1989-05-18 |
JP2519266B2 JP2519266B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=17675754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62284222A Expired - Fee Related JP2519266B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | マレイミド樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2519266B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225499A (en) * | 1990-03-09 | 1993-07-06 | Hitachi, Ltd. | Resin composition for encapsulating of semiconductor and semiconductor apparatus using of the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60156669A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-08-16 | アモコ・コーポレイション | ビスマレイミド |
JPS62132916A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-16 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62284222A patent/JP2519266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60156669A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-08-16 | アモコ・コーポレイション | ビスマレイミド |
JPS62132916A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-16 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225499A (en) * | 1990-03-09 | 1993-07-06 | Hitachi, Ltd. | Resin composition for encapsulating of semiconductor and semiconductor apparatus using of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2519266B2 (ja) | 1996-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |