JPH01126321A - マレイミド樹脂組成物 - Google Patents

マレイミド樹脂組成物

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JPH01126321A
JPH01126321A JP28422287A JP28422287A JPH01126321A JP H01126321 A JPH01126321 A JP H01126321A JP 28422287 A JP28422287 A JP 28422287A JP 28422287 A JP28422287 A JP 28422287A JP H01126321 A JPH01126321 A JP H01126321A
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健 内田
Naoko Kihara
尚子 木原
Akira Yoshizumi
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、マレイミド樹脂組成物特に半導体素子封止に
用いた場合、耐熱性、耐湿性に優れた樹脂封止型半導体
装置を得るためのマレイミド樹脂組成物に関するもので
ある。
(従来の技術) 近年、半導体装置の樹脂封止に関する分野においては、
半導体素子の高集積度化に伴って、素子上の各種機能単
位の細密化、素子自体の大型化が急速に進んでいる。ま
た、実装面においても、260℃半田浴に浸せき処理し
、実装する方法が採用されており、封止樹脂も従来のエ
ポキシ樹脂では、高温における機械的特性及び信頼性の
要求が満足できなくなってきた。
すなわち、従来のエポキシ樹脂系を用いて大型でかつ微
細な表面構造を有する素子と封止すると、アルミニウム
などの配線層の保護膜として用いられているPSG (
りんけい酸ガラス)や5iN(窒化けい素)にクラック
を生じたり、素子にクラックを生じたり、また、表面実
装工程で、260生してぎた。
これらの対策として、封止樹脂の内部封入物に対する応
力を小さくし、かつ封止樹脂と素−APSGやseN、
ポリイミド膜などのパッシベーション膜との密着性を上
げ、耐熱性を向上させる必要が生じた。
この観点から、封止樹脂として、例えばマレイミド樹脂
系をはじめ、PPS (ポリフェニレンサルファイド)
系、ポリヒドロキシフェニレンニーデル系、液晶ポリマ
ーの実用化検討中性なわれている。さらに、近時、マレ
イミド樹脂とエポキシ樹脂を組合せた系、又は、マレイ
ミド樹脂と4゜4−ジアミノジフェニルメタンを組合°
せた系の封止樹脂が提案されている。しかしながら、こ
の樹脂は、従来の封止用エポキシ樹脂に比較して封止物
の耐熱性は優れているが、耐湿性が低く、ざらに成形温
度が高く成形に長時間を要する上、素子だ。
(発明が解決しようとする問題点) 上述のように、従来提案されている樹脂組成物は、封止
物の耐熱性において優れているが、耐湿性及び成形性が
劣るという欠点があった。本発明は半導体用月1し樹脂
に要求される封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のすべ
てにおいて優れた半導体封止用樹脂組成物を提供するこ
とを目的とするものである。
本発明者らは、マレイミド樹脂とエポキシ樹脂の組合せ
た系について、上記問題点を解決するため鋭意研究を重
ねた結果、有機ホスフィン化合物を加えることにより、
封止物の耐熱性、耐湿性及び成形性のバランスのとれた
マレイミド樹脂組成物が得られることを発見し本発明を
完成するに至った。
すなわち、本発明のマレイミド樹脂組成物は、(2)−
数式 のいずれか)で示されるN、N−一置換ビスマレイミド
化合物。
0 工、ポキシ樹脂 (C)  有機ホスフィン化合物 からなることを特徴とするものである。
本発明における一般式 の5l−Kか)で玉6れう N、N”−置換ビス了レイミド化合物は、以下に示す ジアミン化合物と無水マレイン酸を反応させることによ
り)qられる。
特に本化合物中の残存有機酸量を0.1%以下とした場
合には後述す実施例6に示すように封止物耐湿性及び耐
熱性の向上が顕著なマレイミド樹脂組成物が得られる。
反応方法としては、特に限定するものではないが、反応
溶媒中でマレイン)アミック酸を合成し、次いで、マレ
インアミック酸を無水酢酸を用いて脱水閉環し、ビスマ
レイミド化合物としてから精製する方法、反応溶媒中で
、マレインアミック酸から直接脱水閉環後、精製する方
法があり、残存有機酸量を極力減らす反応としては後者
が好ましい。
有機酸の含有足は、封止物の耐湿性を大きく左右し、精
製が不十分で、有機酸が天吊に残存する場合には、半導
体チップ上のA1配線層の腐食を進行させ、封止物の耐
湿性の低下を招く。
本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂は、
例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック
型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂があり、これらを組合せて用いても
よい。
これらエポキシ樹脂の具体例としては、室温(25℃)
で液状のものから、軟化温度90℃を有するものが好ま
しく、特に軟化点50℃ないし80℃のタレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂であって、加水分解性塩素濃度が
