JPH01125570U - - Google Patents

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JPH01125570U
JPH01125570U JP1988124774U JP12477488U JPH01125570U JP H01125570 U JPH01125570 U JP H01125570U JP 1988124774 U JP1988124774 U JP 1988124774U JP 12477488 U JP12477488 U JP 12477488U JP H01125570 U JPH01125570 U JP H01125570U
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semiconductor laser
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bandgap
laser
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JP1988124774U
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案の半導体レーザの各層を示す
断面略図、第２図はｎドーピング乃至ｐドーピン
グされたＧａＡｓ層の、光子エネルギに依存した
屈折率をそれぞれ実線乃至破線にて示し、第３図
は表面に溝状の凹部を設けた本考案の第１の実施
例の各層を示す断面略図、第４図は第３図の実施
例の層列におけるレーザ波の電界の発生状況を示
すグラフ図、第５図は第４図に示す層列に対する
フアー・フイールド角度に依存したフアー・フイ
ールド強度を示すグラフ図であり、第６図は第２
の実施例の半導体レーザの層列における電界の発
生状況を示すグラフ図、第７図は第６図に示す層
列に対するフアー・フイールド角度に依存したフ
アー・フイールド強度を示すグラフ図である。 １，６……大きなバンドギヤツプを有する半導
体層、２〜５……レーザ活性層（３……再結合層
、５……高ドーピング層）、７……接触接続付加
層、８……拡散阻止層、１０……金属層、２０…
…サブストレート。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ レーザ活性領域は両側が半導体層によつて取
    囲まれており、該半導体層のバンドギヤツプはレ
    ーザ活性領域内の最大バンドギヤツプより大きい
    、ヘテロ構造ダイオードの形式に形成されている
    層列を有する半導体レーザにおいて、 (a) レーザ活性領域（２乃至５）は、少なく
    とも３つの層から成つており、該層のうち少なく
    とも２つの層は、最小のバンドギヤツプを有する
    層３がそれより大きなバンドギヤツプを有する層
    によつて取囲まれるようにバンドギヤツプが相異
    しており、かつＰｎ接合部が最小のバンドギヤツ
    プを有する層３に直接形成されており、 (b) 結晶の表面から拡散により単一の導電形
    を有するストライプ状の導電路９が形成されてお
    り、該導電路はレーザ活性層（２乃至５）の１つ
    または若干の層内に侵入しているが、最小のバン
    ドギヤツプを有する層３には侵入せず、かつ該最
    小のバンドギヤツプを有する層３のバンドギヤツ
    プは、レーザ活性領域に存在する別の層のバンド
    ギヤツプより少なくとも４０ｍｅＶ小さくかつ表
    面が、レーザビームの射出面に対して大体垂直方
    向に延在する溝状の凹部１１を有し、かつストラ
    イプ状の導電路９が拡散により凹部を介して形成
    されて成る半導体レーザ。 ２ ストライプ状の導電路９の、レーザ活性領域
    との接合部６／５における幅Ｂ１が１乃至８μｍ
    の間にある実用新案登録請求の範囲第１項記載の
    半導体レーザ。 ３ 最小のバンドギヤツプを有する層３の厚さが
    ０．２μｍ以下である実用新案登録請求の範囲第
    １項記載の半導体レーザ。 ４ レーザ活性領域は少なくとも３つの個別層３
    ，４，５から成り、その際最も上の層５はｎドー
    ピングされており、その下に位置する層４はｐド
    ーピングされており、また拡散されたｐ導電形の
    導電路９はレーザ活性領域の最も上の層５を通し
    てその下に位置する層４内に達しており、最も上
    の層５においてはｎ導電形からｐ導電形に変わつ
    ている実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導
    体レーザ。 ５ 層１乃至７およびサブストレート２０は次の