低いものがさらに好ましい。
エポキシ樹脂の配合割合は、N、N”−置換ビスマレイ
ミド化合物100重量部に対して、5ないし100重量
部の範囲でめり、好ましくは10ないし70重足部の範
囲である。
エポキシ樹脂の配合割合が、N、N=−置換ビスマレイ
ミド100重量部に対し、5重量部未満の場合はマレイ
ミド樹脂組成物による封止物の成形性の低下を来たした
り、あるいは、100重囲部を越えると耐熱性及び硬化
性が低下する場合がある。
本発明に係る有機ホスフィン化合物は、主として硬化触
媒として作用するもので、例えば、トリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、メ・チルジフェニルホスフィン、ブチルフェニ
ルボスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフ
ィン、オクチルホスフィン、1.2−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン、及びビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンが挙げられる。また、これらの有機ホスフィン
化合物は、1種又ま2種以上の混合系で用いてもよい。
上記した有機ホスフィン化合物の添加量はN、N=−置
換ビスマレイミド樹脂100重足部に一対して、0.0
1ないし20重量部が適当であり、0.1ないし5重量
部がざらによい結果をもたらす。
N、N−一置換ビスマレイミド樹脂100重足部に対し
有機ホスフィン化合物の配合量がo、 oi重量部未満
ではマレイミド樹脂組成物の硬化速度が上記範囲内のも
のに比へて低下して封止物の成形性が劣ったり、また2
0重足部を越えると封止物の耐熱性、耐湿性、電気特性
が上記範囲内のものに比べて低下するからである。
ざらに成形性を向上させる目的でフェノールノボラック
樹脂、第一級アミン化合物、ビニル基含有化合物を配合
してもよい。
本発明は、必要に応じて、無機質充填剤、離型ワックス
、カップリング剤、難燃剤、着色剤などが添加配合され
ていてもよい。
無機質充填剤の具体例としては、石英ガラス粉末、結晶
性シリカ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉、ケイ
酸カルシウム粉、炭酸カルシウム粉、硫酸バリウム粉、
マグネシア粉などであるが、これらの中で石英ガラス粉
や、結晶性シリカ粉が最も好ましい。
本発明のマレイミド樹脂組成物の製造方法としては、加
熱ロールによる溶融混練、ニーダ−による溶融混練、押
出機による溶融混線、粉砕後の特殊混合機による混合及
びこれらの各方法の適宜な組合せによって容易に製造す
ることができる。
用いて容易に製造することができる。この封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成型法がある
が、インジェクション成型、圧搾成形、注型などによる
封止も可能である。
本発明のマレイミド樹脂組成物 は、封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封
止された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬
化に際しては、175°C以上に加熱することが望まし
い。
(実施例) 次に、実施例及び比較例を掲げ、本発明をざらに詳しく
説明する。
なお、以下の実施例及び比較例中の配合割合はすべて重
旦%を示す。
実施例1〜3 2.2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパンN、
N−−ビスマレイミド、タレゾールノボラックエポキシ
樹脂(エポキシ当量196、軟化点70℃)及びトリノ
ェニルホスフィン、離型剤としてポリエチレンワックス
(三井石油化学株式会社製11W−4252E) 、溶
融シリカ粉(Gll−80T東芝セラミツクス社製〉、
充填剤と樹脂のカップリング剤(株式会社日本ユニチカ
WAA−187) 、着色剤としてのカーボンブラック
を第1表の配合表に従って添加配合した。
次いで、80℃〜140℃の軸ロールで混練りし、冷却
後粉砕し、タブレット化して本発明のマレイミド樹脂組
成物を調製した。
実施例4〜6 4.4′ジアミノジフエニルメタンを2,2−ビス(4
−フェノキシフェニル)プロパンN、N=−ビスマレイ
ミドと140℃、15分間万能混合機で反応させ、プレ
ポリマーとして粉砕後、配合した以外は実施例1〜3と
同様にしてマレイミド樹脂組成物を調製した。
比較例1 第1表の配合表に従って、トリフ゛エニルホスフィンの
代りに硬化触媒として2エチル4メチルイミダゾールを
加えた以外は実施例1〜3と同様にしてマレイミド樹脂
組成物を調製した。
比較例2 2.2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパンN、
N=−ビスマレイミド及びタレゾールノボラックエポキ
シ樹脂の代りに、N、N”〜ジフェニルメタンビスマレ
イミドと4,4′ジアミノジフエニルメタンとを140
℃、15分間万能混合機で予備反応を行ないプレポリマ
ーとして粉砕後、配合した以外は比較例1と同様にして
マレイミド樹脂組成物を調製した。N、N−−ジフェニ
ルメタンビスマレイミドと4,4′ジアミノジフエニル
メタンのプレポリマーの軟化点は90’Cであった。
また、実施例6の2,2−ビス(4−フェノキシフェニ
ル)プロパンN、N−−ビスマレイミドは、精製を十分
に行なったものを用い、残存有機酸♀$2.2−ビス(
4−フェノキシフェニル)プロパンN、N−−ビスマレ
イミドに対し0.05%であった。
これらを、以下に示す第1表にまとめて示す。
さらに、その最下段に実施例及び比較例に用いたN、N
′置換ビスマレイミド化合物中の残存有機酸量をあわせ
て示した。
(以下余白) 次いで、上述した実施例及び比較例で調製したマレイミ
ド樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機を使用し成
形温度175°C1第2表に示す成形時間で成形し、実
施例1〜6ならびに比較例1及び2の試験片を試作し、
175℃で8時間アフターキュアー後各物性測定に供し
た。
また、半導体素子の封止樹脂として使用した場合におけ
る、封止半導体装置の耐湿性及び耐熱性を調べるため、
耐湿信頼性テスト及び冷熱サイクルテストを行なった。
これらのテストに供するため、実施例1〜6ならびに比
較例1及び2の樹脂組成物を用いて、DI PI3 p
infL型により、耐湿信頼性テスト用素子(り#O)
及び冷熱サイクルテスト用素子(480)の封止を行な
い、175℃で8時間アフターギュアーして、テスト用
封止半導体装置を調製した。
耐湿信頼性テストとしては、プレッシャークツカー法(
127°C12,5気圧)を用い、供試試料数に対する
A1配線腐食不良個数をもって耐湿性の判断規準とした
冷熱サイクルテストは、周囲温度を一65°Cに30分
間、次いで、25℃に5分間、次いで、200’Cに3
0分間、さらに25℃に5分間類次変化させることを1
サイクルとし、このサイクルを繰り返す周囲温度中に試
験体を曝し、供試試料数に対するワイヤーオープンによ
る不良個数をもって耐熱性の判断規準とした。
各々の実施例及び比較例の物性値耐湿信頼性テスト及び
冷熱サイクルテストの結果を第2表にまとめて示す。
(以下余白) 第2表から明らかなように、本発明に係るマレイミド樹
脂組成物は、半導体素子封止に用いた場合において、従
来の封止用樹脂組成物に較べ、半導体装置の成形時間が
短かく、耐湿性が優れ、耐熱性においても同等以上の性
能を示している。
なかんずく、実施例6で示すようにN、N”−置換ビス
マレイミド中の残存有機酸量を0.01%以下とした場
合は、半導体装置の耐湿性及び耐熱性をさらに著しく向
上することができる。
(発明の効果) 本発明によれば、半導体素子の高集積化、実装工程の高
温化に対応し、耐湿性、耐熱性共に優れた樹脂組成物が
1qられる。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同  松山光之

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(a)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ のいずれか)で示されるN,N′−置換ビ スマレイミド化合物 (b)エポキシ樹脂 (c)有機ホスフィン化合物 からなることを特徴とするマレイミド樹脂組成物。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Xは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼ のいずれか)で示されるN,N′−置換ビスマレイミド
    化合物中の残存有機酸が0.1%以下である特許請求の
    範囲第1項記載のマレイミド樹脂組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225499A (en) * 1990-03-09 1993-07-06 Hitachi, Ltd. Resin composition for encapsulating of semiconductor and semiconductor apparatus using of the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60156669A (ja) * 1983-12-22 1985-08-16 アモコ・コーポレイション ビスマレイミド
JPS62132916A (ja) * 1985-12-06 1987-06-16 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60156669A (ja) * 1983-12-22 1985-08-16 アモコ・コーポレイション ビスマレイミド
JPS62132916A (ja) * 1985-12-06 1987-06-16 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225499A (en) * 1990-03-09 1993-07-06 Hitachi, Ltd. Resin composition for encapsulating of semiconductor and semiconductor apparatus using of the same

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