    ように、即ち 層材料 導電形 （２０ ＧａＡｓ ｎ（サブストレート） １ Ｇａ１−ＸＡ１ＸＡｓ ｎ ２ Ｇａ１−ＸＡ１ＸＡｓ ｎ ３ Ｇａ１−ＸＡ１ＸＡｓ ｎまたはｐ ４ Ｇａ１−ＸＡ１ＸＡｓ ｐ ５ Ｇａ１−ＸＡ１ＸＡｓ ｎ ６ Ｇａ１―ＸＡ１ＸＡｓ ｎまたはｐ ７ ＧａＡｓ層ｎ ｎまたはｐ に形成されており、その際レーザ活性領域は４つ
    の個別層（２，３，４および５）から成り、かつ
    ｘ，ｘ＞ｘ，ｘ，ｘ，ｘ並びにｘ＜
    ｘ，Ｘが成立ち、またストライプ状の導電路
    は第５の層５を通して第４の層４まで達しており
    、従つて第６および第５の層（６および５）にお
    いて導電形がｎからｐへ変わつている実用新案登
    録請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 ６ 各層が次のように、即ち 層材料 導電形 （２０ ｎｐ ｎ（サブストレート） １ Ｇａ１−ＸｎＸＡｓ１−ｙＰｙ ｎ ２ Ｇａ１−ＸＩｎＸＡｓ１−ｙＰｙ
    ｎ ３ Ｇａ１−ＸｎＸＡｓ１―ｙＰｙ
    ｎまたはｐ ４ Ｇａ１−ＸｎＸＡｓ１―ｙＰｙ
    ｐ ５ Ｇａ１−ＸｎＸＡｓ１−ｙＰｙ
    ｎ ６ Ｇａ１−ＸＩｎＸＡｓ１−ｙＰｙ
    ｎまたはｐ ７ Ｇａ１−ＸＩｎＸＡｓ１−ｙＰｙ
    ｎまたはｐ から成り、その際ｘ，ｘ＞ｘ，ｘ，ｘ，
    ｘ並びにｘ〈ｘ，ｘが成立ちかつｙ，ｙ
    ，ｙ，ｙ，ｘ，ｙ，ｙは各層におい
    て格子定数がＩｎｐの格子定数に相応する、即ち
    それぞれの層において１―ｘ１―ｙ０．４７が
    成立つように選択されている実用新案登録請求の
    範囲第１項記載の半導体レーザ。 ７ ｘ＜ｘである実用新案登録請求の範囲第
    ５項記載の半導体レーザ。 ８ 第５の層５が１０１８cm−３より大きな濃度
    でｎ形にドーピングされている実用新案登録請求
    の範囲第５項記載の半導体レーザ。 ９ 第４の層４は、５・１０１７cm−３より小さ
    な濃度でドーピングされている実用新案登録請求
    の範囲第５項記載の半導体レーザ。 １０ レーザ活性領域（２乃至５）の厚さは全体
    で２μｍ以下である実用新案登録請求の範囲第１
    項記載の半導体レーザ。 １１ 第２の層２が省略されている実用新案登録
    請求の範囲第５項記載の半導体レーザ。
JP1988124774U 1979-08-16 1988-09-26 Pending JPH01125570U (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792933035 DE2933035A1 (de) 1979-08-16 1979-08-16 Halbleiterlaser

Publications (1)

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JPH01125570U true JPH01125570U (ja) 1989-08-28

Family

ID=6078497

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10783080A Pending JPS5660090A (en) 1979-08-16 1980-08-07 Semiconductor laser
JP1988124774U Pending JPH01125570U (ja) 1979-08-16 1988-09-26

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JP10783080A Pending JPS5660090A (en) 1979-08-16 1980-08-07 Semiconductor laser

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US (1) US4359775A (ja)
JP (2) JPS5660090A (ja)
DE (1) DE2933035A1 (ja)
FR (1) FR2463528A1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS5660090A (en) 1981-05-23
DE2933035A1 (de) 1981-03-26
FR2463528A1 (fr) 1981-02-20
US4359775A (en) 1982-11-16
DE2933035C2 (ja) 1989-10-12
FR2463528B1 (ja) 1984-06-01

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